| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 氮化硅薄膜的制备方法 | CN202310517905.5 | 2023-05-10 | CN116254518A | 2023-06-13 | 周政; 宋维聪 |
| 本发明提供一种氮化硅薄膜的制备方法，包括步骤：S1：提供PECVD腔体，对腔体内部进行清洁；S2：将腔体抽真空至1mTorr‑10mTorr，温度控制在300℃‑600℃；S3：将衬底放入腔体内进行预热，预热过程中通入预热气体，预热气体包括氨气和氮气，并稳定第一预设时长；S4：将腔体抽真空至1Torr‑10Torr，温度控制在300℃‑500℃，通入包括含硅气体、氨气和氮气的反应源气体并稳定第二预设时长，控制射频功率在500W‑1200W，以于衬底上生长氮化硅薄膜；S5：关闭含硅气体和氨气并继续保持氮气供应，控制射频功率在250W‑550W，以对氮化硅薄膜进行第三预设时长的等离子体氮化处理。本发明可以制备高均一性和空气稳定性良好的氮化硅薄膜。 | ||||||
| 142 | 氮化硅粉体提纯装置 | CN202310192908.6 | 2023-03-02 | CN116161630A | 2023-05-26 | 邓小沣; 肖亮; 罗文军; 朱福林; 谢庆忠 |
| 本申请提供了一种氮化硅粉体提纯装置包括提纯筒和第一分离组件。提纯筒包括筒体、盖板、进料口和出料口，盖板覆盖于筒体的其中一端，进料口开设于盖板，出料口开设于筒体背向盖板的一端。第一分离组件包括转轴、叶片组和驱动器，转轴可旋转地安装于筒体内，并沿筒体的轴线方向延伸布设，多个叶片组沿筒体的轴线方向间隔设于转轴，驱动器固定安装于盖板，并用于驱动转轴旋转。叶片组包括多块磁片，多块磁片绕转轴的轴线呈圆周方向均匀分布于转轴的外周。本申请提供的氮化硅粉体提纯装置，使得氮化硅粉体能够和不同的磁片多次接触，接触更加充分。通过和不同的磁片多次接触，能够多次吸附氮化硅粉体中的铁杂质，有助于进一步提高提纯效果。 | ||||||
| 143 | 一种氮化硅造粒装置 | CN202310229329.4 | 2023-03-07 | CN116116317A | 2023-05-16 | 邓小沣; 朱福林; 罗文军; 肖立; 姜杰英 |
| 本发明属于氮化硅生产技术领域，具体是涉及到一种氮化硅造粒装置，包括造粒塔和喷雾机构，还包括递料板和搅拌器，所述递料板设置在造粒塔的内侧壁上并绕造粒塔的轴线螺旋设置，且递料板位于喷雾机构下方，所述搅拌器沿造粒塔的轴线穿设在螺旋设置的递料板内，料珠通过热风干燥的过程中可在空气旋流的作用下沿递料板上螺旋向下滚动成型，成型后的粉粒更紧实，强度更高，并且粒形更规则、表面光滑度更好，粒体形状更接近球体，更利于微小直径尤其是微米级的氮化硅微球的生产。 | ||||||
| 144 | 一种氮化硅气氛烧结炉 | CN202310035029.2 | 2023-01-10 | CN115978981A | 2023-04-18 | 田鑫; 徐涛; 伊恒彬; 王婷婷; 倪世军; 奚克波; 常艳杰; 戴明圻 |
| 本发明公开了一种氮化硅气氛烧结炉，属于陶瓷技术领域，包括炉体和控制柜，炉体两端外侧壁上开设的弧形槽内侧壁连接有弧形板，弧形板侧壁连接有卡紧组件，卡紧组件一侧设置有炉盖，炉盖侧壁连接有双层水冷环，双层水冷环内分别设置有连接法兰和八层高温钼板，炉体两端外侧壁均连接有固定板，固定板侧壁连接有限位橡胶板，炉体内侧壁连接有多个加热板。本发明通过限位橡胶板和双层水冷环的设置，可以对炉盖开启和关闭后的转动限位，方便了装炉上料，提升了生产效率，也便于对炉内进行快速降温，加热板和加热室的筒状设置，可以使炉体内的温度均匀，保证了生产的陶瓷质量，减少了在加热烧制的过程中热量的损耗。 | ||||||
| 145 | 氮化硅激光熔覆的方法 | CN202180044926.9 | 2021-04-22 | CN115702013A | 2023-02-14 | B·J·麦肯泰尔; B·S·巴尔; R·M·伯克 |
| 本文公开了用于在生物医学植入物的表面激光熔覆涂层的方法。生物医学植入物可以是具有用于促进骨生成的激光熔覆的氮化硅涂层的植入物。 | ||||||
| 146 | 氮含量高的氮化硅膜 | CN202210051665.X | 2018-07-05 | CN114540792A | 2022-05-27 | 阿达西·巴苏; 斯里尼瓦斯·D·内曼尼; 怡利·Y·叶 |
| 描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。 | ||||||
| 147 | 一种氮化硅宽带光开关 | CN202111071403.1 | 2021-09-14 | CN113805398A | 2021-12-17 | 武爱民; 李昂; 仇超 |
