精炼法提纯工业硅的工艺及设备
专利汇可以提供精炼法提纯工业硅的工艺及设备专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了精炼法提纯工业 硅 的工艺及设备，具体步骤为：将造渣剂 粉碎 后，加 水 润湿 造粒 获得粒径为40～80目、 密度 为3.0～3.5g/cm3、湿度为10～15％的精炼颗粒制剂；将硅熔体注入包体内，同时向包体内通入精炼气、加入精炼颗粒制剂，在1450～1550℃ 温度 条件下进行精炼2～8h；冷却至室温，进行渣硅分离获得精炼硅。本发明通过优化各组分及配比提供造渣剂、以及基于上述造渣剂的造渣精炼提纯工业硅工艺、设备，利于促进造渣剂与硅熔体混合均匀，除杂效果显著，可以将工业硅中的 硼 、 铝 、 钙 等杂质显著降低，有效避免引入新的杂质，获得纯度较高的高品质的工业硅；且对于低含量的硼杂质去除效率较高；操作工艺简单，对设备要求低，成本较低。，下面是精炼法提纯工业硅的工艺及设备专利的具体信息内容。
1.精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，具体步骤为：
步骤A，将造渣剂粉碎后，加水润湿造粒获得粒径为40～80目、密度为3.0～3.5g/cm3、湿度为10～15％的精炼颗粒制剂；
步骤B，将硅熔体注入包体内，同时向包体内通入精炼气、加入精炼颗粒制剂，在1450～
1550℃温度条件下进行精炼2～8h；
步骤C，冷却至室温，进行渣硅分离获得精炼硅。
2.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述造渣剂采用BaO、NaO和SiO2的混合物。
3.根据权利要求2所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述BaO、NaO和SiO2的配比为2:5:1。
4.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述步骤A中，将造渣剂粉碎成粒径为100～120目的粉末后，加入水、水合硅酸镁细粉混合均匀用于造粒；造渣剂与水合硅酸镁细粉的质量配比10:0.3。
5.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述步骤B中，造渣剂和硅熔体的质量配比为1:10～1:5。
6.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述步骤B中精炼气体为空气和氩气混合气。
7.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述步骤B中，通入精炼气的流量为20～28L/min，包体内气压为0.6～1.0MPa。
8.实施权利要求1至7任一项所述的精炼法提纯工业硅的工艺的设备，其特征在于，包括包体(1)，所述包体(1)的侧壁上开设有若干进气孔(2)，若干进气孔(2)沿包体(1)的周向均匀分布，每个进气孔(2)的轴线方向与包体(1)的轴线方向平行；进气孔(2)的底部延伸至包体(1)的底部，且通过透气砖(3)与包体(1)内部连通，进气孔(2)的顶部与进气元件连通；
包体(1)的顶部敞口端设有盖板(4)，盖板(4)上设有进料管(5)。
9.根据权利要求8所述的精炼法提纯工业硅的设备，其特征在于，所述盖板(4)为中空壳体结构，盖板(4)的下板面上凸设有若干与进气孔(2)敞口端嵌入适配的导管(6)，导管(6)连通进气孔(2)和盖板(4)的中空腔室；盖板(4)上还设有进气管(7)，进气管(7)与盖板(4)的中空腔室连通。
10.根据权利要求9所述的精炼法提纯工业硅的设备，其特征在于，若干进气孔(2)底部的透气砖(3)在沿周向方向上错位排布。
精炼法提纯工业硅的工艺及设备
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
实施例1 1ppmw 0.014ppmw 98.6％ <0.002％ <0.001％ 99.99
实施例2 600ppmw 3ppmw 99.5％ <0.002％ <0.001％ 99.97
实施例3 1000ppmw 21ppmw 97.9％ <0.002％ <0.001％ 99.91
实施例4 5ppmw 0.045ppmw 99.1％ <0.002％ <0.001％ 99.97
实施例5 1ppmw 0.009ppmw 99.1％ <0.001％ <0.001％ 99.99
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