액상 수지 조성물{LIQUID RESIN COMPOSITION}

본 발명은, 액상 수지 조성물에 관한 것으로, 특히, 플립칩형 반도체 소자의 밀봉에 적합한 액상 수지 조성물에 관한 것이다.

액정 드라이버 IC 등의 반도체 장치의 배선 등의 한층 더 고밀도화, 고출력화에 대응 가능한 반도체 소자의 실장 방식인 COF(Chip On Film) 패키지 등에서, 플립칩 본딩이 이용되고 있다. 일반적으로, 플립칩 본딩에서는, 반도체 소자와 기판을 범프로 접합하고, 반도체 소자와 기판의 간극을, 언더필(under fill)재라고 불리는 액상 반도체 밀봉제로 밀봉한다.

근래, 액정 드라이버 IC의 고밀도화, 고출력화의 요구에 응하기 위해, 액정 드라이버 IC를 탑재하는 배선 패턴의 파인 피치화가 진행되고 있다. 이 파인 피치화, 및 고출력화에 수반하는 고전압화에 의해, 배선 사이의 마이그레이션이 걱정되고 있다. 마이그레이션은 배선 패턴의 금속이, 전기화학 반응에 의해 용출하여, 저항치 저하가 생기는 현상이다. 도 1에 전극이 Cu인 경우의 마이그레이션을 설명하는 모식도를 도시한다. 마이그레이션은, 우선 양극(2)에서, 반응식 : Cu+2(OH ^- )→2(CuOH)에 의해 Cu가 용출하고, 기판(1)위를, Cu(OH)가 실선 화살표 방향, 즉 음극(3) 방향으로 이동하고, 음극(3)에서는, 기판(1) 위에서, 반응식 : CuOH+H ₃ O ⁺ →Cu+2H ₂ O에 의해 Cu가 파선 화살표 방향, 즉 양극(2) 방향으로 석출한다. 통상, 배선 패턴은, 에폭시 수지계의 액상 수지 조성물로 이루어지는 언더필재로 밀봉되어 있는데, 에폭시 수지에 흡수된 H ₂ O 유래의 OH ^- 나 H ₃ O ⁺ 에 의해, 마이그레이션이 발생한다. 또한, 분위기 중에 Cl ^- 이온이 있으면, 마이그레이션은 비약적으로 가속된다. 이 Cl ^- 이온은, 통상, 에폭시 수지의 불순물로서 존재한다. 마이그레이션이 일어나면, 배선 패턴의 양극-음극 사이의 저항치가 낮아지고, 마이그레이션이 진행하면, 양극과 음극의 단락에 이른다. 또한, Cu(OH)는, 정확하게는, Cu(OH) ₂ 인 경우와, Cu(OH) ⁺ 인 경우가 있고, Cu(OH) ₂ 인 경우에는, 그 농도차에 의해 음극측으로 이동하고, Cu(OH) ⁺ 인 경우에는, 전기적으로 이동한다.

이 마이그레이션을 방지하기 위해, 이온 결합제로서, 벤조트리아졸류, 트리아진류 및 이들의 이소시아눌(Isocyanuric)류로부터 선택되는 적어도 1종의 가능물을 포함하는 수지 조성물이 보고되어 있다(특허 문헌 1).

그러나, 벤조트리아졸류 등을, 에폭시 수지 중에 분산하면, 보존중에 경화 반응에 의한 증점이 일어나, 언더필재 등으로 사용할 수가 없게 된다는 문제가 있다.

본 발명은, 경화 후의 액상 수지 조성물의 마이그레이션을 방지하고, 또한 액상 수지 조성물의 보존시의 증점을 억제하는 것을 과제로 한다. 따라서 보존 특성에 우수하고, 경화 후에는 내(耐)마이그레이션성에 우수한 높은 신뢰성의 액상 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 이하의 구성을 구비함으로써 상기 문제를 해결한 액상 수지 조성물에 관한 것이다.

