专利汇可以提供一种含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F及其制备方法与应用专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种含氟噻吩衍 生物 聚合物 薄膜 PEDOT-F及其制备方法与应用。所述的PEDOT-F制备方法为:在三 电极 电解 池体系中,以3-(N-三氟乙酰 氨 基)噻吩和3,4-乙烯二 氧 噻吩为 单体 ,以高氯酸锂为支持 电解质 ,以乙腈为电解 溶剂 ,以铂电极、氧化铟 锡 导电玻璃电极或氟掺杂氧化锡导电玻璃电极为 工作电极 ,以铂电极为辅助电极,以 银 /氯化银电极为参比电极,采用恒电位法得到沉积在工作电极上的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT-F。所述的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT-F应用于制备 电致变色 材料。本发明所述的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT-F在 波长 607nm处的光学 对比度 ,达到41.6%,优于对比度34.5%的PEDOT,且具有较短的响应时间,着色时间为0.7s,褪色时间为0.3s。,下面是一种含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F及其制备方法与应用专利的具体信息内容。
1.一种含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜按照如下方法进行制备:
在三电极电解池体系中,以3-(N-三氟乙酰氨基)噻吩和3,4-乙烯二氧噻吩为单体,以高氯酸锂为支持电解质,以乙腈为电解溶剂,混合均匀得到电解液,以铂电极、氧化铟锡导电玻璃电极或氟掺杂氧化锡导电玻璃电极为工作电极,以铂电极为辅助电极,以银/氯化银电极为参比电极,在室温下采用恒电位法,在1.3~1.7V聚合电压条件下进行电化学聚合反应,当聚合电量达到0.05~0.2C时聚合结束,在-1~-0.7V负电位下脱掺杂50~70s,得到沉积在工作电极上的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT-F;所述的电解液中,所述的3-(N-三氟乙酰氨基)噻吩单体的初始终浓度为1~10mmol/L,所述的3,4-乙烯二氧噻吩单体的初始终浓度为1~10mmol/L;所述的支持电解质高氯酸锂的初始终浓度为0.01~0.1mol/L;
所述的3-(N-三氟乙酰氨基)噻吩的制备方法为:
将3-氨基噻吩草酸盐溶于二氯甲烷溶液中,在三乙胺的作用下,得到游离态的3-氨基噻吩反应液,然后将反应液冷却至0℃,缓慢滴加三氟乙酸酐,于室温下反应2~10h后,加入饱和碳酸氢钠溶液直至无气泡产生,得到反应混合液经分离纯化得到3-(N-三氟乙酰氨基)噻吩;所述的3-氨基噻吩草酸盐、三乙胺、三氟乙酸酐的物质的量为1:1~5:1~3。
2.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的二氯甲烷与所述的3-氨基噻吩草酸的物质的量比为20:1。
3.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的混合液的后处理方法为,将混合液用乙酸乙酯萃取3次,并合并有机相,将有机相用饱和氯化钠溶液洗涤3次,加入无水硫酸钠干燥,抽滤,旋蒸溶剂得到3-(N-三氟乙酰氨基)噻吩粗品;将得到的3-(N-三氟乙酰氨基)噻吩粗品溶于二氯甲烷拌样过柱,以柱层析分离,以体积比4:1的二氯甲烷和石油醚为展开剂,得到3-(N-三氟乙酰氨基)噻吩。
4.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的3-(N-三氟乙酰氨基)噻吩单体初始终浓度为1mmol/L。
5.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的3,4-乙烯二氧噻吩单体的初始终浓度为5mmol/L。
6.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的支持电解质高氯酸锂的初始终浓度为0.1mol/L。
7.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的工作电极为氧化铟锡导电玻璃电极;所述的辅助电极为铂电极。
8.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的参比电极为双液接型银/氯化银电极,以饱和的氯化钾水溶液为第一液接,以所述的电解液为第二液接。
9.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT-F,其特征在于:所述的恒电位聚合法为:在1.4V电压下进行聚合,聚合电量为0.05C时聚合结束,在电解质溶液中-
0.8V电位下脱掺杂60s。
10.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT-F在电致变色材料中的应用。
应用
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