Ethynyl group substituted fused heterocyclic compound heavy metal complex, to a process for the preparation thereof, the synthetic intermediates and their preparation as well as the organic electroluminescent element |
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| 申请号 | JP2006513046 | 申请日 | 2005-05-12 | 公开(公告)号 | JP4470940B2 | 公开(公告)日 | 2010-06-02 |
| 申请人 | 宇部興産株式会社; | 发明人 | 博 佐藤; 貴文 城野; 真治 安田; 貴文 岩佐; 康裕 田中; 利一 町田; 謙二 福永; 整 藤村; | ||||
| 摘要 | |||||||
| 权利要求 | 下記式（１）： 式中、Ｍは、 ＡｕまたはＰｔを表し、Ｌは、単座配位子または二座配位子を表し、 Ｚは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ア ルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を 表し、ｎは０〜６の整数であり、複数のＺはそれぞれ同一でも異なっていても良く 、Ｚが、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、 アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接したこれら２つの基が結 合して環を形成しても良く、Ａ及びＢは、それぞれＣＨ又はＮを表し、Ａ又はＢが ＣＨの場合、その水素原子はＺ又はエチニル基で置換されていても良く、ｋは１〜 ４の整数である、 で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。 Ｍが、金であり、ｋが１である請求項１記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。 Ｌが、下記一般式（８）又は（９）： 式中、Ｒ １ 、Ｒ ２及びＲ ３は、それぞれ同一或いは異なっていても良いアルキル 基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、Ｒ ４及びＲ ５は、それぞれ同一 或いは異なっていても良い水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキ ル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ 基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表す、なお、Ｒ ４及びＲ ５が アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリール オキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接した２つの基が結合して環を形 成しても良い、 からなる群より選択された単座配位子である請求項 ２記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。 Ｍが、白金であり、ｋが２である請求項１記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。 Ｌが、二座ホスフィン及び下記一般式（１０）〜（１２）で示される二座配位子からなる群より選ばれる二座配位子である請求項 ４記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。 式中、ｍは１〜５の整数を表し、Ｒ ６及びＲ ７はアルキル基、シクロアルキル基 、又はアリール基を表し、それぞれ同一又は異なっていても良い。 また、Ｚａ、Ｚ ｂ、Ｚｃ、Ｚｄ、Ｚｅはそれぞれ独立に５又は６員環を形成し得る非金属原子群を 表す。 なお、これら５又は６員環は縮合環を形成しても良い。 Ｌが、下記一般式（１３）〜（２２）で示される二座配位子からなる群より選ばれる二座配位子である請求項 ４記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。 式中、ｍ、Ｒ ６ 、Ｒ ７は前記と同義であり、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １０ 、Ｒ １１及び Ｒ １２は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル 基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シ アノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、これらの置換基は、それぞれ同一又は異 なっても良く、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、 アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接する 場合、これらの置換基が結合して環を形成しても良い。 Ｍが金である場合、一級及び二級アルコールを除く、有機溶媒中、下記式（２）： 式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは請求項１と同義である、 で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物と、下記式（３）： Ｘ ｋ ＭＬ （３） 式中、Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ、Ｍ及びＬは請求項１と同義である、 で示される重金属錯体とを、塩基存在下に反応させることを特徴とする請求項１記載の式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法。 塩基がアルカリ金属アルコキシドである請求項 ７記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法。 ＭがＡｕであり、有機溶媒が三級アルコール、エーテル類、ハロゲン化炭化水素及びこれらの混合物からなる群より選ばれる溶媒である請求項 ７記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法。 ＭがＰｔであり、有機溶媒がアルコール類である請求項 ７載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法。 下記式（４）： 式中、Ｘ'はフッ素原子又は塩素原子を表し、Ａ及びＢは請求項１と同義である、 で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物。 式（４）で示される化合物が、５−フルオロ−８−キノリルエチン、５−クロロ−８−キノリルエチン、５−フルオロ−８−キナゾリルエチン、５−クロロ−８−キナゾリルエチン、５−フルオロ−８−キノキサリルエチン及び５−クロロ−８−キノキサリルエチンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項 １１記載の化合物。 ０価パラジウム化合物の存在下、塩基性溶媒中、下記式（５）： 式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは、請求項１と同義である、 で示されるトリフルオロメタンスルホニルオキシ基置換縮合ヘテロ環化合物と下記式（６）： で示される２−メチル−３−ブチン−２−オールとを反応させて、下記式（７）： 式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは前記と同義である、 で示されるジメチルヒドロキシメチル−縮合へテロ環−アセチレン化合物とした後、これを塩基と反応させることを特徴とする請求項 ７記載の式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法。 ０価パラジウム化合物が、０価パラジウムホスフィン錯体又は０価パラジウムオレフィン錯体であることを特徴とする請求項 １３記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法。 塩基性溶媒がピペリジン、ピロリジン、Ｎ−アルキルピペリジンもしくはＮ−アルキルピロリジンであることを特徴とする請求項 １３記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法。 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、少なくとも１層の有機化合物薄層が請求項１記載の式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 |
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| 说明书全文 | 本発明は電界発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）用青色及び白色発光材料などに有用なエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の重金属錯体、その製造法、その合成中間体及びその製造法並びにそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。 エチニル基を有する化合物の金錯体としては、例えば非特許文献１及び非特許文献２にフェニルエチニル金錯体が記載されているが、本発明のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体は知られておらず、その有機エレクトロルミネッセンス素子の発光材料としての利用も知られていない。 一方、下記式（ａ）：
従って、非特許文献３に示されている、溶媒に１級アルコールであるエタノールを用いるエチニル基置換化合物金錯体の合成法の場合には、下記式（ｄ）：
実際に発明者らが、電界発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料として有用である８−キノリルエチニル（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金（下記式（ｅ））を製造する目的で、非特許文献２の製法に従って、金錯体としてクロロ（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金（Ｉ）、エチニル基置換化合物として８−エチニルキノリンを用いて、エタノール中、塩基存在下で反応させたところ、エタノールが付加した化合物（下記式（ｆ））が生成し、目的化合物は全く得られなかった。 （比較例１） このため、アルコール付加化合物を生成しないエチニル基置換化合物金錯体（上記式（ａ））の製法が求められていた。 また、エチニル基を有する化合物の白金錯体としては、例えば非特許文献４にビスフェニルエチニル（フェナントロリン）白金錯体が、非特許文献５にビスフェニルエチニル（ビスジフェニルホスフィノエタン）白金錯体が、また、非特許文献６にビスフェニルエチニル（ビピリジン）白金錯体が記載されている。 更に、これらの白金錯体の有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）の発光材料としての利用については、非特許文献４に、ビスフェニルエチニル（フェナントロリン）白金錯体が同発光材料として利用できることが記載されている。 しかし、本発明のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体は知られておらず、その有機エレクトロルミネッセンス素子の発光材料としての利用も知られていない。 更に、下記式（１”）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物白金錯体の合成法としては、例えば、非特許文献６に記載されているように、ヨウ化銅等の銅触媒の存在下に末端アセチレン化合物と白金錯体を反応させる合成法が挙げられるが、この方法で末端アセチレンとしてキノリルエチンを用いた場合、不純物として下記式（ｈ）や（ｉ）のような銅を含む錯体が副生してしまうため、目的の錯体の精製が非常に困難となる等の問題があった。なお、エレクトロルミネッセンス素子などデバイス関連材料において不純物が問題となる場合が多く見られ、不純物の無い製造法が求められている。 また、下記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法としては、例えば、非特許文献７に、アセチル基置換縮合ヘテロ環化合物と五塩化リンとを反応させることによる製造法が記載されているが、その収率は最大でも３０％程度と低収率であった。 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ． ，１９９４年，４８４巻、ｐ． ２０９ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓ． ，１９８６年，ｐ． ４１１ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｒｔｙ，２００３，１２５，ｐ． １１９２５ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ． ，２００１年，７巻，ｐ． ４１８０ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ． ，２００１年，６２７巻，ｐ． １３ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ． ，２０００，３９巻，ｐ． ４４７ Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ，１９６０，９３，ｐ． ５９３ 日本化学会編、「実験化学講座」，第４版，１８巻，丸善，１９９１年，ｐ． ４５５ 日本化学会編、「実験化学講座」，第４版，１８巻，丸善，１９９１年，ｐ． ４１２ Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ． ，１９９６年，５２巻，ｐ． ７５４７ Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒ． ，１９９３年，３４巻，ｐ． １７６９ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｒｔｙ，１９８７，１０９，ｐ． ５４７８ 本発明は、電圧印加により青色又は白色の発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子及びその有機エレクトロルミネッセンス素子に有用な化合物を提供することを課題とする。 また、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用青色及び白色発光材料などに有用なエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（下記式（１））を夾雑金属無く、収率良く製造する製造方法を提供することを課題とする。 本発明は、更に、電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料の原料等に有用な下記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物を収率良く製造する方法及び下記式（４）で示される新規なエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物を提供することを課題とする。 本発明者らは鋭意検討した結果、下記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子が、電圧印加により青色および白色電界発光素子用材料として有用であることを見出して本発明を完成するに至った。 また、本発明者らは、金属アルコキシドの存在下にエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物と重金属前駆体を反応させることで収率良くエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体を合成できることを見出し本発明を完成するに至った。 更に、本発明者らは、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料原料等に有用な下記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の収率の良い製造方法を見出すと共に、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料原料として有用な新規化合物であるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物（下記式（４））を見出し、本発明を完成するに至った。 即ち、本発明は以下の通りである。
第２の発明は、Ｍが金である場合、一級及び二級アルコールを除く、有機溶媒中、下記式（２）：
ｋ ＭＬ （３）
第３の発明は、下記式（４）：
第４の発明は、０価パラジウム化合物の存在下、塩基性溶媒中、下記式（５）：
