| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 一种改性高α相氮化硅粉体的制备方法 | CN201610644874.X | 2016-08-09 | CN107698264A | 2018-02-16 | 张红冉; 刘久明 |
| 本发明属于无机非金属粉体制备技术领域，具体涉及一种改性高α相氮化硅粉体的制备方法。其步骤是：将高纯硅块磨细成硅粉，按比例加入稀释剂混合。将混合料在真空高温氮化炉中，通入高纯氮气，升温至一定温度后进行氮化反应。将反应得到的氮化硅块经过粉碎、细磨工艺磨细至陶瓷级粉体要求的粒度，细磨过程中加入分散剂对氮化硅粉体进行改性。本发明制备的氮化硅粉体具有良好的分散性，α相大于90%，同时采用高纯硅块作为起始原料保证了生成氮化硅粉体的纯度，在氮化硅陶瓷烧结过程中有利于提高素坯密度和烧结活性。 | ||||||
| 22 | 一种高导热性能氮化硅陶瓷的制备方法 | CN201610017235.0 | 2016-01-12 | CN106957176A | 2017-07-18 | 吴诚; 刘久明 |
| 本发明提供一种高导热性能氮化硅陶瓷的制备方法。本发明中的高热导氮化硅陶瓷是以β- Si3N4粉体与外加10%-15%高纯AlN粉体和外加10%-20%助熔剂质量比例混合，采用热压烧结技术制备。在制备过程中，先将混合后的粉料放在4MPa压力下成型，然后放入石墨模具中，在10-35MPa、1650℃-1850℃、保温时间1-10h条件下热压烧结。本发明制备的氮化硅陶瓷的热导率能达到100W/(m.k)，三点抗折强度能达到850 MPa。 | ||||||
| 23 | 一种粒度级配改善氮化硅涂层致密性的方法 | CN201610736037.X | 2016-08-26 | CN106277823A | 2017-01-04 | 颜记朋; 刘久明 |
| 本发明属于新材料领域，提供了一种粒度级配改善氮化硅涂层致密性的方法，包括：（1）将不同粒度的氮化硅粉体中两种或三种，按照一定比例进行混合来实现粒度级配；（2）将粒度级配得到的氮化硅粉、硅溶胶与水，按一定比例混合，搅拌至均匀，对石英坩埚样片进行喷涂，制备石英坩埚样片，做扫描测试，观测涂层的致密性。观测到的石英坩埚样片，涂层的致密性得到明显的改善，空隙、裂纹明显减少，多晶硅铸锭用涂层质量得到极大地提高。本方法操作简单、实施有效，制备的涂层致密性好，能降低多晶硅锭的废料量，有效节约成本，适用于大规模工业生产。 | ||||||
| 24 | 一种注浆成型制备致密氮化硅陶瓷材料的方法 | CN201810579064.X | 2018-06-07 | CN109734454A | 2019-05-10 | 曹献莹; 刘久明; 吴诚 |
| 本发明提出一种注浆成型制备致密氮化硅陶瓷材料的方法，属于先进陶瓷技术领域。该发明通过对氮化硅粉体进行表面修饰，添加烧结助剂后制备高固相含量的陶瓷料浆，利用氨水调节PH值使浆料具有良好流动性，经过注浆、固化脱模、干燥和烧结得到氮化硅陶瓷材料。本发明对氮化硅陶瓷粉体进行表面修饰，可制得高固含量的浆料，通过注浆工艺，实现氮化硅颗粒的密堆积，再通过烧结制备得到高致密的氮化硅陶瓷材料，整个生产过程及设备简单、无须加压，且生产成本低、效率高。 | ||||||
| 25 | 一种改善氮化硅粉体粒径及分布的球磨方法 | CN201710678287.7 | 2017-10-10 | CN109650904A | 2019-04-19 | 田卓; 刘久明; 吴诚 |
| 本发明公开了一种改善氮化硅粉体粒径及分布的球磨方法，包括以下步骤：步骤一、根据球磨罐容积的40%~70%称取陶瓷粉体、球磨介质和磨球总量；步骤二、按步骤一所指定的总球磨容量，按照磨球：粉体：球磨介质=2~10:1:0.6~1.2的质量比分别称取磨球、陶瓷粉体和球磨介质，以及占总质量比为1%的减水剂；步骤三、将上述称取好的各组分分装入球磨罐中进行球磨，球磨的时间为4~10h；步骤四：将步骤三得到的浆料放出烘干。本发明的球磨方法球磨所得的陶瓷粉体杂质含量低、粒度小、粒径分布窄，生产效率高，是一种值得推广应用的改善氮化硅粉体粒径及分布的球磨方法。 | ||||||
