| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 101 | 应用于大屏幕的场致发射显示器的图像灰度调制方法及驱动电路 | CN200810071631.7 | 2008-08-26 | CN101345021B | 2010-12-22 | 林志贤; 郭太良; 徐胜; 郑可炉 |
| 本发明涉及显示器制造技术领域，提供一种应用于大屏幕的场致发射显示器的图像灰度调制方法及驱动电路，该方法采用将一行图像数据按数据位权重划分出若干子行时间脉冲宽度进行驱动的方法，突破传统仅适用于PDP等具有存储效应一类显示器的ADS方法显示发光时间短、数据缓存器大的局限。采用FPGA和等离子体显示器专用驱动芯片进行控制和数据处理，实现FED的图像灰度调制和驱动。驱动电路由FPGA控制电路、灰度调制高压驱动电路以及缓冲隔离电路三部分组成。该电路将进一步提高电路的集成度，提升电路的输出脉冲电压，使FED显示屏显示的图像对比度大大改善，同时也可提高电路的可靠性并降低驱动电路的成本。 | ||||||
| 102 | 带自对准工艺的三极碳纳米管场致发射显示器的制作工艺 | CN200510017469.7 | 2005-03-30 | CN1700389B | 2010-05-26 | 李玉魁; 高宝宁; 刘兴辉 |
| 本发明涉及到碳纳米管阴极的三极结构场发射显示器的器件制作，特别涉及到带有自对准工艺的碳纳米管场发射显示器的制作工艺，显示器主要包括由阴极面板、阳极面板和玻璃围框构成的密封真空腔，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在阴极面板上有生长的碳纳米管阴极，位于碳纳米管阴极上部并控制其电子发射的控制栅极，在器件的制作过程中采用了带有自对准性质的制作工艺，用于栅极结构的制作和碳纳米管阴极的生长，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 103 | 一种顶栅结构场致发射显示器后板及其制作方法 | CN200910218652.1 | 2009-10-29 | CN101702395A | 2010-05-05 | 李军 |
| 本发明公开了一种顶栅结构场致发射显示器后板及其制作方法，按照以下步骤：(1)制作阴极；(2)制作下层SiO2绝缘层；(3)制作绝缘介质层；(4)制作上层SiO2绝缘层；(5)制作顶删极；(6)制作阴极发射体，完成后板的制作。本发明的改进印刷型场致发射显示器后板的制作工艺，提高了顶栅结构FED后板栅极与阴极之间的绝缘性能，保证整个场致发射显示器的可靠性和稳定性。 | ||||||
| 104 | 带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器及其制作工艺 | CN200510048408.7 | 2005-10-18 | CN100464392C | 2009-02-25 | 李玉魁 |
| 本发明涉及一种带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器及其制作工艺，包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的密封真空腔，在阴极面板上有印刷的碳纳米管阴极，用于控制碳纳米管阴极电子发射的控制栅极，支撑墙结构，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在显示器内部真空腔中设置有用于屏蔽二次电子发射的屏蔽电极结构，具有可进一步提高器件制作的成功率，提高器件的显示寿命和显示质量，制作过程稳定可靠，结构简单，制作成功率高的优点。 | ||||||
| 105 | 双栅极结构的平板场致发射显示器及其制作工艺 | CN200510017610.3 | 2005-05-24 | CN100375217C | 2008-03-12 | 李玉魁 |
| 本发明涉及到带有双栅极结构的平面场致发射显示器及其制作工艺，平面显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的真空腔，阳极面板上有锡铟氧化物薄膜层和在锡铟氧化物薄膜层上的荧光粉层，阴极面板上有碳纳米管阴极，来控制碳纳米管阴极电子发射，位于真空腔内部的绝缘隔离支撑墙，特征在于制作双栅极结构，来控制碳纳米管阴极的电子发射，具有结构简单、制作成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 106 | 带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器及其制作工艺 | CN200510048408.7 | 2005-10-18 | CN1750225A | 2006-03-22 | 李玉魁 |
| 本发明涉及一种带有屏蔽电极结构的场致发射平板显示器及其制作工艺，包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的密封真空腔，在阴极面板上有印刷的碳纳米管阴极，用于控制碳纳米管阴极电子发射的控制栅极，支撑墙结构，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在显示器内部真空腔中设置有用于屏蔽二次电子发射的屏蔽电极结构，具有可进一步提高器件制作的成功率，提高器件的显示寿命和显示质量，制作过程稳定可靠，结构简单，制作成功率高的优点。 | ||||||
| 107 | 带自对准工艺的三极碳纳米管场致发射显示器的制作工艺 | CN200510017469.7 | 2005-03-30 | CN1700389A | 2005-11-23 | 李玉魁; 高宝宁; 刘兴辉 |
| 本发明涉及到碳纳米管阴极的三极结构场发射显示器的器件制作，特别涉及到带有自对准工艺的碳纳米管场发射显示器的制作工艺，显示器主要包括由阴极面板、阳极面板和玻璃围框构成的密封真空腔，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在阴极面板上有生长的碳纳米管阴极，位于碳纳米管阴极上部并控制其电子发射的控制栅极，在器件的制作过程中采用了带有自对准性质的制作工艺，用于栅极结构的制作和碳纳米管阴极的生长，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 108 | 双栅极结构的平板场致发射显示器及其制作工艺 | CN200510017610.3 | 2005-05-24 | CN1694219A | 2005-11-09 | 李玉魁 |
