本発明は、パッケージ基板の加工方法及び保護テープに関する。

一般に、携帯電話等の携帯通信機器に用いられる半導体パッケージには、通信特性の悪影響を防止するために外部への電磁ノイズの漏洩を抑制することが求められている。このため、半導体パッケージにシールド機能を持たせる必要があり、シールド機能を持った半導体パッケージとして、インターポーザ基板上に搭載された半導体チップを封止剤で封止し、封止剤層の外面に沿ってシールド層を形成したものが知られている。シールド層の形成方法として、スパッタ法、スプレー塗布法、CVD(chemical Vapor Deposition)法、インクジェット法、スクリーン印刷法等が提案されている(例えば、特許文献1参照)。

特開2012−039104号公報

ところで、パッケージ基板は保護テープ(ダイシングテープ)上で分割予定ラインに沿って加工されることで個々の半導体パッケージに分割される。このとき、洗浄によってパッケージ基板の上面の加工屑は取り除かれるが、保護テープの粘着層にも加工屑が付着しているため、保護テープ上に加工屑が残存する場合がある。加工屑にはメタル配線等の金属粉が含まれているため、保護テープに金属粉が残った状態でスパッタ法等のプラズマ処理に入ると、異常放電が生じてシールド層の形成が妨げられると共に品質が低下するという問題があった。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、保護テープへの金属粉の付着を抑えて、プラズマ処理における異常放電の発生を防止することができるパッケージ基板の加工方法及び保護テープを提供することを目的の1つとする。

本発明の一態様のパッケージ基板の加工方法は、配線基材上に形成された交差する分割予定ラインで区画された領域に複数チップが配設され封止剤で一括封止されたパッケージ基板の加工方法であって、該配線基材側に保護テープを貼着し該保護テープの外周部を環状フレームによって支持するパッケージ基板支持ステップと、該パッケージ基板支持ステップを実施した後に、分割工具で該保護テープの途中まで切り込み該分割予定ラインに沿って加工し個々の半導体パッケージに分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後に、複数の該半導体パッケージの該封止剤上面及び側壁に導電性のシールド層を形成するシールド層形成ステップと、を備え、該分割ステップにおいては、該パッケージ基板外周の該保護テープの粘着層の粘着性を低減又は無い状態で該分割工具で加工を行い、分割時に飛散する該配線基材の金属粉の該保護テープの粘着層への付着を低減することを特徴とする。

この構成によれば、パッケージ基板外周の保護テープの粘着性が低減又は粘着性が無いため、半導体パッケージの分割時に配線基材の金属粉が飛散しても、パッケージ基板外周の保護テープへの金属粉の付着が低減される。プラズマ処理によってシールド層を形成する際に、保護テープに残った金属粉による異常放電の発生が抑えられる。よって、異常放電によってシールド層の形成が妨げられることがなく、シールド層を良好に形成することができる。

本発明の一態様のパッケージ基板の加工方法において、該保護テープは、粘着層を備え、該パッケージ基板支持ステップと該分割ステップとの間に、該パッケージ基板の外周の露呈している粘着層に紫外線を照射することで、該パッケージ基板外周の該保護テープの粘着層への付着を低減させる紫外線照射ステップを備える。

本発明の一態様のパッケージ基板の加工方法において、該保護テープは、該パッケージ基板及び外周の該環状フレームに貼着する箇所のみ粘着層を有する。

本発明の一態様のパッケージ基板の加工方法において、該パッケージ基板支持ステップと該分割ステップとの間に、少なくとも該パッケージ基板外周の該保護テープの粘着層を全面覆うように水溶性樹脂を塗布する水溶性樹脂塗布ステップと、該分割ステップを実施した後に、該水溶性樹脂を除去する水溶性樹脂除去ステップと、を備える。

本発明の一態様のパッケージ基板の加工方法において、該パッケージ基板支持ステップと該分割ステップとの間に、該保護テープ側をチャックテーブルに保持し、先端がV形状に形成された切削ブレードを該封止剤側から厚み方向途中まで切り込み該分割予定ラインに対応する領域に沿って切削し、該封止剤上面から切削溝底に向かって傾斜した側壁を備えるようにV溝を形成するV溝形成ステップを備える。

本発明の一態様の保護テープは、配線基材上に形成された交差する分割予定ラインで区画された領域に複数チップが配設され封止剤で一括封止されたパッケージ基板の加工に使用される保護テープであって、テープ基材の上面には、環状フレームによって支持される外周部及び該パッケージ基板が貼着される中央部に粘着領域が設けられると共に、該外周部及び該中央部以外に非粘着領域が設けられ、プラズマ処理に対する耐性を有することを特徴とする。

本発明によれば、パッケージ基板外周の保護テープの粘着性を低減又は粘着性を無くすことで、プラズマ処理によるシールド層の形成時に金属粉による異常放電を抑えてシールド層を良好に形成することができる。

