| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 多功能测倾及三角函数测算仪 | CN201310002533.9 | 2013-01-05 | CN103915016B | 2016-11-23 | 师海满 |
| 本发明涉及一种多功能测倾及三角函数测算仪，该测倾及三角函数测算仪包括底座、半圆仪、筒式瞄准器、水平双向标尺和悬垂标尺。其显著功能特征是，不仅具有传统测倾仪测量倾斜角的功能和水平准直功能，还具有测算倾斜率的功能，尤其是可以测算任意锐角的三角函数值。本发明结构简单，成本较低，大大降低了数学教学和学生活动中对三角函数表的依赖。 | ||||||
| 62 | 一种后金属栅极中功函数层调节方法 | CN201510608987.X | 2015-09-22 | CN105336692A | 2016-02-17 | 何志斌; 景旭斌 |
| 本发明涉及半导体器件优化领域，尤其涉及一种后金属栅极工艺中调节功函数层的方法，通过在高k后金属栅半导体工艺中，利用铝离子注入TiN并退火形成TiAlN，替代单独淀积的TiAl层实现NMOS功函数层。只用一次金属膜淀积就实现了N型和P型两种功函数层，还省去了一般后金属栅制程中的阻挡层及选择性去除工艺，大大地简化了制程，同时通过控制Al的注入量也更容易实现NMOS功函数的调节。 | ||||||
| 63 | 大功率函数发生器及发生方法 | CN201510242076.X | 2015-05-13 | CN104880586A | 2015-09-02 | 朱为民 |
| 本发明提供一种大功率函数发生器及发生方法，所述大功率函数发生器包括：函数信号接收模块，接收所需的函数信号；直流信号接收模块，接收作为直流偏移量所需的直流信号；直耦放大器，其输入端正极与所述函数信号接收模块的输出端及直流信号接收模块的输出端分别耦合相连，将所述函数信号和所述直流信号叠加放大，输出大功率函数信号。本发明所述的大功率函数发生器结构简单，成本低，所产生的信号功率、频率响应仅受限于直耦放大器的性能，其输出信号的失真度仅取决于信号源的失真度和直耦放大器的失真度这两个因素，其输出频率也仅受限于直耦放大器的性能，因而可以广泛应用于产品生产和测试中。 | ||||||
| 64 | 金属栅电极等效功函数调节方法 | CN201310331607.3 | 2013-08-01 | CN104347411A | 2015-02-11 | 杨红; 王文武; 闫江; 罗维春 |
| 公开了一种对金属栅电极的等效功函数进行调节的方法。该方法包括：形成至少包括金属功函数层的金属栅电极配置；以及对金属栅电极配置中的至少一层进行等离子体处理。这样，可以对金属栅电极的等效功函数进行相对灵活地调节。 | ||||||
| 65 | 一种提高铜表面功函数的生产工艺 | CN201310135346.8 | 2013-04-18 | CN103276357A | 2013-09-04 | 雷清泉; 于庆先; 郝春成 |
| 本发明提供一种提高铜表面功函数的生产工艺，包括如下步骤：铜基体预处理；离子溅射；生成外护层；本发明用纯金属铜为基体，在真空中以铬、钨等金属为靶，氩气为载气，采用离子溅射的方法，氩在电磁场作用下电离为等离子体，带正电的氩离子轰击靶材金属，溅射下的金属离子气团在基体的负电位吸引下沉积在铜基体表面；然后，将铜基体放入邻二氯苯中，紫外线照射，从邻二氯苯中分解出的氯离子与表面的金属离子发生化学反应，形成单原子层的氯化物，从而形成偶极子，阻碍金属内部电子向外逸出，降低铜表面电子的发射能力；可大幅度提高铜表面的功函数，方法工艺简单，既可用于小型电子器件的处理，又可适合大规模导线的生产。 | ||||||
| 66 | 一种调节金属栅的栅功函数的方法 | CN200910077624.2 | 2009-02-09 | CN101800197B | 2012-07-25 | 周华杰; 徐秋霞 |
| 本发明公开了一种调节金属栅的栅功函数的方法，该方法包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，杂质激活；淀积金属镍，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍。本发明提供的方法，易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。 | ||||||
| 67 | 一种双金属栅功函数的调节方法 | CN200910077620.4 | 2009-02-09 | CN101800196A | 2010-08-11 | 徐秋霞; 许高博 |
| 一种双金属栅功函数的调节方法，主要步骤为：(1)用快速热氧化生长超薄界面氧化层或氮氧化层；(2)利用磁控反应溅射在超薄界面氧化层上交替溅射淀积高介电常数(K)栅介质，(3)淀积高K栅介质后，快速热退火；(4)采用磁控反应溅射淀积金属氮化物栅；(5)金属离子注入对金属氮化物栅进行掺杂；(6)刻蚀形成金属栅电极后，进行快速热退火将金属离子驱动到金属栅与高K栅介质的界面上。此方法简单易行，具有好的热稳定性和调节金属栅功函数的能力，而且与CMOS工艺完全兼容，便于集成电路产业化。 | ||||||