| 本发明涉及到带有双栅极结构的平面场致发射显示器及其制作工艺，平面显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的真空腔，阳极面板上有锡铟氧化物薄膜层和在锡铟氧化物薄膜层上的荧光粉层，阴极面板上有碳纳米管阴极，来控制碳纳米管阴极电子发射，位于真空腔内部的绝缘隔离支撑墙，特征在于制作双栅极结构，来控制碳纳米管阴极的电子发射，具有结构简单、制作成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 109 | 带有岛栅结构的平板场致发射显示器及其制作工艺 | CN200510017609.0 | 2005-05-24 | CN1694218A | 2005-11-09 | 李玉魁 |
| 本发明涉及一种带有岛栅结构的平板场致发射显示器及其制作工艺，包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的密封真空腔、阴极面板上有碳纳米管阴极、在阳极面板上有锡铟氧化物薄膜层及制备在锡铟氧化物薄膜层上的荧光粉层、位于真空腔内的绝缘隔离支撑墙，在碳纳米管阴极上方设置有控制碳纳米管阴极的电子发射的岛栅结构，具有成本低廉、带有岛栅结构、制作成功率高、制作过程稳定可靠、结构简单的优点。 | ||||||
| 110 | 场致发射装置、采用该装置的显示器及制造该装置的方法 | CN200410092634.0 | 2004-11-16 | CN1627469A | 2005-06-15 | 崔浚熙; 安德烈·朱尔卡尼夫 |
| 提供了一种具有改进电子束聚焦效应的场致发射装置、一种采用该场致发射装置的显示器以及一种制造该场致发射装置的方法。该场致发射装置包括：一玻璃衬底，一形成在该玻璃衬底上的发射电极，一形成在该发射电极上的碳纳米管(CNT)发射器，一形成在该CNT发射器周围的栅叠层，该栅叠层从该CNT发射器处汲取电子束并将所汲取的电子束聚焦到一给定位置。该栅叠层包括：一掩模层，其覆盖设置在该CNT发射器周围的发射电极；一栅绝缘层和一栅电极，它们顺序形成在该掩模层上；一在栅电极上的聚焦栅绝缘层，其具有两个面对CNT发射器的倾斜面；以及一聚焦栅电极，其涂覆在该聚焦栅绝缘层上。 | ||||||
| 111 | 场致发射型电子源及其制造方法以及用该电子源的显示器 | CN99124377.3 | 1999-11-16 | CN1254173A | 2000-05-24 | 幡井崇; 菰田卓哉; 本多由明; 相泽浩一; 渡部祥文; 栎原勉; 近藤行广; 越田信义 |
| 本发明的场致发射型电子源10,设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中,从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子,在强电场漂移层6内向正面漂移,经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6,通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化,再用稀硝酸等氧化形成。 | ||||||
| 112 | 形成碳纳米管发射器的方法和利用该方法制造场致发射显示器的方法 | CN200410104769.4 | 2004-12-06 | CN1624850A | 2005-06-08 | 李亢雨; 朴相铉 |
| 提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该方法包括在其上具有电极的衬底上涂覆光致抗蚀剂之后形成图案以在电极上形成光致抗蚀剂点；在衬底上涂覆碳纳米管糊以覆盖住光致抗蚀剂点；通过光致抗蚀剂点和经过烘干了的碳纳米管糊之间的相互扩散，在电极上形成碳纳米管发射器；以及移走覆盖住碳纳米管发射器的碳纳米管糊。 | ||||||
| 113 | 一种可显示彩色视频图像的场致发射显示器集成驱动电路 | CN200520122741.3 | 2005-09-23 | CN2893844Y | 2007-04-25 | 郭太良; 林志贤; 廖志君; 薛红; 林韵英; 徐胜; 林世宪 |
| 本实用新型提供一种可显示彩色视频图像的场致发射显示器集成驱动电路，它是包含视频接收单元、视频A/D转换单元、数据缓存单元，以及电源模块部分，其特征是它还包含集成灰度调制驱动单元、行后级集成驱动单元、FPGA控制模块单元。本实用新型能在FED显示屏上实现实时彩色视频图像，由于驱动电路的集成化，方便易行，可靠性高，大大地降低电路结构的复杂性，使整个驱动电路体积减小到原来的1/3，重量降低到1/5。同时提高了电路工作效率，使电路电源模块的输出功率、耗散功率都大大缩小，电源模块体积减小到原来的1/3；另外，应用FPGA实现控制信号，控制灵活方便，可扩展性强。 | ||||||
| 114 | 带有镇流电阻结构的三极碳纳米管场致发射平面显示器及其制作工艺 | CN200410060337.8 | 2004-12-16 | CN1622272A | 2005-06-01 | 李玉魁; 高宝宁; 曾凡光; 刘兴辉 |
| 本发明涉及到一种碳纳米管阴极的场致发射显示器的器件制作，特别涉及到带有镇流电阻结构的场致发射平板显示器及其制作工艺，包括阴极面板、阳极面板以及玻璃围框所构成的密封真空腔；阳极面板上有铟锡氧化物薄膜导电层和荧光粉层；控制栅极；在阴极面板上制备有碳纳米管阴极导电层、镇流电阻层以及碳纳米管阴极，该镇流电阻结构为每一个像素点下对应的碳纳米管阴极都制备了一个镇流电阻，用于调整碳纳米管场致发射电子的能力，提高了整体碳纳米管阴极发射电子的均匀性和稳定性，解决了碳纳米管阴极材料和阴极面板之间粘结不牢固的缺点；改善了整体显示器件的图像显示质量，降低了整体器件的制作成本，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。 | ||||||
| 115 | METHOD FOR PRODUCING A FIELD EMISSION DISPLAY | PCT/AT2000/000249 | 2000-09-20 | WO01029861A1 | 2001-04-26 | |
| The invention relates to a method for producing a field emission display (FED) during which the electrodes (5) of the anode structure (4) are fixed on a first substrate (6) and a layer (7) made of a luminescent material covers said electrodes. The electrodes (2) of the cathode structure (1) are fixed on a second substrate (3) and field emitters (19) are placed, at least in sections, on said electrodes (2). The anode structure (4) and the cathode structure (1) are parallelly