(57)【特許請求の範囲】 【請求項１】第１入力信号を受け取るための第１入力ポート端子及び上記第１入力信号から180度位相偏移した第２入力信号を受け取るための第２入力ポート端子を有する入力ポートと、 所定のスイッチング周波数を持つ第１スイッチング信号を受け取るための第１スイッチング端子及び上記所定スイッチング周波数と同一のスイッチング周波数を持ち且つ上記第１スイッチング信号から180度偏移した位相を持つ第２スイッチング信号を受け取るための第２スイッチング端子を有するスイッチングポートと、 各々が、上記スイッチング周波数におけるスイッチング信号の位相及び電圧の関数として単調に変化する第１の時間・電圧変化の容量性リアクタンスC _P1 （Ｖ）及び第２の時間・電圧変化の容量性リアクタンスC _P2 （Ｖ）を個々に生じる直列接続した１対の第１スイッチング素子及び直列接続した１対の第２スイッチング素子を有し、
上記第１及び第２入力信号を受け取ってそれらを上記位相の異なる第１及び第２スイッチング信号と混合するスイッチングリングとを備え、 上記１対の第１スイッチング素子は、上記第１及び第２
スイッチング端子間に連結されるとともに、上記１対の第２スイッチング素子は、上記第１及び第２スイッチング端子間に、上記１対の第１スイッチング素子と並列に且つ上記１対の第１スイッチング素子の連結状態とは極性を逆にして連結され、更に、上記第１及び第２スイッチング端子に、180度の逆位相を持つ上記第１及び第２
スイッチング信号を付与することにより、スイッチング信号電圧の変化に伴い上記スイッチング素子の一方の対における容量性リアクタンスが増加する一方、上記第１
及び第２スイッチング端子間の上記スイッチング信号電圧と同じスイッチング信号電圧の変化に伴い上記スイッチング素子の他方の対における容量性リアクタンスが減少し、上記第１及び第２時間・電圧変化容量性リアクタンスの寄生キャパシタンスC _P1及びC _P2を並列に連結することによって形成される有効容量性リアクタンスC _Pが、
上記第１及び第２寄生キャパシタンスの合計C _P ＝C _P1 ＋C
_P2となり、上記第１及び第２スイッチング端子間の容量性リアクタンスの変化が、上記スイッチング電圧の範囲にわたり且つスイッチング信号の位相全体にわたって、
上記第１及び第２スイッチング素子各々の容量性リアクタンスの変化より小さくなるようにされており、更に上記第１及び第２入力ポート端子に対する仮想信号接地点にある上記第１及び第２スイッチング端子間で上記スイッチングリングに連結された補償素子を備え、上記補償素子は、上記スイッチング周波数において上記スイッチング電圧範囲にわたって上記有効容量性リアクタンス
C _Pの平均値と共振することにより、スイッチング電圧が上記有効容量性リアクタンスの変化が少なくなるように変化するのに伴い、上記１対の第１スイッチング素子及び上記１対の第２スイッチング素子の各々における上記時間・電圧変化容量性リアクタンスが部分的に自己補償するとともに、残る未補償の容量性リアクタンスが、全てのスイッチング周波数信号の位相及びスイッチング信号の電圧において上記補償素子によって共振され打ち消されるように選択された所定のインダクタンス値L _Cを持つ誘導性リアクタンス成分を有し、 上記補償素子を上記スイッチング端子間において上記第１及び第２入力ポート端子に対し仮想信号接地点で連結することによって、上記補償素子は、付与される信号に歪みが生じるのを実質的に防止するとともに、 上記補償素子によって、非補償型のミクサと比較して、
未補償の容量性リアクタンスに起因する非線形歪みを低減したことを特徴とするミクサ。 【請求項２】上記補償素子は、下記式L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ におけるスイッチング周波数f _LOでの上記有効平均容量性リアクタンスC _Pに基づいて選択した誘導性リアクタンスL _Cを持つインダクタを有することを特徴とする請求項１に記載のミクサ。 【請求項３】上記スイッチングリングは、 第１スイッチング素子入力端子及び第１スイッチング素子出力端子を有する第１スイッチング素子と、 上記第１スイッチング素子出力端子に接続された第２スイッチング素子入力端子及び第２スイッチング素子出力端子を有する第２スイッチング素子と、 上記第２スイッチング素子出力端子に接続された第３スイッチング素子入力端子及び第３スイッチング素子出力端子を有する第３スイッチング素子と、 上記第３スイッチング素子出力端子に接続された第４スイッチング素子入力端子及び第１スイッチング素子入力端子に接続された第４スイッチング素子出力端子を有する第４スイッチング素子とを備えたことを特徴とする請求項１に記載のミクサ。 【請求項４】外部RF信号を受け取り、上記第１入力信号及び上記180度位相偏移した第２入力信号を生成し、上記第１入力信号を上記第１スイッチング素子入力端子に付与するとともに、上記第２入力信号を上記第３スイッチング素子入力端子で付与するように構成したRFバランを更に備えたことを特徴とする請求項３に記載のミクサ。 【請求項５】外部LO信号を受け取り、上記第１スイッチング信号及び上記180度位相偏移した第２スイッチング信号を生成するためのLOバランを更に備え、上記LOバランは、上記第２スイッチング素子の上記第２入力端子に上記第１スイッチング信号を、第４スイッチング素子の第４入力端子に第２スイッチング信号を各々付与するための上記第１及び第２スイッチング端子に連結されたことを特徴とする請求項４に記載のミクサ。 【請求項６】上記スイッチングリングは、第１、第２、
