【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストを使用せず光を用いてマイクロまたはナノサイズの伝導性金属パターンを形成することが可能な有機金属化合物、
及びそれを用いた金属パターン形成方法に関し、より詳細には、中心転移金属に結合された２つの有機配位子の少なくとも一つはイミダゾリリデン(imidazolylidene)
化合物であり、残りのもう一つは同種または異種のイミダゾリリデン化合物またはβ−ジケトネート(β-diketo
nate)化合物である有機金属化合物、及び前記有機金属化合物を用いた金属パターン形成方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】既存の金属パターン形成方法としては、
例えば、金属有機物をＣＶＤ法(Chemical Vapor Deposi
tion)もしくはＡＬＤ法(Atomic Layer Deposition)を用いてシリコンまたはガラス基板上にフィルムを形成し、
その上にフォトレジストをスピンコート法で塗布し、光リソグラフィ法によってパターンを形成し、別途のエッチング工程を行ってフォトレジストを除去する方法がある。 他の方法としては、プラズマ蒸着法、スパッタリング法、電気メッキ法等によって基板上に金属膜を形成し、その上にフォトレジストを塗布した後、光を用いたパターン形成工程とエッチング工程によって金属パターンを得る方法がある。 このような従来の方法はいずれも高温、高真空装置を必要とし、フォトレジストを用いてパターンを形成する工程及びフォトレジストを除去するエッチング工程を伴う。 【０００３】一方、光反応を利用しない金属パターン形成方法も提案されていた。 例えば、特開昭６２−２６３
９７３号には、有機金属化合物の薄膜層に電子ビームを照射して金属パターンを形成する方法が開示されており、これは光反応によるものではない（特許文献１）。
また、Kestnbaum等に許可された米国特許第５,０６４,
６８５号には、基板に金属有機物インクを塗布した後、
レーザで加熱して熱分解反応によって金属フィルムを得る方法が開示されている（特許文献２）。 しかしながら、この方法では基板が高温に露出されるため、金属以外の物質への蒸着を行うことができない。 【０００４】一方、Hill等に許可された米国特許第５,
５３４,３１２号には、光に敏感な有機化合物を金属に配位結合させて合成した有機金属化合物を基板上に塗布し、フォトレジスト塗布工程を行うことなく直ちに光を照射してパターンを得る方法が開示されている。 同特許では、有機配位子化合物として、アセチルアセトネート、ジアルキルジチオカルバメート、カルボキシレート、ピリジン、アミン、ジアミン、アルシン、ジアルシン、ホスフィン、ジホスフィン、アレーン及びアルコキシ配位子を使用し、オキサラト、ハロゲン、水素、ヒドロキシ、シアノ、カルボニル、ニトロ、ニトレート、ニトロキシル、エチレン、アセチレン、チオシアネート、
イソチオシアネート、水、アジド、カーボネイト、アミン、チオカルボニルなどからなる群より選ばれる一つまたはそれ以上の配位子を金属に単独、もしくは前記有機配位子化合物と結合させて有機金属化合物を合成している。 同特許によれば、このように合成された有機金属化合物を基板上に塗布し、パターンの形成されたマスクに光を通過させると、光が直接有機金属化合物と反応を起こし、金属に配位された有機配位子が分解されて離脱し、残っている金属は周囲の金属原子または大気中の酸素と反応して金属酸化膜パターンを形成する、としている。 なお、形成された酸化膜の電気伝導度を向上させるために、水素／窒素混合ガスを流しながら２００℃以上の高温で還元反応及び表面熱処理過程を行っている（特許文献３）。 【０００５】しかしながら、この方法に使用された有機金属化合物は、単一平面でなく立体的障害が比較的大きい配位子から構成されている。 これは光照射によって分解される配位子の空間が大きいことを意味し、これにより金属膜厚の収縮率が増加する。 その結果、同特許の方法による金属パターン形成では、金属膜の収縮率(shrin
kage)が９０％に至って金属膜のひび割れ(cracking)と小割れ(crazing)が発生するという問題点があった。 【０００６】 【特許文献１】特開昭６２−２６３９７３号【特許文献２】米国特許第５,０６４,６８５号【特許文献３】米国特許第５,５３４,３１２号【０００７】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来の技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、