[1] (A) 액상 에폭시 수지,

(B) 경화제, 및

(C) 일반식(1) :

(식 중, R ₁ , R ₂ 및 R ₃ 은, 각각 독립하여, 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이다)로 표시되는 크산틴류를 함유하는 것을 특징으로 하는, 액상 수지 조성물.

[2] (C)성분이, 카페인, 테오필린, 테오브로민 및 파라크산틴으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 상기 [1] 기재의 액상 수지 조성물.

[3] 또한, (D) 경화 촉진제를 함유하는, 상기 [1] 기재의 액상 수지 조성물.

[4] 또한, (E) 커플링제를 함유하는, 상기 [1] 기재의 액상 수지 조성물.

[5] 또한, (F) 필러를 함유하는, 상기 [1] 기재의 액상 수지 조성물.

[6] 또한, (G) 고무 성분을 함유하는, 상기 [1] 기재의 액상 수지 조성물.

[7] (C)성분이, 액상 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 0.05 내지 12질량부인, 상기 [1] 기재의 액상 수지 조성물의 경화물.

[8] 상기 [1] 기재의 액상 수지 조성물을 포함하는, 액상 반도체 밀봉제.

[9] 상기 [8] 기재의 액상 반도체 밀봉제를 이용하여 밀봉된 플립칩형 반도체 소자를 갖는, 반도체 장치.

본 발명[1]에 의하면, 보존 특성에 우수하고, 경화 후에 내마이그레이션성에 우수한 액상 수지 조성물을 제공할 수 있다.

본 발명[8]에 의하면, 내마이그레이션성에 우수한 높은 신뢰성의 반도체 장치를 용이하게 제공할 수 있다.

도 1은 전극이 Cu인 경우의 마이그레이션을 설명하는 모식도. 부호 1은 기판, 2는 양극, 3은 음극이다.
도 2는 수지 조성물의 주입성의 평가 방법을 설명하는 모식도. 부호 10과 11은 액상 수지 조성물, 20은 기판, 30은 유리판, 40은 갭이다.
도 3은 실시례 1의 수지 조성물을 이용하여 내마이그레이션성 평가를 한 후의 사진.
도 4는 실시례 2의 수지 조성물을 이용하여 내마이그레이션성 평가를 한 후의 사진.
도 5는 실시례 4의 수지 조성물을 이용하여 내마이그레이션성 평가를 한 후의 사진.
도 6은 비교례 1의 수지 조성물을 이용하여 내마이그레이션성 평가를 한 후의 사진.
도 7은 비교례 2의 수지 조성물을 이용하여 내마이그레이션성 평가를 한 후의 사진.

본 발명의 액상 수지 조성물은,

(A) 액상 에폭시 수지,

(B) 경화제, 및

(C) 일반식(1) :

(식 중, R ₁ , R ₂ 및 R ₃ 은, 각각 독립하여, 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이다)로 표시되는 크산틴류를 함유하는 것을 특징으로 한다.

(A)성분으로서는, 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지, 액상 비스페놀 F형 에폭시 수지, 액상 나프탈렌형 에폭시 수지, 액상 아미노페놀형 에폭시 수지, 액상 수첨 비스페놀형 에폭시 수지, 액상 지환식(alicyclic) 에폭시 수지, 액상 알코올에테르형 에폭시 수지, 액상 환상 지방족형 에폭시 수지, 액상 플루오렌형 에폭시 수지, 액상 실록산계 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지, 액상 비스페놀 F형 에폭시 수지, 액상 아미노페놀형 에폭시 수지, 액상 실록산계 에폭시 수지가, 경화성, 내열성, 접착성, 내구성의 관점에서 바람직하다. 또한, 에폭시 해당량은 점도 조정의 관점에서, 80 내지 250g/eq가 바람직하다. 시판품으로서는, 신닛테츠화학제 비스페놀 A형 에폭시 수지(품명 : YDF8170), 신닛테츠화학제 비스페놀 F형 에폭시 수지(품명 : YDF870GS), 미쯔비시화학제 아미노페놀형 에폭시 수지(그레이드 : JER630, JER630LSD), DIC제 나프탈렌형 에폭시 수지(품명 : HP4032D), 신에쓰화학제 실록산계 에폭시 수지(품명 : TSL9906) 등을 들 수 있다. (A)성분은, 단독이라도 2종 이상을 병용하여도 좋다.