第３、及び第４のダイオードを有する四角形リング構成とされ、上記ダイオードの各々は、上記容量性リアクタンスC _Pに関連するダイオード寄生キャパシタンスC _Diを生じる特性を有することを特徴とする請求項１に記載のミクサ。 【請求項７】上記補償素子は、下記式 （但し、a ₁及びa ₂は、比例定数） 及び、L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ （但し、f _LOは、上記第１及び第２スイッチング信号の周波数） を満足する上記第１、第２、第３、及び第４ダイオードの上記寄生キャパシタンスC _D1 、C _D2 、C _D3 、及びC _D4から形成された有効キャパシタンスC _Pに基づいて選択した誘導性リアクタンス値L _Cを有するインダクタで構成されたことを特徴とする請求項６に記載のミクサ。 【請求項８】上記RFバランは、IF信号ポートを設定する手段を有することを特徴とする請求項４に記載のミクサ。 【請求項９】RF信号を受け取るための第1RF端子及び第2
RF端子を有するRFポートに連結されたRFバランと、 LO周波数のLO信号を受信し、上記LO周波数の第１スイッチング信号を生成するとともに、上記第１スイッチング信号とは位相偏移したLO周波数の第２スイッチング信号を生成するためのLOバランと、 上記RF信号を上記LO信号と混合するためのスイッチングリング手段とを備え、上記スイッチング手段は、各々が、上記LO周波数におけるスイッチング信号の位相及び振幅の関数として変化する個々の容量性リアクタンスを生じる複数のスイッチング素子を有し、上記スイッチング素子は、第１ノード及び第２ノード間に接続されることにより、上記複数スイッチング素子の１つ又はそれ以上における容量性リアクタンスが、そこに付与される第１スイッチング信号に応答して増加する一方、上記１つ又はそれ以上のスイッチング素子以外のスイッチング素子における容量性リアクタンスが、そこに付与される第２スイッチング信号に応答して減少し、上記第１及び第２ノード間に生じる合成容量性リアクタンスの変化が実質的に一定となるようにされており、更に上記実質的に一定の合成容量性リアクタンスと共振するように選択された誘導性リアクタンス値を有する補償素子を備え、上記第１及び第２ノードは、上記第１及び第
2RFポート端子に対し仮想信号接地点にあり、且つ、上記補償素子は、上記実質的に一定の合成容量性リアクタンスを打ち消すことによって上記実質的に一定の合成容量性リアクタンスがミクサ性能に悪影響を及ぼすのを防止するように、上記LO信号の周波数において上記実質的に一定の合成容量性リアクタンスと共振状態となることを特徴とするミクサ。 【請求項１０】上記補償素子は、下記式L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ におけるスイッチング周波数f _LOでの上記容量性リアクタンスC _Pに基づいて選択した誘導性リアクタンスL _Cを持つインダクタを有することを特徴とする請求項９に記載のミクサ。 【請求項１１】上記スイッチングリング手段は、上記スイッチング素子としての第１ダイオード、第２ダイオード、第３ダイオード、及び第４のダイオードを持つ四角形リング構成を有し、上記ダイオードの各々は、上記合成容量性リアクタンスC _Pに関連する接合ダイオード各々の寄生キャパシタンスC _D1 、C _D2 、C _D3 、C _D4を生じる特性を有し、且つ、上記合成容量性リアクタンスC _Pは、下記関係式 （但し、a ₁及びa ₂は、比較定数） 及び、L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ による誘導性リアクタンス値L _Cを有する上記補償素子の上記誘導性リアクタンス値と関連することを特徴とする請求項９に記載のミクサ。 【請求項１２】外部RF信号を伝達し、第1RF入出力信号及び上記第1RF入出力信号と180度位相偏移した上記第1R
F入出力信号に対応する第2RF入出力信号を生成するためにRFポートに連結されたRFバランと、 LO入力ポートにおいてLO周波数の外部LO信号を受け取り、上記LO周波数を有する第１スイッチング信号（L
O ₁ ）及び第２スイッチング信号（LO ₂ ）、及び上記LO周波数を有し且つ上記第１及び第２スイッチング信号と18
0度偏移した位相を有する第３スイッチング信号（LO ₃ ）
及び第４スイッチング信号（LO ₄ ）を生成するための局部発振（LO）バランと、 第１スイッチング素子S1、第２スイッチング素子S2、第３スイッチング素子S3、及び第４スイッチング素子S4を有し、各スイッチング素子を順次リング状に接続した第１の四角形スイッチングリングと、 第５スイッチング素子S5、第６スイッチング素子S6、第７スイッチング素子S7、及び第８スイッチング素子S8を有し、各スイッチング素子を順次リング状に接続した第２の四角形スイッチングリングとを備え、 上記スイッチング素子の各々は、スイッチング信号の位相及び振幅の関数として変化する容量性リアクタンスを生じる特性を個々に有し、 上記第１スイッチング信号は、上記第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子間の接続点である第１スイッチングノードに接続され、上記第２スイッチング信号は、上記第３スイッチング素子及び第４スイッチング素子間の接続点である第２スイッチングノードに接続され、上記第３スイッチング信号は、上記第５スイッチング素子及び第６スイッチング素子間の接続点である第３
