| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 带有平栅结构的场致发射显示器及其制作工艺 | CN200510017611.8 | 2005-05-24 | CN100446166C | 2008-12-24 | 李玉魁 |
| 本发明涉及一种带有平栅结构的场致发射显示器及制作工艺，包括阳极面板、阴极面板和四周玻璃围框构成的真空腔、锡铟氧化物薄膜层、锡铟氧化物薄膜层上的荧光粉层、阴极面板上的碳纳米管阴极导电条、碳纳米管阴极导电条上的碳纳米管阴极、真空腔内部的绝缘隔离支撑墙，在碳纳米管阴极两侧位于绝缘隔离支撑墙的下方设置有用于控制碳纳米管阴极电子发射的平栅结构，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 62 | 具有反射层与栅极的场致发射显示器构造 | CN200410047556.2 | 2004-05-21 | CN1700834A | 2005-11-23 | 詹德凤; 郑奎文 |
| 一种具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，包括有：阴极构造，具有电子发射源层及阴极基板；及阳极构造，具有荧光粉体层及阳极基板；其中该阴极构造具有阴极阻隔壁，位于该阴极基板之上且位于该电子发射源层横向间隔之间；其中该阴极构造具有栅极，由金属网罩构成且位于该阴极阻隔壁的上方；其中该场致发射显示器构造进一步具有支撑装置，位于该金属网罩与该阳极构造之间，且面向阳极侧具有反射层，而该反射层具有反射该荧光粉体层发出的光的能力。通过提供该栅极层，除发挥该支撑装置应用于场致发射显示器上的支撑及反射特性外，并具栅极功能，并可提升组装程序的合格率降低组装设备成本。 | ||||||
| 63 | 顶部发射有机场致发光显示器及其制造方法 | CN200510071655.9 | 2005-04-07 | CN1691860A | 2005-11-02 | 徐昌秀; 朴汶熙 |
| 本发明公开了一种顶部发射有机场致发光显示器。顶部发射有机场致发光显示器包括：在衬底上具有反射层、金属－硅化物层和透明电极层的第一电极层；包括至少一层发射层的有机层；以及第二电极层。金属－硅化物层设置在反射层和透明电极层之间以抑制在反射层和透明电极层的界面处产生的电腐蚀，且稳定层间的接触电阻，从而获得亮度均匀的像素和实现高质量图像。 | ||||||
| 64 | 吸气剂成分以及使用它的场致发射显示器 | CN02123008.0 | 2002-06-13 | CN1220237C | 2005-09-21 | 金勇哲 |
| 公开了一种吸气剂和使用它的场致发射显示器(FED)，其通过使用能够降低激活温度的吸气剂进行激活处理，能够提高真空度和残余气体吸收能力。所述吸气剂成分包括铬，所述场致发射显示器具有以铬为主要成分的吸气剂。 | ||||||
| 65 | 桥栅结构的三极场致发射显示器及其制作工艺 | CN200510017468.2 | 2005-03-30 | CN1667789A | 2005-09-14 | 李玉魁 |
| 本发明涉及一种带有桥栅结构的碳纳米管阴极的三极结构场致发射显示器及其制作工艺，显示器包括由阴极面板、阳极面板和玻璃围框构成的密封真空腔，在阴极面板上有印刷的碳纳米管阴极以及控制碳纳米管电子发射的桥栅结构控制栅极，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，阴极面板上制作有桥栅结构，用于控制碳纳米管阴极的电子发射，提高了碳纳米管发射电子的能力，改善了显示器件的场致发射性能，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 66 | 对称型四极结构无隔离支柱场致发射显示器 | CN201110055043.6 | 2011-03-09 | CN102148120B | 2013-07-31 | 郭太良; 叶芸; 林志贤; 张永爱; 胡利勤; 游玉香 |
