技术领域
[0001] 本实用新型涉及等离子体技术领域，尤其涉及一种适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构。
背景技术
[0002] 研究
电磁波在等离子体中的传播特性，以及等离子体与电磁波的相互作用是航天
飞行器再入、电离层研究、等离子体隐身技术等研究工作的
基础和关键内容，其中地面实验是验证理论研究以及开展飞行试验的关键环节，具有重要意义。等离子体由离子、
电子以及未电离的中性粒子的集合组成，整体呈现电中性，广泛存在于
宇宙中，常被视为是物质的第四态。
[0003] 介质阻挡放电是工业上产生低温等离子体的主要手段。它可以在
大气压或高于大气压条件下，方便地产生大面积的低温等离子体，获得化学反应所需的活性粒子，在近百年的研究中，介质阻挡放电被广泛应用于材料的
表面处理、臭
氧合成、紫外
光源、环境保护等领域。介质阻挡放电基本的
电极结构是在两个金属电极之间的放电间隙上插入一个或者多个绝缘介质层。介质阻挡放电中通常采用固体绝缘介质材料，如玻璃、有机
薄膜、陶瓷等，绝缘介质层主要起到防止放电
电流增长过快，阻止发生弧光甚至火花放电的作用。
现有技术例如公告号为CN206230868U公开的一种适用于成形过程的
温度及气氛控制系统包括的上模芯陶瓷绝缘套筒和下模芯陶瓷绝缘套筒均为固体阻挡介质，从固体阻挡介质来说，其表面电荷累积可能影响等离子体产生的均匀性。
[0004] 此外，采用等离子体发生装置可以对例如
种子内能产生激活作用，从而使得作物发芽率提高，达到改善产品品质的目的。具体来说，等离子体发生装置是通过上下电极来形成
辉光放电区，辉光放电区产生的电子、离子、激发态分子、
原子、自由基等活性粒子，以及紫外光和
X射线可以对经过辉光放电区的种子内能产生激活，在此过程中，辉光放电区产生的电子、离子、激发态分子、原子、自由基等活性粒子，以及紫外光和X射线的
密度和浓度的高低对于种子内能激发的效果具有很直接的影响。实用新型内容
[0005] 本实用新型的目的是提供一种适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构，以解决提高辉光放电区产生的等离子体产生的浓度和密度技术问题。
[0006] 本实用新型的适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构是这样实现的：
[0007] 一种适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构，包括：环形本体、沿着所述环形本体的轴线方向位于该环形本体的一端面上的均匀排布的若干个出气孔，以及沿着所述环形本体的轴线方向位于该环形本体的另一个端面上的至少一个进气孔；
[0008] 所述进气孔与若干个所述出气孔均贯通以使气流通过进气孔后适于从若干个所述出气孔进行溢散。
[0009] 在本实用新型较佳的
实施例中，在所述环形本体设有若干个所述出气孔的端面上包括高台阶面的呈环形结构的封闭部，以及相对于所述封闭部凹陷的呈环形结构的气孔部；其中
[0010] 若干个所述出气孔部均匀地分布在所述气孔部上。
[0011] 在本实用新型较佳的实施例中，所述环形本体内部具有中空的用于与所述气孔部上的若干个所述出气孔贯通的气流腔。
[0012] 在本实用新型较佳的实施例中，所述进气孔开设于所述环形本体的背离气孔部的侧端面上对应所述气流腔的部分处。
[0013] 在本实用新型较佳的实施例中，若干个所述出气孔的孔径均相同；以及
[0014] 所述进气孔的孔径大于出气孔的孔径。
[0015] 在本实用新型较佳的实施例中，所述环形本体采用陶瓷材质制成。
[0016] 采用了上述技术方案，本实用新型具有以下的有益效果：本实用新型的适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构，通过贯通配合的进气孔和若干个出气孔，使得有进气孔进入气流腔内的气流再通过若干个出气孔处溢散，如此形成高密度的气流幕的绝缘结构，当本实用新型的气流幕绝缘结构用于等离子体发生装置时，高密度的气流幕可以形成对于等离子体发生装置的辉光放电区形成的等离子体形成屏障作用，从而提高辉光放电区内的等离子体的密度和浓度，由此来实现提高对于经过辉光放电区的物料例如种子内能激发的效果。
附图说明
[0017] 图1为本实用新型的适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构的第一视
角的结构示意图；
[0018] 图2为本实用新型的适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构的第二视角的结构示意图；
[0019] 图3为本实用新型的适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构的第三视角的结构示意图。
