| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 氮化硅蚀刻方法 | CN202210029447.6 | 2022-01-12 | CN114050107A | 2022-02-15 | 廖军; 张志敏 |
| 本发明提供了一种氮化硅蚀刻方法，包括：提供一衬底，衬底上具有氮化硅层；执行氧化工艺，在氮化硅层上形成氮氧化硅层；形成图形化的掩模层，图形化的掩模层覆盖氮氧化硅层；对氮氧化硅层及氮化硅层执行干法蚀刻工艺，并以标准蚀刻终点时间监控干法蚀刻工艺，其中，标准蚀刻终点时间利用氮化硅层的厚度、氮氧化硅层的厚度、氮化硅层的蚀刻速率以及氮氧化硅层的蚀刻速率建立。本发明中，利用氮氧化硅层覆盖氮化硅层以防止氮化硅层在重工工艺中氧化，使得经重工的衬底和未重工的衬底具有相同的结构，从而可以利用标准蚀刻终点时间对干法蚀刻工艺进行监控，以达到解决干法蚀刻机台因重工图形化的掩模层的衬底报警的问题。 | ||||||
| 42 | 一种氮化硅陶瓷 | CN201711412039.4 | 2017-12-23 | CN107840663A | 2018-03-27 | 裴晓辉; 李蓓; 孙琼珂 |
| 一种氮化硅陶瓷，各组分及组分的重量份数如下：氮化硅80-100份、氧化镁20-30份、氧化铝15-18份、氟化镁20-25份、三氧化二铁15-18份、高岭土5-8份、聚乙二醇5-8份、硅烷偶联剂2-5份、水30-40份。本发明提出的氮化硅陶瓷耐磨性好、韧性好、润滑性好，使用寿命长，其抗蠕变性提高三个数量级。 | ||||||
| 43 | 一种氮化硅坩埚 | CN201510892633.2 | 2015-11-27 | CN106807465A | 2017-06-09 | 曾小锋; 李勇全 |
| 本发明公开了一种氮化硅坩埚，包括第一坩埚、第二坩埚、吊耳、坩埚罩、限位块、第一腔体、第二腔体、坩埚内环和通孔，所述第二坩埚的上端安装有限位块，所述坩埚罩安装在第二坩埚的上端，所述坩埚罩的下端与限位块对接，所述第二坩埚的外侧左右两端均安装有吊耳，所述第二坩埚的内部安装有第一坩埚，所述第二坩埚与第一坩埚之间为第二腔体，所述第一坩埚的内部为第一腔体，所述坩埚内环安装在第一腔体内，所述第一坩埚的左右两端均开设有通孔。本发明具有制作简单，成本低，体积小、重量轻，传热效率高等优点。 | ||||||
| 44 | 氮化硅基坩埚 | CN201080059017.4 | 2010-12-22 | CN102725443A | 2012-10-10 | H·索尔海姆; A·索尔海姆; E·范德朔特布鲁格 |
| 本发明涉及一种可重复使用的含氮化硅坩埚以及该坩埚用于结晶硅的用途，该坩埚包括以下的至少一种：浓度＜19ppmw的硼(B)或含硼化合物；以及浓度＜3.7ppmw的磷(P)或含磷化合物。 | ||||||
| 45 | 氮化硅电路板 | CN96190008.3 | 1996-03-19 | CN1139117C | 2004-02-18 | 池田和男; 小森田裕; 佐藤孔俊; 小松通泰; 水野谷信幸 |
| 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。 | ||||||
| 46 | 氮化硅的自研磨 | CN96109404.4 | 1996-08-08 | CN1146375A | 1997-04-02 | D·斯蒂尔; W·沃尔科 |
| 本发明涉及一种氮化硅的研磨方法，所述氮化硅以悬浮体形式存在于液体中，其中研磨是自生进行的，并且氮化硅在悬浮体中的比例至少为30％(重量)。本发明优点在于工艺简单、廉价，并且可提高研磨后氮化硅的质量。 | ||||||
| 47 | 氮化硅细化装置 | CN202410029666.3 | 2024-01-09 | CN117680224A | 2024-03-12 | 田卓; 曹献莹; 王哲 |
| 本发明提供了一种氮化硅细化装置，属于粉碎装置技术领域，包括底座、罩壳、滤网、砧座和锤击组件，罩壳设在底座上，且上部设有投料口，下部设有出料口；滤网设在罩壳中部，且外边缘与罩壳密封连接，将罩壳分割为上部的锤击腔和下部的收集腔，滤网由外向内高度逐渐降低，且中部设有避让孔；砧座设在底座上，并位于收集腔，且顶部与避让孔密封连接；锤击组件设在罩壳的锤击腔内，并与砧座配合，以锤击物料。本发明通过一个装置涵盖锤击破碎和筛分两个工位，无需来回转运物料，有利于节省人力物力，也能避免产品受到污染，有利于保证产品品质，而且由于锤击的震动使得滤网不易堵塞，使得整个装置的维护也比较方便。 | ||||||
