| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 硅的各向异性湿式蚀刻 | CN200410031450.3 | 2004-02-10 | CN1271689C | 2006-08-23 | 青岛知保 |
| 通过热氧化作用在硅基底的一个主表面上形成硅氧化物膜，之后，用CVD在硅氧化物膜上形成硅氮化物膜。选择性地干式蚀刻硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层，以形成掩模开口(22)并留下由叠层被留下的区域所组成的蚀刻掩模。通过利用蚀刻掩模用例如TMAH的碱性蚀刻剂选择性并且各向异性地蚀刻基底，以形成基底开口。通过设定硅氧化物膜的厚度与硅氮化物膜的厚度的比例为1.25或者更大，优选地是1.60或者更大，则可能避免开口内壁蚀刻形状的变形和蚀刻掩模中的裂纹。 | ||||||
| 122 | 各向异性导电粘接薄膜 | CN01118419.1 | 2001-05-30 | CN1227319C | 2005-11-16 | 苏春辉; 许素莲; 张洪波; 端木庆铎; 董树歧 |
| 各向异性导电粘接薄膜属于一种层结构膜状化工产品，具有异向导电性和粘接性。其特点是，它只由主剂层和固化剂层构成。主剂层由混合树脂和导电粒子组成。混合树脂由环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛和/或酚醛树脂按2～4∶1∶1的重量配比混合而成。固化剂层由聚乙烯醇缩丁醛或聚乙烯醇树脂加潜固化剂595组成。潜固化剂595与主剂层中的环氧树脂的重量配比为3∶20。薄膜总厚度在30～50μm之间。所制得的异向导电粘接薄膜可应用于微电子领域精细电路中微小电极的连接。 | ||||||
| 123 | 各向异性导电薄板 | CN200510053704.6 | 2005-03-10 | CN1668163A | 2005-09-14 | 长谷川美树 |
| 本发明提供一种能够可靠传递高速数字信号的各向异性导电薄板。该各向异性导电薄板，在规定的条件下在厚度方向具有导电性，包括：介电常数小于等于2.28和/或介电损耗小于等于0.025的绝缘矩阵部件；以及在上述规定的条件下在上述厚度方向具有导电性的导电部件；可在表背面间通电的上述导电部件分布在上述矩阵部件间；上述导电部件和上述矩阵部件化学偶联。特别是，上述矩阵部件由具有均质微单元结构体即发泡结构树脂发泡体的树脂材料构成，至少一个上述导电部件可构成为导电弹性体。 | ||||||
| 124 | 各向异性干腐蚀方法 | CN99100230.X | 1999-01-19 | CN1113396C | 2003-07-02 | 原岛启一 |
| 在相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜有选择地各向异性地干腐蚀氮化硅膜的方法中，衬底温度被设置在10℃或更低，并且包含氟、碳和氢的复合气体与一氧化碳(CO)相混合的气体被用做反应气体。借助于这种方法，有可能相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜的任意一种有选择地各向异性地干腐蚀氮化硅膜。 | ||||||
| 125 | 各向异性导电组合物 | CN97192133.4 | 1997-02-07 | CN1096686C | 2002-12-18 | 横山明典; 森彻 |
| 一种各向异性导电组合物，此组合物含有1重量份的氧含量10-10000ppm的铜合金粉和0.5-250重量份的有机粘合剂，其中，在铜合金粉粒子的表面上有铜化合物存在。 | ||||||