第５の発明は、一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、少なくとも１層の有機化合物薄層が上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の少なくとも１種を含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子に関するものである。 第１の発明のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体は上記式（１）で示される。 式（１）中、Ｍは重金属原子を表し、Ｌは単座配位子又は二座配位子を表し、Ｚは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、ｎは０〜６の整数であり、複数のＺはそれぞれ同一でも異なっていても良い。 また、Ｚが、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接したこれら２つの基が結合して環を形成しても良い。 Ｘ及びＹは、それぞれＣＨ又はＮを表す。 なお、Ｘ又はＹがＣＨの場合、その水素原子がＺ又は式中の重金属と結合するエチニル基で置換されても良い。 Ｍで示される重金属原子としては、周期律表第６周期の金属である、Ａｕ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ及びＩｒが挙げられる。 ＭがＡｕである場合、ｋ＝１で、Ｌは単座配位子で１〜３個であり、Ｐｔの場合、ｋ＝２で、Ｌは二座配位子で１個、Ｏｓ又はＩｒの場合、ｋ＝２又は３で、Ｌは単座又は二座配位子であり、単座の場合２〜４個、二座の場合１〜２個の配位子を有し、Ｔａの場合、ｋ＝３で、Ｌは単座又は二座配位子であり、単座の場合２〜４個、二座の場合１〜２個の配位子を有し、Ｗの場合、ｋ＝３又は４で、Ｌは単座又は二座配位子であり、単座の場合２〜４個、二座の場合１〜２個の配位子を有し、Ｒｅの場合、ｋ＝３で、Ｌは単座配位子で２〜４個である。 これらの中でも、ＭはＡｕ又はＰｔであることが好ましい。 Ｚにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 アルケニル基としては、炭素数２〜２０、特に炭素数２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。 なお、これら置換基は、その異性体も含む。 アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基などが挙げられる。 アリールオキシ基としては、特に炭素数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。 なお、これら置換基は、その異性体も含む。 Ｚが、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接した２つの基が結合して形成する環としては、例えば、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロフラン環、ベンゾピラン環、Ｎ−メチルピロリジン環、Ｎ−メチルピペリジン環等が挙げられる。 等が挙げられる。 本発明において、Ｍが金（Ａｕ）である場合、上記式（１）は下記一般式（１'）：
１は単座配位子を表す。 このようなＬ １としては、下記一般式（８）又は（９）で示される単座配位子が挙げられる。 式中、Ｒ １ 、Ｒ ２及びＲ ３は、それぞれ同一或いは異なっていても良いアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、Ｒ ４及びＲ ５は、それぞれ同一或いは異なっていても良い水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表す。 なお、Ｒ ４及びＲ ５がアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接した２つの基が結合して環を形成しても良い。 Ｒ １ 、Ｒ ２及びＲ ３におけるアルキル基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 アリール基としては、炭素原子数６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 Ｒ ４及びＲ ５におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 シクロアルキル基としては、炭素数３〜７のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。 アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基などが挙げられる。 アリールオキシ基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 Ｒ ４及びＲ ５がアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接した２つの基が結合して形成する環としては、たとえば，キノリン、イソキノリン、テトラヒドロキノリン、テトラヒドロイソキノリン、２，３−シクロペンテノピリジン、２，３−シクロヘプテノピリジン、２，３−シクロドデセノピリジン、７−アザインドール、ノルハルマンが挙げられる。 前記のＲ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４及びＲ ５で示される置換基は、その炭素原子に結合している水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基又はジアルキルアミノ基等で更に置換されていても良い。 これらの置換基は、前記のＲ ４及びＲ ５で示される置換基と同様のものが挙げられる。 上記式（８）で示される単座配位子の具体例としては、ビス（ペンタフルオロフェニル）フェニルホスフィン、（４−ブロモフェニル）ジフェニルホスフィン、ジアリルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、４−（ジメチルアミノ）フェニルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジフェニル（２−メトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニル（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジフェニルプロピルホスフィン、ジフェニル−２−ピリジルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、ジフェニルビニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、イソプロピルジフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリシクロペンチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−２−フリルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（３−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−フルオロフェニル）ホスフィン、トリス（３−フルオロフェニルホスフィン）、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（３−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ベンジルジフェニルホスフィン、ビス（２−メトキシフェニル）フェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、２−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ネオメンチルジフェニルホスフィン、ｐ−トリルジフェニルホスフィン、トリアリルホスフィン、２，４，４−トリメチルペンチルホスフィン、トリ（１−ナフチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシメチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシプロピル）ホスフィンなどが挙げられる。 なお、これらは市販のものを使用することができる。 上記式（９）で示される配位子の具体例としては、ピリジン、ピコリン、２−エチルピリジン、２−プロピルピリジン、４−プロピルピリジン、４−ブチルピリジン、４−イソブチルピリジン、ルチジン、コリジン、エチルメチルピリジン、ジエチルピリジン、２−メチル−５−ブチルピリジン、４−（５−ノニル）ピリジン、２，６−ジプロピルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、４−ピペリジノピリジン、４−ピロリジノピリジン、２−クロロピリジン、２，６−ジクロロピリジン、キノリン、メチルキノリン、ジメチルキノリン等が挙げられる。 なお、これらはその異性体も含む。 また、これらの配位子は市販のものを使用することができる。 上記式（１'）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物金錯体の具体例を以下に示す。 また、本発明において、Ｍが白金（Ｐｔ）である場合、上記式（１）は下記一般式（１”）：
２は二座配位子を表す。 このようなＬ ２としては、二座ホスフィン及び下記一般式（１０）〜（１２）で示される二座配位子が挙げられる。 式中、ｍは１〜５の整数を表し、Ｒ ６及びＲ ７はアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、それぞれ同一又は異なっていても良い。 また、Ｚａ、Ｚｂ、Ｚｃ、Ｚｄ、Ｚｅはそれぞれ独立に５又は６員環を形成し得る非金属原子群を表す。 なお、これら５又は６員環は縮合環を形成しても良い。 上記一般式（１０）〜（１２）で示される二座配位子において、Ｚａ、Ｚｂ、Ｚｃ、Ｚｄ及びＺｅとしては、炭素、水素、窒素、酸素、硫黄、燐、ハロゲン原子で構成されるそれぞれ独立した５又は６員環が挙げられる。 なお、これら５又は６員環は縮合環を形成しても良い。 ５員環としては、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環等が挙げられる。 これらの５又は６員環が成す縮合環としては、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、イソインドール環等が挙げられる。 また、これらの環は、それぞれ同一又は異なっていても良いハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基等の置換基で置換されても良い。 なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接する場合、これらの置換基が結合して５又は６員環を形成しても良い。 ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 シクロアルキル基としては、特に炭素原子数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。 アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 アリール基としては、炭素原子数６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基などが挙げられる。 アルコキシ基としては、特に炭素原子数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 アリールオキシ基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数２〜１０のジアルキルアミノ基が好ましく、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 以下、二座ホスフィン及び下記一般式（１０）〜（１２）で示される二座配位子（Ｌ ２ ）の具体的な態様について説明する。 式中、ｍ、Ｒ ６及びＲ ７は前記と同義である。 また、Ｒ ８及びＲ ９は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、これらの置換基は、それぞれ同一又は異なっていても良い。 なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接する場合、これらの置換基が結合して環を形成しても良い。 前記一般式（１３）で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式（１９）及び（２０）で示される二座配位子が挙げられる。 式中、Ｒ ６ 、Ｒ ７ 、Ｒ ８及びＲ ９は前記と同義である。 また、Ｒ １０ 、Ｒ １１及びＲ １２は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、これらの置換基は、それぞれ同一又は異なっていても良い。 なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接する場合、これらの置換基が結合して環を形成しても良い。 前記一般式（１４）で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式（２１）で示される二座配位子が挙げられる。 式中、ｍ、Ｒ ６ 、Ｒ ７ 、Ｒ １０ 、Ｒ １１及びＲ １２は前記と同義である。 前記一般式（１５）で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式（２２）で示される二座配位子が挙げられる。 式中、Ｒ ８及びＲ ９は前記と同義である。 ここでＲ ６及びＲ ７におけるアルキル基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 シクロアルキル基としては、特に炭素原子数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。 アリール基としては、炭素原子数６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １０ 、Ｒ １１及びＲ １２におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 アルキル基としては、炭素原子数１〜２０、特に１〜１２のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 シクロアルキル基としては、特に炭素原子数３〜７のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。 アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 アリール基としては、炭素原子数６〜２０、特に６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基などが挙げられる。 アルコキシ基としては、特に炭素原子数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 アリールオキシ基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数２〜１０のジアルキルアミノ基が好ましく、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。 なお、これらの置換基は、その異性体を含む。 Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １０ 、Ｒ １１及びＲ １２がアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接するこれら置換基が環を形成した二座配位子としては、例えば、上記の二座配位子（１８）の場合、下記一般式（２３）、（２４）で示される二座配位子が挙げられる。 式中、Ｒ ６及びＲ ７は前記と同義である。 前記のＲ ６ 、Ｒ ７ 、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １０ 、Ｒ １１及びＲ １２で表される置換基は、その炭素原子に結合している水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基又はジアルキルアミノ基等で更に置換されていても良い。 これらの置換基は、前記のＲ ６ 、Ｒ ７ 、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １０ 、Ｒ １１及びＲ １２で表される置換基と同様のものが挙げられる。 上記一般式（１３）〜（１８）で示される二座ホスフィン及び（１９）〜（２２）で示される二座配位子の具体的な態様としては、以下のものが挙げられる。 上記式（１４）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン等が挙げられる。 上記式（１５）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）ベンゼン、１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ベンゼン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン等が挙げられる。 上記式（１６）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては１，１'−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、１，１'−ビス（ジイソプロピルホスフィノ）フェロセン、１，１'−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン等が挙げられる。 上記式（１７）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ）−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジ（ｐ−トリル）ホスフィノ）−１，１'−ビナフチル等が挙げられる。 上記式（１８）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル、６，６'−ジメトキシ−２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル、５，５'−ジクロロ−６，６'−ジメトキシ−２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１'−ビフェニル等が挙げられる。 上記式（１９）で示される二座配位子の具体的な態様としては、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基であり、Ｒ ８ 、Ｒ ９が水素原子である化合物（ＱＵＩＮＡＰ）等が挙げられる。 