| 本发明涉及一种以汇流电极为对称中心的对称型四极结构无隔离支柱场致发射显示器，包括上、下基板，其特征在于：上基板上设有纵向阳极电极以及由横向连接带和多个纵向工作带组成的梳状介质层，各阳极电极纵向中心设有汇流电极，其上沿纵向交替设有荧光体层和阳极阻隔介质层，各纵向工作带的纵向两旁侧上分别设有栅极电极，以形成以汇流电极为对称中心的插指对电极结构；下基板上设有横向阴极电极和纵向辅助电极，各阴极电极上沿横向交替设有限流电阻层和阴极保护介质层，各辅助电极与阴极电极的相交处以阴极保护介质层隔离；上、下基板之间设有隔离介质层。该场致发射显示器不仅结构新颖，工艺简单，而且图像均匀，调制电压低，电子发射稳定可靠。 | ||||||
| 67 | 场致发射阴极器件和显示器设备及其制造方法 | CN200580030256.6 | 2005-09-08 | CN101432838B | 2012-11-14 | 茅东升; R·L·芬克; Z·雅尼弗 |
| 本发明公开一种使用纳米微粒如碳纳米管(CNT)形成用于场致发射器件的阴极的方法。CNT层包含在阴极表面上的电子发射材料。采用本发明的方法，可以通过在阴极表面形成发射孤立体来调整沉积的CNT的密度。CNT发射孤立体的尺寸和分布可用来对形成的CNT层选择最佳的场致发射性质。一个实施方式中，CNT发射孤立体是采用丝网印刷的沉积方法形成的。本发明方法在沉积步骤后不需要进一步的处理步骤来激活或对齐碳纳米管进行场致发射。 | ||||||
| 68 | 阳栅同基板的三极结构场致发射显示器 | CN201110003471.4 | 2011-01-10 | CN102097272A | 2011-06-15 | 郭太良; 张永爱; 林志贤; 胡利勤; 叶芸; 游玉香 |
| 本发明涉及一种阳栅同基板的三极结构场致发射显示器，包括阳栅基板和阴极基板，阳栅基板上间隔设有数个带状阳极导电层，其上设有阳极汇流电极，阳栅基板上还设有纵横交织状的栅极下介质层，栅极下介质层的纵向组成带与阳极导电层相平行且其上依次设有带状栅极导电层和带状栅极保护介质层，阳极导电层未被栅极下介质层的横向组成带覆盖的部分上设有荧光体层；阴极基板上间隔设有数个带状阴极导电层，其上设有数个限流电阻层和阴极保护介质层，限流电阻层上设有电子发射体；带状阳极导电层和带状栅极导电层均与带状阴极导电层相互垂直；阳栅基板和阴极基板之间设有隔离介质层。该装置不仅结构设计合理，制作简单，而且电子色散小，图像显示效果好。 | ||||||
| 69 | 场致发射显示器的三极结构及其制备方法 | CN200610039300.6 | 2006-04-05 | CN100495632C | 2009-06-03 | 雷威; 孙小卫; 张晓兵; 王保平; 英达正 |
| 场致发射显示器的三极结构及其制备方法涉及场致发射显示器件、纳米材料的生长和表面处理，制备方法为：在阴极玻璃基板(1)上制备高导电阴极电极(2)；在阴极电极上通过印刷或者镀膜的方法制备带膜孔图案的介质层(4)；在介质层(4)上制备栅极电极(5)；在阴极电极(2)上低温生长纳米氧化锌棒发射体(3)；通过掺杂的方法使纳米氧化锌棒发射体(3)具有一定的电阻特性，减小纳米氧化锌棒发射体(3)与栅极电极(5)之间的短路，并提高发射稳定性；制备支撑体(6)；在带透明导电膜的阳极基板(7)上制备荧光粉层(8)；将阴极基板与阳极基板封接排气，形成器件内的真空工作环境。本发明的场致发射显示器其发射性能优良，制备工艺简单。 | ||||||
| 70 | 场致发射显示器的三极结构及其制备方法 | CN200610039300.6 | 2006-04-05 | CN1832093A | 2006-09-13 | 雷威; 孙小卫; 张晓兵; 王保平; 英达正 |