スイッチングノードに接続され、上記第４スイッチング信号は、上記第７スイッチング素子及び第８スイッチング素子間の接続点である第４スイッチングノードに接続され、更に上記第２、第３、第６、及び第７スイッチング素子によって共用される第５ノード、及び上記第１、第４、第６、及び第７スイッチング素子の共通結線によって共用され、第２外部入出力端子となる第６ノードを備え、 上記スイッチング素子は、上記第１スイッチング信号LO
₁及び第２スイッチング信号LO ₂の電圧が増加する時に上記第１、第５、第３、及び第７スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々増加する一方、上記第１スイッチング信号LO ₁及び第２スイッチング信号LO ₂が減少する時に上記第１、第５、第３、及び第７スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々減少し、且つ、上記第３スイッチング信号LO ₃及び第４スイッチング信号LO ₄の電圧が増加する時に上記第２、第４、第６、及び第８スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々増加する一方、上記第３スイッチング信号LO ₃及び第４スイッチング信号L
O ₄が減少する時に上記第２、第４、第６、及び第８スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々減少するように構成され、 上記第１及び第３スイッチングノード間の容量性リアクタンスは、これらスイッチングノードに付与されるスイッチング信号の全ての位相及び振幅において実質的に一定とされるとともに、上記第２及び第４スイッチングノード間の容量性リアクタンスも、これらスイッチングノードに付与されるスイッチング信号の全ての位相及び振幅において実質的に一定とされており、更に上記第１及び第３スイッチングノード間の上記実質的に一定の容量性リアクタンスと共振して上記実質的に一定の容量性リアクタンスを動作時に動的に補償するように選択された所定の固定的な第１誘導性リアクタンス値を持つ第１誘導性リアクタンス手段を有し、上記第１及び第３スイッチングノード間に接続された第１誘導性補償手段と、 上記第２及び第４スイッチングノード間の上記実質的に一定の容量性リアクタンスと共振して上記実質的に一定の容量性リアクタンスを動作時に動的に補償するように選択された所定の固定的な第２誘導性リアクタンス値を持つ第２誘導性リアクタンス手段を有し、上記第２及び第４スイッチングノード間に接続された第２誘導性補償手段とを備え、 非補償のミクサと比較して、未補償の容量性リアクタンスに起因する非線形性を低減したことを特徴とする二重リングミクサ。 【請求項１３】上記スイッチング素子は、ダイオード、
トランジスタ、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択されることを特徴とする請求項12に記載の二重リングミクサ。 【請求項１４】RFポートに連結されたRFバランと、 LO周波数を有するLO信号を受け取るためのLOバランと、 上記RFバラン及び上記LOバランに連結された第１四角形リングミクサと、 上記RFバラン、上記LOバラン、及び上記第１四角形リングミクサに連結された第２四角形リングミクサとを備え、 上記第１及び第２四角形リングミクサの各々は、対応する４つの内部ノードから成るセット間に接続された４つのスイッチング素子から成るセットを有し、更に上記LO周波数でのスイッチング動作時に、上記第１及び第２四角形リングミクサ内に生じる容量性リアクタンスを補償するための誘導性補償手段を備え、 上記誘導性補償手段は、 上記第１四角形リングミクサの上記４つの内部ノード内における第１内部ノードと、上記第２四角形リングミクサの上記４つの内部ノード内における第１内部ノードとの間に接続された第１インダクタと、 上記第１四角形リングミクサの上記４つの内部ノード内における第２内部ノードと、上記第２四角形リングミクサの上記４つの内部ノード内における第２内部ノードとの間に接続された第２インダクタとを有することを特徴とする二重リングミクサ。 【請求項１５】上記LOバランは、外部LO信号を受け取るためのLO入力ポートと、第１、第２、第３、及び第4LO
バラン出力端子とを有し、且つ、上記第１インダクタは、同じ振幅と逆の位相を各々持つ上記第１及び第３出力端子を横断して接続されるとともに、上記第２インダクタは、同じ振幅と逆の位相を各々持つ上記第２及び第４出力端子を横断して接続されたことを特徴とする請求項14に記載の二重リングミクサ。 【請求項１６】入力信号を受け取るための入力ポートと、所定のスイッチング周波数fSの第１スイッチング信号及び上記第１スイッチング信号と同一のスイッチング周波数を持ち且つ上記第１スイッチング信号に対して18
