| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 氮化硅陶瓷电加热器 | CN201710979483.8 | 2017-10-19 | CN108024396A | 2018-05-11 | 王天甜; 周璐; 王万年; 唐慧; 唐洪珍; 李勇; 张永利 |
| 本发明提供一种氮化硅陶瓷加热器，涉及香烟加工领域，包括加热芯、外壳；所述加热芯内部设有均匀分布绕制在条形基质上的加热丝，所述加热丝外部包有氮化硅陶瓷基材；所述外壳下方设有空槽，所述加热芯安装在空槽内部，所述加热芯与外壳之间安装有铂电阻PT100；本装置主要是对烟支加工国产中的包装进行快速固定，如烟支滤嘴、烟杆、外部包装盒等，由于陶瓷加热芯内部的加热丝分布的均匀，加热时发热区的温升也均匀，冷态阻值低，随温度上升阻值递增，热效率高，实现温度上升快，无明火，使用安全，发热丝与空气绝缘，防止氧化等特点。 | ||||||
| 102 | 高纯度氮化硅反应炉 | CN201710777924.6 | 2017-09-01 | CN107726866A | 2018-02-23 | 王占营; 刘宗才; 王占军; 付随州; 王兵; 王帅印; 王亚辉; 王志永 |
| 本发明公开了一种高纯度氮化硅反应炉，它包括炉壳、炉膛和炉盖，所述炉膛的两侧分别设置有侧加热管，所述侧加热管通过电极与外部电源连接，所述炉膛的下部设置有支柱和托板，所述托板上能够放置料盒，其特征是：所述托板和所述炉膛的底壁之间设置有下加热管，所述下加热管与所述电极连接。所述炉膛内设置有气体循环装置，所述气体循环装置包括轴流风扇和电机，所述轴流风扇设置在所述炉膛的下端，所述电机设置在炉壳外部，所述轴流风扇和所述电机通过磁耦合连接。本发明在炉膛的底部加入适量的加热体，使下部温度提高到和上部一样，降低甚至消除温差，并且通过轴流风扇的作用，使炉膛内的温度达到充分的均匀，保证了产品质量。 | ||||||
| 103 | 氮化硅陶瓷的制备方法 | CN201710841007.X | 2017-09-18 | CN107673765A | 2018-02-09 | 玄伟东; 任忠鸣; 赵登科; 刘利俊; 兰健; 李传军 |
| 本发明公开了一种氮化硅陶瓷的制备方法，将碳化硅粉、烧结助剂、添加剂、粘结剂以及设定量的无水乙醇均匀混合形成混合浆料，将混合浆料进行球磨至少24h后，对混合浆料进行干燥，得到混合物粉末；再进行造粒，然后在不低于16MPa压力下进行干压成型，得到素坯；然后在氮气气氛条件下，并在不低于1750℃的烧结温度下，将素坯进行常压烧结，控制烧结保温时间不低于2h，完成烧结工艺后，再进行冷却，即得到氮化硅陶瓷材料。本发明方法能实现在常压下烧结制备氮化硅陶瓷，工艺简单，可操作性强，生产周期较短，制备成本低廉，所制备的氮化硅陶瓷强度高、抗热震性能好、热效率较高，便于大规模生产制造。 | ||||||
| 104 | 氮化硅膜蚀刻溶液 | CN201710533301.4 | 2017-07-03 | CN107573940A | 2018-01-12 | 柳浩成; 韩承弦; 张郁; 金允澈 |
| 本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液，上述氮化硅膜蚀刻溶液同时包含：第一硅烷化合物，硅原子与三个以上的亲水性官能团独立地相结合；第二硅烷化合物，硅原子与一个或两个亲水性官能团独立地相结合。 | ||||||
| 105 | 氮化硅晶须的制备方法 | CN201710750757.6 | 2017-08-28 | CN107557866A | 2018-01-09 | 韩召; 刘在翔 |