| 26 | 一种高纯高α相氮化硅粉体的制备方法 | CN201610724383.6 | 2016-08-26 | CN106395769A | 2017-02-15 | 颜记朋; 刘久明 |
| 本发明属于新材料领域，提供了一种高纯高α相氮化硅粉体的制备方法，依次按照以下步骤进行：（1）选用高纯度硅粉作为原料，对其表面进行活化处理；（2）由高纯硅粉与氮化硅粉混合均匀，压块，装炉；（3）抽真空达到（1.0~4.0）×10-2 Pa；（4）向炉内通入氮气和氢气；（5）优化温度曲线，在1100~1400℃长时间脉冲点式增温，更精确的控制反应温度和速度；（6）多级净化纯化贯穿工艺流程，使生产过程中引入的杂质得到有效清除，从而获得高纯高α相氮化硅粉体。本方法切实有效，制备的氮化硅纯度高、α相含量高，能耗低，生产成本低，适用于大规模工业生产。 | ||||||
| 27 | 一种控制氮化硅粉体粒度的热处理方法 | CN201610604968.4 | 2016-07-29 | CN106276825A | 2017-01-04 | 张嵘; 刘久明 |
| 本发明属于热处理技术领域，具体为一种控制氮化硅粉体粒度的热处理方法，包括以下步骤（：1）首先将氮化硅粉体装到耐高温容器中，然后置于热处理炉中，向热处理炉内通入氮气以排除炉内空气（；2）向（1）中已排除空气的热处理炉内继续通入氮气，在炉内氮气流速稳定的条件下，将氮化硅粉体先升温至1300~1700℃后保温0.5~5h，然后随炉冷却至室温，停止通入氮气。本发明提供的热处理方法，能有效调整氮化硅粉体粒度，从而满足不同喷涂工艺下氮化硅涂层致密性和结合性的需要。 | ||||||
| 28 | 一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法 | CN201610606052.2 | 2016-07-29 | CN106220188A | 2016-12-14 | 张嵘; 刘久明 |
| 本发明涉及一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法，属于氮化硅粉体的制备技术领域。具体步骤为：首先在高纯硅粉中加入氮化硅稀释剂，混合均匀得到氮化反应原料，然后控制氮化反应条件得到氮化硅，最后将反应得到的氮化硅经气流磨磨细分级得到窄粒度分布的高纯氮化硅粉体。该工艺不使用添加剂，多级粒度精确配比的粒料层可以充分利用反应放出的热能，多级净化纯化保证产品纯度，是一条经济、高效、环保且可进行大规模生产的工艺。 | ||||||
| 29 | 一种高含量α晶形氮化硅粉末的生产方法 | CN201110025965.2 | 2011-01-25 | CN102173396A | 2011-09-07 | 王会贤; 崔航航; 刘青兰; 郭留洋; 郭晶晶; 陈彤; 李苇娜; 车翰卿; 吕品品; 马腾飞 |
| 本发明公开了一种氮化硅粉末的生产方法，尤其涉及一种α-Si3N4含量较高的生产新方法，属无机化学技术领域。该方法首先采用机械活化对原料粉体进行预处理，并在硅粉常压高温直接氮化时加入α-Si3N4和纳米非晶Si3N4混合作为稀释剂。通过控制稀释剂的添加比例、氮化时间和温度，合成高α相含量的氮化硅粉。该工艺提高了固相反应剂活性，强化了Si和N2反应。不需要高温高压环境，操作简单，原料易得，产品纯度高、低成本、高效、环保安全、节能，是一条经济、高效、且可进行大规模生产的工艺。 | ||||||
| 30 | 氮化硅基板 | CN202280018990.4 | 2022-03-15 | CN116964020A | 2023-10-27 | 加贺洋一郎; 福本怜; 岛田馨 |
| 若制作大尺寸的高热导率的氮化硅基板，则存在产生热导率低的部位且成品率(合格率)降低的课题。一种氮化硅基板，其中，基板中心部的热导率λc与基板端部的热导率λe的比率即λe/λc为0.85～1.15。上述氮化硅基板优选为150mm×150mm以上的尺寸。上述氮化硅基板的上述λc和上述λe优选为100W/m·K以上。 | ||||||
| 31 | 氮化硅粉末 | CN202280082352.9 | 2022-12-16 | CN118401467A | 2024-07-26 | 河合秀昭; 石本龙二 |