aligned with one another in an interspaced manner and are interconnected in a gas-tight manner along their lateral edges (11, 14), whereby, before placing the field emitters (19) on the electrodes (2) of the cathode structure (1), the cathode structure (1) and anode structure (4) are interconnected in a gas-tight manner with the exception of at least one gas inlet and one gas outlet opening (16, 17). The field emitters (19) are only produced after the cathode and anode structures (1, 4) are connected in a gas-tight manner by depositing field emitter material onto the electrodes (2) out of a carrier gas that is introduced between the cathode and anode structures (1, 4). | ||||||
| 116 | Field emission display | EP02445107.2 | 2002-09-03 | EP1349195A3 | 2003-12-17 | Jeong, Hyo Soo; Kim, Gyung Rae; Jeon, Seong Min |
The present invention relates to a field emission display using a gated field emitter and a flat electrode that is applied to a Cathode Ray Tube (CRT). The present invention does not need a spacer unlike the related invention and so the problem resulting from a mounting of the spacer is solved, and the structure of its whole panel and its fabrication process are simplified, thus improving its productivity and decreasing its fabrication cost. |
||||||
| 117 | Field emission display | EP05103645.7 | 2005-05-02 | EP1596415B1 | 2011-08-03 | Song, Yoon Ho; Lee, Jin Ho; Hwang, Chi Sun |
| 118 | Field emission display | EP05103645.7 | 2005-05-02 | EP1596415A3 | 2009-04-08 | Song, Yoon Ho; Lee, Jin Ho; Hwang, Chi Sun |
Provided is a field emission display, which includes: a cathode portion (100) including row signal lines (120S) and column signal lines (120D) in a stripe form allowing matrix addressing to be carried out on a substrate (110), and pixels defined by the row signal lines and the column signal lines, each pixel having a field emitter (130) and a control device (140) which controls the field emitter with two terminals connected to at least the row signal line and the column signal line and one terminal connected to the field emitter; an anode portion (300) having an anode electrode, and a phosphor (330) connected to the anode electrode; and a gate portion (200) having a metal mesh (220) with a plurality of penetrating holes (210), and a dielectric layer (230) formed on at least one region of the metal mesh, wherein the gate portion (200) is disposed between the cathode portion (100) and the anode (300) portion to allow the surface where the dielectric layer is formed to be faced to the cathode portion and to allow electrons emitted from the field emitter to collide with the phosphor via the penetrating holes.
|
||||||
| 119 | Field emission display device | EP02019971.7 | 2002-09-05 | EP1326264B1 | 2008-10-08 | Jo, Sung-Ho; Kim, You-Jong, Sinmaetan Jookong, Apt. 35-401; Lee, Sang-Jo; Cha, Jae-Cheol; Kim, Jong-Min |
| 120 | Field emission display | EP04254524.4 | 2004-07-28 | EP1542258B1 | 2007-05-30 | Oh, Tae-sik |
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