| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 各向同性氮化硅移除 | CN202280003817.7 | 2022-03-03 | CN116097407A | 2023-05-09 | M·科罗利克; P·E·吉; B·J·布扬; J·苏迪约诺; W·Y·D·杨; 洪家伟; S·贾殷 |
| 蚀刻含硅材料的示例性方法可包括：将含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域。所述方法可包括：在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括：将等离子体流出物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可定位于处理区域内。基板可包括穿过堆叠层而形成的沟槽，所述堆叠层包括氮化硅和氧化硅的交替层。所述方法可包括：在实质上维持氧化硅的同时，各向同性地蚀刻氮化硅的层。 | ||||||
| 82 | 氮化硅硼膜的沉积 | CN202180055199.6 | 2021-09-08 | CN116075602A | 2023-05-05 | 杨传曦; H·俞; D·帕德希 |
| 用于形成SiBN膜的方法包含以下步骤：在基板上的特征上沉积膜。所述方法包含以下步骤：在第一循环中，使用化学气相沉积工艺于腔室中的基板上沉积SiB层，该基板上具有至少一个特征，该至少一个特征包含上表面、底表面及侧壁，而SiB层形成于上表面、底表面及侧壁上。在第二循环中，用包含含氮气体的等离子体处理SiB层，以形成共形的SiBN膜。 | ||||||
| 83 | 烧结用氮化硅粉末 | CN202180027631.0 | 2021-04-09 | CN115443258A | 2022-12-06 | 河合秀昭; 若松智 |
| 提供一种烧结用氮化硅粉末，其虽然为微粉但经时的氧浓度的增加量极小、保存稳定性优异。一种烧结用氮化硅粉末，其特征在于，其比表面积为5～30m2/g，疏水化度(M值)为30以上，在湿度90％、20℃的空气中放置48小时后氧浓度的增加量为0.3质量％以下，所述氮化硅粉末可以通过将氮化硅的聚集块在非活性气氛下、在硅烷偶联剂的存在下进行干式粉碎而得到。 | ||||||
| 84 | GSPL-SNCS氮化硅流延浆料 | CN202210563300.5 | 2022-05-23 | CN114773067A | 2022-07-22 | 陈明; 郭天枫; 陈玉衡 |
| 本发明提供一种GSPL‑SNCS氮化硅流延浆料，至少包含Si3N4粉体、Y2O3+TiC+MgSiN2+Mg3N2混合粉体的无机物固体，在所述混合粉体中TiC占比为0.1‑10%；以及至少包含蓖麻油、无水乙醇、聚甲基丙烯、聚乙烯乙二醇和单油酸甘油混合物的有机物胶体，在GSPL‑SNCS氮化硅流延浆料中加入TiC，在最优温度1725℃时，TiC稳定存在于氮化硅基体中，TiC能够在氮化硅获得最优温度下增强氮化硅陶瓷，极大的提升GSPL‑SNCS氮化硅流延浆料制品的良率，提升制品热稳定性，提升制品机械强度。 | ||||||
| 85 | 一种氮化硅消毒喷剂 | CN202210143843.1 | 2022-02-17 | CN114190400B | 2022-07-15 | 刘光华; 杜松墨; 刘蓉翾 |
| 一种氮化硅消毒喷剂，所述氮化硅消毒喷剂包括：氮化硅粉5重量份；溶剂50‑500重量份；增稠剂0.05‑0.6重量份；所述氮化硅消毒喷剂粘度为30 cP‑300 cP。本发明提供的氮化硅消毒喷剂能够杀灭包括新冠病毒在内的多种细菌、病毒，并且具有长效杀毒效果。 | ||||||
| 86 | 一种氮化硅刻蚀方法 | CN202210254276.7 | 2022-03-15 | CN114664653A | 2022-06-24 | 陈长鸿; 孙一军; 孙颖; 王妹芳; 孙家宝; 刘艳华; 刘志; 谢石建 |
| 本发明公开了一种氮化硅刻蚀方法。利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化硅膜表面沿垂直方向的残留物；通入刻蚀气体，并调节工艺参数进行氮化硅膜表面的刻蚀。本发明首次实现C4F6在氮化硅刻蚀中的应用，并通过RF功率、ICP功率、气体种类、气体配比和刻蚀压力等工艺参数优化，克服传统硬掩模刻蚀工艺中刻蚀速率低，下层材料过刻等刻蚀难题，能有效降低Si刻蚀速率同时提高Si3N4刻蚀速率。 | ||||||
| 87 | 低应力低氢型LPCVD氮化硅 | CN201680028363.3 | 2016-05-09 | CN107533974B | 2022-03-18 | N·S·德拉斯 |
| 在所描述的示例中，一种微电子器件(102)包含高性能氮化硅层，此氮化硅层的化学计量在2原子百分比(at％)内，具有低应力为600MPa到1000MPa，并且具有小于5原子百分比的低氢含量，由LPCVD工艺形成。LPCVD工艺使用氨气NH3和二氯甲硅烷DCS气体，其比率为4比6，压力为150毫托至250毫托，并且温度为800℃至820℃。 | ||||||