| 本发明提供一种氮化硅粉末，其特征在于，β化率为80％以上，晶体应变为1.0×10‑3以上。根据本发明，可以提供一种即使在1800℃左右的低温下烧结性也高的氮化硅粉末。 | ||||||
| 32 | 一种高纯氮化硅用袋式除尘器 | CN201420789170.8 | 2014-12-15 | CN204319969U | 2015-05-13 | 刘久明 |
| 本实用新型涉及一种高纯氮化硅用袋式除尘器，其包括除尘箱体、设置在所述除尘箱体上的尘气入口、净气出口、设置在所述除尘箱体下部的灰斗和设置在所述除尘箱体内部的除尘滤袋，所述除尘箱体的内壁上固定设置有橡胶层。本实用新型结构简单，操作方便，能够有效避免金属杂志污染高纯氮化硅，保证了氮化硅的纯度。 | ||||||
| 33 | 一种添加复合助剂制备高致密度氮化硅陶瓷的方法 | CN201610017072.6 | 2016-01-12 | CN105541341A | 2016-05-04 | 张红冉; 刘久明 |
| 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种添加复合助剂制备高致密度氮化硅陶瓷的方法。按以下质量百分比的组成配料：氮化硅70～90％，金属氧化物4～15％，稀土氧化物3～12％，粘结剂0.5～3％，二氧化硅0～8％，氟化铯0～3％，分散剂0～1％，消泡剂0～0.15％。将上述原料与磨介球、分散介质混合后烘干、过筛，得到造粒粉；将造粒粉放入模具中压制成素坯，干燥后放入烧结炉中，在氮气保护下烧结得到高致密度的氮化硅陶瓷。本发明的制备方法可实现常压下烧结氮化硅陶瓷，操作简单，方便可行，成本低，适合工业化生产。此外烧结得到的氮化硅陶瓷致密性好，抗弯强度高，可广泛用作机械、冶金、航天等领域的结构件材料。 | ||||||
| 34 | 一种布袋除尘器回收粉尘中氮化硅提纯回收系统及回收方法 | CN202510044163.8 | 2025-02-07 | CN119771317A | 2025-04-08 | 田卓 |
| 本发明提供一种布袋除尘器回收粉尘中氮化硅提纯回收系统及回收方法，涉及氮化硅粉回收技术领域；其包括依次相接的浆化装置、超声波振动筛、强磁除杂装置及反应罐。其中，浆化装置包括用于使粉尘与纯水混合成浆液的混合罐。超声波振动筛的输入口与混合罐的输出端相接，用于构成对浆液的筛选。强磁除杂装置包括与超声波振动筛的输出口相接以供浆液流动的流道，以及设于流道上的铁磁棒；反应罐包括反应罐，反应罐包括与流道的末端相接的进浆口，且反应罐上还设有用于供除杂液进入的进液口，用于供纯水进入的进水口，以及供处理液流出的流出口，且反应罐内还设有用于搅拌反应罐内的液体的搅拌单元。本发明的布袋除尘器回收粉尘中氮化硅提纯回收系统能够较好的回收氮化硅粉，避免资源浪费。 | ||||||
| 35 | 一种多晶硅铸锭用硅夹层氮化硅涂层的制备方法 | CN201610485333.7 | 2016-06-29 | CN105862123A | 2016-08-17 | 张嵘; 刘久明; 颜记朋 |
| 本发明涉及一种多晶硅铸锭用硅夹层氮化硅涂层的制备方法，其制备方法如下：（1）将氮化硅粉体、硅溶胶和超纯水混合均匀得到乳浆状氮化硅溶液；（2）将硅粉、硅溶胶和超纯水混合均匀得到乳浆状硅溶液；（3）在坩埚底部和内壁均匀地喷涂步骤（1）得到的氮化硅溶液，烘干后在坩埚底部刷涂步骤（2）得到的硅溶液，再次烘干后在坩埚底部和内壁二次喷涂步骤（1）得到的氮化硅溶液的剩余部分。本发明在氮化硅涂层中设计硅夹层，硅夹层可与坩埚底部扩散进入的杂质氧反应，避免氧扩散到硅锭中，有效减小硅锭底部杂质区域的宽度，从而减小硅锭开方时底部切除宽度，减少了资源的浪费，节约生产成本，适合多晶硅铸锭工业规模化应用。 | ||||||
| 36 | 一种粒度级配改善光伏级氮化硅粉悬浮性的方法 | CN201610017071.1 | 2016-01-12 | CN105600759A | 2016-05-25 | 颜记朋; 刘久明; 张嵘 |