| 本发明提出了一种氮化硅晶须的制备方法，包括以下步骤：1)在-50℃～50℃条件下，将有机溶剂与液氨依次混合，形成有机溶剂在下液氨在上的两相溶液；2)将二氯硅烷注入有机溶剂层，搅拌将二氯硅烷扩散至有机溶剂-液氨界面，进行氨解，过滤得到氨解前驱物；3)在惰性气体、氨气或者两者的混合气体中，将氨解前驱物进行热解，热解温度为1300～1500℃，即可获得氮化硅晶须；其中，所述有机溶剂为能够溶解二氯硅烷的有机溶剂。该制备方法获得的氮化硅晶须具有晶须纯度高、形貌一致性好、产品质量稳定等优点。 | ||||||
| 106 | 低应力低氢型LPCVD氮化硅 | CN201680028363.3 | 2016-05-09 | CN107533974A | 2018-01-02 | N·S·德拉斯 |
| 在所描述的示例中，一种微电子器件(102)包含高性能氮化硅层，此氮化硅层的化学计量在2原子百分比(at％)内，具有低应力为600MPa到1000MPa，并且具有小于5原子百分比的低氢含量，由LPCVD工艺形成。LPCVD工艺使用氨气NH3和二氯甲硅烷DCS气体，其比率为4比6，压力为150毫托至250毫托，并且温度为800℃至820℃。 | ||||||
| 107 | 一种氮化硅脱气转子 | CN201611151827.8 | 2016-12-14 | CN106762821A | 2017-05-31 | 徐叶新 |
| 本发明公开了一种氮化硅脱气转子，包括转子轴和转盘，转子轴为管状，转子轴顶端带有外螺纹，外螺纹中部开有一号通孔，所述转盘底部设有管道，管道具有与外螺纹相配的内螺纹，所述内螺纹中部开有二号通孔。本发明与传统技术相比，将转子轴与转盘分离设计，当一方损坏后，只需进行部分零件更换即可重新运作，节约了维护成本，也提高了工作效率。 | ||||||
| 108 | 一种生产氮化硅的系统 | CN201510768516.5 | 2015-11-11 | CN106672922A | 2017-05-17 | 银波; 夏高强; 范协诚; 宋高杰 |
| 本发明公开了一种生产氮化硅的系统，包括：第一反应器；加热装置，该加热装置与所述第一反应器连接；淋洗塔，该淋洗塔的第一进料口与所述加热装置连接。该系统可以将制备过程中生成的氨气再利用与第二氯硅烷反应，重新生成了制备氮化硅所需的中间体第二含氮硅烷化合物，从而节约了成本。 | ||||||
| 109 | 氮化硅陶瓷滤砂管 | CN201510520614.7 | 2015-08-21 | CN106468159A | 2017-03-01 | 吴建平; 高雪峰; 智勤功; 张锡娟; 马丁; 赵汝涛; 王东; 陈刚 |
| 本发明公开了氮化硅陶瓷滤砂管，包括中心管、氮化硅陶瓷环，所述中心管上依次并列套装多个氮化硅陶瓷环并且中心管在套装氮化硅陶瓷环的位置开设均布的径向通孔。所述氮化硅陶瓷环的内径径向厚度小于外径径向厚度，即该陶瓷环的横截面类似梯形。所述氮化硅陶瓷环轴向两端面设置有凸台。所述套装在中心管上的氮化硅陶瓷环的整体轴向两端设置有同样套装在中心管上的压帽，分别为上压帽和下压帽。所述压帽和中心管之间设置焊接套，焊接套焊接在中心管上，然后压帽通过丝扣的方式拧在焊接套外壁夹紧氮化硅陶瓷环。本发明可有效防止井下高温砂液的冲刷，极大地延长稠油热采井的防砂有效期，降低作业成本，提高整体开发效果。 | ||||||
| 110 | 双层氮化硅减反射膜 | CN201410020311.4 | 2014-01-17 | CN103746005B | 2016-08-17 | 竺峰; 赵国成 |
| 本发明公开了一种双层氮化硅减反射膜及其制备方法。该双层氮化硅减反射膜，包括沉积在硅片上的钝化层和减反射层，所述减反射层沉积在钝化层上，其特征在于：所述钝化层的折射率为2.25～2.45，膜厚为30～40nm，所述减反射层的折射率为1.95～2.05，膜厚为45～55nm。制备该双层减反射膜时，通过设定气体的流量、压强、射频功率、沉积时间、沉积温度等，具体采用PECVD法在硅片上沉积钝化层和减反射层。通过本方法能有效增加晶体硅表面钝化效果、减少晶体硅表面的太阳光反射效率，同时增加硅片对短波的吸收。 | ||||||