| 本发明涉及一种氮化硅宽带光开关，包括第一3dB非对称绝热耦合器、第二3dB非对称绝热耦合器、干涉臂波导、参考臂波导和热移相器；第一3dB非对称绝热耦合器和第二3dB非对称绝热耦合器结构相同，均包括依次连接的第一波导部分、耦合区域部分和第二波导部分，第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端通过干涉臂波导与第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端相连，第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端通过参考臂波导与第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端相连；干涉臂波导和参考臂波导为等长的氮化硅波导，干涉臂波导上设置有热移相器。本发明解决了氮化硅波导无法集成可调光衰减器等有源器件弥补开光消光比的问题。 | ||||||
| 148 | 氮化硅蚀刻液组合物 | CN202080019469.3 | 2020-03-06 | CN113544822A | 2021-10-22 | 大和田拓央; 持田耕平; 吉田勇喜 |
| 本发明以提供在3D非易失性存储器单元的制造中，以相对于SiO2的实用性的蚀刻选择比对Si3N4进行选择性蚀刻后，可抑制SiO2再生长，且能够抑制SiO2膜的图案坍塌的氮化硅蚀刻液组合物为课题。一种用于制造3D非易失性存储器单元的氮化硅蚀刻液组合物，其中，包含磷酸、1种或2种以上的硅烷偶联剂和水，不含铵离子。 | ||||||
| 149 | 氮化硅的选择性沉积 | CN202080013812.3 | 2020-02-12 | CN113423864A | 2021-09-21 | 王瀚; B·C·亨德里克斯; E·孔多; T·H·鲍姆 |
| 本发明的某些实施例利用低温原子层沉积方法来形成含有硅和氮的材料(例如，氮化硅)。所述原子层沉积使用四碘化硅(SiI4)或六碘化二硅(Si2I6)作为一种前体并且使用例如氨的含氮材料作为另一前体。在需要氮化硅的选择性沉积于二氧化硅上方进行沉积的情形中，首先用氨等离子体处理衬底表面。 | ||||||
| 150 | 沉积氮化硅膜的方法 | CN201980068903.4 | 2019-10-11 | CN112930581A | 2021-06-08 | 詹姆斯·S·思姆斯; 谢恩·唐; 维克兰特·莱; 安德鲁·麦克罗; 邱华檀 |
| 提供了一种用于在堆栈上沉积氮化硅层的方法。该方法包括提供包括多个循环的原子层沉积，其中每个循环包括通过提供含硅前体气体而用含硅前体为堆栈投料，提供N2等离子体转化和提供H2等离子体转化。 | ||||||
| 151 | 氮化硅及其制备方法 | CN201710125144.3 | 2017-03-03 | CN108529576B | 2020-12-04 | 朱青松; 何文 |
| 本发明涉及一种氮化硅及其制备方法。上述氮化硅的制备方法包括以下步骤：采用氮气对硅颗粒进行气雾化处理，得到气雾化后的硅粉；连续将等离子体状态下的氮气和气雾化后的硅粉送入反应器，并保持反应器温度为1300℃～1450℃，之后进行固气分离并保留固体；以及向固体中添加α相氮化硅、氟化铵和碘化铵，混匀之后抽真空，之后通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.005MPa～0.05MPa，之后升温至1200℃～1250℃，并持续通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.01MPa～0.1MPa，维持反应时间为5小时～10小时，反应完全之后冷却，得到氮化硅。本发明的氮化硅的制备方法为复合合成法，采用本发明的上述氮化硅的制备方法能够得到高α相氮化硅。 | ||||||
| 152 | 氮化硅膜的蚀刻组合物 | CN201910110748.X | 2019-02-11 | CN109913221B | 2020-11-06 | 李锡浩; 宋定桓; 全成植; 赵诚一; 金炳卓; 韩挪; 林娥铉; 李浚宇; 李鍲根; 金俊源; 朴瀅淳; 姜弼求; 姜瑩美; 李秀妍 |
| 本发明提供一种氮化硅膜的蚀刻组合物，其是在半导体工序中对氮化硅膜进行蚀刻而去除时使用、且在高温的蚀刻工序中与氧化硅膜相比氮化硅膜的蚀刻速度选择性高的半导体制造用氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物。上述氮化硅膜的蚀刻组合物包含下述化学式1或化学式2所表示的化合物以及磷酸、硅化合物、氨基酸化合物和水，下述化学式1或化学式2中，R1、R2各自独立地选自氢、羟基、烷基或羧基。根据本发明，高选择比蚀刻组合物能够对所层叠的氮化硅膜和氧化硅膜中的氮化硅膜进行选择性蚀刻、即以高选择比进行蚀刻，同时使对于氧化硅膜的损伤以及蚀刻速度最小化，不发生随着工序时间的氧化硅膜的再生长。化学式1化学式2 | ||||||
| 153 | 氮化硅膜刻蚀用混合物 | CN201810195408.7 | 2018-03-09 | CN108690621B | 2020-10-09 | 朴禾景 |