0度偏移した位相を持つ第２スイッチング信号を受け取るための第１及び第２スイッチング端子と、少なくとも第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子とを備えたミクサにおいて、上記スイッチング素子の寄生的容量性リアクタンスに起因する歪みを、上記寄生的容量性リアクタンスを補償することによって低減する方法であって、 上記第１及び第２スイッチング端子間に並列接続された上記第１及び第２スイッチング素子を有し、上記入力信号を上記スイッチング信号と混合するためのリングミクサ回路を準備する段階と、 上記第１スイッチング端子から第２スイッチング端子方向に測定したスイッチング信号電圧の増加に伴って増加するスイッチング電圧変化・容量性リアクタンスを生じる上記第１スイッチング素子を設けるとともに、上記第１スイッチング端子から第２スイッチング端子方向に測定したスイッチング信号電圧の増加に伴って減少するスイッチング電圧変化・容量性リアクタンスを生じる上記第２スイッチング素子を設けることよって、上記第１及び第２スイッチング端子間に生じる合成スイッチング電圧変化・寄生キャパシタンスのスイッチング信号電圧動作域にわたる変化を、上記第１及び第２スイッチング素子の各々が個々に生じせしめる寄生キャパシタンスの変化より少なくするとともに、上記合成スイッチング電圧変化・寄生キャパシタンスを、スイッチング電圧動作域にわたって平均的な容量性リアクタンスとして、上記寄生的容量性リアクタンスのスイッチング電圧変化成分を補償する段階と、 上記リングミクサ回路に対し、上記第１及び第２スイッチング端子間の上記第１及び第２スイッチング素子と並列に補償素子を連結することによって、上記寄生的容量性リアクタンスのスイッチング信号位相変化成分を補償する段階と、 上記スイッチング周波数において上記平均的容量性リアクタンスとの共振を起して上記寄生的容量性リアクタンスを上記補償素子によって上記ミクサから共振により打ち消すように選択したインダクタンス値L _Cの誘導性リアクタンス成分を有するように上記補償素子を選択する段階とを含むことを特徴とする方法。 【請求項１７】RF信号を受け取るためのRFポートRFバラン及びLO周波数f _LOのLO信号を受け取るためのLOバランを有するミクサにおけるインピーダンス補償方法であって、 各々が、逆バイアス電圧及び順バイアス電圧を有し、時間変化の非線形容量性リアクタンスを個々に生じるとともに、上記LO周波数において上記第１及び第２スイッチング端子間に上記第１及び第２逆バイアス電圧と上記第１及び第２順バイアス電圧とで形成される特定のスイッチング信号電圧範囲にわたる、上記時間変化の非線形容量性リアクタンスと比較して実質的に変化しない有効容量性リアクタンスC _Pを生じるように第１スイッチング端子及び第２スイッチング端子間に並列に接続された第１
スイッチング素子及び第２スイッチング素子を備え、上記RF信号を上記LO信号と混合するためのリングミクサを準備する段階と、 上記特定スイッチング信号電圧範囲にわたって上記LO周波数で上記有効容量性リアクタンスC _Pとの共振を誘起するインダクタンスL _Cを持つ補償インダクタを選択する段階と、 上記選択したインダクタンスを上記第１及び第２スイッチング端子間に接続し、上記特定スイッチング信号電圧範囲にわたって上記LO周波数で上記有効容量性リアクタンスC _Pとの共振を起しそれを実質的に打ち消す段階とを含むことを特徴とする方法。 【請求項１８】入力信号を受け取る入力ポートと、所定のスイッチング周波数f _Sを有するスイッチング信号を受け取るスイッチングポートと、各々が、個々の時間変化の非線形容量性リアクタンスを生じる複数の素子を有し、上記入力信号を上記スイッチング信号と混合するためのリングミクサ回路とを備えたミクサであって、 上記複数の素子の各々は、上記素子の第１組によって上記スイッチング周波数において生じる容量性リアクタンスの増加分が、上記素子の第２組によって少なくとも部分的に打ち消されることにより、上記複数の素子が、スイッチング信号の実質的に一定の不変有効容量性リアクタンスを生じるように接続されており、更に上記リングミクサに連結された補償素子を備え、上記補償素子は、上記スイッチング周波数において、上記補償素子が上記有効容量性リアクタンスと共振することによって、上記複数の素子によって生じた上記時間変化の非線形容量性リアクタンスを実質的に打ち消すように選択した誘導性リアクタンス値L _Cを持つ誘導性リアクタンス成分を有することを特徴とするミクサ。 【請求項１９】上記補償素子は、上記容量性リアクタンスに基づいて選択した誘導性リアクタンスを持つインダクタを有することを特徴とする請求項18に記載のミクサ。 【請求項２０】上記誘導性リアクタンス成分L _Cは、下記式L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ におけるスイッチング周波数f _LOでの上記容量性リアクタンスC _Pに基づいて選択されたことを特徴とする請求項
16に記載の方法。 【請求項２１】上記リングミクサ回路は、第１ダイオードD1、第２ダイオードD2、第３ダイオードD3、及び第４