| 68 | 具有低功函数阳极的电致发光器件 | CN200380100099.2 | 2003-12-05 | CN100527472C | 2009-08-12 | 孙世焕; 张俊起; 全相映; 尹锡喜; 李载澈; 金公谦 |
| 本发明公开了在起空穴注入作用的层(5)中使用低还原电位的材料的有机电致发光器件(10)。该有机电致发光器件(10)可以使用具有相对低的功函数的阳极材料(3)。铝可以在阳极(3)中使用。在工作过程中，有机电致发光器件(10)可以在它们的内部区域形成虚电极，这提高了来自附近电极的载流子注入。铝在阳极(3)中的使用有助于制造阴极发射有机电致发光器件。 | ||||||
| 69 | 双功函数半导体装置及其制造方法 | CN200910002600.0 | 2009-01-23 | CN101494200A | 2009-07-29 | 赵学柱; 安娜贝拉·费洛索; 于洪宇; 史蒂芬·库比塞克; 张守仁 |
| 一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二介电顶盖层的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数。本发明具有优异的半导体性能。 | ||||||
| 70 | 双功函数半导体装置的制造方法 | CN200710194671.6 | 2007-11-29 | CN101276786A | 2008-10-01 | 张守仁; 于洪宇 |
| 一种双功函数半导体装置的制造方法，包括：提供第一区域于半导体基底中，且包括至少一个第一电极；提供至少一个第二区域于该半导体基底中，且包括至少一个第二电极；提供第一金属层于该第一区域的第一电极之上且该第一金属层包括至少一个第一金属和至少一个第一功函数调整元素；提供第二金属层于该第二区域的第二电极之上且该第二金属层包括至少一个第二金属；以及对该第一电极施以第一硅化工艺，且对该第二电极施以第二硅化工艺，其中该第一硅化工艺和该第二硅化工艺同时进行。本发明的优点在于通过使用一合金材料的硅化工艺，可使得栅极电极的功函数值具有较广的调整范围。 | ||||||
| 71 | 双功函数金属栅极结构及其制造方法 | CN200510129719.6 | 2005-12-01 | CN1812054A | 2006-08-02 | 金旼炷; 李钟镐; 韩成基; 丁炯硕 |
| 本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。 | ||||||
| 72 | 一种多功函数层的制备方法 | CN202211473665.5 | 2022-11-22 | CN118073185A | 2024-05-24 | 郑鸿柱; 王剑; 戴韫青; 周文湛 |
| 本发明提供一种多功函数层的制备方法，具有凹口的第一至第n晶体管栅极；在凹口内形成阻挡层；沉积第一功函数层，去除第一至第n‑1晶体管栅极上的第一功函数层；沉积第二功函数层；去除第一至第n‑2晶体管栅极上的第二功函数层；第二功函数层的厚度小于第一功函数层的厚度；在第一至第n‑2晶体管栅极上的阻挡层及第n‑1、第n晶体管栅极上的第二功函数层上沉积第三功函数层；去除第一至第n‑3晶体管栅极上的第三功函数层；第三功函数层的厚度小于第二功函数层的厚度；依次类推沉积第三至第(n‑1)功函数层，直到剩最后一个晶体管栅极上只有阻挡层为止；并且第三至第(n‑1)功函数层的厚度依次逐渐减小。 | ||||||
| 73 | 一种改善功函数薄膜连续性的方法 | CN202211466814.5 | 2022-11-22 | CN118073184A | 2024-05-24 | 郝燕霞 |
| 本发明提供一种改善功函数薄膜连续性的方法，在基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上形成一层隔离层；在隔离层上形成一层功函数薄膜，功函数薄膜作为半浮栅器件中的浮栅用以存储电荷和传导电子；并且功函数薄膜的功函数为4.63～4.75eV；对硅基底上的隧穿氧化层、隔离层以及功函数层进行热处理；在热处理过程中，隔离层一方面与隧穿氧化层表面反应形成致密阻止层；另一方面隔离层与隧穿氧化层中的O反应形成新的隧穿氧化层，热处理持续至隔离层完成被消耗完为止；反应后剩余的功函数薄膜均匀覆盖在致密阻止层上表面。隔离层既可以阻止氧原子向功函数薄膜的扩散，又可以在后续工艺中得以去除而不影响最终的器件构造和电学性能。 | ||||||
| 74 | 用于电子装置的激活函数功能块 | CN201880079269.X | 2018-08-27 | CN111433791B | 2024-04-12 | 加布里埃尔·H·洛 |
