JP2013157536A5 -
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前記ダイパッドの裏面に形成された第１ディンプルと、
前記第１ディンプルの横領域の前記ダイパッドの裏面に形成された第２ディンプルとを備えたリードフレームであって、
前記第１ディンプルは、
一方の対向する２辺に備えられ、深さ方向に傾斜する第１傾斜側面と、
他方の対向する２辺に備えられ、深さ方向に垂直に起立する側面が前記第２ディンプルによって変形されて形成された、前記第１傾斜側面と逆方向の深さ方向に傾斜する逆傾斜側面とを有する横置き台形柱形状で形成され、
前記第２ディンプルは、前記第１ディンプルの逆傾斜側面と対向して配置された第２傾斜側面を有し、
前記ダイパッドの表面が半導体素子搭載面であることを特徴とするリードフレーム。
前記長手方向は、前記一方の対向する２辺を結ぶ方向であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
前記ダイパッドの裏面に形成された第１ディンプルと、
前記第１ディンプルの横領域の前記ダイパッドの裏面に形成された第２ディンプルとを備えたリードフレームであって、
前記第１ディンプルは、
一方の対向する２辺に備えられ、深さ方向に傾斜する第１傾斜側面と、
他方の対向する２辺に備えられ、深さ方向に垂直に起立する側面が前記第２ディンプルによって変形されて形成された、前記第１傾斜側面と逆方向の深さ方向に傾斜する逆傾斜側面とを有する横置き台形柱形状で形成され、
前記第２ディンプルは、前記第１ディンプルの逆傾斜側面と対向して配置された第２傾斜側面を有する前記リードフレームと、
前記ダイパッドの表面の半導体素子搭載面に実装された半導体素子と、
前記ダイパッドの外側に並んで配置された複数のリードと、
前記半導体素子と前記リードとを接続するワイヤと、
前記リードが露出するように、前記ダイパッドの両面、前記半導体素子及び前記ワイヤを封止する樹脂部とを有することを特徴とする半導体装置。
第２のプレス加工により、前記第１ディンプルの前記起立側面の横領域に、深さ方向に傾斜する第２傾斜側面を備えた第２ディンプルの前記第２傾斜側面が配置されるように、前記ダイパッドの裏面に前記第２ディンプルを形成することにより、前記第１ディンプルの前記起立側面を前記第１傾斜側面と逆方向に傾斜する逆傾斜側面とする工程とを有し、
前記ダイパッドの表面が半導体素子搭載面であることを特徴とするリードフレームの製造方法。
前記第２ディンプルの形状は、四角錐を上下反転させた形状であることを特徴とする請求項６に記載のリードフレームの製造方法。
前記長手方向は、前記一方の対向する２辺を結ぶ方向であることを特徴とする請求項７に記載のリードフレームの製造方法。
第２のプレス加工により、前記第１ディンプルの前記起立側面の横領域に、深さ方向に傾斜する第２傾斜側面を備えた第２ディンプルの前記第２傾斜側面が配置されるように、前記ダイパッドの裏面に前記第２ディンプルを形成することにより、前記第１ディンプルの前記起立側面を前記第１傾斜側面と逆方向に傾斜する逆傾斜側面とする工程と を有する方法でリードフレームを得る工程と、
前記ダイパッドの表面の半導体素子搭載面に半導体素子を実装する工程と、
前記半導体素子と前記リードフレームのリードとをワイヤで接続する工程と、
前記リードが露出するように、前記ダイパッドの両面、前記半導体素子及び前記ワイヤを樹脂部で封止する工程と、
前記リードフレームの枠部から前記ダイパッド及び前記リードを切り離す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
また、その開示の他の観点によれば、ダイパッドと、前記ダイパッドの裏面に形成された第１ディンプルと、前記第１ディンプルの横領域の前記ダイパッドの裏面に形成された第２ディンプルとを備えたリードフレームであって、前記第１ディンプルは、一方の対向する２辺に備えられ、深さ方向に傾斜する第１傾斜側面と、他方の対向する２辺に備えられ、深さ方向に垂直に起立する側面が前記第２ディンプルによって変形されて形成された、前記第１傾斜側面と逆方向の深さ方向に傾斜する逆傾斜側面とを有する横置き台形柱形状で形成され、前記第２ディンプルは、前記第１ディンプルの逆傾斜側面と対向して配置された第２傾斜側面を有し、前記ダイパッドの表面が半導体素子搭載面であるリードフレームが提供される。
２実施形態の変形例のリードフレームを示す平面図である。
図９（ｂ）は図９（ａ）のダイパッド１０の裏面の様子を示す拡大断面図である。 図９（ｂ）に示すように、第１実施形態のリードフレーム１では、前述したようにダイパッド１０の裏面に設けられた第１ディンプルＤ１が逆傾斜側面Ｓｘを備えている。 これにより、樹脂部５０は第１ディンプルＤ１の逆傾斜側面Ｓｘに沿って側壁に食い込むように充填される。
さらに、第１ディンプルＤ１ｘの横領域のダイパッド１０に第２ディンプルＤ２が形成されている。 第２ディンプルＤ２は、深さ方向に傾斜した第２傾斜側面Ｓ２を備え、その第２傾斜側面Ｓ２が第１ディンプルＤ１ｘの逆傾斜側面Ｓｘと対向して配置されている。 そして、ダイパッド１０の表面が半導体素子搭載面となっている。
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