(B)성분은, 산무수물(acid anhydride), 아민계 경화제, 페놀계 경화제를 들 수 있고, 양호한 반응성(경화 속도), 적당한 점성 부여의 관점에서, 산무수물이 바람직하다. 산무수물로서는, 메틸테트라히드로프탈산무수물, 메틸부텐일테트라히드로프탈산무수물, 메틸헥사히드로프탈산무수물, 알킬화 테트라히드로프탈산무수물, 헥사히드로프탈산무수물, 메틸하이믹산무수물, 알켄일기로 치환된 호박산무수물, 메틸나딕산무수물, 글루타르산무수물 등을 들 수 있고, 메틸부텐일테트라히드로프탈산무수물이 바람직하다. 아민계 경화제로서는, 쇄상지방족 아민, 환상지방족 아민, 지방방향족 아민, 방향족 아민을 들 수 있고, 방향족 아민이 바람직하다. 시판품으로서는, 미쯔비시화학제 산무수물(그레이드 : YH306, YH307), 니혼화약제 아민 경화제(카야하도AA) 등을 들 수 있다. (B)성분은, 단독이라도 2종 이상을 병용하여도 좋다.

(C)성분은, 일반식(1) :

(식 중, R ₁ , R ₂ 및 R ₃ 은, 각각 독립하여, 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이다)로 표시되는 크산틴류이고, 액상 수지 조성물의 보존시의 증점을 억제하고, 또한 경화 후의 내마이그레이션을 향상시킨다. (C)성분으로서는, 일반식(1)에서, R ₁ , R ₂ 및 R ₃ 이, 각각 독립하여, 수소 또는 탄소수 1의 알킬기이면 바람직하고, 식(2) :

의 카페인, 식(3) :

의 테오필린, 식(4) :

의 테오브로민 및 식(5) :

의 파라크산틴으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이면, 보다 바람직하다.

액상 수지 조성물은, 양호한 반응성, 신뢰성의 관점에서, (A)성분의 에폭시 당량 : 1에 대해, (B)성분의 산무수 당량이, 바람직하게는 0.6 내지 1.2이고, 보다 바람직하게는 0.65 내지 1.1이다. 0.6 이상이면, 반응성, 경화 후의 액상 수지 조성물의 PCT 시험에서의 내습 신뢰성, 내마이그레이션성이 양호하고, 한편, 1.2 이하면, 증점 배율이 너무 높아지지 않고, 보이드의 발생이 억제된다.

(C)성분은, 액상 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 0.05 내지 12질량부 포함하면 바람직하고, 0.1 내지 10질량부 포함하면, 보다 바람직하고, 0.1 내지 6질량부 포함하면 더욱 바람직하다. 0.1질량부 이상이면, 내(耐)리드 부식성이 양호하고, 12질량부 이하면, 액상 수지 조성물의 증점율의 상승을 억제할 수 있다. (C)성분은, 예를 들면, 와코순약공업으로부터 시판되고 있는 시약을 사용하면 좋다.

또한, (C)성분은, 액상 수지 조성물의 경화물 : 100질량부에 대해, 0.05 내지 12질량부 포함하면 바람직하고, 0.1 내지 10질량부 포함하면, 보다 바람직하고, 0.1 내지 6질량부 포함하면 더욱 바람직하다. 여기서, 액상 수지 조성물은, 경화시의 질량 감소가 약 1 내지 2질량%로 적고, (C)성분의 휘발량은 매우 작기 때문에, 경화물중에서의 바람직한 (C)성분의 함유량은, 액상 수지 조성물 중에서의 함유량과 마찬가지이다. 여기서, 카페인의 정량 분석은, 질량분석법으로 행한다.