ダイオードD4を有する四角形リング構成を有し、上記ダイオードの各々は、上記容量性リアクタンスC _Pに関連するダイオード寄生キャパシタンスC _Diを生じる特性を有し、且つ、上記補償素子の上記誘導性リアクタンス成分は、下記関係式 （但し、a ₁及びa ₂は、比例定数） 及び、L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ により求めたインダクタンス値L _Cを有するように選択されたことを特徴とする請求項16に記載の方法。 【請求項２２】上記補償インダクタは、下記式L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ における上記スイッチング周波数f _Sでの上記容量性リアクタンスC _Pに基づいて選択したインダクタンス値L _Cを有することを特徴とする請求項17に記載の方法。 【請求項２３】上記リングミクサ回路は、四角形リング構成を有し、上記第１スイッチング素子は、第１ダイオードD1及び第２ダイオードD2を有するとともに、上記第２スイッチング素子は、第３ダイオードD3及び第４ダイオードD4を有し、更に、上記第１及び第２ダイオードを直列接続して第１ダイオード対を形成し、上記第３及び第４ダイオードを直列接続して第２ダイオード対を形成する一方、上記第１ダイオード対が上記第２ダイオード対に対して並列に且つ極性を逆にして接続して上記ダイオードをリング状に接続するとともに、上記ダイオードの各々は、上記容量性リアクタンスC _Pに関連する各ダイオード寄生キャパシタンスC _D1 、C _D2 、C _D3 、C _D4を生じる特性を有し、且つ、上記補償インダクタは、下記関係式 （但し、a ₁及びa ₂は、比例定数） 及び、L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ により求めたインダクタンス値L _Cを有するように選択されたことを特徴とする請求項17に記載の方法。 【請求項２４】外部RF信号を伝達し、第1RF入出力信号及び上記第1RF入出力信号と180度位相偏移した上記第1R
F入出力信号に対応する第2RF入出力信号を生成するためにRFポートに連結されたRFバランと、 LO入力ポートにおいてLO周波数の外部LO信号を受け取り、上記LO周波数を有する第１スイッチング信号（L
O ₁ ）及び第２スイッチング信号（LO ₂ ）、及び上記LO周波数を有し且つ上記第１及び第２スイッチング信号と18
0度偏移した位相を有する第３スイッチング信号（LO ₃ ）
及び第４スイッチング信号（LO ₄ ）を生成するための局部発振（LO）バランと、 順次リング状に接続した第１スイッチング素子S1、第２
スイッチング素子S2、第３スイッチング素子S3、及び第４スイッチング素子S4を有する第１四角形スイッチングリングと、 順次リング状に接続した第５スイッチング素子S5、第６
スイッチング素子S6、第７スイッチング素子S7、及び第８スイッチング素子S8を有する第２四角形スイッチングリングとを備え、 上記スイッチング素子の各々は、スイッチング信号の位相及び振幅の関数として変化する容量性リアクタンスを個々に生じ、 上記第１スイッチング信号は、上記第１及び第２スイッチング素子間の接続点である第１スイッチングノードに接続され、上記第２スイッチング信号は、上記第３及び第４スイッチング素子間の接続点である第２スイッチングノードに接続され、上記第３スイッチング信号は、上記第５及び第６スイッチング素子間の接続点である第３
スイッチングノードに接続され、上記第４スイッチング信号は、上記第７及び第８スイッチング素子間の接続点である第４スイッチングノードに接続され、更に上記第２、第３、第６、及び第７スイッチング素子によって共用される第５ノード、及び上記第１、第４、第５、及び第８スイッチング素子の共通結線によって共用され、第２外部入出力端子となる第６ノードを備え、 上記スイッチング素子は、上記第１スイッチング信号LO
₁及び第２スイッチング信号LO ₂の電圧が増加する時に上記第１、第５、第３、及び第７スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々増加する一方、上記第１スイッチング信号LO ₁及び第２スイッチング信号LO ₂が減少する時に上記第１、第５、第３、及び第７スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々減少し、且つ、上記第３スイッチング信号LO ₃及び第４スイッチング信号LO ₄の電圧が増加する時に上記第２、第４、第６、及び第８スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々増加する一方、上記第３スイッチング信号LO ₃及び第４スイッチング信号L
O ₄が減少する時に上記第２、第４、第６、及び第８スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々減少するように構成され、 上記第１及び第３スイッチングノード間に連結されたスイッチング素子の組み合わせ体に起因する第１有効容量性リアクタンスは、上記第１及び第３スイッチングノードに付与されるスイッチング信号の位相及び振幅の関数としての容量性リアクタンスの変化を有し、この容量性リアクタンスの変化は、上記スイッチング素子の組み合わせ体を形成する上記スイッチング素子の容量性リアクタンスの変化より小さくされているとともに、上記第２