| 111 | 氮化硅膜的沉积方法 | CN201410857912.0 | 2014-10-08 | CN104831254A | 2015-08-12 | H·钱德拉; A·马利卡朱南; 雷新建; 金武性; K·S·卡瑟尔; M·L·奥尼尔 |
| 本文描述了形成氮化硅膜的方法。在一个方面，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括下述步骤：在反应器内提供衬底；向所述反应器内引入至少一种本文描述的具有至少一个SiH3基团的有机氨基硅烷，其中该至少一种有机氨基硅烷在衬底的至少一部分表面上反应以提供化学吸附层；使用吹扫气体吹扫所述反应器；向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm2范围的功率密度生成。 | ||||||
| 112 | 氮化硅膜制备装置 | CN201410704753.0 | 2014-11-26 | CN104372308A | 2015-02-25 | 陈五奎; 李军; 徐文州; 陈磊; 上官新龙 |
| 本发明公开了一种能够降低生产成本同时也能够避免铜电极被撞歪的氮化硅膜制备装置。该装置将炉门固定在托杆上，在需要打开炉门时，只需启动驱动装置使滑动块沿滑竿移动，滑块在移动的同时带动托架移动进而带动托杆移动，由于炉门固定在托杆上，托杆在移动时会打开炉门，由于铜电极设置在炉门的内侧中央，电极插孔设置在石英舟朝向炉门的一端，因而，在放置石英舟时，便可以调整石英舟放置的位置使铜电极准确的插入电极插孔内，有效避免了因盲目对准导致铜电极被撞歪的情况发生，另外，该装置的炉门开闭都是通过托杆的移动完成，不容易损坏驱动装置，可以大大降低生产成本。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。 | ||||||
| 113 | 一种氮化硅增韧陶瓷 | CN201210496629.0 | 2012-11-28 | CN103848639A | 2014-06-11 | 李东炬 |
| 本发明涉及一种氮化硅增韧陶瓷，属于陶瓷制备领域。本发明提供一种氮化硅增韧陶瓷，该陶瓷的相对密度为98.6%~99.4%、断裂韧性为10.5MPa·m1/2~11.8MPa·m1/2、维氏硬度为21.8GPa~22.6GPa。该氮化硅增强陶瓷强度高、致密性好、韧性明显提高，且耐高温和耐磨优异，可广泛用于各种对材料强度要求高的领域。 | ||||||
| 114 | 氮化硅膜制备装置 | CN201210232824.2 | 2012-07-06 | CN102732852A | 2012-10-17 | 陈五奎; 李军; 徐文州; 耿荣军; 查恩 |
| 本发明公开了一种能够使各种制程气体混合均匀的氮化硅膜制备装置。该氮化硅膜制备装置，包括真空沉积室，真空沉积室内设置有多个等离子反应器，真空沉积室上设置有进气口与抽气口，所述进气口上连接有气体混合装置，所述气体混合装置上设置有进口与出口，所述进口上连接有多个用于通入制程气体的进气管，所述出口与真空沉积室的进气口连通。先利用气体混合装置对各种制程气体进行混合，使其混合均匀后，再通入真空沉积室内进行反应，这样真空沉积室内各处的气体成分以及各成分的浓度都相同，可以使真空沉积室内不同地方的硅片表面沉积的氮化硅的成分以及膜厚都趋于一致，能够大大提高产品质量。适合在晶体硅太阳能生产设备领域推广应用。 | ||||||
| 115 | 氮化硅膜的形成方法 | CN201210093706.8 | 2012-03-31 | CN102618842A | 2012-08-01 | 许忠义 |
| 本发明提供一种氮化硅膜的形成方法，采用DCS气体与NH3反应生成氮化硅膜，按一预定义时间间隔控制所述DCS气体的通入和中断，即DCS气体呈现一种通断相互交替进行的形式，这种形式可以使得DCS气体充分与NH3反应，同时使得NH3在DCS气体中断时间内可以将残留的DCS气体清理掉，防止了残留DCS气体形成颗粒状物质堆积，提高了氮化硅膜的质量和产品的良率。 | ||||||
