一种N型背结太阳能电池的制备方法
专利汇可以提供一种N型背结太阳能电池的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种N型背结 太阳能 电池 的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗； 抛光 ；(2) 硼 扩散；在 硅 片 的前表面和背表面生长 氧 化层；(3) 刻蚀 硅片 边缘和前表面；得到前表面去除氧化层的硅片；(4)采用四甲基 氢氧化铵 溶液对硅片的前表面进行制绒；(5) 离子注入 ；(6)高温激活；(7)双面沉积氮化硅；(8)在硅片背表面形成点 接触 开口；(9)印刷 铝 电极 、 银 电极；共 烧结 ，以形成 金属化 接触。本发明利用背表面保留的氧化层作为阻挡层对前表面进行制绒，实现了前表面制绒的同时不影响背面氧化层的 钝化 效果；此外，将该背表面保留的氧化层作为 钝化层 ，不需要再次高温形成氧化层或沉积氧化铝，从而大大简化了工艺步骤。，下面是一种N型背结太阳能电池的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种N型背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 清洗；对N型硅片的背表面或前后表面进行抛光；
(2) 将上述N型硅片进行硼扩散；
所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在920~980℃下通氧沉积三溴化硼20~50分钟，之后不通源在氧气氛下推进10~60分钟，然后降温到800~900℃氧化至少30分钟，在硅片的前表面和背表面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；
(3) 在上述硅片的背表面喷涂一层水层，然后将硅片在含有硝酸和氢氟酸的腐蚀液中漂浮刻蚀硅片边缘和前表面；刻蚀完成后先在盐酸中清洗，再在清水中清洗，即可得到前表面去除氧化层且边缘刻蚀的硅片；
(4) 采用四甲基氢氧化铵溶液对上述硅片的前表面进行制绒；
(5) 对制绒后的硅片的绒面进行磷元素的离子注入；
(6) 对离子注入后的硅片进行高温激活；
处理温度为650~900℃，激活气氛为氮气和氧气的组合气氛或纯氮气气氛；
(7) 在硅片双面沉积氮化硅；
(8) 在硅片的背表面形成点接触开口；
(9) 在硅片的背表面印刷铝电极，在前表面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，对N型硅片的背表面进行抛光。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中，氮化硅的厚度为
60~90纳米。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(8)中，采用激光或腐蚀浆料在硅片背表面去除部分氮化硅和氧化层，在硅片的背表面形成点接触开口。
一种N型背结太阳能电池的制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
(2) 将上述N型硅片进行硼扩散；
所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在920~980℃下通氧沉积三溴化硼20~50分钟，之后不通源在氧气氛下推进10~60分钟，然后降温到800~900℃氧化至少30分钟，在硅片的前表面和背表面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；
(3) 在上述硅片的背表面喷涂一层水层，然后将硅片在含有硝酸和氢氟酸的腐蚀液中漂浮刻蚀硅片边缘和前表面；刻蚀完成后先在盐酸中清洗，再在清水中清洗，即可得到前表面去除氧化层的硅片；
(4) 采用四甲基氢氧化铵溶液对硅片的前表面进行制绒；
(5) 对制绒后的硅片的绒面进行磷元素的离子注入；
(6) 对离子注入后的硅片进行高温激活；
处理温度为650~900℃，激活气氛为氮气和氧气的组合气氛或纯氮气气氛；
(7) 在硅片双面沉积氮化硅；
(8) 在硅片的背表面形成点接触开口；
(9) 在硅片的背表面印刷铝电极，在前表面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
此外，将该背表面保留的氧化层作为钝化层，不需要再次高温形成氧化层或沉积氧化铝，从而大大简化了工艺步骤；而由于省略了高温加工步骤，不会影响硅片少子寿命，提高了光电转换效率；
2、与现有工艺相比，本发明的制备方法不需要反复地制备保护层，工艺得到了极大简化，且高温过程只有两步，因而电池制备成本低且效率更高；
3、本发明采用四甲基氢氧化铵溶液进行制绒，由于四甲基氢氧化铵溶液不会腐蚀氧化层，配合硅片背表面氧化层的保护，可以得到单面制绒，此外，制绒的同时可将正面的硼扩散层去除，从而大大简化了工艺步骤；
4、本发明的制备方法简单易行，成本较低，适于推广应用。
附图说明
具体实施方式
(1) 清洗；对N型硅片的背表面和前表面进行双面抛光；抛光可选在纯的四甲基氢氧化铵溶液中进行；
(2) 将上述N型硅片进行硼扩散；
所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，硼扩散在管式炉中用三溴化硼为源高温扩散，可以插单片，也可以插双片；
先在950℃下通氧沉积三溴化硼30分钟，之后不通源在氧气氛下推进30分钟，然后降温到850℃氧化40分钟，在硅片的前表面和背表面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为
20纳米；
(3) 在上述硅片的背表面喷涂一层水层，然后将硅片在含有硝酸和氢氟酸的腐蚀液中漂浮刻蚀硅片边缘和前表面；刻蚀完成后先在盐酸中清洗，再在清水中清洗，即可得到前表面去除氧化层且边缘刻蚀的硅片；
(4) 采用四甲基氢氧化铵溶液对硅片的前表面进行制绒；
四甲基氢氧化铵溶液不会腐蚀氧化层，配合前一步的单面氧化层保护，可以得到单面制绒，制绒的同时可将前表面的硼扩散层去除；
(5) 对制绒后的硅片的绒面进行磷元素的离子注入；
(6) 对离子注入后的硅片进行高温激活；
处理温度为650~900℃，激活气氛为氮气和氧气的组合气氛；
(7) 在硅片双面沉积氮化硅；所用方法为等离子增强化学气相沉积，氮化硅的厚度为
70~90纳米；
(8) 采用激光在硅片背表面去除部分氮化硅和氧化层，在硅片的背表面形成点接触开口；
(9) 在硅片的背表面印刷铝电极，在前表面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种造孔剂优化SiOx@C性能的制备方法 | 2020-05-08 | 463 |
| 一种TiAl系医用钛合金植入物表面微孔化制备方法 | 2020-05-08 | 276 |
| 超级活性炭的制备方法及所产废液的循环回用并副产碳酸盐的方法 | 2020-05-11 | 246 |
| 一种Mini LED芯片及制造方法 | 2020-05-08 | 71 |
| 一种提升碳纳米管阵列场发射性能的方法 | 2020-05-08 | 763 |
| 一种高耐磨MC尼龙/MXene纳米复合材料及其原位聚合制备方法 | 2020-05-08 | 475 |
| 一种水热制备Ti3C2@Co-MOF超级电容材料的方法 | 2020-05-08 | 548 |
| Pd/TiO2析氢催化剂的制备与应用 | 2020-05-08 | 109 |
| 一种用于氢氟酸生产的硫酸储槽 | 2020-05-11 | 851 |
| 电子级氢氟酸蒸馏系统的高效加热装置 | 2020-05-08 | 856 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