| 126 | 各向异性导电连接材料 | CN01116856.0 | 2001-03-15 | CN1315760A | 2001-10-03 | 齐藤雅男 |
| 各向异性导电连接材料,在相对的基板进行各向异性导电连接时,即使使用设有ITO电极的塑料基板时电极上也不发生裂纹,且老化后也不降低连接可靠性。由导电性粒子分散到绝缘性粘结剂中而构成的各向异性导电连接材料配置在第1和第2基板的连接端子之间,通过热压粘处理在确保两者导通的同时使其连接。作为导电性粒子,使用压粘温度下的基弹性模量为压粘温度下第1基板的弹性模量的200%以下的导电性粒子。另外,更优选使用压粘温度下的其弹性模量为25℃下的其弹性模量的60～90%的作为导电性粒子。 | ||||||
| 127 | 各向异性导电组合物 | CN97192133.4 | 1997-02-07 | CN1210614A | 1999-03-10 | 横山明典; 森彻 |
| 一种各向异性导电组合物,此组合物含有1重量份的氧含量10—10000ppm的铜合金粉和0.5—250重量份的有机粘合剂,其中,在铜合金粉粒子的表面上有铜化合物存在。 | ||||||
| 128 | 硅的湿法各向异性蚀刻 | CN202180082297.9 | 2021-11-29 | CN116601741A | 2023-08-15 | 西蒙·乔舒亚·雅各布斯 |
| 一种碱性蚀刻溶液(40)，包含氢氧化物盐(10)(例如，碱金属氢氧化物、氢氧化铵或其组合)、具有至少三个羟基(‑OH)基团的多元醇(20)和水(30)。还提供了一种生产半导体器件的方法，所述方法包括：获得具有掩蔽表面和未掩蔽表面的半导体衬底；将所述具有掩蔽表面和未掩蔽表面的半导体衬底暴露于碱性蚀刻溶液(40)，使得所述衬底的未掩蔽表面被各向异性地蚀刻，其中所述碱性蚀刻溶液(40)包含：氢氧化物盐(10)；具有至少三个羟基(‑OH)基团的多元醇(20)；以及水(30)；以及进行附加处理以生产所述半导体器件。 | ||||||
| 129 | 各向异性导电薄膜 | CN201980052809.X | 2019-08-07 | CN112534650B | 2023-05-23 | 塚尾怜司; 谷口雅树 |
| 为导电粒子(1)配置缘性树脂层(2)的各向异性导电薄膜，具有如下导电粒子的粒子配置：导电粒子(1)以既定间距沿a方向配置的导电粒子的排列轴(a1)在与a方向以角度α斜交的b方向上排列有多个的第一斜方晶格区域(11)、及导电粒子(1)以既定间距沿a方向配置的导电粒子的排列轴(a2)在使前述b方向相对于a方向反转的c方向上排列有多个的第二斜方晶格区域(12)反复配置。由此，与端子排列的形状、电子部件的材质无关，在各端子处导电粒子被夹持，确保了良好的导通状态，也防止短路的发生。 | ||||||
| 130 | 各向异性纹理过滤 | CN202210884582.9 | 2022-07-25 | CN115701870A | 2023-02-14 | R·金 |
| 本发明涉及各向异性纹理过滤。本发明公开了一种执行各向异性纹理过滤的方法。该方法包括：生成描述纹理空间中的椭圆形覆盖区的一个或多个参数；在待采样的椭圆中的多个采样点中的每个采样点处执行各向同性过滤，该待采样的椭圆基于椭圆形覆盖区；以及组合多个采样点中的每个采样点处的各向同性过滤的结果，以通过线性插值序列生成组合结果，其中该线性插值序列中的每个线性插值包括将该序列中的前一个线性插值的结果与多个采样点中的一个或多个采样点的各向同性过滤结果相混合，用于线性插值的多个采样点中的一个或多个采样点相比用于该序列中的前一个线性插值的多个采样点中的一个或多个采样点更靠近椭圆形覆盖区的长轴的中点。 | ||||||
| 131 | 各向异性纹理过滤 | CN202210879140.5 | 2022-07-25 | CN115690297A | 2023-02-03 | R·金 |