| 88 | 沉积氮化硅的方法 | CN201980089876.9 | 2019-11-11 | CN113330141A | 2021-08-31 | L·C·卡鲁塔拉格; M·J·萨利; P·P·杰哈; 梁璟梅 |
| 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。 | ||||||
| 89 | 氮化硅膜刻蚀方法 | CN202011155060.2 | 2020-10-26 | CN112331562A | 2021-02-05 | 刘本锋 |
| 本发明实施例提供的氮化硅膜刻蚀方法，包括：S1、将预设数量的氮化硅膜片浸泡在新刻蚀溶液中，使预设数量的氮化硅膜片上氮化硅膜的累积溶解厚度达到预设溶解厚度，所获得的可工艺溶液对氧化膜的刻蚀速率小于或等于预设上限值；S2、将衬底浸泡在可工艺溶液中，并判断衬底上氮化硅膜的累积溶解厚度与预设溶解厚度累加获得的总溶解厚度是否达到与可工艺溶液达到硅粒子的溶解饱和度相对应的最大允许值；若是，则将可工艺溶液中的一部分更换为新刻蚀溶液，且被更换溶液在可工艺溶液中所占的体积百分比与预设上限值相对应。本发明实施例提供的氮化硅膜刻蚀方法，其可将氧化膜的刻蚀量控制在较低的范围内，同时控制衬底上的颗粒数量不超过最大允许值。 | ||||||
| 90 | 氮化硅粉末的制造方法 | CN201980013821.X | 2019-02-25 | CN111727168A | 2020-09-29 | 若松智 |
| 一种氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，包括如下工序：准备包含90质量％以上的硅粉末的原料粉末的工序；将前述原料粉末填充至耐热性反应容器的工序；在氮气气氛下，对填充至前述反应容器的原料粉末点火，通过使硅的氮化燃烧热传播至该原料粉末整体的燃烧合成反应而得到块状产物的工序；对前述块状产物在干式下进行机械粉碎的工序。 | ||||||
| 91 | 一种氮化硅工业加热棒 | CN201911169200.9 | 2019-11-25 | CN111031615A | 2020-04-17 | 陈巨喜; 曾小锋 |
| 本发明提供一种氮化硅工业加热棒。所述氮化硅工业加热棒包括：氮化硅加热棒；固定框，所述固定框固定连接于所述氮化硅加热棒的外表面，所述固定框的外表面固定滑动连接有滑动套，所述滑动套的内壁的两侧均固定连接有滑动块，两个所述滑动块相对的一侧均贯穿所述固定框并延伸至所述固定框的内部；两个移动杆，两个所述移动杆相离的一侧分别固定于两个所述滑动块相对的一侧，两个所述移动杆的底端均贯穿所述固定框并延伸至所述固定框的底部。本发明提供的氮化硅工业加热棒具有有效的使得氮化硅加热棒的加热面积增大，加快了加热的速率，方便装置的收纳，使用时伸展，不使用时可以收起。 | ||||||
| 92 | 氮化硅陶瓷电路板结构 | CN201910924519.1 | 2019-09-27 | CN110662359A | 2020-01-07 | 张胜翔; 廖建勋; 施彩云; 吴书豪 |
| 本发明主要是有关于一种氮化硅陶瓷电路板结构。本发明主要是先提供一陶瓷基板，且此陶瓷基板可以是氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)或氮化铝(AlN)，其中最好是氮化硅；之后，在所述的陶瓷基板二侧同时的镀上一层钛金属层，在所述的钛金属层之上则再镀上一层的铜层；待铜层镀完后，则以350～500度的高温以及4±1Kg/mm2的压力将一层厚铜板直接地压合固定在上述的铜层上；待厚铜板和前述的铜层结合后，则以黄光显影的方式将所需要的图形蚀刻出来，则完成了陶瓷电路板的制作。 | ||||||
| 93 | 氮化硅薄膜的制备方法 | CN201810438840.4 | 2018-05-09 | CN110473768A | 2019-11-19 | 尹勇 |
| 本发明提供一种氮化硅薄膜的制备方法，所述制备方法包括交替进行如下步骤：步骤1），采用化学气相沉积法于基底表面沉积氮化硅子薄膜；以及步骤2），对所述氮化硅子薄膜的表面进行等离子体表面处理，所述等离子体表面处理采用的离子包含氮离子；其中，交替进行所述步骤1）及所述步骤2）的次数范围介于2~5次，以获得包含多层氮化硅子薄膜堆叠的氮化硅薄膜。本发明将所需沉积的氮化硅薄膜分为若干层氮化硅子薄膜，并进行分层沉积，通过接触界面的叠加，打乱原有的生长结构，以抑制针孔缺陷的形成。本发明在每层氮化硅子薄膜沉积后，对其进行等离子体表面处理，再次打乱原有的生长结构，可进一步抑制针孔缺陷的形成。 | ||||||
| 94 | 一种氮化硅粉体生产线 | CN201810356907.X | 2018-04-19 | CN108609590B | 2019-10-29 | 任小平 |
| 本发明涉及氮化硅制备领域，公开了一种氮化硅粉体生产线，包括供料单元、反应单元、收料单元和循环水冷单元。所述供料单元包括硅粉投料机构、氮气制备增压装置和微波等离子预热器。所述反应单元包括悬浮反应器和保温冷却器。所述收料单元包括气粉分离器、包装器和回收氮气储罐。所述循环水冷单元包括水冷池和水冷泵。本发明生产线制得的氮化硅粉体纯度高、粒径细、ɑ相含量高、产量高、出产快。 | ||||||