上記式（２０）で示される二座配位子の具体的な態様としては、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がメチル基で、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子である化合物（ＤＰＭＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０ 、Ｒ １１がメチル基で、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １２が水素原子である化合物（ＤＰＤＭＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がイソプロピル基で、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子である化合物（ＤＰＩＰＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がイソブチル基で、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子である化合物（ＤＰＩＢＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がｔ−ブチル基で、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子である化合物（ＤＰＴＢＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がベンジル基で、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子である化合物（ＤＰＢＭＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７ 、Ｒ １０がフェニル基で、Ｒ ８ 、Ｒ ９ 、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子である化合物（ＤＰＰＯ）等が挙げられる。 上記式（２１）で示される二座配位子の具体的な態様としては、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がメチル基、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＭＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がイソプロピル基、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＩＰＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がイソブチル基、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＩＢＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がｔ−ブチル基、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＴＢＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７ 、Ｒ １０がフェニル基で、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＰＯ）、Ｒ ６ 、Ｒ ７がフェニル基で、Ｒ １０がベンジル基、Ｒ １１及びＲ １２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＢＮＯ）等が挙げられる。 上記式（２２）で示される二座配位子の具体的な態様としては、２，２'−ビピリジン、４，４'−ジメチル−２，２'−ビピリジン、４，４'−ジフェニル−２，２'−ビピリジン、５，５'−ジメチル−２，２'−ビピリジン、５，５'−ジ−ｔ−ブチル−２，２'−ビピリジン、１，１０−フェナントロリン、５−メチル−１，１０−フェナントロリン、５−フェニル−１，１０−フェナントロリン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、３，４，７，８−テトラメチル−１，１０−フェナントロリンが挙げられる。 上記式（１”）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物白金錯体の具体的な態様を下記式に示す。 ＭがＴａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒである場合の配位子としては、前記した単座配位子及び二座配位子が挙げられ、その価数に応じて前記と同様の配位構造をとることができる。 上記新規エチニル基置換縮合ヘテロ環化合物金錯体は、ホストとしてベンジジン型トリフェニルアミン（４，４'−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（以下、ＣＢＰと記載する。）を用いた固体薄膜とした後、紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値で（０．１９，０．１７）の青色から（０．３１，０．３４）の白色の発光を示した。また、同白金錯体は、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機化合物層に使用した場合も同様の発色光を示す。 第２の発明である、エチニル基置換化合物重金属錯体（上記式（１））の製造法は、上記式（２）で示されるエチニル基置換化合物と上記式（３）で示されるハロゲン化重金属錯体とを塩基の存在下、有機溶媒（ただし、ＭがＡｕである場合、一級及び二級アルコールを除く。）中で反応させることによって行われる。 本発明において、上記式（１）におけるＭが金である場合の式（１'）で示されるエチニル基置換化合物金錯体の製造法について説明する。 エチニル基置換化合物（上記式（２））の使用量は、上記式（３）におけるＭが金である下記式（３'）： なお、上記式（ｂ）で示されるハロゲン化金錯体は、例えば、非特許文献８に記載の方法に従って、塩化金酸をホスフィンもしくはスルフィドで還元後、適切な配位子と反応させることにより合成することができる。 本反応で用いられる溶媒としては、一級及び二級アルコール以外で使用する塩基と反応しないものであれば特に制限は無いが、三級アルコール類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、或はこれらの混合物が好ましい。 ここで三級アルコール類としては、ｔ−ブチルアルコール、ｔ−アミルアルコール等が挙げられる。 これらの溶媒の使用量は、ハロゲン化金錯体（上記式（１））１モルに対して、１〜３０Ｌ（リットル）が好ましく、更に好ましくは５〜２０Ｌである。 また、反応温度は溶媒の融点以上〜１００℃で可能であるが、低温では反応進行が遅くなるため、好ましくは１５〜５０℃である。 反応時間は、前記の末端アセチレン化合物の種類、溶媒の使用量、及び反応温度等によって変化するが２〜２４時間である。 本発明で用いられる塩基としては、アルカリ金属の水酸化物又はアルコキシドが挙げられる。 アルカリ金属のアルコキシドとしては、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロポキシド、カリウムブトキシドが挙げられる。 なお、これらはその異性体も含む。 これらの塩基の使用量は、ハロゲン化金錯体１モルに対して１〜３モル、好ましくは１〜１．２モルである。 この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下で行われる。 また、用いられる反応圧は通常、常圧である。 次に、本発明において、上記式（１）におけるＭが白金である場合の式（１”）で示されるエチニル基置換化合物白金錯体の製造法について説明する。 ここで２座配位子（Ｌ ２ ）としては、２座ホスフィン又は上記式（１０）〜（１２）で示される２座配位子が挙げられる。 これらの２座配位子の内、上記式（１３）〜（１９）及び（２２）で示される２座配位子は市販品を用いることができる。 エチニル基置換化合物（上記式（２））の使用量は、上記式（３）におけるＭが白金である下記式（３”）： エチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の白金錯体（上記式（１”））の製造に用いられる塩基としては、金属アルコキシドであり、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロポキシド、カリウムブトキシド等のアルカリ金属アルコキシドが挙げられる。なお、上記のアルカリ金属プロポキシド及びブトキシドについてはアルコキシ基の異性体も含まれる。 塩基の使用量は、白金錯体（上記式（１”））に対して２．０〜６．０当量が好ましく、更に好ましくは２．０〜３．０当量である。 溶媒としてはアルコール類が好ましく、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の炭素数１〜５の脂肪族アルコールが挙げられる。 なお、これらのアルコールは、その異性体も含む。 溶媒の使用量は、上記式（１”）で示される白金錯体１モルに対して、１〜５０Ｌ（リットル）が好ましく、更に好ましくは１５〜３０Ｌである。 反応温度は２０〜１００℃が好ましく、更に好ましくは６０〜９０℃である。 なお、２０℃以下では反応の進行が著しく低下することがある。 反応時間は、上記式（１”）で示される白金錯体、エチニル基置換縮合ヘテロ環化合物、溶媒の使用量、及び反応温度等によって変化するが１〜９時間であることが好ましい。 この反応は、通常、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下で行われる。 また、用いられる反応圧は通常、常圧である。 Ｍが金又は白金以外の重金属元素である場合、上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造方法は、上記と同様に、例えば、重金属錯体１モルに対し、ｋ＝１の場合、エチニル基置換化合物を好ましくは１〜３モル、更に好ましくは１〜１．５モル使用することにより、ｋ＝２の場合、エチニル基置換化合物を好ましくは２〜６モル、更に好ましくは２〜３モル使用することにより、ｋ＝３の場合、エチニル基置換化合物を好ましくは３〜９モル、更に好ましくは３〜４．５モル使用することにより、ｋ＝４の場合、エチニル基置換化合物を好ましくは４〜１２モル、更に好ましくは４〜６モル使用して反応させることにより目的化合物を得ることができる。 上記の製造方法に従って製造されたエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（上記式（１））は、反応終了後、抽出、濃縮、ロ過などの通常の後処理を行い、必要に応じて再結晶、各種クロマトグラフィー、昇華などの公知の手段で適宣精製することができる。 第３の発明の上記式（４）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物は、上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造原料として使用される化合物である。 式（４）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物としては、例えば、５−フルオロ−８−キノリルエチン、５−クロロ−８−キノリルエチン、５−フルオロ−８−キナゾリルエチン、５−クロロ−８−キナゾリルエチン、５−フルオロ−８−キノキサリルエチン、５−クロロ−８−キノキサリルエチンが挙げられる。 第４の発明である上記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法は、塩基性溶媒中、０価パラジウム化合物触媒存在下に、上記式（５）で示されるトリフルオロメタンスルホニルオキシ基置換縮合ヘテロ環化合物と上記式（６）で示される２−メチル−３−ブチン−２−オールとを反応させてジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））とした後、これを塩基と反応させることにより行われるものである。 上記式（５）で示されるトリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物において、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは、前記したとおりである。 トリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（５））は、例えば、非特許文献１２の記載の合成法に従い、トリエチルアミン等の有機塩基の存在下、塩化メチレン等の溶媒中にトリフルオロメタンスルホン酸無水物と目的のトリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物に対応するヒドロキシ基置換縮合ヘテロ環化合物とを反応させることによって製造することができる。 ０価パラジウム化合物としては、例えば、０価パラジウムホスフィン錯体（パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン錯体、ビスジフェニルホスフィノエタンパラジウム錯体、ビストリシクロヘキシルホスフィンパラジウム錯体等）、０価パラジウムオレフィン錯体（トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム錯体等）等が挙げられる。 これら化合物の内、０価パラジウムホスフィン錯体が好ましく、更には、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが好ましい。 これらの０価パラジウム化合物の使用量は、トリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（５））１モルに対して０．１〜１０モル％が好ましく、更に好ましくは０．５〜５モル％である。 上記式（６）で示される２−メチル−３−ブチン−２−オールは、市販のものを使用することができる。 ２−メチル−３−ブチン−２−オールの使用量は、トリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（５））１モルに対して、１．０〜２．０モルが好ましく、更に好ましくは、１．０〜１．２モルである。 本発明の製造法において、使用される塩基性溶媒としては、ピペリジン、ピロリジン、Ｎ−アルキルピペリジン及びＮ−アルキルピロリジンが挙げられ、これらから選択される少なくとも１種が使用される。 塩基性溶媒の使用量は、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（５））１モルに対して、１〜２０Ｌ（リットル）が好ましく、更に好ましくは１．５〜５Ｌである。 また、反応温度は８０〜１００℃が好ましく、更に好ましくは８０〜９０℃である。 反応時間は、前記の溶媒の使用量、及び反応温度等によって変化するが１〜５時間であることが好ましい。 この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下で行われる。 また、用いられる反応圧は通常、常圧である。 上記反応によって得られるジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））は必要に応じて蒸留、再結晶、各種クロマトグラフィーなどの公知の手段で適宣精製して次反応に用いることが出来るが、上記反応後、ロ過、濃縮等の後処理を施したのみの粗精製物を、そのまま次反応に用いることも出来る。 ジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））の塩基との反応は、例えば、有機溶媒中、ジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））とアルカリ金属の水酸化物とを加熱することで行われる。 ここでアルカリ金属の水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。 アルカリ金属の水酸化物の使用量はジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））１モルに対して１〜５モルが好ましく、更に好ましくは１〜２モルである。 有機溶媒としては芳香族系の炭化水素が用いられ、トルエン、キシレンが好ましい。 この反応で使用される温度は、７０〜１２０℃が好ましく、更に好ましくは９０〜１１０℃である。 また、反応時間は、前記の温度によって変化するが０．１〜２時間である。 この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下で行われる。 また、反応圧は通常、常圧である。 上記の製造法に従って製造されたエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（４））は、反応終了後、抽出、濃縮、ろ過等の通常の後処理を行い、必要に応じて蒸留、再結晶、各種クロマトグラフィー等の公知の手段で適宣精製することができる。 上記のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（４））の具体的な態様としては、例えば、８−キノリルエチン、７−キノリルエチン、６−キノリルエチン、５−キノリルエチン、４−キノリルエチン、３−キノリルエチン、２−キノリルエチン、８−キナゾリルエチン、７−キナゾリルエチン、６−キナゾリルエチン、５−キナゾリルエチン、８−キノキサリルエチン、７−キノキサリルエチン、６−キノキサリルエチン、５−キノキサリルエチン、５−フルオロ−８−キノリルエチン、５−クロロ−８−キノリルエチン、５−フルオロ−８−キナゾリルエチン、５−クロロ−８−キナゾリルエチン、５−フルオロ−８−キノキサリルエチン、５−クロロ−８−キノキサリルエチン、２−キノキサリルエチン等が挙げられる。 次に、第５の発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について、以下に、その実施形態を示す。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極間に単層もしくは多層の有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、この有機化合物層の少なくとも１層が上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の内、少なくとも１種を含有する。 ここで有機化合物層は、発光層、電子注入層、もしくは正孔輸送層である。 単層型の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する。 