| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 平面场致发射阴极的三极管平板显示器 | CN201420676528.6 | 2014-11-13 | CN204257583U | 2015-04-08 | 李飞 |
| 本实用新型公开了一种平面场致发射阴极的三极管平板显示器。由多个光发射阳极和场发射阴极组成。阳极发射光线以响应来自于每个相对应的阴极的发射。阴极设有一层低表面逸出功材料，具有相对平坦的发光表面，其上分布了多个电子发射站。相对应的阴极与阳极之间还设有栅格装置，用来控制到达相对应阳极的阴极发射程度。栅格装置和阴极装置间由介电材料支撑，使栅格装置与阴极装置之间有适当的距离。网格装置与阴极装置是相互垂直的。本实用新型的有益效果是：可以降低平板显示器制作工艺的复杂程度，降低生产成本。 | ||||||
| 82 | 带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器 | CN200520032298.0 | 2005-10-18 | CN2924784Y | 2007-07-18 | 李玉魁 |
| 本实用新型涉及一种带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器，包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的密封真空腔，在阴极面板上有印刷的碳纳米管阴极，用于控制碳纳米管阴极电子发射的控制栅极，支撑墙结构，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在显示器内部真空腔中设置有用于屏蔽二次电子发射的屏蔽电极结构，具有可进一步提高器件制作的成功率，提高器件的显示寿命和显示质量，制作过程稳定可靠，结构简单，制作成功率高的优点。 | ||||||
| 83 | 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 | CN201010603119.X | 2010-12-24 | CN102005173A | 2011-04-06 | 陈一仁; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明; 黎大兵; 孙晓娟 |
| 本发明属于新型平板显示器制造领域，涉及一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，包含FPGA控制单元、行后级集成驱动单元、列后级集成驱动单元、静态数据存储单元和电源模块单元；FPGA控制单元通过单元控制信号访问静态数据存储单元；FPGA控制单元分别对行后级集成驱动单元和列后级集成驱动单元进行控制，行后级集成驱动单元按逐行扫描方式输出负高压脉冲给CNT-FED的阴极，静态数据存储单元中相应的图像数据被送到列后级集成驱动单元产生列驱动高压脉冲给CNT-FED的栅极。由于驱动电路的集成化，使得整个驱动电路简单可靠，同时应用FPGA控制单元控制时序，灵活方便，扩展性强。 | ||||||
| 84 | 一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法 | CN200910022833.7 | 2009-06-04 | CN101567288A | 2009-10-28 | 赵莉 |
| 本发明涉及一种场致发射显示器，具体涉及一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法。先在场致发射显示器的下基板上制得栅极电极层，再在栅极电极层上印刷整面水溶性绝缘介质层，再在水溶性绝缘介质层上印刷整面阴极电极层，再利用菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层进行曝光显影，再利用阴极电极层作掩膜，对整面水溶性绝缘介质层进行湿法刻蚀，形成与阴极电极层相同图形的水溶性绝缘介质层；在阴极电极层上印刷致密薄层材料层，在致密薄层材料层上覆盖碳纳米管阴极材料层，最后对致密薄层材料层和碳纳米管阴极材料层同时进行烧结。本发明避免了向栅极孔中填充碳纳米管的困难，把碳纳米管层置于阴极电极层上方。 | ||||||
| 85 | 具有集成三极管结构的场致发射显示器及其制造方法 | CN200380108868.3 | 2003-12-26 | CN100481299C | 2009-04-22 | 李建弘; 黄瑄珪; 李玉珠 |