本実施の形態の半導体パッケージの断面模式図である。

比較例の半導体パッケージの製造方法の説明図である。

パッケージ基板の第1の加工方法の説明図である。

パッケージ基板の第1の加工方法の説明図である。

パッケージ基板の第1の加工方法の説明図である。

パッケージ基板の第2の加工方法の説明図である。

パッケージ基板の第3の加工方法の説明図である。

試験体に設けたシールド層の厚みを示す図である。

試験体の側面の傾斜角とシールド層の厚みとの関係を示す図である。

半導体パッケージの変形例を示す図である。

半導体パッケージの変形例を示す図である。

半導体パッケージの変形例を示す図である。

分割ステップの変形例を示す図である。

Vブレードの変形例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本実施の形態のパッケージ基板の加工方法について説明する。図1は、本実施の形態の半導体パッケージの断面模式図である。図2は、比較例の半導体パッケージの製造方法の説明図である。なお、以下の実施の形態はあくまでも一例を示すものであり、各ステップ間に他のステップを備えてもよいし、ステップの順序を適宜入れ換えてもよい。

図1に示すように、半導体パッケージ10は、いわゆるEMI(Electro-Magnetic Interference)で遮断を要する全てのパッケージの半導体装置であり、外面のシールド層16によって周囲への電磁ノイズの漏洩を抑制するように構成されている。シールド層16の内側では、配線基板(配線基材)11の上面に実装された半導体チップ(チップ)12が樹脂層(封止剤)13で封止され、配線基板11の下面にバンプ14が配設されている。配線基板11には、半導体チップ12に接続される電極やグランドライン17を含む各種配線が形成されている。

半導体チップ12は、半導体基板上のデバイス毎に半導体ウェーハを個片化して形成され、配線基板11の所定の位置にマウントされている。また、パッケージ側面(側壁)23にはパッケージ上面(封止剤上面)22から下方に向かって外側に広がるような傾斜面25が形成されており、この傾斜面25に対してスパッタ法等によって上方からシールド層16が形成されている。一般的な半導体パッケージの鉛直なパッケージ側面とは異なり、パッケージ側面23の傾斜面25がシールド層16の形成方向に対して斜めに交差しているため、傾斜面25にシールド層16が形成され易くなっている。

ところで、図2Aの比較例に示すように、パッケージ基板111が保護テープ112を介して環状フレーム114に支持され、切削ブレード116によるダイシング等によってパッケージ基板111が個々の半導体パッケージ110に分割されている。通常の保護テープ112は全面に粘着層113が設けられているため、パッケージ基板111のカット時に飛散した金属粉119が保護テープ112の粘着層113に付着する。パッケージ基板111上の金属粉であれば、加工中の洗浄水の噴き付けや加工後の洗浄処理によって取り除かれるが、保護テープ112の粘着層113に付着した金属粉119までは十分に取り除かれない。

保護テープ112に金属粉119が残ったままでは、半導体パッケージ110にシールド層を形成する際に、プラズマ処理時の異常放電によって成膜処理が妨げられると共に成膜品質が低下する。さらに、通常の保護テープ112はプラズマ耐性を有さないため、パッケージ基板111の分割時とプラズマ処理で同じテープを使用することはできない。このため、分割用の保護テープ112とプラズマ処理用の保護テープ115(図2B参照)を個別に用意して、パッケージ基板111の分割時とプラズマ処理時とでテープを貼り替えることで、プラズマ処理時の異常放電を防止すると共にテープの劣化を抑えている。

図2Bに示すように、半導体パッケージ110の裏面を保護テープ112から保護テープ115に貼り替える場合には、半導体パッケージ110の表面に別の保護テープ117を貼着して、2回に分けて保護テープを貼り替えなければならない。このため、テープコストが増大すると共に、貼り替え回数(転写回数)の増加によって半導体パッケージ110のパッケージ間隔が変化してしまう。また、図2Cに示すように、プラズマ処理時にチャンバ内でパッケージ基板111の周囲をマスキングすることで異常放電を防止できるが、パッケージ基板111毎にマスク118のサイズを変更しなければならない。

そこで、本実施の形態では、パッケージ基板15の分割からプラズマ処理までの一連の処理を同一の保護テープで実施できるように、保護テープへの金属粉の付着を抑えた状態で分割すると共に、プラズマ処理に対する耐性に優れた保護テープを採用している。保護テープへの金属粉の付着を抑えることでプラズマ処理による異常放電が抑えられ、保護テープの耐性によってプラズマ処理による保護テープの劣化が抑えられる。また、テープの貼り替え作業が生じないため、テープコストが低減されると共にパッケージ間隔に変化が生じることがない。

