| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 用于调节PMOS器件的金属栅功函数的方法 | PCT/CN2010/074596 | 2010-06-28 | WO2011063649A1 | 2011-06-03 | 徐秋霞; 许高博 |
| 42 | 形成多层功函数金属栅极的方法 | CN202310580444.6 | 2023-05-23 | CN116598259A | 2023-08-15 | 陈品翰; 郑苗苗 |
| 本申请提供一种形成多层功函数金属栅极的方法，包括：步骤S1，形成第一功函数金属层；步骤S2，使用第一掩模通过光刻工艺形成第一图案化的光刻胶层；步骤S3，刻蚀第一功函数金属层后，去除第一图案化的光刻胶层；步骤S4，形成第二功函数金属层；步骤S5，使用第二掩模通过光刻工艺形成第二图案化的光刻胶层；步骤S6，刻蚀第二功函数金属层后，去除第二图案化的光刻胶层；步骤S7，形成第三功函数金属层；步骤S8，形成第四功函数金属层；步骤S9，形成金属栅极材料层后，实施研磨使其表面平整。相比现有技术，形成多层功函数金属层时只使用两张光罩，减少沉积、光刻和刻蚀各一次，从而简化工艺制程，缩短制造周期，降低工艺成本。 | ||||||
| 43 | 降低HKMG器件功函数层损伤的方法 | CN202310245663.9 | 2023-03-14 | CN116130420A | 2023-05-16 | 许任辉; 伏广才 |
| 本发明提供一种降低HKMG器件功函数层损伤的方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体结构，包括衬底及形成于所述衬底上的多个半导体器件的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、功函数层及金属栅的层叠结构，其中，所述功函数层形成于所述栅介质层与所述金属栅之间，并呈U型位于所述金属栅的侧壁及底部；步骤2)于所述功函数层及所述金属栅的表面选择性生长金属阻挡层；步骤3)于步骤2)所形成结构的表面形成介质层；步骤4)图案化刻蚀所述介质层以于所述金属栅的上方形成接触孔。通过本发明解决了现有的HKMG器件形成接触孔的过程中损伤功函数层使得阈值电压漂移的问题。 | ||||||
| 44 | 一种基于功函数变化的磁场探测装置 | CN202111189078.9 | 2021-10-12 | CN114296013A | 2022-04-08 | 刘翡琼 |
| 本发明涉及磁场探测装置技术领域，具体涉及基于功函数变化的磁场探测装置，包括导电金属层、光敏半导体层、透明导电材料层、磁致伸缩颗粒，光敏半导体层置于导电金属层上，透明导电材料层置于光敏半导体层上，光敏半导体层内设有多个磁致伸缩颗粒。应用时，导电金属层和透明导电材料层分别通过电极连接外电路的电压源和电流表，用以测量测量导电金属层和透明导电材料层之间的电流。同时，应用光照射光敏半导体层。本发明通过测量外电路中电流的变化实现磁场探测，本发明具有磁场探测灵敏度高的优点，在磁场探测领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 45 | PLC交互FC功能函数的实现方法 | CN202011440678.3 | 2020-12-08 | CN112486088B | 2022-01-18 | 陈海波; 赵远鹏 |
| 本发明提供一种PLC交互FC功能函数的实现方法，PLC通过驱动指令驱动驱动器，PLC包括FC功能子模块，FC功能子模块包括FC功能函数，FC功能函数包括：点动/寸动控制策略、单动控制策略、速度/力矩/位移控制策略、故障采集及故障复位策略、实参读写及动参写入策略，其中，FC功能函数采用分时触发MASTER或扩展帧+数据帧交互指令，二次重发机制。该方法可以解决不同PLC和不同驱动器之间交互统一问题，提高了交互效率和网络节点柔性设设定，大大降低了由于采购所带来的不确定性风险，采用参数输入输出方式，FC功能函数采用黑盒子封装加密，程序引用灵活方便，可实现多种复杂控制功能。 | ||||||
| 46 | 具有可调功函数的场效应晶体管叠层 | CN201680078837.5 | 2016-11-22 | CN108475693B | 2021-12-24 | 鲍如强; S·克瑞什南; 权彦五; V·纳拉亚南 |