| 本发明涉及各向异性纹理过滤。公开了一种执行各向异性纹理过滤的方法。方法包括：生成描述纹理空间中的椭圆形覆盖区的一个或多个参数；在待采样椭圆中的一组采样点中的每个采样点处执行各向同性过滤，以产生多个各向同性过滤器结果，待采样椭圆基于椭圆形覆盖区；基于该采样点组的一个或多个参数和待采样椭圆的一个或多个参数，选择各向异性过滤器的权重，这些权重在各向异性过滤器的方差与各向异性比率的平方相关的约束下，使得对各向异性过滤器的过滤器响应中的高频率进行罚分的代价函数最小化，各向异性比率是待采样椭圆的长半径与待采样椭圆的短半径的比率；使用所选择的权重组合多个各向同性过滤器结果，以生成过滤器结果的至少一部分。 | ||||||
| 132 | 光吸收各向异性板 | CN202210039671.3 | 2022-01-12 | CN114764158A | 2022-07-19 | 村野耕太; 小川步; 幡中伸行 |
| 本发明涉及光吸收各向异性板。其包括防二色性色素扩散效果优异且不易产生干涉不均的垂直取向型光吸收各向异性膜。在该膜的一面上隔着或未隔着取向膜邻接层叠第一防扩散层、在另一面上邻接层叠第二防扩散层，第一、第二防扩散层的厚度各自为0.05μm以上5μm以下，上述膜是聚合性液晶化合物和二色性色素以相对于膜平面沿垂直方向取向的状态固化而成，第一、第二防扩散层及光吸收各向异性膜的各折射率满足式(1)、(2)中至少一者：nλxy≤nλa≤nλz(1)，nλxy≤nλb≤nλz(2)，nλ表示波长589nm处的防扩散层或光吸收各向异性膜的折射率n；nλa、nλb分别表示第一、第二防扩散层的nλ；nλxy、nλz分别表示光吸收各向异性膜的与膜平面平行、垂直方向的nλ。 | ||||||
| 133 | 各向异性导电性膜 | CN201910329405.2 | 2016-01-13 | CN110265174B | 2022-06-28 | 佐藤大祐; 阿久津恭志; 小高良介; 田中雄介 |
| 本发明的各向异性导电性膜，即便是在如陶瓷制模块基板那样在表面有起伏的基板形成的端子也能以稳定的导通特性进行连接。本发明的各向异性导电性膜包含绝缘粘接剂层和俯视观察下规则排列在该绝缘粘接剂层的导电粒子。导电粒子直径为10μm以上，该膜的厚度为导电粒子直径的等倍以上且3.5倍以下。该膜的厚度方向的导电粒子的偏差幅度小于导电粒子直径的10％。 | ||||||
| 134 | 各向异性的外延生长 | CN202080045902.0 | 2020-05-07 | CN114072544A | 2022-02-18 | 秦嘉政; 阿布舍克·杜贝; 黄奕樵; 索拉布·乔普拉 |
| 通常，本文中描述的实例涉及用于在硅锗(SiGe)表面上各向异性地外延地生长材料的方法和半导体处理系统。在一个实例中，在基板上形成硅锗表面。外延硅锗外延地生长在硅锗表面上。外延硅锗的第一生长率沿着垂直于硅锗表面的第一方向，并且外延硅锗的第二生长率沿着垂直于第一方向的第二方向。第一生长率大于第二生长率至少5倍。 | ||||||
| 135 | 各向异性导电薄膜 | CN201980052809.X | 2019-08-07 | CN112534650A | 2021-03-19 | 塚尾怜司; 谷口雅树 |
| 为导电粒子(1)配置缘性树脂层(2)的各向异性导电薄膜，具有如下导电粒子的粒子配置：导电粒子(1)以既定间距沿a方向配置的导电粒子的排列轴(a1)在与a方向以角度α斜交的b方向上排列有多个的第一斜方晶格区域(11)、及导电粒子(1)以既定间距沿a方向配置的导电粒子的排列轴(a2)在使前述b方向相对于a方向反转的c方向上排列有多个的第二斜方晶格区域(12)反复配置。由此，与端子排列的形状、电子部件的材质无关，在各端子处导电粒子被夹持，确保了良好的导通状态，也防止短路的发生。 | ||||||