| 95 | 氮化硅膜的沉积方法 | CN201410857912.0 | 2014-10-08 | CN104831254B | 2019-04-12 | H·钱德拉; A·马利卡朱南; 雷新建; 金武性; K·S·卡瑟尔; M·L·奥尼尔 |
| 本文描述了形成氮化硅膜的方法。在一个方面，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括下述步骤：在反应器内提供衬底；向所述反应器内引入至少一种本文描述的具有至少一个SiH3基团的有机氨基硅烷，其中该至少一种有机氨基硅烷在衬底的至少一部分表面上反应以提供化学吸附层；使用吹扫气体吹扫所述反应器；向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm2范围的功率密度生成。 | ||||||
| 96 | 一种生产氮化硅的系统 | CN201510768516.5 | 2015-11-11 | CN106672922B | 2019-01-22 | 银波; 夏高强; 范协诚; 宋高杰 |
| 本发明公开了一种生产氮化硅的系统，包括：第一反应器；加热装置，该加热装置与所述第一反应器连接；淋洗塔，该淋洗塔的第一进料口与所述加热装置连接。该系统可以将制备过程中生成的氨气再利用与第二氯硅烷反应，重新生成了制备氮化硅所需的中间体第二含氮硅烷化合物，从而节约了成本。 | ||||||
| 97 | 氮化硅膜刻蚀用混合物 | CN201810195408.7 | 2018-03-09 | CN108690621A | 2018-10-23 | 朴禾景 |
| 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻用混合物，尤其涉及一种由磷酸(H3PO4)、2种或3种硅烷化合物以及水构成，通过对蚀刻工程的执行过程中所发生的蚀刻速度的变化进行抑制，从而能够在保持一定的蚀刻速度的同时实现优秀的蚀刻选择比的氮化硅膜蚀刻用混合物。 | ||||||
| 98 | 一种氮化硅粉体生产线 | CN201810356907.X | 2018-04-19 | CN108609590A | 2018-10-02 | 任小平 |
| 本发明涉及氮化硅制备领域，公开了一种氮化硅粉体生产线，包括供料单元、反应单元、收料单元和循环水冷单元。所述供料单元包括硅粉投料机构、氮气制备增压装置和微波等离子预热器。所述反应单元包括悬浮反应器和保温冷却器。所述收料单元包括气粉分离器、包装器和回收氮气储罐。所述循环水冷单元包括水冷池和水冷泵。本发明生产线制得的氮化硅粉体纯度高、粒径细、ɑ相含量高、产量高、出产快。 | ||||||
| 99 | 氮化硅及其制备方法 | CN201710125144.3 | 2017-03-03 | CN108529576A | 2018-09-14 | 朱青松; 何文 |
| 本发明涉及一种氮化硅及其制备方法。上述氮化硅的制备方法包括以下步骤：采用氮气对硅颗粒进行气雾化处理，得到气雾化后的硅粉；连续将等离子体状态下的氮气和气雾化后的硅粉送入反应器，并保持反应器温度为1300℃～1450℃，之后进行固气分离并保留固体；以及向固体中添加α相氮化硅、氟化铵和碘化铵，混匀之后抽真空，之后通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.005MPa～0.05MPa，之后升温至1200℃～1250℃，并持续通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.01MPa～0.1MPa，维持反应时间为5小时～10小时，反应完全之后冷却，得到氮化硅。本发明的氮化硅的制备方法为复合合成法，采用本发明的上述氮化硅的制备方法能够得到高α相氮化硅。 | ||||||
| 100 | 氮化硅的制备方法 | CN201810354780.8 | 2018-04-19 | CN108285132A | 2018-07-17 | 朱青松; 何文; 董占美; 王佳军; 年夫雪 |
| 本发明提供一种氮化硅的制备方法，该制备方法包括：预热原料卤化硅和/或氢卤化硅和/或硅烷至第一温度，形成第一反应流体；预热原料氮气和/或氨气至第二温度，形成第二反应流体；将第一反应流体以第一流速、第二反应流体以第二流速输入流化反应装置，调节第一流速、第二流速使流化反应装置中所得混合流体达到第三温度，卤化硅和/或氢卤化硅和/或硅烷、氮气和/或氨气于该第三温度下反应，获得氮化硅；第一温度小于第三温度，第三温度小于第二温度。反应温度调控灵活、调节快速精准，能够将混合流体温度控制在严格特定温度区间，从而仅生成该特定温度区间对应的氮化硅类型，不会出现不同相氮化硅的混合，纯度极高；瞬间反应，生产速度快。 | ||||||
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