| 一种用于制造半导体器件的栅叠层的方法包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层，在第一介电层上形成第一氮化物层，在第一氮化物层上方形成第一栅金属层，在第一栅极金属层上方形成覆盖层，去除覆盖层和第一栅极金属层的部分以暴露栅叠层的p型场效应晶体管(pFET)区中的所述第一氮化物层的一部分，在第一氮化物层和覆盖层上沉积清除层，在清除层上沉积第二氮化物层，以及在第二氮化物层上沉积栅电极材料。 | ||||||
| 47 | 一种改善金属功函数边界效应的方法 | CN202110685076.2 | 2021-06-21 | CN113506803A | 2021-10-15 | 翁文寅 |
| 本发明提供一种改善金属功函数边界效应的方法，在第一至第四Fin结构上沉积第一TiN层；第二、第三Fin结构上的第一TiN层连续分布；去除第三Fin结构上的第一TiN层；被去除的第一TiN层的边缘位于第二、第三Fin结构中线处向第二Fin结构推进第一距离处；沉积第二TiN层，第二、第三Fin结构上的第二TiN层连续分布；去除第二Fin结构及其上的第二、第一TiN层；第二、第三Fin结构间靠近第二Fin结构的部分第二TiN层被去除，被去除的第二TiN层的边缘从第二、第三Fin结构中线处向第二Fin结构推进第二距离。采用本发明的方法可以使得超低阈值电压P型管的Fin结构底部边缘的TiN层厚度更薄；在刻蚀时使得TiN层不易出现底部切断现象，从而减小金属边界效应，有利于增大器件的阈值电压。 | ||||||
| 48 | 一种功能函数的数据区复用处理方法 | CN201810328950.5 | 2018-04-13 | CN108733365B | 2021-10-01 | 陈宏君; 张磊; 文继锋; 吴波; 周磊; 谭良良; 牛洪海; 徐卫峰; 黄伟; 刘克金 |
| 本发明公开一种功能函数的数据区复用处理方法，包括如下步骤：步骤1，对源程序进行词法、语法扫描，形成语法树；提取程序的变量、函数列表，按照输入变量、输出变量、函数变量、临时变量的顺序分配数据区，同名函数只分配一个数据区实例，函数数据区按照函数输入变量、函数返回值变量顺序分配；步骤2，根据语法树，进行语义分析，形成与机器无关的二进制指令，在输出调用函数的指令前插入函数实参与形参的数据复制指令；步骤3，解释执行指令文件，调用函数前，执行数据复制指令，将实际形参值复制到该函数所分配的数据区，之后执行函数调用指令时，传入函数数据区的首地址。此种方法可简化解释器的实现并提高可靠性。 | ||||||
| 49 | 一种调控透明导电膜功函数的方法 | CN201910044567.1 | 2019-01-17 | CN111446306B | 2021-07-23 | 杜金红; 佟博; 任文才; 张鼎冬; 张伟民; 刘禹; 成会明 |
| 本发明涉及透明导电膜及其应用领域，具体为一种凝胶型聚合物电解质修饰透明导电膜调控其功函数的方法。首先通过“共聚‑稀释”的方法，制备得到无机金属盐/柠檬酸‑正硅酸乙酯凝胶型聚合物电解质溶液，然后利用旋涂等方法将其涂覆在ITO、FTO等透明导电膜表面，再经一定温度干燥后即可实现凝胶型聚合物电解质对透明导电膜的修饰。从而，通过改变无机金属盐的种类、在凝胶型聚合物基体中的浓度及其成膜厚度来调控透明导电膜的功函数。所得凝胶型聚合物电解质修饰的透明导电膜不仅功函数可调，而且具有较好的表面浸润性、粘附性和稳定性，可广泛应用于有机发光二极管和有机太阳能电池等光电器件的透明电极。 | ||||||
| 50 | PLC交互FC功能函数的实现方法 | CN202011440678.3 | 2020-12-08 | CN112486088A | 2021-03-12 | 陈海波; 赵远鹏 |
| 本发明提供一种PLC交互FC功能函数的实现方法，PLC通过驱动指令驱动驱动器，PLC包括FC功能子模块，FC功能子模块包括FC功能函数，FC功能函数包括：点动/寸动控制策略、单动控制策略、速度/力矩/位移控制策略、故障采集及故障复位策略、实参读写及动参写入策略，其中，FC功能函数采用分时触发MASTER或扩展帧+数据帧交互指令，二次重发机制。该方法可以解决不同PLC和不同驱动器之间交互统一问题，提高了交互效率和网络节点柔性设设定，大大降低了由于采购所带来的不确定性风险，采用参数输入输出方式，FC功能函数采用黑盒子封装加密，程序引用灵活方便，可实现多种复杂控制功能。 | ||||||