ここで、パッケージ基板15の周囲で保護テープの粘着性を低減する方法として、UV照射法、特殊テープ使用法、ソフトマスク形成法の3つの方法が検討されている。UV照射法は、パッケージ基板15をマスクにして保護テープ30に紫外線を照射して、パッケージ基板15の周囲の粘着層への付着を低減する方法である(図4A参照)。特殊テープ使用法は、パッケージ基板15の周囲に粘着層が無い特殊テープ50を使用する方法である(図6参照)。ソフトマスク形成法は、パッケージ基板15の周囲に水溶性樹脂を塗布して保護テープ60上にソフトマスク64を形成して粘着性を無くす方法である(図7参照)。

先ず、図3から図5を参照して、UV照射法を採用した第1の加工方法について説明する。図3から図5は、パッケージ基板の第1の加工方法の説明図である。なお、図3Aはマウントステップ、図3Bは基板作成ステップ、図3Cはパッケージ基板支持ステップのそれぞれ一例を示す図である。図4A及び図4Bは紫外線照射ステップ、図4CはV溝形成ステップのそれぞれ一例を示す図である。図5Aは分割ステップ、図5B及び図5Cはシールド層形成ステップのそれぞれ一例を示す図である。

図3Aに示すように、先ずマウントステップが実施される。マウントステップでは、配線基板11の表面が交差する分割予定ラインで格子状に区画されており、区画された複数の領域に複数の半導体チップ12が配設される。配線基板11内にはグランドライン17等の配線が形成され、配線基板11の下面にはバンプ14が配設されている。この場合、半導体チップ12の上面の電極にワイヤ19の一端が接続され、配線基板11の表面の電極18にワイヤ19の他端が接続される。なお、ワイヤボンディングに限らず、半導体チップ12の下面の電極を配線基板11の表面の電極に直接接続するフリップチップボンディングが実施されてもよい。

図3Bに示すように、マウントステップが実施された後に基板作成ステップが実施される。基板作成ステップでは、複数の半導体チップ12がマウントされた配線基板11の表面側に封止剤59が供給され、各半導体チップ12が封止剤59で一括封止されてパッケージ基板15(図3C参照)が作成される。この場合、半導体チップ12が実装された配線基板11の下面が保持治具(不図示)に保持されており、配線基板11の上面を覆うように枠型56が配置されている。枠型56の上壁には注入口57が開口しており、注入口57の上方には封止剤59の供給ノズル58が位置付けられている。

そして、供給ノズル58から注入口57を通じて配線基板11の上面に封止剤59が供給されて半導体チップ12が封止される。この状態で、封止剤59が加熱又は乾燥されることで硬化されて、配線基板11の上面に樹脂層13(図3C参照)を形成したパッケージ基板15が作成される。なお、封止剤59には、硬化性を有するものが用いられ、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、又はポリイミド樹脂等から選択することができる。また、封止剤59は液状に限らず、シート状、パウダー状の樹脂を使用することもできる。このようにして、配線基板11上の複数の半導体チップ12が一括で封止される。なお、パッケージ基板15が予め用意されている場合には、マウントステップ、基板作成ステップを省略してもよい。

図3Cに示すように、基板作成ステップが実施された後にパッケージ基板支持ステップが実施される。パッケージ基板支持ステップでは、環状フレーム20の中央を塞ぐように保護テープ30が貼着され、この保護テープ30にパッケージ基板15の配線基板11側が貼着される。これにより、保護テープ30の外周部が環状フレーム20によって支持され、保護テープ30を介してパッケージ基板15が環状フレーム20の内側に位置付けられる。保護テープ30は、いわゆるダイシングテープであり、テープ基材31の上面に粘着層32を積層して形成されている。なお、粘着層32として紫外線硬化型の粘着層が使用されてもよいし、紫外線硬化型以外の粘着層が使用されてもよい。

なお、保護テープ30は、全体として、後段のシールド層形成ステップのプラズマ処理に対する耐性を有する材料で形成されることが好ましい。プラズマ処理に対する耐性とは、耐プラズマ性、耐熱性、耐真空性を含むプラズマ耐性を示している。保護テープ30のテープ基材31は、150度−170度の耐熱温度の材料で形成されることが好ましく、例えば、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリイミド樹脂から選択することができる。環状フレーム20は、上面視リング状に形成されていてもよいし、上面視矩形枠状に形成されていてもよい。また、パッケージ基板支持ステップは、マウンタ等の専用装置によって機械的に実施されてもよいし、オペレータの手作業によって実施されてもよい。