| 提供了一种具有集成三极管(triode)结构的场致发射显示器(FED)。可以制造该FED，而无需使用复杂的封装处理，并且具有相当程度缩减的阱直径和相当程度缩减的阴极到阳极间距。在该FED中，前后面板使用阳极绝缘层作为中间体，形成单独的腔体。还提供了一种使用阳极氧化来制造所述FED的方法。 | ||||||
| 86 | 一种场致发射显示器的灰度调制驱动方法及其装置 | CN200610005360.6 | 2006-01-17 | CN101004882A | 2007-07-25 | 郭太良; 林志贤; 林韵英; 薛红; 徐胜; 林世宪 |
| 本发明提供一种场致发射显示器的灰度调制驱动方法及其装置，其特征是它包含列显示控制模块及数据移位锁存高压输出单元，列显示控制模块读入数据，并对数据进行预处理并缓存；在显示开始后将处理过的数据按照一定的顺序分组送给数据移位锁存高压输出单元，数据移位锁存高压输出单元将信号放大后输出。本发明的优点在于①所选用的芯片与HV632G相比具有更高的集成度，缩小了电路的体积，②它输出的最高电压为120伏，改善了显示图象的对比度，③最大输出电流达30mA或－45MA，能有效地提高显示的亮度，④数据移位锁存高压输出单元所采用的芯片的驱动负载能力大于HV632PG，且驱动管开关速度较快，能提高灰度显示的精度，⑤应用FPGA产生控制信号，灵活方便，可扩展性强。 | ||||||
| 87 | 具有集成三极管结构的场致发射显示器及其制造方法 | CN200380108868.3 | 2003-12-26 | CN1739178A | 2006-02-22 | 李建弘; 黄瑄珪; 李玉珠 |
| 提供了一种具有集成三极管(triode)结构的场致发射显示器(FED)。可以制造该FED，而无需使用复杂的封装处理，并且具有相当程度缩减的阱直径和相当程度缩减的阴极到阳极间距。在该FED中，前后面板使用阳极绝缘层作为中间体，形成单独的腔体。还提供了一种使用阳极氧化来制造所述FED的方法。 | ||||||
| 88 | 采用单制栅级结构和银浆粘贴方法制作的场致发射显示器 | CN200410026103.1 | 2004-05-10 | CN1571108A | 2005-01-26 | 朱长纯; 李玉魁; 曾凡光; 刘兴辉; 刘卫华; 李昕 |
| 本发明公开了一种采用单独制作栅极(单制栅极)结构和银浆粘贴方法制作的场致发射显示器，它包括阳极面板、阴极面板、四周玻璃围框所构成的密封真空腔，阳极面板上有氧化铟锡透明导电薄膜和荧光粉层；四周玻璃围框上设置有排气孔；其特点是，密封真空腔内还设置有隔离支柱和单制栅极结构，阴极面板上有利用银浆粘贴固定的阴极层。本发明制备简单，提高了栅极和碳纳米管阴极之间的绝缘度；本发明采用阴极板银浆粘贴固定技术，既实现了阴极硅片的装配和固定，也避免了器件高温烧结过程中阴极玻璃面板(或硅片)的碎裂，实现了整体器件的完好封装，同时，它不需要占据器件内部使用空间，减少了安装固定阴极的元件。 | ||||||
| 89 | 应用于大屏幕的场致发射显示器的图像灰度调制方法及驱动电路 | CN200810071631.7 | 2008-08-26 | CN101345021B | 2010-12-22 | 林志贤; 郭太良; 徐胜; 郑可炉 |
| 本发明涉及显示器制造技术领域，提供一种应用于大屏幕的场致发射显示器的图像灰度调制方法及驱动电路，该方法采用将一行图像数据按数据位权重划分出若干子行时间脉冲宽度进行驱动的方法，突破传统仅适用于PDP等具有存储效应一类显示器的ADS方法显示发光时间短、数据缓存器大的局限。采用FPGA和等离子体显示器专用驱动芯片进行控制和数据处理，实现FED的图像灰度调制和驱动。驱动电路由FPGA控制电路、灰度调制高压驱动电路以及缓冲隔离电路三部分组成。该电路将进一步提高电路的集成度，提升电路的输出脉冲电压，使FED显示屏显示的图像对比度大大改善，同时也可提高电路的可靠性并降低驱动电路的成本。 | ||||||
| 90 | 带自对准工艺的三极碳纳米管场致发射显示器的制作工艺 | CN200510017469.7 | 2005-03-30 | CN1700389B | 2010-05-26 | 李玉魁; 高宝宁; 刘兴辉 |
| 本发明涉及到碳纳米管阴极的三极结构场发射显示器的器件制作，特别涉及到带有自对准工艺的碳纳米管场发射显示器的制作工艺，显示器主要包括由阴极面板、阳极面板和玻璃围框构成的密封真空腔，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在阴极面板上有生长的碳纳米管阴极，位于碳纳米管阴极上部并控制其电子发射的控制栅极，在器件的制作过程中采用了带有自对准性质的制作工艺，用于栅极结构的制作和碳纳米管阴极的生长，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 91 | 一种顶栅结构场致发射显示器后板及其制作方法 | CN200910218652.1 | 2009-10-29 | CN101702395A | 2010-05-05 | 李军 |