| 51 | 具有功函数金属的半导体器件 | CN201710805103.9 | 2016-01-12 | CN107437561B | 2020-10-09 | 金柱然 |
| 提供了具有功函数金属的半导体器件。在所述半导体器件中，第一活性区、第二活性区和第三活性区形成在基底上。第一栅电极形成在第一活性区上，第二栅电极形成在第二活性区上，第三栅电极形成在第三活性区上。第一栅电极具有第一P功函数金属层、第一覆盖层、第一阻挡金属层和第一导电层。第二栅电极具有第二覆盖层、第二N功函数金属层、第二阻挡金属层和第二导电层。第三栅电极具有第二P功函数金属层、第三覆盖层、第三N功函数金属层和第三阻挡金属层。第三栅电极不具有第一导电层和第二导电层。 | ||||||
| 52 | 具有双功函数栅极结构的半导体器件 | CN202010557833.3 | 2015-09-02 | CN111668298A | 2020-09-15 | 吴泰京; 李振烈; 金银贞; 金东洙 |
| 一种半导体器件，包括：衬底，沟槽形成在衬底中；第一杂质区和第二杂质区，形成在衬底中，通过沟槽彼此分开；栅电极，形成为填充沟槽的下部；以及覆盖层，形成在栅电极之上以填充沟槽的上部。栅电极包括：第一功函数内衬，形成在沟槽的下部的底表面和侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区不重叠，且包括含铝金属氮化物；以及第二功函数内衬，形成在沟槽的下部的在第一功函数内衬之上的侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区重叠，且包括含硅非金属材料。 | ||||||
| 53 | 具有双功函数栅极结构的半导体器件 | CN201510557163.4 | 2015-09-02 | CN105702730B | 2020-09-08 | 吴泰京; 李振烈; 金银贞; 金东洙 |
| 一种半导体器件，包括：衬底，沟槽形成在衬底中；第一杂质区和第二杂质区，形成在衬底中，通过沟槽彼此分开；栅电极，形成为填充沟槽的下部；以及覆盖层，形成在栅电极之上以填充沟槽的上部。栅电极包括：第一功函数内衬，形成在沟槽的下部的底表面和侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区不重叠，且包括含铝金属氮化物；以及第二功函数内衬，形成在沟槽的下部的在第一功函数内衬之上的侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区重叠，且包括含硅非金属材料。 | ||||||
| 54 | 基于非连续函数的无功补偿方法 | CN201710325352.8 | 2017-05-10 | CN107196314B | 2020-06-12 | 张文军; 戴波; 牛东晓; 秦俊宁; 王海潮; 黄建平; 何鹤; 王梦; 施永益; 王锋华; 成敬周; 陈浩; 颜虹; 张建松; 张霞; 范华; 周雷; 李懑君; 沈思琪; 洪洲 |
| 本发明提供了基于非连续函数的无功补偿方法，属于电力系统领域，包括根据用户所属类型不同，确定将功率因数提升至标准值时待补偿的无功容量；如果将无功补偿的功率因数目标值定为所述标准值或提升至高于所述标准值时，获取第一收益值和第二收益值；根据所述第一收益值和所述第二收益值，确定无功补偿的补偿方式。通过构建高供低计用户、高供高计用户的无功补偿电量和无功补偿容量计算模型；分别构建了补偿目标为考核标准值和补偿目标超过考核标准值两种情况下的无功补偿经济性分析模型，计算得到了用户装设无功补偿装置的成本、投资回报周期和投资期内收益。 | ||||||
| 55 | 具有功函数金属的半导体器件 | CN201910851173.7 | 2016-01-12 | CN110544692A | 2019-12-06 | 金柱然 |
| 提供了具有功函数金属的半导体器件。所述半导体器件包括：基底，具有逻辑区域；活性区，位于逻辑区域中；绝缘层，布置在基底上并且被构造为覆盖活性区；以及栅电极，被构造为覆盖活性区的侧表面并且与活性区交叉，所述栅电极包括位于活性区中的P功函数金属层、位于P功函数金属层上的N功函数金属层以及位于N功函数金属层上的阻挡金属层。 | ||||||