액상 수지 조성물은, 또한, (D)성분인 경화 촉진제를 함유하면, 적절한 경화성을 얻을 수 있기 때문에 바람직하고, 경화 촉진제는, 에폭시 수지의 경화 촉진제라면, 특히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 아민계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제 등을 들 수 있다.

아민계 경화 촉진제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]에틸-s-트리아진 등의 트리아진 화합물, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]운데센-7(DBU), 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민 등의 제3급 아민 화합물을 들 수 있다. 그중에서도, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]에틸-s-트리아진, 2-페닐-4-메틸이미다졸이 바람직하다. 또한, 인계 경화 촉진제로서는, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 경화 촉진제는, 단독이라도 2종 이상을 병용하여도 좋다. 또한, (B)성분으로 산무수물계 경화제를 사용하는 경우에는, 경화성, 보존 안정성의 점에서, 아민계 경화 촉진제를 사용하는 것이 바람직하다.

(D)성분은, 에폭시 수지 등으로 어덕트된 어덕트형이라도, 마이크로 캡슐형이라도 좋다. 단, 본 발명의 제조 방법에서는, COF 밀봉용 수지 조성물의 성분을 배합한 후, 메시 사이즈 1㎛의 필터를 이용하여 배합물을 여과하기 때문에, 어덕트형이나 마이크로 캡슐형의 경화 촉진제를 사용하는 경우, 그 입경이 1㎛ 미만의 것을 이용할 필요가 있다.

액상 수지 조성물은, 또한, (E)성분인 커플링제를 함유하면, 밀착성의 관점에서 바람직하고, (E)성분으로서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있고, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란이, 밀착성의 관점에서 바람직하다. 시판품으로서는, 신에쓰화학공업제 KBM403, KBE903, KBE9103 등을 들 수 있다. (E)성분은, 단독이라도 2종 이상을 병용하여도 좋다.

액상 수지 조성물은, 또한, (F)성분인 필러를 함유하면 바람직하다. (F)성분으로서는, 콜로이달실리카, 소수성실리카, 미세실리카, 나노실리카 등의 실리카, 벤트나이트, 아세틸렌블랙, 케첸블랙 등을 들 수 있고, 나노실리카가, 도포 후의 형상 유지성의 관점에서, 보다 바람직하다. 또한, (F)성분은, 주입시의 액상 수지 조성물의 주입성의 점에서, 평균입경 : 0.01 내지 20㎛의 실리카가, 보다 바람직하고, 평균입경 : 0.02 내지 1㎛의 실리카가 더욱 바람직하다. 시판품으로서는, 닛폰아에로질제 소수성 퓸드실리카(제품명 : R805, 평균입경 : 20㎚), 닛폰촉매제 어모퍼스실리카(제품명 : 시호스타KE-P10, 평균입경 : 100㎚), 후소화학공업제(제품명 : SP03B, 평균입경 : 300㎚) 등을 들 수 있다. 여기서, 나노실리카 입자의 평균입경은, 동적 광산란식 나노 트랙 입자 분석계에 의해 측정한다. (F)성분은, 단독이라도 2종 이상을 병용하여도 좋다.