| 本发明公开了一种顶栅结构场致发射显示器后板及其制作方法，按照以下步骤：(1)制作阴极；(2)制作下层SiO2绝缘层；(3)制作绝缘介质层；(4)制作上层SiO2绝缘层；(5)制作顶删极；(6)制作阴极发射体，完成后板的制作。本发明的改进印刷型场致发射显示器后板的制作工艺，提高了顶栅结构FED后板栅极与阴极之间的绝缘性能，保证整个场致发射显示器的可靠性和稳定性。 | ||||||
| 92 | 带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器及其制作工艺 | CN200510048408.7 | 2005-10-18 | CN100464392C | 2009-02-25 | 李玉魁 |
| 本发明涉及一种带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器及其制作工艺，包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的密封真空腔，在阴极面板上有印刷的碳纳米管阴极，用于控制碳纳米管阴极电子发射的控制栅极，支撑墙结构，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在显示器内部真空腔中设置有用于屏蔽二次电子发射的屏蔽电极结构，具有可进一步提高器件制作的成功率，提高器件的显示寿命和显示质量，制作过程稳定可靠，结构简单，制作成功率高的优点。 | ||||||
| 93 | 双栅极结构的平板场致发射显示器及其制作工艺 | CN200510017610.3 | 2005-05-24 | CN100375217C | 2008-03-12 | 李玉魁 |
| 本发明涉及到带有双栅极结构的平面场致发射显示器及其制作工艺，平面显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的真空腔，阳极面板上有锡铟氧化物薄膜层和在锡铟氧化物薄膜层上的荧光粉层，阴极面板上有碳纳米管阴极，来控制碳纳米管阴极电子发射，位于真空腔内部的绝缘隔离支撑墙，特征在于制作双栅极结构，来控制碳纳米管阴极的电子发射，具有结构简单、制作成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 94 | 带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器及其制作工艺 | CN200510048408.7 | 2005-10-18 | CN1750225A | 2006-03-22 | 李玉魁 |
| 本发明涉及一种带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器及其制作工艺，包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的密封真空腔，在阴极面板上有印刷的碳纳米管阴极，用于控制碳纳米管阴极电子发射的控制栅极，支撑墙结构，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在显示器内部真空腔中设置有用于屏蔽二次电子发射的屏蔽电极结构，具有可进一步提高器件制作的成功率，提高器件的显示寿命和显示质量，制作过程稳定可靠，结构简单，制作成功率高的优点。 | ||||||
| 95 | 带自对准工艺的三极碳纳米管场致发射显示器的制作工艺 | CN200510017469.7 | 2005-03-30 | CN1700389A | 2005-11-23 | 李玉魁; 高宝宁; 刘兴辉 |
| 本发明涉及到碳纳米管阴极的三极结构场发射显示器的器件制作，特别涉及到带有自对准工艺的碳纳米管场发射显示器的制作工艺，显示器主要包括由阴极面板、阳极面板和玻璃围框构成的密封真空腔，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在阴极面板上有生长的碳纳米管阴极，位于碳纳米管阴极上部并控制其电子发射的控制栅极，在器件的制作过程中采用了带有自对准性质的制作工艺，用于栅极结构的制作和碳纳米管阴极的生长，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 96 | 双栅极结构的平板场致发射显示器及其制作工艺 | CN200510017610.3 | 2005-05-24 | CN1694219A | 2005-11-09 | 李玉魁 |