図4Aに示すように、パッケージ基板支持ステップが実施された後に紫外線照射ステップが実施される。紫外線照射ステップでは、保護テープ30の粘着層32が紫外線硬化型の場合には、光源36として高圧水銀ランプが使用される。パッケージ基板15の上方に光源36が位置付けられ、光源36から保護テープ30の粘着層32に向けて波長350nmの紫外線が照射される。このとき、パッケージ基板15及び環状フレーム20によって紫外線が遮られ、パッケージ基板15の外周から露呈している粘着層32に紫外線が照射される。パッケージ基板15の外周の粘着層32が硬化することで粘着性が低減され、パッケージ基板15の分割時に保護テープ30の粘着層32への金属粉29(図4C参照)の付着が抑えられている。

このように、パッケージ基板15及び環状フレーム20がマスクとして機能することで、パッケージ基板15及び環状フレーム20に対する粘着層32の粘着性を低減させることなく、粘着層32の露呈箇所の粘着性だけを低減させることができる。紫外線の照射量は、保護テープ30の粘着層32を完全に硬化させる必要はなく、保護テープ30の粘着層32の少なくとも表面の粘着性を低下させることができればよい。保護テープ30の粘着層32に対する紫外線の照射は一度に実施される構成に限られず、パッケージ基板15の分割前と分割後の2回に分けて実施されてもよい。

また、紫外線照射ステップでは、保護テープ30の粘着層32が紫外線硬化型以外の場合には、光源36として低圧水銀ランプが使用される。この場合、光源36から保護テープ30の粘着層32に向けて波長約185nmの紫外線と波長約254nmの紫外線が同時に照射される。波長約185nmの紫外線によって大気中の酸素分子が酸素原子に分解され、酸素原子同士が結合することでオゾンが生成される。さらに、波長約254nmの紫外線によってオゾンが分解されて励起状態の活性酸素が発生する。活性酸素が撥水性の汚染物質に結合することで、撥水性の汚染物質がH₂O、CO₂等になって気化して粘着層32の濡れ性が向上される。また、粘着層32の表面は紫外線の照射によって分子の結合が分解されており、この表面に周囲の活性酸素が結び付くことで、粘着層32の表面が親水性に改質される。粘着層32の表面から撥水性の汚染物質が除去されると共に、粘着層32の表面が親水性に改質されるため、パッケージ基板15の分割時に保護テープ30の粘着層32への金属粉29の付着が抑えられる。

また、紫外線照射ステップは、粘着テープ30の裏面側から表面側の粘着層32に紫外線が照射されてもよい。この場合、粘着テープ30の裏面には、パッケージ基板15及び環状フレーム20の貼着面に紫外線が照射されないようにマスクが設けられる。このような構成でも、粘着層32を硬化させたり、粘着層32の表面を親水性に改質させたりして、粘着層32への金属粉29の付着を低減できる。

なお、パッケージ基板15の下部エッジ37から紫外線が入り込むと、下部エッジ37の粘着性が低下してパッケージ基板15の外周部分に浮きが生じる場合がある。この場合、上記したようにパッケージ基板15の分割前と分割後に分けて紫外線を照射し、パッケージ基板15の外周部分に浮きが生じない程度に初回の紫外線の照射量を抑えてもよい。また、図4Bに示すように、パッケージ基板15全体をハードマスク38によってマスキングすることで、パッケージ基板15の外周部分から紫外線が入り込みを防止してもよい。なお、ハードマスクは紫外線を遮蔽可能なものであれば特に材料は限定されない。

図4Cに示すように、紫外線照射ステップが実施された後にV溝形成ステップが実施される。V溝形成ステップでは、ダイヤモンド砥粒等が結合剤で固められて、先端がV形状の円板状に成形された切削ブレード(以下、Vブレード41と称する)が使用される。パッケージ基板15の配線基板11側が保護テープ30を介してチャックテーブル(不図示)に保持され、Vブレード41がパッケージ基板15の分割予定ラインに位置合わせされる。そして、パッケージ基板15の外側でVブレード41がパッケージ基板15の厚み方向途中までの深さまで降ろされ、Vブレード41に対してパッケージ基板15が水平方向に切削送りされる。

Vブレード41で樹脂層(封止剤)13側からパッケージ基板15の厚み方向の途中まで切り込まれ、分割予定ラインに対応する領域に沿ってハーフカットされる。これにより、樹脂層13の上面から切削溝底に向かって傾斜した側壁を備えるようにV溝42が形成される。このとき、Vブレード41で配線基板11まで切り込まれることで、配線等の金属粉29がパッケージ基板15の周囲の保護テープ30上にも飛散する。パッケージ基板15の周囲の保護テープ30の粘着層32は粘着性が低減されているため、粘着層32に金属粉29が付着することがなく、加工中の切削水の噴射や加工後の洗浄によって金属粉29が除去される。