| 116 | 氮化硅智能电锅炉 | CN201010295138.0 | 2010-09-24 | CN101968261A | 2011-02-09 | 曹尚生 |
| 本发明公开了一种广泛用于加热生活及洗浴用水，工业用水以及采暖等使用的氮化硅智能电锅炉。所述的显示频(11)和控制按钮(12)装置在外壳(1)前面板上中部，内水箱(2)设置在外壳(1)内部，冷水入口(7)和热水入口(6)设置在内水箱(2)底部及外壳(1)右下端，热水出口(4)设置在外壳(1)右上端，且和内水箱(2)相连接，加热体(10)材质为氮化硅，装置在内水箱(2)内下部，智能控制电路板(3)设置在外壳(1)右内侧中部。由于本发明采用纳米级氮化硅陶瓷作为发热元件，工作性能稳定，使用寿命长，热效率大幅提高，节水节电，无极恒温变频，操作方便，即开即用，进出水设计合理，外形精美，安全环保。 | ||||||
| 117 | 一种氮化硅烧成炉 | CN201010236150.4 | 2010-07-23 | CN101913577A | 2010-12-15 | 章体 |
| 本发明公开了一种氮化硅烧成炉，包括炉膛、设在炉膛顶端的封盖和包裹炉膛的炉壁，在炉膛与炉壁之间设有保温层，在炉膛内设有加热棒，所述炉壁包括内层壁和外层壁，在内层壁和外层壁之间设有水冷套，水冷套上接有进水管和出水管。本发明在氮化硅粉末烧成结束后实现炉体快速降温，炉膛致密性好，高温条件下不会出现膨胀，节省耗气量，提高生产效率，降低生产成本。 | ||||||
| 118 | 制备氮化硅膜的方法 | CN200580027656.1 | 2005-08-17 | CN101006195B | 2010-06-23 | C·迪萨拉; J-M·吉拉尔; 木村孝子 |
| 提供一种通过气相沉积制备氮化硅膜的方法，当使用三甲硅烷基胺作为前体时，该方法可得到具有优良膜性能的氮化硅膜，以及可在较低温度下以较高生长速率得到。解决方案：制备氮化硅膜的方法，所述方法特征在于向包含至少一个基体的反应室中供入气态三甲硅烷基胺和包含选自式(1)NR1R2R3胺类化合物(R1、R2和R3各自独立地选自氢和C1-6烃基)的至少两种胺类化合物的气态氮源以及通过将所述三甲硅烷基胺和所述氮源反应而在所述至少一个基体上形成氮化硅膜。 | ||||||
| 119 | 氮化硅体及其制造方法 | CN200780047049.0 | 2007-12-21 | CN101595077A | 2009-12-02 | V·K·普加利; W·T·柯林斯 |
| 使用氧化镧基烧结助剂可以形成致密化氮化硅体。所述组合物表现出的性质可以提供适用于各种得益于改善的磨损特性的应用的材料。所述组合物可以通过烧结和热等静压进行致密化。 | ||||||
| 120 | 氮化硅陶瓷的制备方法 | CN200910015236.1 | 2009-05-15 | CN101555141A | 2009-10-14 | 高礼文; 樊震坤; 许业静; 刘天程; 范勇; 刘宝英; 刘德军 |
| 本发明涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法，属于特种陶瓷基数领域，包括配料、成型和烧成，其特征在于其配料重量百分组成为：α－Si3N4粉82－88％、AL2O35－10％、ZrO23－6％和Y2O31－3％；将配料以水为介质球磨混合均匀后，再加入总配料重量的0.8－1.2％的聚乙烯醇混合1.5－3小时获得浆料，烘干造粒，在110－180MPa压力下等静压成型得坯体；将坯体装入氮化炉中，以氮气氛保护，控制烧成温度为1550－1720℃。成本低，易于实现产业化生产，拓宽其应用领域。 | ||||||
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