| 136 | 光学各向异性片材 | CN201510045440.3 | 2015-01-29 | CN104820255B | 2020-04-07 | 小林忠弘 |
| 本发明提供一种光学各向异性片材，是将基材和液晶固化膜层叠而得的光学各向异性片材，基材的1μm2视野中的表面粗糙度为1.0nm以下，基材的水接触角为70度以上。 | ||||||
| 137 | 各向异性导电性膜 | CN201680004711.3 | 2016-01-13 | CN107112067B | 2019-04-16 | 佐藤大祐; 阿久津恭志; 小高良介; 田中雄介 |
| 本发明的各向异性导电性膜，即便是在如陶瓷制模块基板那样在表面有起伏的基板形成的端子也能以稳定的导通特性进行连接。本发明的各向异性导电性膜包含绝缘粘接剂层和俯视观察下规则排列在该绝缘粘接剂层的导电粒子。导电粒子直径为10μm以上，该膜的厚度为导电粒子直径的等倍以上且3.5倍以下。该膜的厚度方向的导电粒子的偏差幅度小于导电粒子直径的10％。 | ||||||
| 138 | 各向异性连接构造体 | CN201680014091.1 | 2016-03-03 | CN107409467A | 2017-11-28 | 江鳥康二; 平山坚一; 久保出裕美 |
| 本发明提供一种抑制了因弯曲导致的导通电阻的增加的各向异性连接构造体。该各向异性连接构造体具备：能够弯曲的柔性基板；电子部件，其具有与前述柔性基板上的电极对置的凸块；以及各向异性导电粘接剂，其被夹持在前述电极与前述凸块之间，在前述凸块中，与前述电极形成电连接的面的弯曲方向的长度是前述柔性基板的弯曲直径的1/400以下。 | ||||||
| 139 | 磁各向异性磁体原材料 | CN201410341682.2 | 2009-12-23 | CN104143402B | 2017-05-24 | 日置敬子; 薮见崇生; 桥野早人 |
| 本发明提供磁各向异性磁体原材料，所要解决的课题是在不降低剩余磁通密度的情况下提高矫顽磁力，该磁各向异性磁体原材料具有以下构成：具有Pr‑T‑B‑Ga系的成分组成，其含有12.5～15.0原子％的Pr、4.5～6.5原子％的B、0.1～0.7原子％的Ga，余量由T和不可避免的杂质构成，其中，T是Fe或一部分Fe用Co置换的组成；该原材料的用剩余磁通密度(Br)/饱和磁通密度(Js)定义的磁取向度为0.92以上；该原材料的晶体粒径为1μm以下；该原材料的矫顽磁力为1600kA/m以上，且剩余磁通密度为1.20T以上；该原材料通过包括热塑性加工工序的制造方法来获得，所述热塑性加工工序中，通过热使成型体在加压方向上压缩，所述成型体所含的晶粒的易磁化轴在所述加压方向上取向。 | ||||||
| 140 | 各向异性导电粘接剂 | CN201580014903.8 | 2015-02-13 | CN106062119A | 2016-10-26 | 波木秀次; 蟹泽士行; 石神明; 青木正治 |
| 提供可得到优异的光学特性和放热特性的各向异性导电粘接剂。含有：在树脂粒子的最表面形成以Ag作为主要成分的金属层而得到的导电性粒子(31)；平均粒径比导电性粒子小的焊剂粒子(32)；平均粒径比焊剂粒子小的光反射性绝缘粒子；和分散导电性粒子(31)、焊剂粒子(32)和光反射性绝缘粒子的粘结剂。导电性粒子和光反射性绝缘粒子有效地反射光，提高LED安装体的光排出效率。另外，由于在压接时焊剂粒子(32)将端子间焊接接合，所以相对的端子间的接触面积增加，可得到高放热特性。 | ||||||
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