| 一种电子装置具有实现激活函数的激活函数功能块。在操作期间，所述激活函数功能块接收到输入，所述输入包括表示数值的多个位。所述激活函数功能块随后从多个范围确定所述输入落入的范围，每个范围包括所述输入的可能数值的单独部分。所述激活函数功能块接下来生成与所述范围相关联的线性函数的结果。生成所述结果包括使用与所述多个范围中的每个范围相关联的单独线性函数以近似在所述范围内的所述激活函数的结果。 | ||||||
| 75 | 具有功函数金属的半导体器件 | CN201810567463.4 | 2016-01-12 | CN108447863B | 2024-02-23 | 金柱然 |
| 76 | 低功耗紧凑型Relu激活函数神经元电路 | CN202310000898.1 | 2023-01-03 | CN115688897A | 2023-02-03 | 张亦舒; 凡雪蒙; 王字健 |
| 本发明涉及一种低功耗紧凑型Relu激活函数神经元电路，包括第一层突触阵列、神经元晶体管、电阻和第二层突触阵列，神经元晶体管为具有阈值电压可调性能的MOS晶体管，神经元晶体管的栅极连接第一层突触阵列的各电压输出端，神经元晶体管的漏极连接第二层突触阵列的各电压输入端。这样，就可以通过调节晶体管阈值电压的大小，来满足对不同突触阵列输出值的判断运算以及输出。因该神经元电路只需要采用一个晶体管与第一层突触阵列和第二层突触阵列的配合连接，就可以实现Relu激活函数，这样在能效、延迟和占用面积方面实现显著的增益提高。 | ||||||
| 77 | 改善功函数金属边界位移工艺的方法 | CN202211259506.5 | 2022-10-14 | CN115547820A | 2022-12-30 | 汪丹丹 |
| 本发明提供一种改善功函数金属边界位移工艺的方法,提供衬底，衬底上形成有鳍式结构，在衬底上形成覆盖鳍式结构的功函数金属层；利用至少一种预处理气体电离为等离子体轰击功函数金属层，使得功函数金属层与底部抗反射涂层结合的紧密度增加；形成覆盖功函数金属层的底部抗反射涂层以及位于底部抗反射涂层上的光刻胶层；光刻打开光刻胶层及其下方的底部抗反射涂层，使得其下方的功函数金属层裸露，之后刻蚀去除裸露的功函数金属层。本发明增加一道等离子体预处理工艺，可以使功函数金属层与底部抗反射层结合得更紧密，减少湿法刻蚀对底部抗反射层底部侧方向的损耗，这样可以减少功函数金属层损失，提高器件性能。 | ||||||
| 78 | 具有无铝功函数层的NFET及其形成方法 | CN202210196667.8 | 2022-03-01 | CN115376999A | 2022-11-22 | 李欣怡; 张文; 徐志安; 吴俊毅; 赵皇麟 |
| 本申请公开了具有无铝功函数层的NFET及其形成方法。一种方法包括在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的一侧上形成源极/漏极区域，去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸到沟槽中的栅极电介质层，在栅极电介质层之上沉积含金属层，以及在含金属层上沉积含硅层。含金属层和含硅层共同用作功函数层。执行平坦化工艺以去除含硅层、含金属层和栅极电介质层的多余部分，其中，含硅层、含金属层和栅极电介质层的剩余部分形成栅极堆叠。 | ||||||
| 79 | 功函数调节层的制造方法 | CN201710355747.2 | 2017-05-19 | CN108962737B | 2020-11-13 | 邓浩; 徐建华 |
| 本发明公开了一种功函数调节层的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：将用于形成半导体器件的基底放入反应腔室，然后执行第一主步骤和第二主步骤以在该基底上形成用作功函数调节层的钛铝合金层；第一主步骤包括：第一子步骤，包括：向反应腔室中通入含钛的第一前驱体；以及第二子步骤，包括：向反应腔室中通入含铝的第二前驱体，第二前驱体与第一前驱体发生反应以形成钛铝合金；第二主步骤包括：第三子步骤，包括：向反应腔室中通入含铝的第三前驱体，其中，第三前驱体的分子量小于第二前驱体的分子量，第三前驱体与第一前驱体发生反应以形成钛铝合金。本发明可以减小长沟道器件和短沟道器件的Al/Ti比值的差值，从而改善半导体器件的阈值电压的均匀性。 | ||||||
| 80 | 一种高功函数复合材料的制备方法 | CN201910370813.2 | 2019-05-06 | CN110112310A | 2019-08-09 | 毛宏颖; 王海涛; 杨向东 |
| 本发明公开了一种高功函数复合材料的制备方法，采用物理气相沉积法依次在二维材料衬底表面沉积含氟有机半导体分子层和金属层后，热处理得到高功函数复合材料。该方法通过控制复合材料热处理退火的温度，简单、可靠的实现对其功函数的调控，改善其在有机光伏器件中作为新型的阳极材料的应用。本发明操作简便，整个制备过程安全无害，具有广阔的应用前景。 | ||||||
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