なお、本実施の形態では、Vブレード41の先端が尖ったV字形状に形成されたが、この構成に限定されない。Vブレード41の先端は、パッケージ基板15に対してV溝42を形成可能な形状であればよい。例えば、図14に示すように、Vブレード49の先端が平坦なV字形状に形成されていてもよい。よって、切削ブレードの先端がV字形状とは、切削ブレードの先端まで尖った完全なV字形状に限らず、切削ブレードの先端が平坦な略V字形状を含む形状である。また、Vブレードの先端のV字面は直線的に傾斜している必要はなく、僅かに丸みを帯びていてもよい。

図5Aに示すように、V溝形成ステップが実施された後に分割ステップが実施される。分割ステップでは、ダイヤモンド砥粒等が結合剤で固められて、Vブレード41よりも幅が狭く、先端が矩形状の円板状に成形された切削ブレード(以下、ストレートブレード46(分割工具)と称する)が使用される。ストレートブレード46はチャックテーブル上のパッケージ基板15のV溝42に位置合わせされる。そして、パッケージ基板15の外側でストレートブレード46が保護テープ30の厚み方向途中までの深さまで降ろされ、ストレートブレード46に対してパッケージ基板15が水平方向に切削送りされる。

ストレートブレード46で保護テープ30の途中まで切り込まれ、分割予定ラインに沿ってパッケージ基板15がフルカットされる。これにより、V溝42の溝底から保護テープ30に向かって矩形溝47が形成され、パッケージ基板15が個々の半導体パッケージ10に分割される。このとき、分割ステップ中に配線等の金属粉29がパッケージ基板15の周囲の保護テープ30にも飛散する。パッケージ基板15の周囲の保護テープ30の粘着層32は粘着性が低減されているため、粘着層32に金属粉29が付着することがなく、加工中の切削水の噴射や加工後の洗浄によって金属粉29が除去される。

図5Bに示すように、分割ステップが実施された後にシールド層形成ステップが実施される。シールド層形成ステップでは、複数の半導体パッケージ10のパッケージ外面に導電性材料でシールド層16が形成される。この場合、各半導体パッケージ10が保護テープ30を介してプラズマ装置(不図示)内に搬入され、所定の形成条件で各半導体パッケージ10に対して上方からスパッタ等のプラズマ処理によって導電性材料が成膜される。これにより、各半導体パッケージ10のパッケージ外面に所望の厚みでシールド層16が形成される。

このとき、図5Cに示すように、パッケージ側面23の傾斜面25がパッケージ上面22から下方に向かって外側に広がっており、傾斜面25がシールド層16の形成方向(鉛直方向)に対して斜めに交差している。よって、半導体パッケージ10にシールド層16を形成する際に、パッケージ上面22だけでなくパッケージ側面23の傾斜面25にも、十分なシールド効果が発揮できる厚みでシールド層16が形成される。また、保護テープ30上に金属粉29が残存していないため(図5B参照)、プラズマ処理時に異常放電が生じることもない。さらに、保護テープ30がプラズマ処理に対して耐性を有しているため、プラズマ処理によって保護テープ30が劣化することがない。

また、パッケージ側面23の鉛直面26やパッケージ間の溝底48にもシールド層16が形成されるため、保護テープ30から半導体パッケージ10をピックアップする際に、半導体パッケージ10の下部にシールド層16でバリが生じる場合がある。この場合、シールド層16の成膜条件に加えて、パッケージ間のアスペクト比(縦横比)を調整することで、半導体パッケージ10のバリの発生を抑えることが可能である。パッケージ間のアスペクト比は、ストレートブレード46(図5A参照)の幅寸法及び切り込み量によって調整することが可能である。

パッケージ間のアスペクト比は、パッケージ側面23の傾斜面25の下端から保護テープ30に切り込んだ溝底48までの深さをYmm、パッケージ側面23の鉛直面26の対向間隔をXmmとした際にY/Xで表される。パッケージ側面23の鉛直面26の下側やパッケージ間の溝底48はアスペクト比の影響を受け易く、アスペクト比が高くなるのに伴ってシールド層16が薄くなる。アスペクト比を高めることで、アスペクト比が影響し難い傾斜面25にシールド層16が適度な厚みで形成され、アスペクト比が影響し易い鉛直面26の下側や溝底48にシールド層16が薄く形成されてバリの発生が抑えられる。

また、配線基板11のグランドライン17は、パッケージ側面23の傾斜面25の下側で外部に露出している。傾斜面25の下側で適度な厚みのシールド層16にグランドライン17が接続されるため、半導体パッケージ10で生じた電磁ノイズがグランドライン17を通じて半導体パッケージ10外に逃がされる。なお、パッケージ側面23の鉛直面26の下側ではシールド層16が薄くなるが、配線基板11の多数の配線(不図示)によって電磁ノイズがカットされている。したがって、半導体パッケージ10の周囲の電子部品への電磁ノイズの漏洩が全体的に防止される。

