一种封装结构
阅读：517发布：2020-05-11
专利汇可以提供一种封装结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型提供一种封装结构，包括： 支撑 基底；第一封装层，形成于所述支撑基底上；图形化的化学 镀 种子 层，形成于所述第一封装层的表面；图形化的金属层，形成于所述 化学镀 种子层 的表面；第二封装层，形成于所述第一封装层、所述化学镀种子层和所述金属层上，且所述第二封装层包覆所述化学镀种子层和所述金属层。本实用新型的封装结构能够提高封装层的牢固性，提高金属层与第一封装层之间的结合 力 ，从而防止第二封装层在后续工序中的脱落现象。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利，下面是一种封装结构专利的具体信息内容。
一种封装结构
技术领域
背景技术
[0002] 晶圆片级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，简称WLCSP)，即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20％的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。晶圆级芯片封装往往需要多层封装层及金属层，传统的工艺中，金属层和封装层之间的结合力不强，导致封装层之间出现脱落分离现象，严重影响了产品的良品率。
[0004] 鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种封装结构，用于解决现有技术中封装层脱落问题。
[0005] 为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种封装结构，包括：
[0006] 支撑基底；
[0007] 第一封装层，形成于所述支撑基底上；
[0010] 第二封装层，形成于所述第一封装层、所述化学镀种子层和所述金属层上，且所述第二封装层包覆所述化学镀种子层和所述金属层。
[0011] 可选地，所述金属层的厚度介于3μm～15μm之间。
[0012] 可选地，所述化学镀种子层的厚度介于180nm～220nm之间。
[0013] 可选地，所述支撑基底的厚度介于800μm～1200μm之间。
[0014] 如上所述，本实用新型提供一种封装结构，本实用新型具有以下功效：
[0015] 本实用新型的封装结构于所述第一封装层的上表面形成化学镀种子层，具有提高封装层的牢固性，提高金属层与第一封装层之间的结合力，从而防止第二封装层在后续工序中的脱落现象。
[0016] 于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层具有第二窗口，以显露所述化学镀种子层，于所述第二窗口内形成所述金属层，去掉所述掩膜层，采用化学刻蚀工艺去掉裸露部分的所述化学镀种子层，在整个图形化金属层的形成过程中没有用到干法刻蚀，只采用了湿法刻蚀，提高了生产效率，降低了生产成本。
[0017] 所述金属层与所述第一封装层之间具有所述化学镀种子层，提高封装层的牢固性，提高金属层与第一封装层之间的结合力，从而防止第二封装层在后续工序中的脱落现象。而且所述化学镀种子层与所述第一封装层之间直接接触不夹带其他物质，提高了所述化学镀种子层与所述第一封装层之间的结合力。附图说明
[0018] 图1显示为本实用新型的封装方法步骤1)所呈现的结构示意图。
[0019] 图2显示为本实用新型的封装方法步骤2)所呈现的结构示意图。
[0020] 图3显示为本实用新型的封装方法步骤3)所呈现的结构示意图。
[0021] 图4显示为本实用新型的封装方法步骤4)所呈现的结构示意图。
[0022] 图5显示为本实用新型的封装方法步骤5)所呈现的结构示意图。
[0023] 图6显示为本实用新型的封装方法步骤6)所呈现的结构示意图。
[0024] 图7显示为本实用新型的封装方法步骤7)所呈现的结构示意图。
[0025] 图8显示为本实用新型的封装方法的流程图。
[0026] 元件标号说明
[0027] 101 支撑基底
[0028] 102 第一封装层
[0029] 103 化学镀种子层
[0030] 104 掩膜层
[0031] 105 第二窗口
[0032] 106 金属层
[0033] 107 第一窗口
[0034] 108 第二封装层
[0035] S01～S07 步骤
具体实施方式
[0036] 以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0037] 请参阅图1～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0038] 如图1～图8所示，本实施例提供一种封装方法，包括步骤：
[0039] 如图1所示，进行步骤1)S01，提供一支撑基底101，于所述支撑基底101的上表面形成第一封装层102。
[0040] 所述支撑基底101的材质包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种，所述支撑基底101的厚度介于800μm～1200μm之间，例如，所述支撑基底101 的厚度可以为900μm、1000μm、1100μm。所述第一封装层102的材质包括环氧树脂、硅胶、 PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，形成所述第一封装层
102的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。
所述第一封装层102通过撒料、加热融化、合模冷却等工艺后形成。
102的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。
所述第一封装层102通过撒料、加热融化、合模冷却等工艺后形成。
[0041] 在本实施例中，所述第一封装层102的材质选用为环氧树脂，环氧树脂是指分子中含有两个以上环氧基团的一类聚合物的总称。它是环氧氯丙烷与双酚A或多元醇的缩聚产物。由于环氧基的化学活性，可用多种含有活泼氢的化合物使其开环，固化交联生成网状结构，因此它是一种热固性树脂。
[0042] 如图2所示，进行步骤2)S02，采用化学镀于所述第一封装层102的上表面形成化学镀种子层103。
[0043] 作为示例，所述化学镀种子层103的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。所述化学镀种子层103的厚度介于180nm～220nm之间，例如，所述化学镀种子层 103的厚度可以为180nm、200nm、220nm。