発光層は、発光材料を含有し、更に、陽極から注入した正孔、もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるための正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有しても良い。 多層型の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層したものが挙げられる。 発光層には、上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の他に、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料（フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等及びそれらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等）、電子注入材料（フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等及びそれらの誘導体等）を使用しても良い。 上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の有機化合物層への添加量は、０．５〜１００重量％の濃度であることが好ましい。 この有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光材料、他のドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することもできる。 更に、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。 その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。 同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。 これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機化合物層もしくは金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。 上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体と共に有機化合物層に使用できる発光材料又はホスト材料としては、縮合多環芳香族（アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、ルブレン及びそれらの誘導体等）、芳香族ケイ素化合物（テトラフェニルシラン等）、芳香族ゲルマニウム化合物（テトラフェニルゲルマニウム等）、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体及び蛍光色素等が挙げられる。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において使用できる公知の正孔注入材料の中で、更に効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘導体である。 芳香族三級アミン誘導体の具体的な態様は、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−（３−メチルフェニル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（以下、ＴＰＤと記載）、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−（４−メチルフェニル）−１，１'−フェニル−４，４'−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−（４−メチルフェニル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジナフチル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン、Ｎ，Ｎ'−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。 フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体的な態様は、Ｈ ２ Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体であるが、これらに限定されるものではない。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、更に効果的な公知の電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。 金属錯体化合物の具体的な態様は、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（以下、Ａｌｑ ３と記載。）、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 また、含窒素五員誘導体は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。 具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ（ここでＰＯＰＯＰは１，４−ビス（５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼンを表す。）、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４'−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４'−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４'−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、電荷注入性向上のために発光層と電極との間に無機化合物層を設けることもできる。 この無機化合物層としては、ＬｉＦ、Ｌｉ ２ Ｏ、ＲａＯ、ＳｒＯ、ＢａＦ ２ 、ＳｒＦ ２等の、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等を挙げられる。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０％添加した物質）基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることができる。 陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等およびそれらの合金を用いられる。 ここで合金とは、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。 合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されない。 陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において透明であることが望ましい。 また、基板も透明であることが望ましい。 透明電極は、前記の導電性材料を使用して、蒸着あるいはスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定して得られる。 発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。 基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、ガラス基板あるいは透明性樹脂フィルムが挙げられる。 透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるか、或いは、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することもできる。 また、有機エレクトロルミネッセンス素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、あるいはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。 膜厚は特に限定されるものではないが、通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲であり、更には１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲が好ましい。 湿式成膜法の場合、各層上にエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（上記式（１））を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒に溶解又は分散させて薄膜を調製することができる。 乾式成膜法としては、真空蒸着が好ましく、真空蒸着装置を用い、真空度２×１０ −３ Ｐａ以下、基板温度を室温にして、蒸着セルに入れた本発明のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（上記式（１））を加熱し、該材料を蒸発させることにより薄膜を調製することができる。 このとき、蒸着源の温度をコントロールするために、蒸着セルに接触させた熱電対や非接触の赤外線温度計等が好適に用いられる。 また蒸着量をコントロールするために蒸着膜厚計が好適に用いられる。 蒸着膜厚計としては、蒸着源に対向して設置された水晶振動子を用い、前記水晶振動子表面に付着した蒸着膜の重量を該振動子の発振周波数の変化から計測し、この計測重量から膜厚をリアルタイムに求める形式のものが好適に用いられる。 ＣＢＰ等のホスト材料とエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（上記式（１））の共蒸着は、それぞれに蒸着源を用い、且つ温度をそれぞれ独立に制御することによって行うことができる。 ここで、いずれの有機薄膜層も、成膜性向上、膜のピンホール防止等のためポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂などの樹脂、あるいは酸化剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を使用することができる。 発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば壁掛けテレビや携帯電話のフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。 以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明する。 なおｄｍｐｅは１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）エタンを示す。 １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．１１−９．０３（ｍ、１Ｈ）、８．３０−８．１９（ｍ、１Ｈ）、７．８９−７．８１（ｍ、１Ｈ） 参考例２ ５−フルオロ−８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成 ５−フルオロ−８−キノリノール３．９１ｇ（２４ｍｍｏｌ）、塩化メチレン２４ｍｌを加えた。 氷水浴で内温４℃にした後、トリエチルアミン４．３ｍｌ（３１ｍｍｏｌ）を加えた。 内温が１℃まで降下してからトリフルオロメタンスルホン酸無水物４．４ｍｌ（２６．４ｍｍｏｌ）を滴下した。 ほぼ黒色に変化した反応溶液を氷水浴中で１時間攪拌した。 反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出した。 抽出液を濃度１モル／Ｌ（リットル）の塩酸及び水で洗浄した後、エバポレーターで溶媒を減圧留去して褐色固体を得た。 この固体を温ヘキサン（７０℃）に溶解させ、吸引ろ過を行い不溶物を除いた後、ろ液を−７８℃に冷却することで茶白色固体である目的化合物を６．２１ｇ得た。 （収率８７％） １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．２０−７．２８（ｍ，１Ｈ），７．５５−７．６３（ｍ，２Ｈ），８．４７（ｄｄ，１Ｈ），９．１１（ｄｄ，１Ｈ） 参考例３ ５−クロロ−８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成 ５−クロロ−８−ヒドロキシキノリン０．９０ｇ（５ｍｍｏｌ）、塩化メチレン１０ｍｌを加えた。 氷水浴で内温４℃にした後、トリエチルアミン０．９ｍｌ（６．５ｍｍｏｌ）を加えた。 内温が３℃まで降下してからトリフルオロメタンスルホン酸無水物０．９ｍｌ（５．３ｍｍｏｌ）を滴下した。 ほぼ黒色に変化した反応溶液を氷水浴中で１時間攪拌した。 反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出した。 抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸及び水で洗浄しエバポレーターで溶媒を減圧留去して粗生成物である固体を得た。 この固体を温ヘキサン（７０℃）２５ｍｌに溶解させ、吸引ろ過にて不溶物を除いた後、ろ液を−７８℃に冷却することで白色綿状固体として目的化合物を０．８８ｇ得た。 １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．５７（ｄ，１Ｈ），７．６４−７．６８（ｍ，１Ｈ），８．６２（ｄｄ，１Ｈ），９．１１（ｄｄ，１Ｈ） 参考例４ ７−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成 滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロメタン５０ｍｌ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物を２．６ｍｌ（１５．２ｍｍｏｌ）を加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。 滴下ロートに７−ヒドロキシキノリン２ｇ（１３．８ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン２．５ｍｌ（１７．９ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン２０ｍｌを加えて茶色の懸濁液とした。 この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。 反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×３回）で抽出し、この抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。 洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで黄色液体である目的化合物を３．５ｇ得た。 （収率９１％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．４９−７．５５（ｍ，２Ｈ），７．９５（ｄ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），８．２７（ｄｄ，１Ｈ），９．０２（ｄｄ，１Ｈ） 参考例５ ６−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成 滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロメタン５０ｍｌ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物６．４ｍｌ（３７．９ｍｍｏｌ）を加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。 滴下ロートに６−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン６．３ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン２０ｍｌを加えて茶色の懸濁液とした。 この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。 反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）で抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。 洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで褐色液体である目的化合物を７．８ｇ得た。 （収率８２％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．５４（Ｍ，１Ｈ），７．６３（ｄｄ，１Ｈ），７．７８（ｄ，１Ｈ），８．２４−８．２７（ｍ，２Ｈ），９．０１（ｄｄ，１Ｈ） 参考例６ ５−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成 滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロメタン５０ｍｌ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物６．４ｍｌ（３７．９ｍｍｏｌ）を加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。 滴下ロートに５−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン６．３ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン２０ｍｌを加えて茶色の懸濁液とした。 この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。 反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×３回）で抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、続いて水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。 洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで濃赤色液体である目的化合物を９．２ｇ得た。 （収率９６％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．５４−７．５９（ｍ，２Ｈ），７．７３−７．７７（Ｍ，１Ｈ），８．１９（ｄｄ，１Ｈ），８．４２（ｄｄ，１Ｈ），９．０２（ｄｄ，１Ｈ） 参考例７ ４−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成 滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、４−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、ピリジン５０ｍｌを加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。 滴下ロートにトリフルオロメタンスルホン酸無水物７．０ｍｌ（４１．６ｍｍｏｌ）を加え、同温度にてゆっくりと前記４−ヒドロキシキノリン溶液中に滴下した。 滴下終了後、同温度にて２時間攪拌した。 反応終了後、黄色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）にて抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。 洗浄後、無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去して黄色液体を得た。 この黄色液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで、薄黄色液体である目的化合物を８．６ｇ得た。 （収率９０％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．４２（ｄ，１Ｈ），７．６８−７．７２（ｍ，１Ｈ），７．８２−７．８６（ｍ，１Ｈ），８．０８（ｄｄ，１Ｈ），８．２（ｄｄ，１Ｈ），８．９７（ｄ，１Ｈ） 参考例８ ３−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成 滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロメタン５０ｍｌ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物６．４ｍｌ（３７．９ｍｍｏｌ）を加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。 滴下ロートに３−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン６．３ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン２０ｍｌを加えて茶色の懸濁液とした。 この懸濁液を同温度でゆっくりと前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の溶液に滴下し、滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。 反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×３回）で抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。 洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで濃赤色液体である目的化合物を８．５ｇ得た。 （収率８９％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．５４−７．６１（Ｍ，１Ｈ），７．７０−７．８２（ｍ，２Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．３０（Ｍ，１Ｈ），８．９５（ｄ，１Ｈ） 参考例９ ２−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成 滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、２−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン５０ｍｌを加えた。 氷水浴にて内温２℃まで冷却した後、トリエチルアミン６．３ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）を加えた。 同温度で滴下ロートに加えたトリフルオロメタンスルホン酸無水物６．４ｍｌ（３７．９ｍｍｏｌ）をゆっくりと前記２−ヒドロキシキノリンの溶液中に滴下した。 滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。 反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）で抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。 洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去して褐色液体を得た。 この褐色液体を蒸留精製（２６．６Ｐａ（０．２ｔｏｒｒ）、８５℃）することによって薄黄色液体である目的化合物を７．７ｇ得た。 （収率８１％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．２４（ｄ，１Ｈ），７．６１−７．６６（ｍ，１Ｈ），７．７８−７．８２（ｍ，１Ｈ），７．８９（ｄｄ，１Ｈ），８．０４（ｄｄ，１Ｈ），８．３３（ｄ，１Ｈ） 参考例１０ ２−トリフルオロメタンスルホニルキノキサリンの合成 ２−ヒドロキシキノキサリン７．３１ｇ（５０ｍｍｏｌ）、塩化メチレン５０ｍｌ、トリエチルアミン９．１ｍｌ（６５ｍｍｏｌ）を混合した薄茶懸濁液を氷浴で０℃にした後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物９．３ｍｌ（５５ｍｍｏｌ）を滴下した。 滴下後、茶褐色に変化した反応溶液を反応温度を０℃に維持したまま１時間攪拌した。 反応終了後、反応溶液に水２００ｍｌとジエチルエーテル３００ｍｌを加えて分液し、得られた有機層を濃度１ｍｏｌ／Ｌの塩酸２５ｍｌ、水（５０ｍｌ×３回）の順で洗浄しＰＨ６とし、次いで硫酸マグネシウムで乾燥した。 ろ過後、ろ液からジエチルエーテルを減圧留去し、得られた残滓をヘキサン５０ｍｌに７０℃で溶解して、不溶物をろ過後、ろ液を冷却することにより茶白色結晶である目的化合物を得た。 （１１．７ｇ、収率８４％） 実施例１ ８−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．７３（ｓ，６Ｈ），４．６４（ｓ、１Ｈ），７．３４−７．４３（ｍ，１Ｈ），７．４４−７．４９（ｍ，１Ｈ），７．７６（ｄｄ，１Ｈ），７．８５（ｄｄ，１Ｈ），８．１１−８．１５（ｄｄ，１Ｈ），９．１２−９．１４（ｄｄ，１Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．６０（ｓ，１Ｈ），７．３２−７．５３（ｍ，２Ｈ），７．８３（ｄｄ，１Ｈ），７．９３（ｄｄ，１Ｈ），８．１７（ｄｄ，１Ｈ），９．０６−９．０８（ｍ，１Ｈ） 実施例２ ８−キノリルエチンの合成 １００ｍＬの３つ口フラスコ内をアルゴンガスにて置換し、８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン５．５４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２３９ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、ピペリジン３５ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール２．９ｍｌ（３０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて、ジエチルエーテルにて抽出し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。 ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。 得られた残渣と、水酸化ナトリウム８２９ｍｇ（２０．３ｍｍｏｌ）を還流管を備えた３００ｍｌの２口フラスコに入れ、内部をアルゴンガスにて置換した。 これにトルエン１４５ｍｌを加え，１２０℃で０．５時間還流した。 反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテルを加えて、飽和塩化アンモニウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。 得られた残渣にヘキサン（２５０ｍｌ）を加えて７０℃に加熱し、不溶物をろ過した後、ろ液を−７８℃に冷却して生じた沈殿物をろ取し、冷ヘキサン（−７８℃，１００ｍｌ）で洗浄した後、減圧乾燥することで黄白色固体である目的化合物を２．４６ｇ得た。 （収率８０％） 実施例３ ５−フルオロ−８−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．７１（ｓ，６Ｈ），３．８５（［ｓ，１Ｈ］，７．１４−７．１８（ｍ，１Ｈ），７．４４−７．４９（ｍ，１Ｈ），７．７８−７．８３（ｍ，１Ｈ），８．４２（ｄｄ，１Ｈ），９．１０−９．１２（ｍ，１Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．５５（ｓ，１Ｈ），７．１７−７．２３（ｍ，１Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，１Ｈ），７．９０−７．９５（ｍ，１Ｈ），８．４４−８．４９（ｍ，１Ｈ），９．１０−９．１２（ｍ，１Ｈ） 実施例４ ５−クロロ−８−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．７２（ｓ，６Ｈ），３．３７（ｓ，１Ｈ），７．４９−７．５９（ｍ，１Ｈ），７．７８（ｄ，１Ｈ），８．５７−８．６０（ｍ，１Ｈ），９．０６−９．０８（ｍ，１Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．６３（ｓ，１Ｈ），７．５６−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．８９（ｄ，１Ｈ），８．６２（ｄｄ，１Ｈ），９．１１（ｄｄ，１Ｈ） 実施例５ ７−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．６９（ｓ，６Ｈ），３．５４（ｓ，１Ｈ），７．４０−７．３７（ｍ，１Ｈ），７．５１（ｄｄ，１Ｈ），７．７２（ｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），８．２６（ｄ，１Ｈ），８．９１（ｄｄ，１Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．２５（ｓ，１Ｈ），７．４２−７．３９（ｍ，１Ｈ），７．５９（ｄｄ，１Ｈ），７．７６（ｄ，１Ｈ），８．１４−８．１１（ｍ，１Ｈ），８．２６（ｓ，１Ｈ），８．９４（ｄｄ，１Ｈ） 実施例６ ６−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．６７（ｓ，１Ｈ），２．４７（ｓ，１Ｈ），７．３９−７．４２（ｍ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，１Ｈ），７．９０（ｄ，１Ｈ），８．０４（ｄ，１Ｈ），８．０９（ｄｄ，１Ｈ），８．９１（ｄｄ，１Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．１９（ｓ，１Ｈ），７．４４−７．４１（ｍ，１Ｈ），７．７６（ｄｄ，２Ｈ），７．９９（ｄ，１Ｈ），８．０５（ｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），８．９２（ｄｄ，１Ｈ） 実施例７ ５−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．７４（ｓ，６Ｈ），３．０６（ｓ，１Ｈ），７．４１−７．４５（ｍ，１Ｈ），７．５９−７．６７（ｍ，２Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．５４（ｄｄ，１Ｈ），８．９２−８．９４（ｍ，１Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．４９（ｓ，１Ｈ），７．５１−７．４８（ｍ，１Ｈ），７．６８−７．６４（ｍ，１Ｈ），７．７９（ｄｄ，１Ｈ），８．１３（ｄ，１Ｈ），８．６７−８．６４（ｍ，１Ｈ），８．９６（ｄｄ，１Ｈ） 実施例８ ４−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．７４（ｓ，６Ｈ），２．６９（ｓ，１Ｈ），７．４４（ｄ，１Ｈ），７．６１−７．５７（ｍ，１Ｈ），７．７５−７．７１（ｍ，１Ｈ），８．１２（ｄ，１Ｈ），８．２０（ｄｄ，１Ｈ），８．８６（ｄ，１Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．６７（ｓ，１Ｈ），７．５５（ｄ，１Ｈ），７．６５−７．６１（ｍ，１Ｈ），７．７８−７．７４（ｍ，１Ｈ），８．１３（ｄ，１Ｈ），８．２９（ｄｄ，１Ｈ），８．８９（ｄ，１Ｈ） 実施例９ ３−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．６８（ｓ，６Ｈ），３．７４（ｓ，１Ｈ），７．５４−７．５８（ｍ，１Ｈ），７．６９−７．７３（ｍ，１Ｈ），７．７７（ｄｄ，１Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．２１（ｄｄ，１Ｈ），９．００（ｄ，１Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．２８（ｓ，１Ｈ），７．５９−７．５５（ｍ，１Ｈ），７．７９−７．７２（ｍ，２Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．２９（ｄ，１Ｈ），８．９５（ｄ，１Ｈ） 実施例１０ ２−キノリルエチンの合成（第１工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：１．６９（ｓ，６Ｈ），２．４０（ｓ，１Ｈ），７．４９（ｄ，１Ｈ），７．５２−７．５６（ｍ，１Ｈ），７．７０−７．７４（ｍ，１Ｈ），７．７９（ｄｄ，１Ｈ），８．０９−８．１２（ｍ，２Ｈ） （第２工程） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：３．２５（ｓ，１Ｈ），７．５８−７．５３（ｍ，２Ｈ），７．７６−７．７１（ｍ，１Ｈ），７．８１−７．７９（ｄｄ，１Ｈ），８．１２（ｔ，２Ｈ） 実施例１１ ２−キノキサリルエチンの合成（第１工程） 実施例１２ （８−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（８ＱＥ）］の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）Ｃｌ（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、エタノール（８ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（１６５μｌ，０．４２ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。 反応後得られた白色沈殿をろ過し、エタノール（５ｍｌ×３回），水（５ｍｌ×４回）、及びエタノール（５ｍｌ×３）で順次洗浄し、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を０．２３ｇ得た。 （収率９６％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．１２（ｄｄ，１Ｈ），７．９９（ｄｄ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，１Ｈ），７．６２〜７．３６（ｍ，１７Ｈ） ３１ Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）：４２．８ 実施例１３ （７−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（７ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて７−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。 （収率７４％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．８９（ｄｄ，１Ｈ），８．２５（ｓ，１Ｈ），８．１０−８．０５（ｍ，１Ｈ），７．７１−７．４４（ｍ，１７Ｈ），７．３１（ｄｄ，１Ｈ） 実施例１４ （６−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（６ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて６−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。 （収率９２％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．８５−８．８３（ｍ，１Ｈ），８．０６（ｄｄ，１Ｈ），７．９９−７．９６（ｍ，２Ｈ），７．８１（ｄｄ，１Ｈ），７．６１−７．４４（ｍ，１５Ｈ），７．３５（ｄｄ，１Ｈ） ３１ Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）：４２．９ 実施例１５ （５−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。 （収率９２％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．