| 场致发射显示器的三极结构及其制备方法涉及场致发射显示器件、纳米材料的生长和表面处理，制备方法为：在阴极玻璃基板(1)上制备高导电阴极电极(2)；在阴极电极上通过印刷或者镀膜的方法制备带膜孔图案的介质层(4)；在介质层(4)上制备栅极电极(5)；在阴极电极(2)上低温生长纳米氧化锌棒发射体(3)；通过掺杂的方法使纳米氧化锌棒发射体(3)具有一定的电阻特性，减小纳米氧化锌棒发射体(3)与栅极电极(5)之间的短路，并提高发射稳定性；制备支撑体(6)；在带透明导电膜的阳极基板(7)上制备荧光粉层(8)；将阴极基板与阳极基板封接排气，形成器件内的真空工作环境。本发明的场致发射显示器其发射性能优良，制备工艺简单。 | ||||||
| 71 | 在场致发射显示器中使用的单元驱动电路 | CN96191650.8 | 1996-11-30 | CN1097279C | 2002-12-25 | 玄昌镐; 权五敬 |
| 一种FED的单元驱动电路，包括：一个用于安装多个用来发射电子的阴极的，连接于接地电位的电极板；设置在所述阴极上部的N个栅电极，N是大于或等于2的整数；用于切换施加于所述N个栅电极的每一个上的电压的N个开关单元；和一个用于接收一视频信号并根据该视频信号的大小有选择地驱动所述N个开关单元的控制单元。 | ||||||
| 72 | 谐振微空腔显示器型场致发射显示器用于光阀投影仪的照明 | CN02824149.5 | 2002-11-26 | CN1771461A | 2006-05-10 | E·M·奥东内尔; E·T·小哈尔 |
| 用于LCOS投影系统的照明源包括：真空空腔(112)；在真空空腔第一侧的场致发光显示点(104)阵列；以及在真空空腔第二侧的谐振微空腔阳极阵列。场致发射显示点是电子发射器，用来激励谐振微空腔阳极阵列，以便仅产生所选颜色的光。光通过LCOS成像器投影，产生图像。设置投影透镜(216)，用于放大和聚焦投影到屏幕上的图像。 | ||||||
| 73 | 碳纳米管发射器的形成方法及场致发射显示器的制造方法 | CN200410095058.5 | 2004-11-23 | CN100508101C | 2009-07-01 | 朴相铉 |
| 提供了一种形成碳纳米管发射器的方法和使用该碳纳米管发射器的FED的制造方法。形成碳纳米管发射器的方法包括：在其上形成有多个电极的衬底上形成碳纳米管层；在碳纳米管层上涂覆光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行构图使得光致抗蚀剂只保留在电极上方；通过利用图案化的光致抗蚀剂作为蚀刻掩模进行蚀刻，来去除碳纳米管层的暴露部分；以及去除光致抗蚀剂图案并在电极上形成碳纳米管发射器。 | ||||||
| 74 | 具有碳纳米管发射器的场致发射显示器及其制造方法 | CN200510006492.6 | 2005-01-12 | CN1728326A | 2006-02-01 | 崔濬熙; 安德烈·朱尔卡尼夫; 姜昊锡; 申文珍 |
| 本发明提供一种含有碳纳米管发射器的场致发射显示器(FED)及其制造方法。环绕CNT发射器的栅重叠包括覆盖与CNT发射器邻接的发射器电极的掩膜层、和栅绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和在掩膜层上形成的聚焦栅电极。掩膜层的高度大于CNT发射器的高度。第一氧化硅膜具有2μm或更大的厚度，并且优选为3～15μm。在第一氧化硅膜和/或栅绝缘膜的形成工艺中，硅烷的流率维持在50～700sccm，并且硝酸(N2O)的流率维持在700～4500sccm。 | ||||||
| 75 | 平面显示器及安装场致发射型电子发射源的方法 | CN01120205.X | 2001-07-06 | CN1334589A | 2002-02-06 | 上村佐四郎; 余谷纯子; 长廻武志 |