액상 수지 조성물은, 또한, (G)성분인 고무 성분을 함유하면, 액상 수지 조성물의 응력 완화의 관점에서 바람직하고, (G)성분으로서는, 아크릴 고무, 우레탄 고무, 실리콘 고무, 부타디엔 고무를 들 수 있다. (G)성분은, 고체의 것을 사용할 수 있다. 형태는 특히 한정되지 않고, 예를 들면 입자상(粒子狀), 분말상, 펠릿상의 것을 사용할 수 있고, 입자상의 경우는, 예를 들면 평균입경이 10 내지 200㎚, 바람직하게는 30 내지 100㎚, 보다 바람직하게는, 50 내지 80㎚이다. (G)성분은, 상온에서 액상의 것도 사용할 수 있고, 예를 들면, 평균분자량이 비교적 낮은 폴리부타디엔, 부타디엔·아크릴로니트릴 코폴리머, 폴리이소프렌, 폴리프로필렌옥시드, 폴리디오르가노실록산을 들 수 있다. 또한, (G)성분은, 말단에 에폭시기와 반응하는 기를 갖는 것을 사용할 수 있고, 이들은 고체, 액상 어느 형태라도 좋다. 시판품으로서는, 우베흥산제 ATBN1300-16, CTBN1008-SP 등을 들 수 있다. (G)성분은, 단독이라도 2종 이상을 병용하여도 좋다.

(D)성분은, (A)성분 : 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1질량부보다 많고 5질량부 미만, 보다 바람직하게는 0.2 내지 4질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 3.0질량부 함유된다. 0.1질량부 이상이면, 반응성이 양호하고, 5질량부 이하면, 내습 신뢰성이 양호하고, 더욱 증점 배율이 안정된다.

(E)성분은, (A)성분 : 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.05 내지 15질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10질량부 함유된다. 0.05질량부 이상이면, 밀착성이 향상되고, PCT 시험에서의 내습 신뢰성이 보다 양호하게 되고, 15질량부 이하면, 액상 수지 조성물의 발포가 억제된다.

(F)성분은, 액상 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1 내지 90질량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 40질량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 30질량부 함유된다. 1 내지 30질량부라면, 선팽창계수의 상승을 억제하면서 주입성의 악화를 피할 수 있다.

(G)성분은, (A)성분 : 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1 내지 30질량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 25질량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 20질량부 함유된다. 0.1질량부 이상이면, 액상 수지 조성물의 응력을 완화하고, 30질량부 이하면 내습 신뢰성이 저하되지 않는다.

본 발명의 액상 수지 조성물에는, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 또한 필요에 응하여, 카본블랙 등의 안료, 염료, 소포제, 산화 방지제, 응력 완화제, 기타의 첨가제 등을 배합할 수 있다.

본 발명의 액상 수지 조성물은, 예를 들면, (A)성분 내지 (C)성분 및 기타 첨가제 등을 동시에 또는 제각기, 필요에 의해 가열 처리를 가하면서, 교반, 용융, 혼합, 분산시킴에 의해 얻을 수 있다. 이들의 혼합, 교반, 분산 등의 장치로서는, 특히 한정되는 것이 아니지만, 교반, 가열 장치를 구비한 라이카이기(grinding machine), 3본 롤밀, 볼밀, 플라네터리믹서, 비즈밀 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 장치를 적절히 조합시켜서 사용하여도 좋다.

본 발명의 액상 수지 조성물은, 온도 : 25℃에서의 점도가 50 내지 2000mPa·s면, 주입성의 관점에서 바람직하다. 여기서, 점도는, 도우키산업사제 E형 점도계(형번 : TVE-22H)로 측정한다.

본 발명의 액상 수지 조성물은, 디스펜서, 인쇄 등으로 기판의 소망하는 위치에 형성·도포된다. 여기서, 액상 수지 조성물은, 플렉시블 배선 기판 등의 기판과 반도체 소자와의 사이에, 적어도 일부가 기판의 배선상에 접하도록 형성한다.

본 발명의 액상 수지 조성물의 경화는, 80 내지 300℃에서, 30 내지 300초간 행하는 것이 바람직하고, 특히 200초 이내에서 경화시키면, 에폭시 밀봉제로서 이용할 때의 생산성 향상의 관점에서 바람직하다.

