JP2016058594A5 -
阅读：1发布：2021-07-05
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一方の面に円形の外周部を有する第１の外部電極と、
ドレイン電極とソース電極とゲート電極とを有するＭＯＳＦＥＴチップと、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極と前記ソース電極の電圧もしくは電流を入力し、当該電圧もしくは電流に基づいて前記ＭＯＳＦＥＴチップを制御する信号を前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ゲート電極に供給する制御回路チップと、
前記ＭＯＳＦＥＴチップに対して前記第１の外部電極の反対側に配置され、前記第１の外部電極の円形の外周部の中心軸上に外部端子を有する第２の外部電極と、
前記制御回路チップと前記第１の外部電極または前記第２の外部電極とを電気的に絶縁する絶縁基板と、
を備え、
前記第１の外部電極と、前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極および前記ソース電極と、前記第２の外部電極とは、前記中心軸方向に積み重なるように配置され、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の一方と前記第１の外部電極とが電気的に接続され、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の他方と前記第２の外部電極とが電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
ドレイン電極とソース電極とゲート電極とを有するＭＯＳＦＥＴチップと、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極と前記ソース電極の電圧もしくは電流を入力し、当該電圧もしくは電流に基づいて前記ＭＯＳＦＥＴチップを制御する信号を前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ゲート電極に供給する制御回路チップと、
前記ＭＯＳＦＥＴチップに対して前記第１の外部電極の反対側に配置され、前記第１の外部電極の円形の外周部の中心軸上に外部端子を有する第２の外部電極と、
前記制御回路チップと前記第１の外部電極または前記第２の外部電極とを電気的に絶縁する絶縁基板と、
を備え、
前記第１の外部電極と、前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極および前記ソース電極と、前記第２の外部電極とは、前記中心軸方向に積み重なるように配置され、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の一方と前記第１の外部電極とが電気的に接続され、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の他方と前記第２の外部電極とが電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
請求項１において、
さらに、
前記制御回路チップの電源間に接続されたコンデンサと、
を備え、
前記ＭＯＳＦＥＴチップと、前記絶縁基板は、前記第１の外部電極上または前記第２の外部電極上に配置され、
前記制御回路 チップと前記コンデンサは、前記絶縁基板上に配置されることを特徴とする半導体装置。
さらに、
前記制御回路チップの電源間に接続されたコンデンサと、
を備え、
前記ＭＯＳＦＥＴチップと、前記絶縁基板は、前記第１の外部電極上または前記第２の外部電極上に配置され、
前記制御回路 チップと前記コンデンサは、前記絶縁基板上に配置されることを特徴とする半導体装置。
請求項２において、
さらに、ツェナーダイオードを備え、
前記ツェナーダイオードの第１の主端子と前記第１の外部電極が電気的に接続され、
前記ツェナーダイオードの第２の主端子と前記第２の外部電極が電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
さらに、ツェナーダイオードを備え、
前記ツェナーダイオードの第１の主端子と前記第１の外部電極が電気的に接続され、
前記ツェナーダイオードの第２の主端子と前記第２の外部電極が電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
請求項３において、
前記ツェナーダイオードが前記ＭＯＳＦＥＴチップ内に内蔵されることを特徴とする半導体装置。
前記ツェナーダイオードが前記ＭＯＳＦＥＴチップ内に内蔵されることを特徴とする半導体装置。
請求項２において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの形状は長方形であり、前記長方形の長辺に隣接する位置に前記コンデンサと前記制御回路チップとが配置されることを特徴とする半導体装置。
前記ＭＯＳＦＥＴチップの形状は長方形であり、前記長方形の長辺に隣接する位置に前記コンデンサと前記制御回路チップとが配置されることを特徴とする半導体装置。
請求項１または請求項２において、
前記第１の外部電極の前記円形の外周部もしくは底面部に、前記円形の外周部の中心軸周りの位置決め用の凹部または凸部を有することを特徴とする半導体装置。
前記第１の外部電極の前記円形の外周部もしくは底面部に、前記円形の外周部の中心軸周りの位置決め用の凹部または凸部を有することを特徴とする半導体装置。
請求項１または請求項２において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の一方と前記第１の外部電極との電気的接続、および前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の他方と前記第２の外部電極との電気的接続が、半田を介してまたは圧接されて連結されることを特徴とする半導体装置。
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の一方と前記第１の外部電極との電気的接続、および前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の他方と前記第２の外部電極との電気的接続が、半田を介してまたは圧接されて連結されることを特徴とする半導体装置。
請求項２において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップ、および、前記制御回路チップと前記コンデンサとの電気的接続がワイヤによることを特徴とする半導体装置。
前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップ、および、前記制御回路チップと前記コンデンサとの電気的接続がワイヤによることを特徴とする半導体装置。
請求項２において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップ、および、前記制御回路チップと前記コンデンサは、それぞれの電極間を導体とバネを有する導体機構で電気的に接続され、
前記導体は半田を介して前記電極に固定され、前記導体機構は前記バネの弾性力による押圧により前記電極に固定されることを特徴とする半導体装置。
前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップ、および、前記制御回路チップと前記コンデンサは、それぞれの電極間を導体とバネを有する導体機構で電気的に接続され、
前記導体は半田を介して前記電極に固定され、前記導体機構は前記バネの弾性力による押圧により前記電極に固定されることを特徴とする半導体装置。
請求項２において、
前記第１の外部電極は、前記円形の外周部に収まる大きさの台座を有し、
当該台座上に、前記ＭＯＳＦＥＴチップと、前記制御回路チップおよび前記コンデンサとを搭載した前記絶縁基板とが搭載され、
前記台座、前記ＭＯＳＦＥＴチップ、前記制御回路チップ、前記コンデンサ、および前記絶縁基板が第１の樹脂で覆われていることを特徴とする半導体装置。
前記第１の外部電極は、前記円形の外周部に収まる大きさの台座を有し、
当該台座上に、前記ＭＯＳＦＥＴチップと、前記制御回路チップおよび前記コンデンサとを搭載した前記絶縁基板とが搭載され、
前記台座、前記ＭＯＳＦＥＴチップ、前記制御回路チップ、前記コンデンサ、および前記絶縁基板が第１の樹脂で覆われていることを特徴とする半導体装置。
請求項１０において、
前記第１の樹脂内で、前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップの側壁が第２の樹脂で覆われ、
前記第２の樹脂は前記第１の樹脂よりも前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップとの密着性が高いことを特徴とする半導体装置。
前記第１の樹脂内で、前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップの側壁が第２の樹脂で覆われ、
前記第２の樹脂は前記第１の樹脂よりも前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップとの密着性が高いことを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップは、ｎ型のＭＯＳＦＥＴを備えていることを特徴とする半導体装置。
前記ＭＯＳＦＥＴチップは、ｎ型のＭＯＳＦＥＴを備えていることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とするオルタネータ。
請求項１に記載の前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極と前記第１の外部電極とに電気的に接続し、前記ソース電極と前記第２の外部電極とに電気的に接続した半導体素子を整流装置としてハイサイドに、
請求項１に記載の前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ソース電極と前記第１の外部電極とに電気的に接続し、前記ドレイン電極と前記第２の外部電極とに電気的に接続した半導体素子を整流装置としてローサイドに、
それぞれ有する整流回路を備えることを特徴とするオルタネータ。
請求項１に記載の前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ソース電極と前記第１の外部電極とに電気的に接続し、前記ドレイン電極と前記第２の外部電極とに電気的に接続した半導体素子を整流装置としてローサイドに、
それぞれ有する整流回路を備えることを特徴とするオルタネータ。
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電力変換装置。
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