及び第４スイッチングノード間に連結されたスイッチング素子の組み合わせ体に起因する第２有効容量性リアクタンスは、上記第２及び第４スイッチングノードに付与されるスイッチング信号の位相及び振幅の関数としての容量性リアクタンスの変化を有し、この容量性リアクタンスの変化は、上記スイッチング素子の組み合わせ体を形成する上記スイッチング素子の容量性リアクタンスの変化より小さくされており、更に上記第１及び第３スイッチングノード間の上記第１有効容量性リアクタンスと共振して上記第１有効容量性リアクタンスを動作時に動的に補償するように選択された所定の固定的な第１誘導性リアクタンス値を持つ第１誘導性リアクタンス手段を有し、上記第１及び第３スイッチングノード間に接続された第１誘導性補償手段と、 上記第２及び第４スイッチングノード間の上記第２有効容量性リアクタンスと共振して上記第２有効容量性リアクタンスを動作時に動的に補償するように選択された所定の固定的な第２誘導性リアクタンス値を持つ第２誘導性リアクタンス手段を有し、上記第２及び第４スイッチングノード間に接続された第２誘導性補償手段とを備え、 上記スイッチングノードは、上記RFポートに対する仮想信号接地点にあり、 上記第１及び第２誘導性補償手段を上記スイッチング端子間において上記仮想信号接地点で連結することによって、上記第１及び第２誘導性補償手段は、付与される信号に歪みが生じるのを実質的に防止するとともに、 上記第１及び第２誘導性補償手段を持たないミクサと比較して、未補償の容量性リアクタンスに起因する非線形歪みを低減し、 上記第１四角形スイッチングリングは、各々がダイオード寄生キャパシタンスC _Diを生じる特性を持つ第１ダイオード、第２ダイオード、第３ダイオード、及び第４ダイオードを有する第１四角形リング構成を備え、 上記第２四角形スイッチングリングは、各々がダイオード寄生キャパシタンスC _Diを生じる特性を持つ第５ダイオード、第６ダイオード、第７ダイオード、及び第８ダイオードを有する第２四角形リング構成を備え、 上記第１及び第２四角形リングは、上記付与されたLOスイッチング信号に応答して上記第１及び第２四角形スイッチングリングを介して特定の誘導性経路を作り出すように、各々接続されるとともに上記RFバラン及びLOバランに接続され、 上記作り出された誘導性経路の各々は、上記誘導性経路を形成するダイオードに関連する容量性リアクタンスC
_Piを有し、 上記第１及び第２誘導性補償手段の各々は、上記誘導性経路を形成する上記ダイオードに並列接続されるとともに、上記特定の誘導性経路を形成する上記ダイオード内に生じる上記容量性リアクタンスC _Piに共振するように選択されたインダクタンス値を有し、 各誘導性経路の上記誘導性インダクタンス値L _Ciは、下記式L _Ci ＝1/｛C _Pi ×（２πf _LO ） ^２ ｝ における上記LO周波数f _LOでの上記容量性リアクタンスC
_Piに基づいて選択されることを特徴とする二重リングミクサ。 【請求項２５】上記インダクタは、下記式L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ における上記スイッチング周波数f _Sでの上記容量性リアクタンスC _Pに基づいて選択したインダクタンス値L _Cを有することを特徴とする請求項19に記載のミクサ。 【請求項２６】上記リングミクサ回路は、第１ダイオードD1、第２ダイオードD2、第３ダイオードD3、及び第４
ダイオードD4を有する四角形リング構成を有し、上記ダイオードの各々は、上記容量性リアクタンスC _Pに関連するダイオード寄生キャパシタンスC _Diを生じる特性を有し、且つ、上記誘導性リアクタンス成分は、下記関係式 （但し、a ₁及びa ₂は、比例定数） 及び、L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _LO ） ^２ ｝ により求めた誘導性リアクタンス値L _Cを有するように選択されたことを特徴とする請求項18に記載のミクサ。 【請求項２７】第１スイッチング端子においてスイッチング周波数f _SWの第１スイッチング信号を受け取るとともに、第２スイッチング端子において、上記スイッチング周波数と同一のスイッチング周波数f _SWを有し且つ上記第１スイッチング信号に対し所定のスイッチング位相差を有する第１スイッチング信号を上記第１スイッチング信号と同時に受け取るための第１の２端子ポートと、 第1RF端子において第1RF信号を連結するとともに、第2R
F端子において上記第1RF信号とは異なる所定の位相を有する第2RF信号を連結する第２の２端子RFポートと、 入力端子及び出力端子を有するとともに、上記入力及び出力端子間に第１寄生的容量性リアクタンスC _D1を生じる第１ダイオードD1と、 入力端子及び出力端子を有するとともに、上記入力及び出力端子間に第２寄生的容量性リアクタンスC _D2を生じる第１ダイオードD2と、 入力端子及び出力端子を有するとともに、上記入力及び出力端子間に第３寄生的容量性リアクタンスC _D3を生じる第１ダイオードD3と、 入力端子及び出力端子を有するとともに、上記入力及び出力端子間に第４寄生的容量性リアクタンスC _D4を生じる第４ダイオードD1とを備えた回路であって、 上記第１ダイオードD1は、上記第2RF端子において第２