| 48 | 氮化硅电路板 | CN96190008.3 | 1996-03-19 | CN1145693A | 1997-03-19 | 池田和男; 小森田裕; 佐藤孔俊; 小松通泰; 水野谷信幸 |
| 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。 | ||||||
| 49 | 氮化硅细化装置 | CN202410029666.3 | 2024-01-09 | CN117680224B | 2024-11-19 | 田卓; 曹献莹; 王哲 |
| 本发明提供了一种氮化硅细化装置，属于粉碎装置技术领域，包括底座、罩壳、滤网、砧座和锤击组件，罩壳设在底座上，且上部设有投料口，下部设有出料口；滤网设在罩壳中部，且外边缘与罩壳密封连接，将罩壳分割为上部的锤击腔和下部的收集腔，滤网由外向内高度逐渐降低，且中部设有避让孔；砧座设在底座上，并位于收集腔，且顶部与避让孔密封连接；锤击组件设在罩壳的锤击腔内，并与砧座配合，以锤击物料。本发明通过一个装置涵盖锤击破碎和筛分两个工位，无需来回转运物料，有利于节省人力物力，也能避免产品受到污染，有利于保证产品品质，而且由于锤击的震动使得滤网不易堵塞，使得整个装置的维护也比较方便。 | ||||||
| 50 | 氮化硅质烧结体 | CN202380023526.9 | 2023-02-13 | CN118871407A | 2024-10-29 | 广濑康平; 齐藤慎太郎; 藤崎宏; 古久保洋二 |
| 本发明的氮化硅质烧结体含有氮化硅粒子和钇硅氧氮化物(Yttrium Silicon Oxynitride)粒子，气孔率为14％以下。 | ||||||
| 51 | 多层氮化硅膜 | CN202280084045.4 | 2022-11-10 | CN118475717A | 2024-08-09 | 李世远; 金武性; 李彰原; 雷新建 |
| 使用沉积方法的组合沉积多层氮化硅膜的方法包括以下步骤：将衬底放入第一反应器中，和以(i)等离子体增强原子层沉积(PEALD)或等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)和(ii)如本文所述的PECVD之间交替的沉积方法序列并使用至少一种由本文所述的式A至C表示的包含至少三个Si‑N键和至少三个SiH3基团的硅前体化合物，在衬底表面的至少一部分上沉积第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，它们一起形成多层氮化硅膜。 | ||||||
| 52 | 氮化硅烧结基板 | CN202180044279.1 | 2021-06-29 | CN115702130A | 2023-02-14 | 满村典平; 草野大; 河合秀昭 |
| 提供一种氮化硅烧结基板，其在将氮化硅粉末烧结后未研磨的状态下，能够减少由形成于表面的氮化硅晶体形成的网格状构造引起的、作为脱模材料使用的氮化硼粉末等导致的污染、金属层等的层叠时的接合强度、绝缘耐性等问题的产生。一种氮化硅烧结基板，其是烧结后未研磨的状态的氮化硅基板，通过压汞法测定的细孔直径为1μm～10μm的细孔累积容积为7.0×10‑5mL/cm2以下，优选的是，其表面的Ra为0.6μm以下、峰顶点的算术平均曲率(Spc)的值为4.5[1/mm]以下。 | ||||||
| 53 | 氮化硅辐射管 | CN201911162729.8 | 2019-11-25 | CN110822427A | 2020-02-21 | 陈巨喜; 曾小锋 |
| 本发明提供一种氮化硅辐射管。所述氮化硅辐射管包括：管体，所述管体包括外管和内管，所述内管的内部设置有燃烧室,并且内管的底部固定连接有放火网；进气组件，所述进气组件设置于所述管体的一侧，所述进气组件包阔进气管，所述进气管一侧固定连接有第一法兰盘，并且进气管的内部设置有密封垫，所述进气管上设置有阀门；进气装置。本发明提供的氮化硅辐射管具有通过控制组件对空气的进入速度进行控制，便于对辐射管内部的燃烧进行控制，当需要停止燃烧时，关闭阀门，再手动向入气口中央拉动两个控制杆，密封条可以充分防止空气进入到燃烧室，防止燃烧室内部的燃气继续燃烧，产生不必要资源消耗。 | ||||||
| 54 | 一种氮化硅材料 | CN201811441790.1 | 2018-11-29 | CN109265179A | 2019-01-25 | 吴强德 |