なお、配線基板11のグランドライン17は、シールド層16に接続されていればよく、パッケージ側面23の鉛直面26でシールド層16に接続されてもよい。また、シールド層16は、銅、チタン、ニッケル、金等のうち一つ以上の導電性材料によって厚さ数μm以上の金属層であり、スパッタ法、イオンプレーディング法、プラズマCVD(chemical Vapor Deposition)法等のプラズマ処理によって形成されてもよい。このようにして、パッケージ上面22及びパッケージ側面23がシールド層16でカバーされた半導体パッケージ10が製造される。

このように、第1の加工方法では、パッケージ基板15及び環状フレーム20をマスクにして保護テープ30に紫外線を照射することで、保護テープ30の露呈部分の粘着性を低減している。このため、V溝形成ステップ及び分割ステップで保護テープ30への金属粉29の付着を抑えて、シールド層形成工程で異常放電を防止できる。また、保護テープ30がプラズマ処理に対する耐性を持っているため、シールド層形成工程で保護テープ30の劣化を抑えることができる。パッケージ基板15の加工方法の一連の処理に同一の保護テープ30を用いることができ、テープコストが低減されると共にパッケージ間隔が変わることがない。

次に、図6を参照して、特殊テープ使用法を採用した第2の加工方法について説明する。第2の加工方法は、紫外線照射ステップを実施する代わりに、保護テープとしてパッケージ基板の周囲に粘着層が無い特殊テープを使用する点についてのみ第1の加工方法と相違している。したがって、紫外線照射ステップ以外の各ステップは第1の加工方法と同じであるため説明を省略し、相違点となる保護テープについて説明する。図6A−図6Dは、パッケージ基板の第2の加工方法の説明図である。

図6Aに示すように、第2の加工方法では、保護テープとして、パッケージ基板15及び環状フレーム20に貼着する箇所にのみ粘着層52、54を有する特殊テープ50が使用される。特殊テープ50はプラズマ処理に対する耐性を有しており、シールド層形成ステップでテープの劣化が抑えられている。テープ基材51の上面には、環状フレーム20に支持される外周部に粘着層52、パッケージ基板15が貼着される中央部に粘着層54が設けられ、環状フレーム20及びパッケージ基板15の間の露呈部分に粘着層が設けられていない。このため、パッケージ基板15の周囲に金属粉29が飛散しても、特殊テープ50に金属粉29が付着することがなく、加工中の切削水の噴射や加工後の洗浄によって金属粉29が除去される。

なお、図6Bに示すように、特殊テープ50としてテープ基材51と粘着層52、54を一体にした一体型テープが使用されてもよいし、図6Cに示すように、テープ基材51に対して粘着層52、54を追加する貼り合せ型テープが使用されてもよい。貼り合せ型テープの場合には、離型紙53からテープ基材51に粘着層52を移し替えて特殊テープ50が形成される。また、図6Dに示すように、離型紙53からパッケージ基板15に粘着層54を移し替えて、粘着層54付きのパッケージ基板15を保護テープ55の非粘着領域に貼着してもよい。このような構成でも、テープへの金属粉29の付着を防止することができる。

また、特殊テープ50は、テープ基材51の上面に環状フレーム20に支持される外周部とパッケージ基板15が貼着される中央部に粘着領域が設けられ、外周部及び中央部以外に非粘着領域が設けられる構成であればよい。ここで、非粘着領域は、完全に粘着性が無い領域に限定されず、金属粉29が付着しない程度に粘着性が低減された領域でもよい。すなわち、粘着領域は、少なくとも非粘着領域よりも金属粉29に対する粘着性が高い領域であり、非粘着領域は、少なくとも粘着領域よりも金属粉29に対する粘着性が低い領域を含む概念である。

このように、第2の加工方法では、パッケージ基板15の周囲に粘着層が存在しない特殊テープ50を使用することで、特殊テープ50への金属粉29の付着を抑えている。このため、第1の加工方法と同様にシールド層形成工程で異常放電が防止されている。また、特殊テープ50がプラズマ処理に対する耐性を持っているため、シールド層形成工程で特殊テープ50の劣化が抑えられ、パッケージ基板15の加工方法の一連の処理に同一の特殊テープ50を用いることが可能になっている。

次に、図7を参照して、ソフトマスク形成法を採用した第3の加工方法について説明する。第3の加工方法は、紫外線照射ステップを実施する代わりに、水溶性樹脂塗布ステップと水溶性樹脂除去ステップとを実施する点についてのみ第1の加工方法と相違している。したがって、紫外線照射ステップ以外の各ステップは第1の加工方法と同じであるため説明を省略し、相違点となる溶性樹脂塗布ステップと水溶性樹脂除去ステップについて説明する。図7A−図7Cは、パッケージ基板の第3の加工方法の説明図である。