| 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻用混合物，尤其涉及一种由磷酸(H3PO4)、2种或3种硅烷化合物以及水构成，通过对蚀刻工程的执行过程中所发生的蚀刻速度的变化进行抑制，从而能够在保持一定的蚀刻速度的同时实现优秀的蚀刻选择比的氮化硅膜蚀刻用混合物。 | ||||||
| 154 | 氮含量高的氮化硅膜 | CN201880044202.2 | 2018-07-05 | CN110832109A | 2020-02-21 | 阿达西·巴苏; 斯里尼瓦斯·D·内曼尼; 怡利·Y·叶 |
| 描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。 | ||||||
| 155 | 氮化硅膜的高压处理 | CN201880034510.7 | 2018-05-24 | CN110678959A | 2020-01-10 | 基思·塔特森·王; 肖恩·S·康; 斯里尼瓦斯·D·涅曼; 怡利·Y·叶 |
| 涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统，包括：在腔室中支撑工件，将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。 | ||||||
| 156 | 氮化硅膜蚀刻组合物 | CN201910520688.9 | 2019-06-17 | CN110628435A | 2019-12-31 | 金东铉; 朴贤宇; 李斗元; 曺长佑; 李明镐; 宋明根 |
| 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物，更具体而言，通过在蚀刻组合物中包含两种彼此不同的硅系化合物，相比于氧化硅膜能够选择性地蚀刻氮化硅膜，其蚀刻选择比显著，在用于蚀刻工序和半导体制造工序时，可以在抑制发生析出物且减少存在于周围的包含氧化硅膜的其他膜的异常生长方面提供卓越的效果。 | ||||||
| 157 | 氮化硅膜的形成方法 | CN201811131218.5 | 2018-09-27 | CN109585267A | 2019-04-05 | 住吉和英 |
| 披露了一种在氮化物半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)将包括氮化物半导体层的外延衬底装入处于第一温度的反应炉内，并将炉内的气氛转换为氮气(N2)；(b)将炉内的压力保持为高于30kPa，并将炉内的温度升至第二温度；(c)在第二温度下，将炉内气氛转换为氨气(NH3)；(d)在低于100Pa的第二压力下，通过供给SiH2Cl2作为硅(Si)的源气体从而开始进行沉积。本发明的特征为从炉内温度达到临界温度到供给SiH2Cl2的时间长度小于20分钟，其中第一压力在所述临界温度下达到平衡压力。 | ||||||
| 158 | 氮化硅的选择性蚀刻 | CN201480050763.5 | 2014-07-31 | CN105580118B | 2019-03-22 | Z·陈; Z·李; A·王; N·K·英格尔; S·文卡特拉曼 |
| 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。 | ||||||
| 159 | 氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 | CN201610972014.9 | 2016-11-03 | CN106477538B | 2018-11-02 | 雷超; 魏飞; 张晨曦 |
| 本发明提供了一种氮化硅纳米线的制备方法，本发明方法中，以价低易得的硅粉为原料，无需使用催化剂，在将硅粉造粒后进行氮化反应制备氮化硅颗粒，然后通过研磨破碎、洗涤和沉降分离、干燥等简单操作，可同时得到高纯度的氮化硅纳米线以及氮化硅粉体产品，是一种简单、经济且适于工业化大批量制备氮化硅纳米线的方法。 | ||||||
| 160 | 氮化硅的选择性生长 | CN201810225082.8 | 2018-03-19 | CN108630524A | 2018-10-09 | 大卫·查尔斯·史密斯; 丹尼斯·M·豪斯曼 |
| 本发明涉及氮化硅的选择性生长。本文提供了用于相对于氧化硅表面选择性地在硅表面上沉积氮化硅并且相对于硅表面选择性地在氧化硅表面上沉积氮化硅的方法和装置。方法涉及将衬底暴露于烯烃，烯烃选择性地与硅表面反应，以通过于使用热原子层沉积在氧化硅表面上选择性地沉积氮化硅之前在硅表面上形成有机部分来封闭硅表面。方法涉及将衬底暴露于烷氧基硅烷卤化物，该烷基硅烷卤化物选择性地与氧化硅表面反应以通过于使用热原子层沉积在硅表面上选择性地沉积氮化硅之前在氧化硅表面上形成有机部分来封闭氧化硅表面。 | ||||||
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