또한, 반도체 소자, 기판은, 소망하는 것을 사용할 수 있지만, 플립칩 본딩의 반도체 소자와 COF 패키지용 기판의 조합이 바람직하다.

이와 같이, 본 발명의 액상 수지 조성물은, 액상 반도체 밀봉제에 매우 적합하고, 이 액상 반도체 밀봉제를 이용하여 밀봉된 플립칩형 반도체 소자를 갖는 반도체 장치는, 내마이그레이션성 및 내(耐)리드 부식성에 우수하고, 높은 신뢰성을 갖는다.

실시례

본 발명에 관해, 실시례에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하의 실시례에서, 부, %는 단서가 없는 한, 질량부, 질량%를 나타낸다.

[실시례 1 내지 18, 비교례 1, 2]

표 1, 표 2에 표시하는 배합으로, 액상 수지 조성물(이하, 「수지 조성물」이라고 한다)을 제작하였다. 제작한 수지 조성물은, 전부 액상이었다.

[점도의 평가]

제작한 직후의 수지 조성물의 점도(초기 점도, 단위 : mPa·s)를, 도우키산업사제 E형 점도계(형번 : TVE-22H)로 측정하였다. 표 1, 표 2에, 초기 점도의 측정 결과를 표시한다. 또한, 수지 조성물을 24시간 또는 48시간, 25℃, 상대습도 50%로 보관한 후의 점도를 측정하고, (24 또는 48시간 후의 점도)/(초기 점도)를 점도 상승율(단위 : %)로 하였다. 표 1, 표 2에, 결과를 표시한다.

[흡수율의 평가]

제작한 수지 조성물을 150℃, 60분으로 경화시킨 시료의 초기 중량을 W ₀ (g)로 하고, PCT 시험조(121℃±2℃/습도 100%/2atm의 조중에 20시간 둔 후, 실온까지 냉각하여 얻은 시험편의 중량을 W ₁ (g)로 하고, 하기 식으로, 흡수율(단위 : %)을 구하였다.

흡수율=(W ₁ -W ₀ )/W ₀ ×100(%)

표 1, 표 2에, 흡수율의 평가 결과를 표시한다.

[휨 탄성율의 평가]

이형제를 도포한 유리판과 유리판의 사이에, 제작한 수지 조성물을 끼우고, 150℃, 60분으로 350㎛의 시트형상으로 경화시켜, 만능 시험기((주)시마즈제작소제 AG-I)를 이용하여 실온에서의 휨 탄성율을 구하였다. 또한, n=3으로 측정하고, 평균치를 이용하였다. 또한, 시험편의 막두께 및 폭은, 5점 측정하고, 평균치를 계산치에 이용하였다. 휨 탄성율은, 바람직하게는, 2.0 내지 4.0GPa이다. 표 1, 표 2에, 휨 탄성율의 평가 결과를 표시한다.

[추출 Cl 이온량의 평가]

제작한 수지 조성물을 150℃, 60분으로 경화시켜서 얻은 시료를, 5㎜각(角) 정도로 분쇄하였다. 경화 도막 : 2.5g에 이온교환수 25㎤를 가하고, PCT 시험조(121℃±2℃/습도 100%/2atm의 조)중에 20시간 둔 후, 실온까지 냉각하여 얻은 추출액을 시험액으로 하였다. 상기한 순서로 얻어진 추출액의 Cl 이온 농도를, 이온 크로마토그래프를 이용하여 측정하였다. 표 1, 표 2에, 추출 Cl 이온량의 평가 결과를 표시한다.