| 本发明属于新材料领域，提供了一种粒度级配改善光伏级氮化硅粉悬浮性的方法，包括：1)将不同粒度的氮化硅粉体中两种或三种，按照一定比例进行混合来实现粒度级配；2)将粒度级配得到的光伏级氮化硅粉与水，按一定比例混合，搅拌至均匀，得到悬浮性好的氮化硅悬浊液。粒度级配得到的光伏级氮化硅粉体，悬浮性得到明显的改善，沉降质量显著降低，多晶硅铸锭用涂层质量得到极大地提高。本方法操作简单、实施有效，制备的涂层致密性好，能降低多晶硅锭的废料量，有效节约成本，适用于大规模工业生产。 | ||||||
| 37 | 氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 | CN201980042179.8 | 2019-07-30 | CN112313191B | 2022-11-15 | 青木克之; 岩井健太郎; 深泽孝幸; 门马旬; 佐野孝 |
| 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是具备氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体，其中，在至少一部分上述氮化硅晶粒的内部，存在位错缺陷部。在氮化硅烧结体的任意的截面或表面，可见到全部轮廓的任意的50个上述氮化硅晶粒中的上述至少一部分上述氮化硅晶粒的数目的比例为50％～100％。使用了氮化硅烧结体的氮化硅基板的厚度优选为0.1mm～0.4mm的范围内。另外，将氮化硅基板用于氮化硅电路基板，能够提高TCT特性。 | ||||||
| 38 | 氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 | CN201980042179.8 | 2019-07-30 | CN112313191A | 2021-02-02 | 青木克之; 岩井健太郎; 深泽孝幸; 门马旬; 佐野孝 |
| 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是具备氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体，其中，在至少一部分上述氮化硅晶粒的内部，存在位错缺陷部。在氮化硅烧结体的任意的截面或表面，可见到全部轮廓的任意的50个上述氮化硅晶粒中的上述至少一部分上述氮化硅晶粒的数目的比例为50％～100％。使用了氮化硅烧结体的氮化硅基板的厚度优选为0.1mm～0.4mm的范围内。另外，将氮化硅基板用于氮化硅电路基板，能够提高TCT特性。 | ||||||
| 39 | 氮化硅烧结体 | CN202280100594.6 | 2022-10-19 | CN119968349A | 2025-05-09 | 松本理; 高桥光隆 |
| 【问题】为了减小烧结后的冷却时的体积收缩、减少氮化硅烧结体中的孔隙、减小氮化硅烧结体的翘曲。【解决方案】提供了一种氮化硅烧结体，其是包含氮化硅和由烧结助剂形成的晶界相的氮化硅烧结体，其使用如下材料烧结而成：在氮化硅粉末中添加作为烧结助剂的MgO 2～3质量％，并且添加氧化态为3的稀土类氧化物2.7～4质量％(但是，其用量大于所述MgO。)，其中，所述晶界相为无定形结构，在使用具备半导体检测器的X射线衍射装置得到的X射线衍射图案中，存在于衍射角2θ为28°～32°范围的晶界相中的晶体化合物的峰中，最大的积分强度相对于氮化硅(101)面的积分强度为2.4％以下。 | ||||||
| 40 | 氮化硅蚀刻方法 | CN202210029447.6 | 2022-01-12 | CN114050107B | 2022-04-12 | 廖军; 张志敏 |
| 本发明提供了一种氮化硅蚀刻方法，包括：提供一衬底，衬底上具有氮化硅层；执行氧化工艺，在氮化硅层上形成氮氧化硅层；形成图形化的掩模层，图形化的掩模层覆盖氮氧化硅层；对氮氧化硅层及氮化硅层执行干法蚀刻工艺，并以标准蚀刻终点时间监控干法蚀刻工艺，其中，标准蚀刻终点时间利用氮化硅层的厚度、氮氧化硅层的厚度、氮化硅层的蚀刻速率以及氮氧化硅层的蚀刻速率建立。本发明中，利用氮氧化硅层覆盖氮化硅层以防止氮化硅层在重工工艺中氧化，使得经重工的衬底和未重工的衬底具有相同的结构，从而可以利用标准蚀刻终点时间对干法蚀刻工艺进行监控，以达到解决干法蚀刻机台因重工图形化的掩模层的衬底报警的问题。 | ||||||
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