ダイオードD2に直列接続されるとともに、上記第３ダイオードD3は、上記第1RF端子において第４ダイオードD4
に直列接続され、上記第１ダイオードと第２ダイオードの直列組み合わせ体及び上記第３ダイオードと第４ダイオードの直列組み合わせ体は、上記第１及び第２スイッチング端子間に並列接続されてダイオードリングを形成し、 上記第１、第２、第３、及び第４ダイオードの各々の上記寄生的容量性リアクタンスは、上記第１ダイオードと第２ダイオードの直列組み合わせ体を通じて印加される順方向のスイッチング信号電圧が増加するに伴い、この直列組み合わせ体のより生じる第１容量性リアクタンス
C _D1及び第２容量性リアクタンスC _D2が増加するとともに、上記第１ダイオードと第２ダイオードの直列組み合わせ体を通じて印加される順方向のスイッチング信号電圧が減少するに伴い、この直列組み合わせ体のより生じる第１容量性リアクタンスC _D1及び第２容量性リアクタンスC _D2が減少する一方、上記第３ダイオードと第４ダイオードの直列組み合わせ体を通じて印加される順方向のスイッチング信号電圧が増加するに伴い、この直列組み合わせ体のより生じる第３容量性リアクタンスC _D3及び第４容量性リアクタンスC _D4が増加するとともに、上記第３ダイオードと第４ダイオードの直列組み合わせ体を通じて印加される順方向のスイッチング信号電圧が減少するに伴い、この直列組み合わせ体のより生じる第３
容量性リアクタンスC _D3及び第４容量性リアクタンスC _D4
が減少するように、上記入力及び出力ダイオード端子間のスイッチング信号電圧の位相及び振幅の関数として非線形に変化する容量性リアクタンスを有し、 総合的合成容量性リアクタンスを生じる第１及び第２ダイオード対と第３及び第４ダイオード対とを連続的に接続した上記並列組み合わせ体は、上記ダイオードD1,D2,
D3、又はD4のいずれか１つの変化よりも小さく且つ上記回路の所定動作範囲にわたり印加される信号電圧の位相及び振幅に実質的に無関係な、上記スイッチング信号電圧に伴う変化を有し、更に上記第１及び第２スイッチング端子に接続され且つ連続的に接続した第１及び第２ダイオード対と第３及び第４
ダイオード対とに並列接続され、誘導性リアクタンス成分を有する誘導性補償手段を備え、 上記誘導性リアクタンス成分は、上記総合的合成容量性リアクタンスCD _tolと共振することにより上記総合的合成容量性リアクタンスCD _tolを補償し、上記総合的合成容量性リアクタンスCD _tolが上記回路から共振により打ち消されることにより、上記回路の所定動作範囲にわたって、非線形のダウンロード生成寄生的容量性リアクタンスの影響を補償するように選択された誘導性リアクタンスL _Cを有することを特徴とする回路。 【請求項２８】上記所定の位相差は、180度であることを特徴とする請求項27に記載の回路。 【請求項２９】上記誘導性リアクタンス成分は、インダクタを含むことを特徴とする請求項28に記載の回路。 【請求項３０】上記誘導性リアクタンス成分は、インダクタから成ることを特徴とする請求項28に記載の回路。 【請求項３１】上記回路で生じる上記総合的合成容量性リアクタンスは、下記関係式 （但し、a ₁及びa ₂は、物理的ダイオード素子の等価回路に関する比例定数である。） により近似的に求められ、上記誘導性リアクタンスは、
下記式L _C ＝1/｛C _P ×（２πf _SW ） ^２ ｝ （但し、f _SWは、スイッチング信号周波数であり、それにより上記合成容量性リアクタンスと共振しそれを補償する。） により選択されることを特徴とする請求項29に記載の回路。 【請求項３２】上記第１及び第２スイッチング信号は、
各々、局部発振（LO）信号周波数の正弦波信号であり、
更に、上記回路は、IF信号を連結するための中間周波数（IF）ポートを備え、上記回路は、上記RF信号及びIF信号の一方を選択し、上記LO信号と混合して出力を生成するミクサ回路であることを特徴とする請求項27に記載の回路。 【請求項３３】上記２端子RFポートに連結されるとともに、外部RF信号を受け入れ、上記第１及び第2RF入力端子で上記第１及び第2RF位相偏移信号を各々生成するRF
バランを更に備えたことを特徴とする請求項27に記載の回路。 【請求項３４】外部LO信号を受け取り、上記第１スイッチング信号及び上記位相偏移した第２スイッチング信号を生成するためのLOバランを更に備え、 上記LOバランは、上記第１スイッチング端子と上記第２
スイッチング端子との間に上記スイッチング信号を付与するための上記第１及び第２スイッチング端子に連結されたことを特徴とする請求項33に記載の回路。 【請求項３５】上記RFバランは、IF信号ポートを設定する手段を有することを特徴とする請求項34に記載の回路。 【請求項３６】上記ダイオードは、トランジスタを用いて実施されることを特徴とする請求項27に記載の回路。 【請求項３７】上記回路は、ミクサとして動作することを特徴とする請求項27に記載の回路。 【請求項３８】外部RF信号を伝達し、第1RF入出力信号及び上記第1RF入出力信号と180度位相偏移した上記第1R