| 本发明涉及到带有双栅极结构的平面场致发射显示器及其制作工艺，平面显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的真空腔，阳极面板上有锡铟氧化物薄膜层和在锡铟氧化物薄膜层上的荧光粉层，阴极面板上有碳纳米管阴极，来控制碳纳米管阴极电子发射，位于真空腔内部的绝缘隔离支撑墙，特征在于制作双栅极结构，来控制碳纳米管阴极的电子发射，具有结构简单、制作成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 97 | 带有岛栅结构的平板场致发射显示器及其制作工艺 | CN200510017609.0 | 2005-05-24 | CN1694218A | 2005-11-09 | 李玉魁 |
| 本发明涉及一种带有岛栅结构的平板场致发射显示器及其制作工艺，包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的密封真空腔、阴极面板上有碳纳米管阴极、在阳极面板上有锡铟氧化物薄膜层及制备在锡铟氧化物薄膜层上的荧光粉层、位于真空腔内的绝缘隔离支撑墙，在碳纳米管阴极上方设置有控制碳纳米管阴极的电子发射的岛栅结构，具有成本低廉、带有岛栅结构、制作成功率高、制作过程稳定可靠、结构简单的优点。 | ||||||
| 98 | 场致发射装置、采用该装置的显示器及制造该装置的方法 | CN200410092634.0 | 2004-11-16 | CN1627469A | 2005-06-15 | 崔浚熙; 安德烈·朱尔卡尼夫 |
| 提供了一种具有改进电子束聚焦效应的场致发射装置、一种采用该场致发射装置的显示器以及一种制造该场致发射装置的方法。该场致发射装置包括：一玻璃衬底，一形成在该玻璃衬底上的发射电极，一形成在该发射电极上的碳纳米管(CNT)发射器，一形成在该CNT发射器周围的栅叠层，该栅叠层从该CNT发射器处汲取电子束并将所汲取的电子束聚焦到一给定位置。该栅叠层包括：一掩模层，其覆盖设置在该CNT发射器周围的发射电极；一栅绝缘层和一栅电极，它们顺序形成在该掩模层上；一在栅电极上的聚焦栅绝缘层，其具有两个面对CNT发射器的倾斜面；以及一聚焦栅电极，其涂覆在该聚焦栅绝缘层上。 | ||||||
| 99 | 场致发射型电子源及其制造方法以及用该电子源的显示器 | CN99124377.3 | 1999-11-16 | CN1254173A | 2000-05-24 | 幡井崇; 菰田卓哉; 本多由明; 相泽浩一; 渡部祥文; 栎原勉; 近藤行广; 越田信义 |
| 本发明的场致发射型电子源10,设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中,从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子,在强电场漂移层6内向正面漂移,经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6,通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化,再用稀硝酸等氧化形成。 | ||||||
| 100 | 一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法 | CN200910022833.7 | 2009-06-04 | CN101567288B | 2011-06-15 | 赵莉 |
| 本发明涉及一种场致发射显示器，具体涉及一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法。先在场致发射显示器的下基板上制得栅极电极层，再在栅极电极层上印刷整面水溶性绝缘介质层，再在水溶性绝缘介质层上印刷整面阴极电极层，再利用菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层进行曝光显影，再利用阴极电极层作掩膜，对整面水溶性绝缘介质层进行湿法刻蚀，形成与阴极电极层相同图形的水溶性绝缘介质层；在阴极电极层上印刷致密薄层材料层，在致密薄层材料层上覆盖碳纳米管阴极材料层，最后对致密薄层材料层和碳纳米管阴极材料层同时进行烧结。本发明避免了向栅极孔中填充碳纳米管的困难，把碳纳米管层置于阴极电极层上方。 | ||||||
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