专利汇可以提供一种批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于 半导体 技术领域,更具体地,涉及一种批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法。包括以下步骤:1)在无机衬底上 旋涂 聚合物 电子 胶,并通过曝光和显影技术沿垂直衬底方向制备出圆柱状结构;2)在电子胶上沉积一层硫系 薄膜 ,以圆柱形为中心,进行 图案化 并 刻蚀 出盘状结构;3)通过除胶剂去除聚合物电子胶,获得悬空微盘结构;4)对微盘结构进行热回流提升品质因子。本发明采用电子胶作为“过渡衬底”,作为微盘的反模板结构和 支撑 物,方便去除,避免了传统制备方法中在 氧 化 硅 衬底上需要浸泡 氢氟酸 的问题,也解决了氢氟酸浸泡时间长导致微盘塌陷的现象,环保高效,适合批量化悬空微盘制备,同时适用于多种材料的悬空微盘制备。,下面是一种批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法专利的具体信息内容。
1.一种批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.在无机材质衬底上旋涂聚合物电子胶,在电子胶上曝光和显影沿垂直衬底方向制备出圆柱状结构;
S2.在电子胶上沉积一层硫系薄膜,以硫系材料填充的圆柱状结构为中心,曝光并刻蚀出盘状结构;
S3.通过除胶剂去除聚合物电子胶,获得悬空微盘结构;
S4.对微盘结构进行热回流提升品质因子。
2.根据权利要求1所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,所述的无机材质为硅、锗、石英、氧化硅、蓝宝石、碳化硅中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,所述的曝光方式采用电子束或无掩膜曝光,刻蚀为等离子体干法刻蚀或湿法腐蚀。
4.根据权利要求1所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,所述的聚合物电子胶为聚甲基丙烯酸酯PMMA、ARP、ZEP、NR-9中的任意一种,电子胶的厚度大于等于300nm,不超过2μm。
5.根据权利要求1所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,所述的硫系薄膜为硫化砷As-S、硒化砷As-Se、锗砷硒Ge-As-Se、砷碲硒As-Te-Se、锗砷硫Ge-As-S、锗锑硒Ge-Sb-Se、锗锑硫Ge-Sb-S中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,所述的圆柱状结构的深度范围为300nm-42μm,直径≥200nm;硫系薄膜厚度至少大于圆柱状结构深度50nm,厚度范围为0.354μm-5μm;沉积方式为热蒸镀、电子束蒸镀或磁控溅射,沉积速度不超过5nm/分钟。
7.根据权利要求5所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,所述的盘状结构的直径大于圆柱形结构的直径;盘状结构为对称性圆形或非对称结构。
8.根据权利要求1至7任一项所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,所述的除胶剂为丙酮或1165除胶剂。
9.根据权利要求8所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法,其特征在于,所述的回流温度根据硫系薄膜组分确定,范围是180-300度;升温速度不超过10度/分钟;回流时间为0.5-24小时。
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