[주입성의 평가]

도 2에, 수지 조성물의 주입성의 평가 방법을 설명하는 모식도를 도시한다. 우선, 도 2의 (A)에 도시하는 바와 같이, 기판(20)상에 20㎛의 갭(40)을 마련하고, 반도체 소자 대신에 유리판(30)을 고정한 시험편을 제작하였다. 단, 기판(20)으로서는, 플렉시블 기판 대신에 유리 기판을 사용하였다. 다음에, 이 시험편을 110℃로 설정한 핫 플레이트상에 두고, 도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 유리판(30)의 일단측에, 제작한 수지 조성물(10)을 도포하고, 도 2의 (C)에 도시하는 바와 같이, 갭(40)이 수지 조성물(11)로 채워지기 까지의 시간을 측정하고, 90초 이하에서 채워진 경우를 「양」으로 하였다. 표 1, 표 2에, 주입성의 평가 결과를 표시한다.

[내마이그레이션성의 평가]

수지 조성물의 내이온 마이그레이션성을 평가하기 위해, 고온 고습 바이어스 시험(THB 시험)을 실시하였다. 시험 방법은, 이하와 같다. 주석 도금(0.2±0.05㎛)된 구리배선(패턴 폭 10㎛, 선 사이 폭 15㎛, 패턴 피치 25㎛)을 갖는 폴리이미드 테이프 기재상에, 제작한 수지 조성물을 20㎛ 두께로 도포하고, 150℃에서 30분간 처리하고, 밀봉제를 경화시켜서 시험편을 제작하였다. 이 시험편에 관해 이온 마이그레이션 평가 시스템(에스펙사제)을 이용하여, 110℃/습도 85%의 조건하에서, DC 60V의 전압을 인가한 때의 저항치의 변화를 측정하고, 저항치가 1.00×10 ⁷ Ω을 밑돈 시점을 임계치로 하여, 구리 배선의 마이그레이션을 평가하였다(단위 : 시간). 저항치가 임계치를 밑돌지 않은 것에 관해서는, 500시간을 넘은 시점에서 시험 종료로 하였다. 표 1, 표 2에, 내마이그레이션성의 평가 결과를 표시한다. 도 3 내지 7에, 내마이그레이션성 평가 후의 사진을 도시한다. 사진에 스케일은 붙여져 있지 않지만, 상기한 바와 같이 패턴 폭 10㎛, 선 사이 폭 15㎛의 구리 배선이다. 도 3은 실시례 1, 도 4는 실시례 2, 도 5는 실시례 4, 도 6은 비교례 1, 도 7은 비교례 2의 사진이다.

[내리드 부식성의 평가]

상기 내마이그레이션성의 평가를 행한 시험편을, 광학현미경 올림포스제(형번 : STM6)를 이용하여, 50배의 대물 렌즈로 관찰하였다. 배선의 부식이 배선폭의 1/3에 못 미친 것을 「○」, 1/3 이상의 것을 「×」로 하였다.

표 1, 표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시례 1 내지 22의 전부에서, 점도 상승율이 낮고, 주입성이 양호하고, 흡수율이 낮고, 내마이그레이션성, 및 내리드 부식성이 우수하고, 휨 탄성율이 소망하는 값이었다. 특히, (A) 내지 (E) 및 (G)성분을 포함하는 실시례 21은, 휨 탄성율이 가장 낮았다. 또한, (C)성분을, 액상 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 10질량부 첨가한 실시례 10은, 점도 상승율이 실시례중에서는 높았다. 이에 대해, (C)성분 대신에, 벤조트리아졸을 포함하는 비교례 1, 2는, 점도 상승율이 높고, 내리드 부식성도 좋지 않았다. 실시례 1, 2, 4의 도 3 내지 5와, 비교례 1, 2의 도 6, 7을 비교하면, 도 6, 7에서는 리드의 부식이 진행하고, 기판이 전체적으로 변색 되고 있다.

[산업상의 이용 가능성]

본 발명의 액상 수지 조성물은, 액상 수지 조성물의 보존시의 증점을 억제하고, 또한 경화 후의 액상 수지 조성물의 마이그레이션을 방지할 수 있고, 특히, 플립칩형 반도체 소자에 적합하다.