９６−８．９３（ｍ，１Ｈ），８．９０（ｄｄ，１Ｈ），７．９９−７．９６（ｍ，１Ｈ），７．７６（ｄｄ，１Ｈ），７．６３−７．４２（ｍ，１７Ｈ） ３１ Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）：４２．８ 実施例１６ （４−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ［ＰＰｈ ３ ］［４ＱＥ］の合成 ８−キノリルエチンに替えて４−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１４ｇ得た。 （収率５６％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．８０（ｄ，１Ｈ），８．５８−８．５５（ｍ，１Ｈ），８．０７−８．０４（ｍ，１Ｈ），７．７２−７．６６（ｍ，１Ｈ），７．６３−７．４６（ｍ，１７Ｈ） 実施例１７ （３−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（３ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて３−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。 （収率８８％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０１（ｄ，１Ｈ），８．２３（ｄ，１Ｈ），８．０４（ｄ，１Ｈ），７．７５−７．７１（ｍ，１Ｈ），７．６７−７．４４（ｍ，１７Ｈ） 実施例１８（２−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（２ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて２−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２０ｇ得た。 （収率８２％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．０７（ｄ，１Ｈ），８．０２（ｄ，１Ｈ），７．７４−７．７２（ｍ，１Ｈ），７．６８−７．４３（ｍ，１８Ｈ） 実施例１９ （５−フルオロ−８−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−フルオロ−８−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。 （収率８８％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．１１（ｄｄ，１Ｈ），８．４０（ｄｄ，１Ｈ），７．９１（ｄｄ，１Ｈ），７．６２−７．４２（ｍ，１６Ｈ），７．１３（ｄｄ，１Ｈ） 実施例２０ （８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（８ＱＥ）］の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ Ｃｌ（０．２２ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温で１９時間攪拌した。反応後得られる白色沈殿をろ過し、ｔ−アミルアルコール（５ｍｍｌ×３回），温水（４０℃，５ｍｌ×３回）、およびエタノール（５ｍｌ×２回）で順次洗浄し、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を０．１７ｇ得た。（収率６４％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０４（ｄｄ，１Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），７．９５（ｄｄ，１Ｈ），７．６５（ｄｄ，１Ｈ），７．５０−７．１６（ｍ，１１Ｈ），７．０２−６．９１（ｍ，３Ｈ），２．７３（ｓ，９Ｈ） 実施例２１ ２−キノキサリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（２ＱｘＥ）］の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）Ｃｌ（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、２−キノキサリルエチン（９３ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、エタノール（８ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（１６５μｌ，０．４２ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。 反応後得られた白色沈殿をろ過し、エタノール（５ｍｌ×２回），水（５ｍｌ×４回）、及びエタノール：水＝１：１（５ｍｌ×２）で順次洗浄し、真空乾燥することにより薄茶色粉末として目的化合物を０．２１ｇ得た。 （収率８７％） 比較例１ １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．４７−７．３５（ｍ，６Ｈ），７．２２−７．１６（ｍ，４Ｈ），７．００−６．９０（ｍ，６Ｈ），６．５９（ｄ，１Ｈ），６．４６（ｄ，１Ｈ），５．８６（ｄｄ，１Ｈ），３．２５（ｄｑ，１Ｈ），２．８４（ｓ，９Ｈ），２．５０（ｄｑ，１Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）． 比較例２ 式ｇの化合物の分析値 実施例２２ Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（８ＱＥ）（（８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金）の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にクロロ（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）Ｃｌ］（０．２２ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−ブタノール（８ｍｌ）を滴下し、３０℃にて６時間攪拌した。 反応終了後、生成した白色沈殿をろ取し、温水（４０℃，５ｍｌ×３回），次いでエタノール（５ｍｌ×２回）で洗浄し、真空乾燥して薄黄色粉末である目的化合物を０．１５ｇ得た。 （収率５８％） 実施例２３ Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（８ＱＥ）（（８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金）の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にクロロ（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）Ｃｌ］（０．２２ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、テトラヒドロフラン（８ｍｌ）を滴下し、室温にて１９時間攪拌した。 反応終了後、反応混合液を塩化メチレン（１５ｍｌ）で希釈した後、水（４０ｍｌ）に加えて分液した。 有機層を分取した後、水層を塩化メチレン（１０ｍｌ×２回）にて抽出した。 得られた抽出液を前記有機層と併せて無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレン−ジエチルエーテルにより再結晶を行った。 生成した結晶をジエチルエーテル（１０ｍｌ）にて洗浄し、真空乾燥して白色粉末である目的化合物を０．１０ｇ得た。 （収率４１％） 実施例２４ Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（８ＱＥ）（（８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金）の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にクロロ（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）Ｃｌ］（０．２２ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、塩化メチレン（８ｍｌ）を滴下し、室温にて１９時間攪拌した。 反応終了後、反応混合液を塩化メチレン（１５ｍｌ）で希釈した後、水（４０ｍｌ）に加えて分液した。 有機層を分取した後、水層を塩化メチレン（１０ｍｌ×２回）にて抽出した。 得られた抽出物を前記有機層と併せて無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレン−ジエチルエーテルにより再結晶を行った。 生成した結晶をジエチルエーテル（１０ｍｌ）にて洗浄し、真空乾燥して白色粉末である目的化合物を０．０９ｇ得た。 （収率３４％） 実施例２５ （８−キノリルエチニル）（トリス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ ６ Ｈ ４ ）） ３ ］（８ＱＥ）］の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ ６ Ｈ ４ ） ３ ）Ｃｌ（０．２３ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温で１９時間攪拌した。 反応後、塩化メチレン（１５ｍｌ）で希釈した後、水（４０ｍｌ）に加えて分液した。 塩化メチレン層を分離した後、水層より塩化メチレン（１０ｍｌ×２回）で抽出操作を行い、塩化メチレン抽出物を塩化メチレン層に合わせて無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレン−ジエチルエーテルより再結晶を行った。 生成した結晶をジエチルエーテル（１０ｍｌ）を洗浄し、真空乾燥することにより青白色粉末として目的化合物を０．１１ｇ得た。 （収率４１％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０６（ｄｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），７．９８（ｄｄ，１Ｈ），７．６７（ｄｄ，１Ｈ），７．５３−７．３６（ｍ，８Ｈ），６．９７−６．９１（ｍ，６Ｈ），３．８４（ｓ，９Ｈ） 実施例２６ （８−キノリルエチニル）（トリメシチルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（Ｍｅｓ） ３ ）（８ＱＥ）］の合成 Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）Ｃｌに替えてＡｕ（Ｐ（Ｍｅｓ） ３ ）Ｃｌ（０．２５ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例２０と同様の反応操作を行い、薄緑白色粉末として目的化合物を０．１９ｇ得た。 （収率６４％） −ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ ６ ）δ：８．９３−８．８９（ｍ，１Ｈ），８．３１−８．２７（ｄｄ，１Ｈ），７．７４−７．６５（ｍ，２Ｈ），７．５２−７．４２（ｍ，２Ｈ），７．００−６．６０（ｍ，６Ｈ），２．５０（ｓ（ＢＲ），９Ｈ），２．２１（ｓ（ＢＲ），９Ｈ），１．９６（ｓ（ＢＲ），９Ｈ） 実施例２７ （８−キノリルエチニル）（トリシクロヘキシルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（８ＱＥ）］の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＣｙ ３ ）Ｃｌ（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ），８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ），ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温で１８時間攪拌した。 反応後得られる白色沈殿をろ過し、ｔ−アミルアルコール（５ｍｌ×３回），温水（４０℃，５ｍｌ×３回）、およびエタノール：水（５０：５０（体積比），５ｍｌ×２回）で洗浄し、真空乾燥することにより薄黄白色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。 （収率７１％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０５（ｄｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），７．９７（ｄｄ，１Ｈ），７．６５（ｄｄ，１Ｈ），７．４４−７．３５（ｍ，２Ｈ），２．０３−１．２０（ｍ，３３Ｈ） 実施例２８ （８−キノリルエチニル）（トリイソプロピルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｉ−Ｐｒ） ３ ）（８ＱＥ）］の合成 Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）Ｃｌに替えてＡｕ（Ｐ（ｉ−Ｐｒ） ３ ）Ｃｌ（０．１６ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例２７と同様の反応操作を行い、白色粉末として目的化合物を０．１４ｇ得た。 （収率７０％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０５（ｄｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），７．９７（ｄｄ，１Ｈ），７．６６（ｄｄ，１Ｈ），７．４５−７．３５（ｍ，２Ｈ），２．３６−２．２４（ｍ，３Ｈ），１．３５（ｄ，９Ｈ），１．３０（ｄ，９Ｈ）． 実施例２９ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（８ＱＥ）（（８−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金）の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）Ｃｌ（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温で１８時間攪拌した。 反応後得られる白色沈殿をろ過し、ｔ−アミルアルコール（５ｍｌ×３回）、温水（４０℃，５ｍｌ×３回）、次いでエタノール（５ｍｌ×２回）で洗浄し、真空乾燥して白黄色粉末である目的化合物を０．２０ｇ得た。 （収率８２％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．１２（ｄｄ，１Ｈ），７．９９（ｄｄ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，１Ｈ），７．６２−７．３６（ｍ，１７Ｈ） 実施例３０ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（ＰＥ）（（フェニルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金）の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にクロロ（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）Ｃｌ］（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、フェニルアセチレン（６１ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温にて１８時間攪拌した。 反応終了後、溶媒を減圧留去し、得られた残滓を塩化メチレン（２０ｍｌ）にて抽出した。 得られた抽出物を減圧下に溶媒留去した後、得られた白色沈殿を塩化メチレン−ヘキサンにて再結晶して、白黄色粉末である目的化合物を０．１９ｇ得た。 （収率８５％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．６０−７．４２（ｍ，１５Ｈ），７．２８−７．２０（ｍ，５Ｈ） 実施例３１ （５−フルオロ−８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−フルオロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例２０と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２１ｇ得た。 （収率７９％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．３８（ｄｄ，１Ｈ），７．８７（ｄｄ，１Ｈ），７．４７−７．３２（ｍ，７Ｈ），７．２１−６．９４（ｍ，７Ｈ），２．７３（ｓ，９Ｈ） ３１ Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）：２５．０ 実施例３２ ５−フルオロ−８−キノリルエチニル）（トリシクロヘキシルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−フルオロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例２７と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。 （収率７０％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０９（ｄｄ，１Ｈ），８．３９（ｄｄ，１Ｈ），７．８９（ｄｄ，１Ｈ），７．４２（ｄｄ，１Ｈ），７．１０（ｄｄ，１７Ｈ），２．０３−１．１７（ｍ，３３Ｈ） ３１ Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）：５６．６ 実施例３３ （５−クロロ−８−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−クロロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２４ｇ得た。 （収率９２％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．５５（ｄｄ，１Ｈ），７．８９（ｄ，１Ｈ），７．６２−７．２２（ｍ，１７Ｈ） ３１ Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）：４１．８ 実施例３４ （５−クロロ−８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−クロロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例２０と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。 （収率６７％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．５３（ｄｄ，１Ｈ），７．８５（ｄ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，１Ｈ），７．６１−６．９１（ｍ，１４Ｈ），２．７３（ｓ，９Ｈ） ３１ Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）：２３．８ 実施例３５ （５−クロロ−８−キノリルエチニル）（トリシクロヘキシルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）］の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−クロロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例２７と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２１ｇ得た。 （収率７８％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０９（ｄｄ，１Ｈ），８．５４（ｄｄ，１Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．５２−７．４６（ｍ，２Ｈ），２．０７−１．２０（ｍ，３３Ｈ） 実施例３６ ビス（８−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２ ）の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＰｔ（ｄｍｐｅ）Ｃｌ ２ （０．１０ｇ，０．２４ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（０．２９ｇ，１．９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（１１ｍｇ，０．０５５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとジエチルアミンの混合液（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド：ジエチルアミン＝３：２）を１０ｍｍｌ加え、５０℃で９時間攪拌した。 反応終了後、不溶物をろ過し、得られたろ液にジクロロメタン（４０ｍｌ）を加え、水洗して（５０ｍｌ×４回）、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧下留去した。 得られた残渣に過剰量のジエチルエーテルを加えて析出した固体をろ取し、得られた固体をジエチルエーテルで洗浄して、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を０．１０ｇ得た。 （収率６４％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．８９（ｄ，２Ｈ），８．０６（ｄ，２Ｈ），７．９４（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｍ，２Ｈ），７．４１（ｍ，２Ｈ），７．３０（ｍ，２Ｈ），１．９６（ｍ，１６Ｈ） 実施例３７ ビス（８−キノリルエチニル）（ビスジフェニルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ） ２ ）の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＰｔ（ｄｐｐｅ）Ｃｌ ２ （０．１６ｇ，０．２４ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（０．２９ｇ，１．９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（１１ｍｇ，０．０５５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとジエチルアミンの混合溶液（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド：ジエチルアミン＝３：２）を１０ｍｌ加え、５０℃で９時間攪拌した。 反応終了後、不溶物をろ過し、得られたろ液にジクロロメタン（４０ｍｌ）を加え、水洗し（５０ｍｌＸ４回）、硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を減圧下濃縮した。 得られた残渣に過剰量のジエチルエーテルを加えて析出した固体をろ取して、得られた固体をジエチルエーテルで洗浄し、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を０．１３ｇ得た。 （収率５９％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．７８（ｄ，２Ｈ），８．１５（ｍ，６Ｈ），８．１０（ｄ，２Ｈ），７．７０（ｍ，２Ｈ），７．６２（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４０−７．２０（ｍ，１６Ｈ），２．５２−２．４０（ｍ，４Ｈ） 実施例３８ ビス（７−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７−ＱＥ） ２ ）の合成 ８−キノリルエチンに替えて７−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．０８ｇ得た。 （収率５４％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．８３（ｄｄ，２Ｈ），８．０８（ｓ，２Ｈ），８．０６−８．０３（ｍ，２Ｈ），７．６４−７．６０（ｍ，４Ｈ），７．２８−７．２５（ｍ，２Ｈ），１．９０−１．７１（ｍ，１６Ｈ） 実施例３９ ビス（６−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ） ２ ）の合成 ８−キノリルエチンに替えて６−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１２ｇ得た。 （収率７７％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．７８（ｄ，２Ｈ），８．０３（ｄ，２Ｈ），７．９２（ｄ，２Ｈ），７．８４（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｄｄ，２Ｈ），７．３３−７．３０（ｍ，２Ｈ），１．８８−１．７３（ｍ，１６Ｈ） 実施例４０ ビス（５−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ） ２ ）の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１４ｇ得た。 （収率８８％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０７（ｄｄ，２Ｈ），８．８２（ｄｄ，２Ｈ），７．９０（ｄ，２Ｈ），７．６４（ｄｄ，２Ｈ），７．６０−７．５６（ｍ，２Ｈ），７．２２−７．１９（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７６（ｍ，１６Ｈ） 実施例４１ ビス（４−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４−ＱＥ） ２の合成 ８−キノリルエチンに替えて４−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．０８ｇ得た。（収率５０％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．７５（ｄ，２Ｈ），８．６２（ｄｄ，２Ｈ），８．０２（ｄ，２Ｈ），７．６５−７．６１（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．３９（ｍ，４Ｈ），１．９２−１．７４（ｍ，１６ｈ） 実施例４２ ビス（３−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ） ２ ）の合成 ８−キノリルエチンに替えて３−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１３ｇ得た。 （収率８６％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．９３（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ），８．００（ｄ，２Ｈ），７．７０（ｄ，２Ｈ），７．６１−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．４９−７．４５（ｍ，２Ｈ），１．９２−１．７４（ｍ，１６Ｈ） 実施例４３ ビス（２−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ） ２ ）の合成 ８−キノリルエチンに替えて２−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１３ｇ得た。 （収率８６％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．９９（ｄ，２Ｈ），７．９３（ｄ，２Ｈ），７．６８（ｄｄ，２Ｈ），７．６２−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．５１（ｄ，２Ｈ），７．４１−７．３７（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７６（ｍ，１６Ｈ） 実施例４４ ビス（８−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２ ］の合成 アルゴン雰囲気下、２５ｍｌジュレンク管にＰｔ（ｄｍｐｅ）Ｃｌ ２に（０．１７ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（０．１４ｇ，０．８８ｍｍｏｌ）、エタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（濃度２．５５モル／Ｌ（リットル）のエタノール溶液、３００μＬ、０．８４ｍｍｏｌ）を滴下する。 反応混合物を攪拌しつつ４時間加熱還流を行った。 不溶物をろ過後、反応液にジクロロメタン（４０ｍｌ）を加え、水洗する（５０ｍｌ×４回），硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を減圧下濃縮した。 この濃縮液に過剰量のジエチルエーテルを加えて目的化合物を析出させて濾過し、得られた固体をジエチルエーテルで洗浄し、真空乾燥することにより薄灰色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。 なお、本化合物は結晶溶媒として塩化メチレンを１．５当量含む。 （収率７５％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）δ：８．８９（ｄ，２Ｈ），８．０６（ｄ，２Ｈ），７．９４（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｍ，２Ｈ），７．４１（ｍ，２Ｈ），７．３０（ｍ，２Ｈ），１．９６（ｍ，１６Ｈ） 実施例４５ ビス（７−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ） ２ ］の合成 ８−キノリルエチンに替えて７−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１９ｇ得た。 （収率７３％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．８３（ｄｄ，２Ｈ），８．０８（ｓ，２Ｈ），８．０６−８．０３（ｍ，２Ｈ），７．６４−７．６０（ｍ，４Ｈ），７．２８−７．２５（ｍ，２Ｈ），１．９０−１．７１（ｍ，１６Ｈ） 実施例４６ ビス（６−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ） ２ ］の合成 ８−キノリルエチンに替えて６−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。 （収率６８％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．７８（ｄ，２Ｈ），８．０３（ｄ，２Ｈ），７．９２（ｄ，２Ｈ），７．８４（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｄｄ，２Ｈ），７．３３−７．３０（ｍ，２Ｈ），１．８８−１．７３（ｍ，１６Ｈ） 実施例４７ ビス（５−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ） ２ ］の合成 ８−キノリルエチンに替えて５−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２０ｇ得た。 （収率７７％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：９．０７（ｄｄ，２Ｈ），８．８２（ｄｄ，２Ｈ），７．９０（ｄ，２Ｈ），７．６４（ｄｄ，２Ｈ），７．６０−７．５６（ｍ，２Ｈ），７．２２−７．１９（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７６（ｍ，１６Ｈ） 実施例４８ ビス（４−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ） ２ ］の合成 ８−キノリルエチンに替えて４−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２０ｇ得た。 （収率７７％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）：δ８．７５（ｄ，２Ｈ），８．６２（ｄｄ，２Ｈ），８．０２（ｄ，２Ｈ），７．６５−７．６１（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．３９（ｍ，４Ｈ），１．９２−１．７４（ｍ，１６Ｈ） 実施例４９ ビス（３−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ） ２ ］の合成 ８−キノリルエチンに替えて３−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１９ｇ得た。 （収率７２％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：８．９３（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ），８．００（ｄ，２Ｈ），７．７０（ｄ，２Ｈ），７．６１−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．４９−７．４５（ｍ，２Ｈ），１．９２−１．７４（ｍ，１６Ｈ） 実施例５０ ビス（２−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ） ２ ］の合成 ８−キノリルエチンに替えて２−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１９ｇ得た。 （収率７５％） １ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ ３ ）δ：７．９９（ｄ，２Ｈ），７．９３（ｄ，２Ｈ），７．６８（ｄｄ，２Ｈ），７．６２−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．５１（ｄ，２Ｈ），７．４１−７．３７（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７６（ｍ，１６Ｈ） 実施例５１ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（８ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製 イーエッチシー製インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと記載する。）被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ビス−（フェニル）−ベンジジン（以下、ＴＰＤと記載する。）からなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）（８ＱＥ）を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ターシャリブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと記載する。）からなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 （図１参照） なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれたアルミナ製坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料をタングステンフィラメントを用いて加熱することによって行った。 このとき坩堝に接触させた熱電対によって坩堝の温度を測定し、Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（８ＱＥ）を仕込んだ坩堝の温度は、概略３３０℃を超えない範囲に制御した。 