[0020] 图中：环形本体100、出气孔102、进气孔103、通孔104、封闭部105、气孔部107。
具体实施方式
[0021] 为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明。
[0022] 请参阅图1至图3所示，本实施例提供了一种适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构，包括：环形本体100、沿着环形本体100的轴线方向位于该环形本体100的一端面上的均匀排布的若干个出气孔102，以及沿着环形本体100的轴线方向位于该环形本体100的另一个端面上的至少一个进气孔103，本实施例以两个进气孔103为例，且两个进气孔103相对于环形本体100整体来说为对称分布结构。进气孔103中适于通入绝缘气体，且进气孔103与若干个出气孔102均贯通以使气流通过进气孔103后适于从若干个出气孔102进行溢散。
[0023] 对于本实施例的环形本体100可以采用陶瓷材质制成，当然此处还可以是
石英玻璃或派克拉斯玻璃，具体本实施例不做绝对限定。
[0024] 具体来说，环形本体100围合形成有圆形的通孔104，此处的通孔104的作用在于，当本实施例的气流幕绝缘结构用于等离子体发生装置中时，通孔104用于嵌装电极板，如此使得位于通孔104的周向外侧的若干个出气孔102结合气流可以在电极板的周向外侧形成高密度的气流幕，气流幕可以
对电极板形成的辉光放电区产生的等离子体形成屏障效应，从而提高辉光放电区内的等离子体的浓度和密度。
[0025] 此外，在环形本体100设有若干个出气孔102的端面上包括高台阶面的呈环形结构的封闭部105，以及相对于封闭部105凹陷的呈环形结构的气孔部107；其中若干个出气孔102部均匀地分布在气孔部107上。
[0026] 举例来说，本实施例的若干个出气孔102包括在气孔部107上阵列式分布的三个呈环形的出气孔102组，每个出气孔102组则是沿着气孔部107的径向排布的且间隔地均匀分布的多个出气孔102。此外一种可选的实施方式下，若干个出气孔102的孔径均相同；以及进气孔103的孔径大于出气孔102的孔径，当然还可选的实施方式下，若干个出气孔102的孔径不尽相同。
[0027] 再详细来说，环形本体100内部具有中空的用于与气孔部107上的若干个出气孔102贯通的气流腔。进气孔103开设于环形本体100的背离气孔部107的侧端面上对应气流腔的部分处。
[0028] 本实施的适用于等离子体发生装置的气流幕绝缘结构，将绝缘气体由进气孔103通入气流腔内，再通过与气流腔贯通的若干个出气孔102进行溢散，由于若干个出气孔102阵列式均匀分布，使得气流在若干个出气孔102处形成高密度的气流幕绝缘结构，当本实施例的气流幕绝缘结构用于等离子体发生装置时，高密度的气流幕可以形成对于等离子体发生装置的辉光放电区形成的等离子体形成屏障作用，从而提高辉光放电区内的等离子体的密度和浓度，由此来实现提高对于经过辉光放电区的物料例如种子内能激发的效果。
[0029] 此外，相比传统技术中使用的固体介质阻挡放电时，本实用新型的气流幕绝缘结构可产生绝缘气体充当介质材料，从而降低传统技术中使用的固体介质的表面累积的电荷的干扰，最终提高等离子体产生的均匀性，此次等离子体产生的均匀性对有效提高种子内能的激发具有直接的积极影响。
[0030] 以上的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何
修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
[0031] 在本实用新型的描述中，需要理解的是，指示方位或
位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0032] 在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
[0033] 在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“
水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0034] 此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0035] 在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之上或之下可以包括第一和第二特征直接
接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之上、上方和上面包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征之下、下方和下面包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