F入出力信号に対応する第2RF入出力信号を生成するためにRFポートに連結されたRFバランと、 LO入力ポートにおいてLO周波数の外部LO信号を受け取り、上記LO周波数を有する第１スイッチング信号（L
O ₁ ）及び第２スイッチング信号（LO ₂ ）、及び上記LO周波数を有し且つ上記第１及び第２スイッチング信号と18
0度偏移した位相を有する第３スイッチング信号（LO ₃ ）
及び第４スイッチング信号（LO ₄ ）を生成するための局部発振（LO）バランと、 第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子、及び第４スイッチング素子を有し、各スイッチング素子を順次リング状に接続して形成した第１四角形スイッチングリングと、 第５スイッチング素子、第６スイッチング素子、第７スイッチング素子、及び第８スイッチング素子を有し、各スイッチング素子を順次リング状に接続して形成した第２四角形スイッチングリングとを備え、 上記スイッチング素子の各々は、スイッチング信号の位相及び振幅の関数として変化する容量性リアクタンスを個々に生じ、 上記第１スイッチング信号は、上記第１及び第２スイッチング素子間の接続点である第１スイッチングノードに接続され、上記第２スイッチング信号は、上記第３及び第４スイッチング素子間の接続点である第２スイッチングノードに接続され、上記第３スイッチング信号は、上記第５及び第６スイッチング素子間の接続点である第３
スイッチングノードに接続され、上記第４スイッチング信号は、上記第７及び第８スイッチング素子間の接続点である第４スイッチングノードに接続され、更に上記第２、第３、第６、及び第７スイッチング素子によって共用される第５ノード、及び上記第１、第４、第５、及び第８スイッチング素子の共通結線によって共用され、第２外部入出力端子となる第６ノードを備え、 上記スイッチング素子は、上記第１スイッチング信号LO
₁及び第２スイッチング信号LO ₂の電圧が増加する時に上記第１、第５、第３、及び第７スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々増加する一方、上記第１スイッチング信号LO ₁及び第２スイッチング信号LO ₂が減少する時に上記第１、第５、第３、及び第７スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々減少し、且つ、上記第３スイッチング信号LO ₃及び第４スイッチング信号LO ₄の電圧が増加する時に上記第２、第４、第６、及び第８スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々増加する一方、上記第３スイッチング信号LO ₃及び第４スイッチング信号L
O ₄が減少する時に上記第２、第４、第６、及び第８スイッチング素子の容量性リアクタンスが各々減少するように構成され、 上記第１及び第３スイッチングノード間に連結されたダイオードの組み合わせ体に起因する第１有効容量性リアクタンスは、上記第１及び第３スイッチングノードに付与されるスイッチング信号の位相及び振幅の関数としての容量性リアクタンスの変化を有し、この容量性リアクタンスの変化は、上記組み合わせ体を形成する上記ダイオードの容量性リアクタンスの変化より小さくされているとともに、上記第２及び第４スイッチングノード間に連結されたダイオードの組み合わせ体に起因する第２有効容量性リアクタンスは、上記第２及び第４スイッチングノードに付与されるスイッチング信号の位相及び振幅の関数としての容量性リアクタンスの変化を有し、この容量性リアクタンスの変化は、上記組み合わせ体を形成する上記ダイオードの容量性リアクタンスの変化より小さくされており、更に上記第１及び第３スイッチングノード間の上記第１有効容量性リアクタンスと共振して上記第１有効容量性リアクタンスを動作時に動的に補償するように選択された所定の固定的な第１誘導性リアクタンス値を持つ第１誘導性リアクタンス手段を有し、上記第１及び第３スイッチングノード間に接続された第１誘導性補償手段と、 上記第２及び第４スイッチングノード間の上記第２有効容量性リアクタンスと共振して上記第２有効容量性リアクタンスを動作時に動的に補償するように選択された所定の固定的な第２誘導性リアクタンス値を持つ第２誘導性リアクタンス手段を有し、上記第２及び第４スイッチングノード間に接続された第２誘導性補償手段を備え、 上記スイッチングノードは、上記RFポートに対する仮想信号接地点にあり、 上記第１及び第２誘導性補償手段を上記スイッチング端子間において上記仮想信号接地点で連結することによって、上記第１及び第２誘導性補償手段は、付与される信号に歪みが生じるのを実質的に防止するとともに、 上記第１及び第２誘導性補償手段を持たないミクサと比較して、未補償の容量性リアクタンスに起因する非線形歪みを低減したことを特徴とする二重リングミクサ。 【請求項３９】上記スイッチング素子は、ダイオード及びトランジスタから成るグループから選択されることを特徴とする請求項38に記載の二重リングミクサ。 【請求項４０】上記入力ポートは、中間周波数（IF）信号を受け取るようにされたことを特徴とする請求項１に記載のミクサ。 【請求項４１】上記入力ポートは、無線周波数（RF）信号を受け取るようにされたことを特徴とする請求項１に記載のミクサ。