| 本发明涉及一种氮化硅材料，所述氮化硅材料由以下重量百分比的各原料组成：氮化硅70～85％、纳米氮化硅5～15％、催化剂8～15％和碳化钨0.5～5％；所述氮化硅材料制成的隔热盘罩的制备方法，包括以下步骤：按上述重量百分比称取氮化硅、纳米氮化硅、烧结助剂和碳化钨，球磨混合均匀；将混料干燥制成基料；压制成型后，得到筒状素坯；在车床上加工成适当尺寸；将加工好的素坯放入烧结炉内，充入氮气烧结；停止加热，降温，于常压，打开炉门，自然冷却，得到毛坯；将毛坯在磨床上进行端面加工，即得成品。 | ||||||
| 55 | 氮化硅电开水炉 | CN201410535473.1 | 2014-09-24 | CN104296366A | 2015-01-21 | 闫四清 |
| 本发明涉及一种氮化硅电开水炉，由炉体，氮化硅发热体，进水口和出水口组成，在炉体底部中心有进水口，在炉体的底部固定安装有氮化硅发热体，在炉体的顶部有出水口，在炉体底部中心进水口的四周固定安装有氮化硅发热体，在炉体内进水口上设置一个进水腔，在进水腔的四周面向氮化硅发热体处开有在出水孔，进水直接冲在氮化硅发热体上；本发明结构简单，安全可靠，使用寿命长，省电，体积小，是一种适合于家庭、餐厅及公共场所使用的安全型快速开水炉。 | ||||||
| 56 | 一种氮化硅陶瓷 | CN201210496152.6 | 2012-11-28 | CN103848627A | 2014-06-11 | 李东炬 |
| 本发明涉及一种氮化硅陶瓷，属于陶瓷制备领域。本发明提供一种氮化硅陶瓷，该陶瓷的相对密度为98.8%~99.5%、断裂韧性为8.0MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为20.5GPa~21.5GPa。该氮化硅陶瓷强度高、致密性好、耐高温和耐磨优异，可广泛用于各种对材料强度要求高的领域，尤其适用于制作轴承滚动体。 | ||||||
| 57 | 氮化硅制造方法 | CN201210473382.0 | 2012-11-20 | CN103839800A | 2014-06-04 | 王桂磊; 秦长亮; 李俊峰; 赵超 |
| 本发明公开了一种氮化硅制造方法，包括：步骤c1，通入氨气和氮气并预稳定；步骤c2，通入硅烷；步骤c3，射频点火；步骤c4，沉积氮化硅；步骤c5，氮气等离子体处理氮化硅。依照本发明的张应力氮化硅制造方法，采用氮气等离子轰击来增强Si-N键合力从而提高薄膜密度，提高了张应力氮化硅的抗酸性，使其能适用于集成在双应变衬层后栅工艺中，有效提高了器件的性能和可靠性。 | ||||||
| 58 | 氮化硅点火器 | CN200610161406.3 | 2006-12-08 | CN101173766A | 2008-05-07 | 蒋仁会 |
| 氮化硅点火器，涉及可燃气体的点火技术领域。点火头内设有发热元件，点火头连接在绝缘陶瓷的一端，发热元件的两端连接导线，导线穿过绝缘陶瓷。点火头使用的是耐高温的氮化硅陶瓷材料，氮化硅点火头内装有发热元件，点火头插置在绝缘陶瓷的上端，用高温胶将它们粘接在一起。穿过绝缘陶瓷的导线与外部的控制电路连接。使用时，接通电路，发热元件在10秒内把氮化硅陶瓷材料表面温度升高到1200℃左右，利用高温的热表面将可燃气体点燃。当气体点燃后断开电路，停止对发热元件供电。本发明稳定性高；同时因为本发明减少了电子元器件的使用，避免了老化的问题，延长了使用寿命。 | ||||||
| 59 | 氮化硅锰铁合金 | CN200510123878.5 | 2005-11-24 | CN1775980A | 2006-05-24 | 盛国大; 言方定 |
| 本发明为一种用于炼钢合金化的氮化硅锰铁合金，按重量百分比其组成为：Mn：30－80％；Si：10－60％；N：8－35％，余量的铁及不可避免的杂质。该合金能替代铌铁、钒铁等进行炼钢微合金化，提高钢材强度等优点，使用该合金可以保证钢材性能满足技术规范的要求。 | ||||||
| 60 | 氮化硅基板及氮化硅电路基板 | CN201980042187.2 | 2019-08-05 | CN112292912B | 2024-03-08 | 青木克之; 深泽孝幸; 门马旬; 岩井健太郎 |
| 本发明提供一种氮化硅基板，其特征在于，其是由具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体制成的氮化硅基板，其中，氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面中，在单位面积10μm×10μm中存在的氮化硅晶粒中在晶粒内具有位错缺陷部的粒子的比例以个数比例计为0％～20％。在制成电路基板时能够提高耐蚀刻性。 | ||||||
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