| 一种平面显示器包括:玻璃基板、场致发射型电子发射源、前玻璃件、电子引出电极和荧光物质膜。电子发射源被安装在所述基板上。前玻璃件通过真空空间与所述基板面对并且至少透射部分光。电子引出电极具有电子通过孔,并远离电子发射源设置,与所述基板相对。荧光物质膜形成在面对基板的前玻璃件表面上。电子发射源包括板状金属件和包敷膜。板状金属件具有大量通孔,用作纳米管纤维的生长核心。包敷膜由纳米管形成,它覆盖所述金属件的表面和各通孔的内壁。还公开一种安装场致发射型电子发射源的方法。 | ||||||
| 76 | 提高场致发射的方法，发射体，三极管，显示器和发光器件 | CN01811636.1 | 2001-06-19 | CN100341094C | 2007-10-03 | R·J·布查德; L·-T·A·程; J·G·拉文; D·H·罗奇 |
| 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法，包括对场致电子发射体的表面施加力，其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉，从而形成新的场致电子发射体表面。 | ||||||
| 77 | 平面显示器及安装场致发射型电子发射源的方法 | CN01120205.X | 2001-07-06 | CN1205645C | 2005-06-08 | 上村佐四郎; 余谷纯子; 长廻武志 |
| 一种平面显示器包括：基板，与基板面对并至少部分透射光的前玻璃件；面对基板的前玻璃件表面上的荧光物质膜；安装在基板上的场致发射型电子发射源；带电子通过孔的电子引出电极，并远离电子发射源设置与基板相对；电子发射源包括：有大量通孔的板状金属件，用作碳纳米管纤维的生长核心；由碳纳米管纤维形成的包敷膜覆盖金属件的全部表面和各通孔的内壁。能够得到均匀亮度的平面显示器，排除亮度不均匀，避免照明的波动。本发明公开的一种方法可用于安装场致发射型电子发射源。 | ||||||
| 78 | 碳纳米管发射器的形成方法及场致发射显示器的制造方法 | CN200410095058.5 | 2004-11-23 | CN1622252A | 2005-06-01 | 朴相铉 |
| 提供了一种形成碳纳米管发射器的方法和使用该碳纳米管发射器的FED的制造方法。形成碳纳米管发射器的方法包括：在其上形成有多个电极的衬底上形成碳纳米管层；在碳纳米管层上涂覆光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行构图使得光致抗蚀剂只保留在电极上方；通过利用图案化的光致抗蚀剂作为蚀刻掩模进行蚀刻，来去除碳纳米管层的暴露部分；以及去除光致抗蚀剂图案并在电极上形成碳纳米管发射器。 | ||||||
| 79 | 电子发射器件、冷阴极场致发射器件和显示器及其制造法 | CN01137903.0 | 2001-08-30 | CN1348197A | 2002-05-08 | 井上浩司; 室山雅和; 八不贵郎 |
| 一种冷阴极场致发射器件,包括在支撑件上形成的阴极和在阴极上形成的碳构成的锥形电子发射部分。 | ||||||
| 80 | 带电流调节结构的三极场致发射显示器 | CN200520030334.X | 2005-03-30 | CN2779597Y | 2006-05-10 | 李玉魁 |
| 本实用新型涉及一种带有电流调节结构、碳纳米管阴极、三极结构的带电流调节结构的三极场致发射显示器，包括有阴极面板、阳极面板、密封真空腔、控制栅极，在阳极面板上设置有铟锡氧化物薄膜导电层和荧光粉层，阴极面板包括衬底材料玻璃，在衬底材料玻璃上制备有碳纳米管阴极以及电流调节结构，电流调节结构由设置在衬底材料玻璃上的锡铟氧化物导电条、二氧化硅绝缘层、p掺杂硅层、铬金属源极、铬金属漏极、二氧化硅覆盖层构成，电流调节结构的固定位置为安装固定在阴极面板上，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
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