专利汇可以提供一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种基于单圆环 石墨 烯的太赫兹宽带可调吸收器,涉及吸收器。呈三层结构,从下而上依次为金属层(1)、介质层(2)、 石墨烯 层(3),三层结构之间相互贴合。所述金属层的材料为金或 铜 等良导体,金属层的厚度大于入射波的趋肤深度;所述介质层的材料为 二 氧 化 硅 等绝缘体,介质层的厚度与吸波频段有关;所述石墨烯层由周期性 单层 石墨烯圆环结构组成。本 发明 具有可调、吸收率高、结构简单、易于加工、偏振不敏感等优势,满足在太赫兹波通信技术、探测、成像以及光电探测器等方面的应用要求。,下面是一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器专利的具体信息内容。
1.一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,其特征呈三层结构,从下而上依次为金属层(1)、介质层(2)、石墨烯层(3),三层结构之间相互贴合。所述金属层的材料为金或铜等良导体,金属层的厚度大于入射波的趋肤深度;所述介质层的材料为二氧化硅等绝缘体,介质层的厚度与吸波频段有关;所述石墨烯层由周期性单层石墨烯圆环结构组成。
2.根据权利要求1所述的一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,其特征在于:所述的周期结构正视图为正方形,正方形的边长为33微米~46微米。
3.根据权利要求1所述的一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,其特征在于:所述的介质层(2)采用二氧化硅,厚度为22微米~28微米,相对介电常数为3.9。
4.根据权利要求1所述的一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,其特征在于:所述的石墨烯圆环结构的内半径为2微米~7微米,外半径为12微米~18微米。
5.根据权利要求1所述的一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,其特征在于:所述的石墨烯为单层原子排列结构。
6.根据权利要求1所述的一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,其特征在于:所述的金属层(1)为在太赫兹波段电导率高损耗小的金属,厚度为0.2微米~500微米。
7.根据权利要求1所述的一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,其特征在于:所述的全金属薄膜(1)为金、铜、银或铝。
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