図7Aに示すように、パッケージ基板支持ステップが実施された後に水溶性樹脂塗布ステップが実施される。水溶性樹脂塗布ステップでは、スピンナーテーブル(不図示)上にパッケージ基板15が載置され、パッケージ基板15の上方に樹脂ノズル63が位置付けられる。パッケージ基板15が回転されながら、樹脂ノズル63から水溶性樹脂が垂らされることで、遠心力によってパッケージ基板15及び保護テープ60の露出部分に水溶性樹脂が広げられる。これにより、パッケージ基板15外周の保護テープ60の粘着層62全面を覆うように水溶性樹脂が塗布される。

そして、水溶性樹脂が硬化することで、パッケージ基板15の周囲で保護テープ60上にソフトマスク64が形成される。水溶性樹脂としては、例えば、紫外線硬化温水膨潤タイプの株式会社スリーボンド製の商品名「30Y−632D−3」が使用されてもよい。この水溶性樹脂は、紫外線の照射によって硬化し、90度前後の温水に浸漬されることで膨潤する。このため、後段のV溝形成ステップや分割ステップで、ソフトマスク64に20度前後の洗浄水が噴き付けられても、加工途中で保護テープ60からソフトマスク64が剥離することがない。

図7Bに示すように、分割ステップが実施された後に水溶性樹脂除去ステップが実施される。水溶性樹脂除去ステップでは、パッケージ基板15が温水に浸漬され、ソフトマスク64(水溶性樹脂)が膨潤することで除去される。このとき、ソフトマスク64に付着した金属粉29もソフトマスク64と共に除去されるため、保護テープ60上に金属粉29が残ることがない。また、水溶性樹脂除去ステップでは、パッケージ基板15及び保護テープ60からソフトマスク64を除去可能であればよく、温水を吹き付けることでソフトマスク64を除去してもよい。

なお、図7Cに示すように、水溶性樹脂塗布ステップは、少なくともパッケージ基板15の外周の保護テープ60の粘着層62全体を水溶性樹脂で覆う構成であればよく、環状フレーム20及びパッケージ基板15の間の露呈部分にのみ水溶性樹脂を塗布してもよい。この場合、パッケージ基板15をハードマスクでマスキングしながら水溶性樹脂を塗布することで、保護テープ60の露呈部分にのみ水溶性樹脂を塗布することができる。また、水溶性樹脂は、上記のスピンコート法で塗布される構成に限定されず、スプレー塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法によって塗布されてもよい。

このように、第3の加工方法では、パッケージ基板15の周囲に水溶性樹脂でソフトマスク64を形成することで、保護テープ60の露呈部分への金属粉29の付着を防止している。このため、第1、第2の加工方法と同様にシールド層形成工程で異常放電が防止されている。また、保護テープ60がプラズマ処理に対する耐性を持っているため、シールド層形成工程で保護テープ30の劣化が抑えられ、パッケージ基板15の加工方法の一連の処理に同一の保護テープ60を用いることが可能になっている。

続いて、半導体パッケージの側面の傾斜角度とシールド層との関係について説明する。図8は、試験体に設けたシールド層の厚みを示す図である。図9は、試験体の側面の傾斜角とシールド層の厚みとの関係を示す図である。

図8に示すように、側面72の傾斜角度θを変えた複数の試験体70を用意し、180℃、8×10⁻⁴Paの条件下でイオンプレーティング法によってシールド層を形成した。側面72の傾斜角度θは、90°、82°、68°、60°、45°とした。また、上面71に形成された上部シールド層73、側面72に形成された側部シールド層74に分けて、走査型電子顕微鏡の観察画像に基づいて上部シールド層73、側部シールド層74の厚みt1、t2を測定した。上部シールド層73及び側部シールド層74の厚みt1、t2は、次式(1)に示すステップカバレッジ(step coverage)の値として算出し、この値と傾斜角度θの関係を図9にまとめた。 (1) step coverage=(t2/t1)×100

この結果、傾斜角度θが90°から小さくなるにつれてステップカバレッジの値が徐々に大きくなり、傾斜角度θが45°になるとステップカバレッジの値が100%になった。具体的には、傾斜角度θが45°になるように設定した場合、上部シールド層73の厚みt1と側部シールド層74の厚みt2が一致し、試験体70の上面71及び側面72に均一な厚みのシールド層が確認された。また、発明者の実験によれば、ステップカバレッジの値が50%を下回ると、側部シールド層74の成膜に時間を要し、プロセスコストが増大するため、ステップカバレッジの値が50%以上となる範囲が好ましい。したがって、半導体パッケージの側面の傾斜角度θは45°以上かつ82°以下であることが好ましい。