前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋１８Ｖにおいて１６ｃｄ／ｍ ２で青色発光した。 このとき発光に係る電流の効率を以下の式で求めた。 電流効率＝（単位面積当りの発光輝度）／（単位面積当りの電流密度） このようにして求めた電流効率は０．０３ｃｄ／Ａであった。 前記素子の発光スペクトルを日本分光（株）製分光蛍光光度計ＦＰ−６３００を用いて測定した。 結果を図２に示す。 この素子の発光スペクトルは４０５ｎｍ付近にピークを有しており、ＣＩＥ色度座標値を求めたところ（０．１７，０．０８）であった。 実施例５２ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（８ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて６３ｃｄ／ｍ ２で青色発光した。 この素子の最大電流効率は＋１３Ｖにおける０．２３ｃｄ／Ａであった。 前記素子の発光スペクトルを実施例５０と同様にして測定した。 結果を図４に示す。 この素子の発光スペクトルは４００ｎｍ付近にピークを有しており、ＣＩＥ色度座標値を求めると（０．２４，０．２４）であった。 実施例５３ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（８ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製（３） 前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２２Ｖにおいて４０ｃｄ／ｍ ２で青色発光した。 この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．３２ｃｄ／Ａであった。 実施例５４ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（８ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製（４） 前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて４５ｃｄ／ｍ ２で青色発光した。 この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．２６ｃｄ／Ａであった。 実施例５５ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製 発光層（４）中の錯体をＡｕ（ＰＰｈ ３ ）（５ＱＥ）とした以外は実施例５２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ｎ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１７Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２５Ｖにおいて２３ｃｄ／ｍ ２で青色発光した。 このときの電流効率は０．１４ｃｄ／Ａであった。 実施例５６ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、４，４'−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（以下ＣＢＰと略す）中にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２４Ｖにおいて６７ｃｄ／ｍ ２で発光した。 この素子の最大電流効率は＋１４Ｖで０．１５ｃｄ／Ａであった。 実施例５７ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例５８ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（３） 実施例５９ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（４） 実施例６０ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（５） 実施例６１ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例６２ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例６３ Ａｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ］（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ］（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例６４ Ａｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ］（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例６５ Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＣｙ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例６６ Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例６７ Ａｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ］（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ］（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例６８ Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＣｙ ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例６９ Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例７０ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（６ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）（６ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例７１ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（６ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例７２ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例７３ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（５ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（３） 実施例７４ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（６ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（３） 実施例７５ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（６ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（４） 実施例７６ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（２ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）（２ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例７７ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（２ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例７８ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（７ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）（７ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例７９ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（７ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例８０ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（４ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ ３ ）（４ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例８１ Ａｕ（ＰＰｈ ３ ）（４ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例８２ Ａｕ［Ｐ（ｉ−Ｐｒ） ３ ］（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ［Ｐ（ｉ−Ｐｒ） ３ ］（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例８３ Ａｕ［Ｐ（ｉ−Ｐｒ） ３ ］（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例８４ Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（ＰＣｙ ３ ）（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例８５ Ａｕ（ＰＣｙ ３ ）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例８６ Ａｕ（Ｐ（Ｍｅｓ） ３ ）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（Ｐ（Ｍｅｓ） ３ ）（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例８７ Ａｕ（Ｐ（Ｍｅｓ） ３ ）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例８８ Ａｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ ６ Ｈ ４ ）） ３ ］（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ ６ Ｈ ４ ）） ３ ］（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例８９ Ａｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ ６ Ｈ ４ ）） ３ ］（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例９０ Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例９１ Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ） ３ ）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２） 実施例９２ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を２０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍ、順次真空蒸着させて図１に示すエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれたアルミナ製坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料をタングステンフィラメントを用いて加熱することによって行った。 このとき坩堝に接触させた熱電対によって坩堝の温度を測定し、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２を仕込んだ坩堝の温度は、２８０℃を超えない範囲に制御した。 前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１６Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて８ｃｄ／ｍ ２で発光した。 このとき発光に係る電流効率を前記の式で求めたところ０．０９ｃｄ／Ａであった。 実施例９３ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 発光層（４）の膜厚を３０ｎｍ、ホールブロック層（５）の膜厚を３０ｎｍとした以外は実施例９２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例９４ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 （図２参照） 実施例９５ Ｐｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ） ２を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 （図２参照） 実施例９６ Ｐｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９５と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例９７ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ） ２を１０重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例９８ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９７と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例９９ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ） ２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１００ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９８と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０１ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ） ２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０２ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 発光層（４）の膜厚を３０ｎｍ、ホールブロック層（５）の膜厚を３０ｎｍとした以外は実施例１００と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０３ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例１０２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０４ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ） ２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０５ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０６ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ） ２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０７ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例１０６と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０８ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ） ２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１０９ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例１０８と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 実施例１１０ Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製 ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０ −３ Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ） ２を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。 本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用の青色又は白色発光材料に有用な上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体及び同錯体を有機化合物薄層の内、少なくとも１つに含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。 この有機エレクトロルミネッセンス素子は電圧印加により青色又は白色の発光を示す。 |
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