[0044] 在本实施例中，所述化学镀种子层103的材质包括铜，所述化学镀的温度介于25℃～30℃之间，温度过低时，镀铜的速率降低，温度过高时，副反应增加使镀液不稳定。所述化学镀的时间介于30分钟～40分钟。镀液中甲醛(37％)的含量介于6ml/L～8ml/L之间，甲醛含量在此范围内时，甲醛含量变化对铜沉积速率影响不大。
[0045] 化学镀也称无电解镀或者自催化镀，是在无外加电流的情况下借助合适的还原剂，使镀液中金属离子还原成金属，并沉积到零件表面的一种镀覆方法。采用化学镀于所述第一封装层102的上表面形成化学镀种子层103，具有提高封装层的牢固性，提高金属层106与第一封装层102之间的结合力，从而防止第二封装层108在后续工序中的脱落现象。
[0046] 如图3所示，进行步骤3)S03，于所述化学镀种子层103的上表面形成图形化的掩膜层 104，所述掩膜层104具有第二窗口105，所述第二窗口105显露所述化学镀种子层103。
[0047] 作为示例，所述掩膜层104包括光刻胶，形成所述图形化的光刻胶的方法包括光刻工艺。
[0048] 在本实施例中，光刻工艺经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘，从而形成图形化的光刻胶。光刻中采用的感光物质被称为光刻胶，主要分为正光刻胶和负光刻胶两种。正光刻胶未被光照的部分在显影后会被保留，而负光刻胶被感光的部分在显影后会被保留，其中，被去除的正光刻胶部分或负光刻胶部分即形成所述第二窗口105。光刻胶不仅需要对指定的光照敏感，还需要在之后的金属刻蚀等过程中保持性质稳定。不同的光刻胶一般具有不同的感光性质，有些对所有紫外线光谱感光，有些只对特定的光谱感光，也有些对X射线或者对电子束感光。
[0049] 如图4所示，进行步骤4)S04，于所述第二窗口105内形成所述金属层106。
[0050] 作为示例，形成所述金属层106的方法包括电镀、化学镀中的一种，所述金属层106的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。所述金属层106的厚度介于 3μm～15μm之间，例如，所述金属层106的厚度可以为6.6μm、9.6μm。所述金属层106既可以填满所述第二窗口105，也可以不填满所述第二窗口105。
[0051] 其中，电镀就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺。
[0052] 如图5所示，进行步骤5)S05，去掉所述掩膜层104，以形成图形化的金属层106，所述金属层106具有第一窗口107，所述第一窗口107显露所述化学镀种子层103。
[0053] 如图6所示，进行步骤6)S06，去掉所述第一窗口107内裸露的所述化学镀种子层103，以显露所述第一封装层102。
[0054] 作为示例，去掉裸露部分的所述化学镀种子层103的方法包括化学刻蚀工艺。
[0056] 于所述化学镀种子层103的上表面形成图形化的掩膜层104，所述掩膜层104具有第二窗口105，以显露所述化学镀种子层103，于所述第二窗口105内形成所述金属层106，去掉所述掩膜层104，采用化学刻蚀工艺去掉裸露部分的所述化学镀种子层103，在整个图形化金属层106的形成过程中没有用到干法刻蚀，只采用了湿法刻蚀，提高了生产效率，降低了生产成本。
[0057] 如图7所示，进行步骤7)S07，于所述第一封装层102及所述图形化的金属层106上方形成第二封装层108，所述第二封装层108包覆所述金属层106。
[0058] 作为示例，所述第二封装层108的材质包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，形成所述第二封装层108的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种。所述第一封装层102 通过撒料、加热融化、合模冷却等工艺后形成。
[0059] 如图7所示，本实施例还提供一种封装结构，包括：支撑基底101；第一封装层102，形成于所述支撑基底101上；图形化的化学镀种子层103，形成于所述第一封装层102的表面；图形化的金属层106，形成于所述化学镀种子层103的表面；第二封装层108，形成于所述第一封装层102、所述化学镀种子层103和所述金属层106上，且所述第二封装层108包覆所述化学镀种子层103和所述金属层106。作为示例，所述金属层106的厚度介于3μm～15μm 之间，例如，所述金属层106的厚度可以为6.6μm、9.6μm。作为示例，所述化学镀种子层103 的厚度介于180nm～220nm之间，例如，所述化学镀种子层103的厚度可以为180nm、200nm、 220nm。作为示例，所述支撑基底101的厚度介于800μm～1200μm之间，例如，所述支撑基底
101的厚度可以为900μm、1000μm、1100μm。
101的厚度可以为900μm、1000μm、1100μm。
[0060] 综上所述，本实用新型提供一种封装结构，具有以下功效：
[0061] 本实用新型的封装结构采用化学镀于所述第一封装层102的上表面形成化学镀种子层 103，具有提高封装层的牢固性，提高金属层106与第一封装层102之间的结合力，从而防止第二封装层108在后续工序中的脱落现象。于所述化学镀种子层103的上表面形成图形化的掩膜层104，所述掩膜层104具有第二窗口105，以显露所述化学镀种子层103，于所述第二窗口105内形成所述金属层106，去掉所述掩膜层104，采用化学刻蚀工艺去掉裸露部分的所述化学镀种子层103，在整个图形化金属层106的形成过程中没有用到干法刻蚀，只采用了湿法刻蚀，提高了生产效率，降低了生产成本。所述金属层106与所述第一封装层102之间具有所述化学镀种子层103，提高封装层的牢固性，提高金属层106与第一封装层102之间的结合力，从而防止第二封装层108在后续工序中的脱落现象。而且所述化学镀种子层103 与所述第一封装层102之间直接接触不夹带其他物质，提高了所述化学镀种子层103与所述第一封装层102之间的结合力。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0062] 上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
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