以上のように、本実施の形態のパッケージ基板15の加工方法によれば、パッケージ基板15の外周の保護テープ30、50、60の粘着性が低減又は粘着性が無いため、半導体パッケージ10の分割時に配線基板11の金属粉29が飛散しても、パッケージ基板15の外周の保護テープ30、50、60への金属粉29の付着が低減される。プラズマ処理によってシールド層16を形成する際に、保護テープ30に残った金属粉29による異常放電の発生が抑えられる。よって、異常放電によってシールド層16の形成が妨げられることがなく、シールド層16を良好に形成することができる。

なお、本実施の形態では、パッケージ基板に対してV溝形成ステップが実施された後に分割ステップが実施される構成にしたが、V溝形成ステップを実施せずに分割ステップが実施されてもよい。すなわち、図10Aに示すように、半導体パッケージ80のパッケージ側面が鉛直面81になっていてもよい。

また、本実施の形態では、V溝によって半導体パッケージのパッケージ側面に傾斜を設ける構成にしたが、この構成に限定されない。図10Bに示すように、半導体パッケージ83のパッケージ側面に段差84を設けてもよいし、図10Cに示すように、半導体パッケージ86のパッケージ側面に湾曲面87を設けてもよい。

また、本実施の形態においては、配線基板に1つの半導体チップを実装した半導体パッケージを例示したが、この構成に限定されない。配線基板に複数の半導体チップを実装した半導体パッケージを製造してもよい。例えば、図11Aに示すように、配線基板91に複数(例えば、3つ)の半導体チップ92a−92cを実装し、半導体チップ92a−92cをまとめてシールドした半導体パッケージ90を製造するようにしてもよい。この場合、パッケージ単位でパッケージ基板にV溝が形成され、パッケージ単位で半導体パッケージ基板が分割される。なお、半導体チップ92a−92cは同一機能を有してもよいし、異なる機能を有してもよい。

また、図11Bに示すように、配線基板に複数(例えば、2つ)の半導体チップ97a、97bを実装し、半導体チップ97a、97bを個別にシールドした半導体パッケージ95を製造するようにしてもよい。この場合、チップ単位でパッケージ基板にV溝が形成され、パッケージ単位でパッケージ基板が分割される。なお、半導体チップ97a、97bは同一機能を有してもよいし、異なる機能を有してもよい。

また、本実施の形態では、半導体チップがワイヤを介して配線基板の電極にワイヤボンディングされた半導体パッケージを製造する構成について説明したが、この構成に限定されない。図12に示すように、半導体パッケージ100は、半導体チップ102が配線基板101の電極に直接接続されてフリップチップボンディングされていてもよい。

また、本実施の形態では、分割ステップでストレートブレードが使用される構成にしたが、この構成に限定されない。例えば、図13Aに示すように、分割工具としてレーザアブレーション用の加工ヘッド105を用いてパッケージ基板15を分割するようにしてもよい。また、図13Bに示すように、分割工具として総型砥石106を用いて、パッケージ基板15にV溝を形成する同時に分割するようにしてもよい。また、総型砥石106の代わりにマルチブレードが使用されてもよい。

また、本実施の形態では、半導体パッケージ基板に対するV溝の形成と半導体パッケージ基板の分割が同一の装置で実施されてもよいし、別々の装置で実施されてもよい。

また、半導体パッケージは、携帯電話等の携帯通信機器に用いられる構成に限らず、カメラ等の他の電子機器に用いられてもよい。

また、パッケージ基板は、シールド層が形成可能なワークであれば特に限定されない。例えば、CSP(Chip Size Package)、WLCSP(Wafer Level Chip Size Package)、EMI(Electro Magnetic Interference)、SIP(System In Package)、FOWLP(Fan Out Wafer Level Package)用の各種基板が用いられてもよい。FOWLP基板の場合には、再配線層上に厚みの異なる複数チップを実装する構成にしてもよい。したがって、配線基材は、PCB基板等の配線基板に限定されず、FOWLP基板の再配線層を含む概念である。

また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記各実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。

また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。

また、本実施の形態では、本発明をパッケージ基板の加工方法に適用した構成について説明したが、シールド層が形成される他の加工対象の加工方法に適用することも可能である。

以上説明したように、本発明は、保護テープへの金属粉の付着を抑えて、プラズマ処理における異常放電の発生を防止することができるという効果を有し、特に、携帯通信機器に用いられるパッケージ基板の加工方法に有用である。

10 :半導体パッケージ 11 :配線基板 12 :半導体チップ 15 :パッケージ基板 16 :シールド層 20 :環状フレーム 22 :パッケージ上面(封止剤上面) 23 :パッケージ側面(側壁) 29 :金属粉 30、50、60 :保護テープ 31、51、61 :テープ基材 32、52、62 :粘着層 41 :Vブレード 42 :V溝 46 :ストレートブレード(分割工具) 59 :封止剤 64 :ソフトマスク 105:加工ヘッド(分割工具) 106:総型砥石(分割工具)