| 56 | 具有功函数金属的半导体器件 | CN201610019041.4 | 2016-01-12 | CN105845677B | 2019-08-06 | 金柱然 |
| 提供了具有功函数金属的半导体器件。在所述半导体器件中，第一活性区、第二活性区和第三活性区形成在基底上。第一栅电极形成在第一活性区上，第二栅电极形成在第二活性区上，第三栅电极形成在第三活性区上。第一栅电极具有第一P功函数金属层、第一覆盖层、第一阻挡金属层和第一导电层。第二栅电极具有第二覆盖层、第二N功函数金属层、第二阻挡金属层和第二导电层。第三栅电极具有第二P功函数金属层、第三覆盖层、第三N功函数金属层和第三阻挡金属层。第三栅电极不具有第一导电层和第二导电层。 | ||||||
| 57 | 一种低功耗的径向基函数的控制方法 | CN201811472188.4 | 2018-12-04 | CN109816104A | 2019-05-28 | 戴昕; 朴俊荣; 崔升戴; 申东周; 洪成军 |
| 本发明提供了一种低功耗的径向基函数的控制方法，包括以下步骤：将输入信号转换为具有发散函数特征的输入信号，并将转换之后的输入信号的电流电压参数送至径向基函数模块；径向基函数模块结合上述电流电压参数动态调节径向基函数的高度；径向基函数神经网络分流器接收径向基函数模块对应的径向基函数后，并控制径向基函数神经网络分流器工作在模拟/数码混合模式。本发明不受供给电源和外部因素引起的少量电压和电流变化的影响，能够实现低面积，低功率径向基函数神经网的设计，并且还可以做广范围的径向基函数神经网的操作，达到使用低面积，低功率的技术效果。 | ||||||
| 58 | 一种功能函数的数据区复用处理方法 | CN201810328950.5 | 2018-04-13 | CN108733365A | 2018-11-02 | 陈宏君; 张磊; 文继锋; 吴波; 周磊; 谭良良; 牛洪海; 徐卫峰; 黄伟; 刘克金 |
| 本发明公开一种功能函数的数据区复用处理方法，包括如下步骤：步骤1，对源程序进行词法、语法扫描，形成语法树；提取程序的变量、函数列表，按照输入变量、输出变量、函数变量、临时变量的顺序分配数据区，同名函数只分配一个数据区实例，函数数据区按照函数输入变量、函数返回值变量顺序分配；步骤2，根据语法树，进行语义分析，形成与机器无关的二进制指令，在输出调用函数的指令前插入函数实参与形参的数据复制指令；步骤3，解释执行指令文件，调用函数前，执行数据复制指令，将实际形参值复制到该函数所分配的数据区，之后执行函数调用指令时，传入函数数据区的首地址。此种方法可简化解释器的实现并提高可靠性。 | ||||||
| 59 | 一种低功函数金属栅形成方法 | CN201210241699.1 | 2012-07-12 | CN103545182B | 2017-03-29 | 韩锴; 王晓磊; 王文武; 杨红; 马雪丽 |
| 本发明实施例公开了一种低功函数金属栅形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上生长界面层薄膜；在界面层薄膜上生长高K栅介质层；在高K栅介质层上沉积金属栅功函数层；在金属栅功函数层上沉积功函数调节层；在功函数调节层上沉积填充金属，并进行热处理；进行一次热退火处理和/或二次热退火处理，其中，所述一次热退火处理在生长高K栅介质层完成后进行，所述二次热退火处理在沉积金属栅功函数层完成后进行。通过本发明实施例所提供的技术方案，可以有效增强调节层低功函数金属对于功函数的调节能力，从而实现CMOS器件在低漏电流情况下的低阈值电压。 | ||||||
| 60 | 用于FinFET的N功函数金属层 | CN201310072572.6 | 2013-03-07 | CN103887340B | 2016-12-28 | 郭博钦; 程仲良; 李显铭; 张文 |
| 提供了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件的N功函数金属及其形成方法。实施例FinFET包括由半导体衬底支撑的鳍，该鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及在鳍的沟道区域上方形成的栅极堆叠件，该栅极堆叠件包括包含位于碳化钽铝(TaAlC)层相对侧上的氧化物层的N功函数金属层。 | ||||||
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