金属膜収縮の大きい原因になる有機配位子のバルキネスを減らし、かつ光による配位子が分解離脱し易い有機金属化合物を製造し、これを用いた金属パターン形成方法を提供することにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第一は、
下記化学式１の構造を有する金属パターン形成用有機金属化合物である。 【０００９】 【化４】 【００１０】（式中、ＭはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎ
ｉ及びＰｔからなる群より選ばれる１種の転移金属、Ｌ
は下記化学式２の構造を有するイミダゾリリデン化合物、Ｌ'は下記化学式２の構造を有するイミダゾリリデン化合物、もしくは下記化学式３の構造を有するβ−ジケトネート化合物である。 ） 【００１１】 【化５】 【００１２】（式中、Ｒ
1 、Ｒ 2 、Ｒ 3及びＲ 4はそれぞれ独立して水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、エステル基又は芳香族炭化水素基である。） 【００１３】 【化６】 【００１４】（式中、Ｒ 5 、Ｒ 6及びＲ 7はそれぞれ独立して水素原子、もしくは炭素数１〜２０のアルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、エステル基又は芳香族炭化水素基である。 ） 本発明の第二は、前記有機金属化合物を用いた金属パターン形成方法である。 【００１５】 【発明の実施の形態】以下、本発明をより詳細に説明する。 【００１６】本発明の有機金属化合物は、中心金属に２
つの配位子が結合された形態の化合物であり、２つの配位子の少なくとも一つはイミダゾリリデン化合物、残りのもう一つは同種または異種のイミダゾリリデン化合物またはβ−ジケトネート化合物である。 本発明の有機金属化合物は下記化学式１で表わすことができる。 【００１７】 【化７】 【００１８】式（１）において、ＭはＡｇ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＰｔからなる群より選ばれる１種の転移金属、Ｌは下記化学式２の構造を有するイミダゾリリデン化合物、Ｌ'は下記化学式２の構造を有するイミダゾリリデン化合物、もしくは下記化学式３の構造を有するβ−ジケトネート化合物である。 【００１９】 【化８】 【００２０】式（２）において、Ｒ
1 、Ｒ 2 、Ｒ 3及びＲ 4
はそれぞれ独立して水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、炭素数２〜２０のエステル基、又は芳香族炭化水素基である。 好ましくは、Ｒ
1 、Ｒ 2 、Ｒ
3及びＲ 4はそれぞれ独立してメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基またはフェニル基である。 【００２１】 【化９】 【００２２】式（３）において、Ｒ 5 、Ｒ 6及びＲ 7はそれぞれ独立して水素原子、もしくは炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、炭素数２〜２０のエステル基、又は芳香族炭化水素基である。 好ましくは、Ｒ 5 、Ｒ 6及びＲ
7はそれぞれ独立してメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基またはフェニル基である。 【００２３】本発明の有機金属化合物は、独特な分子構造を有するが、一例として後述する製造例４で合成した
(１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２
−イリデン)(ジフェニルアセトネート)銀の分子構造を図１に示す。 図１に示すように、イミダゾリリデン及びジケトネート配位子と中心金属は全て同一平面上に存在し、この際、ジケトネート配位子に付いているフェニル基のみが平面からやや外れている。 【００２４】さらに、そのような分子構造を有する(１,
３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン)(ジフェニルアセトネート)銀の分子配列を図２
に示す。 図２では、ジフェニルアセトネート配位子のフェニル基及び水素原子は省略した。 図２に示すように、
配位子間の立体配置に従って、各分子はそれぞれの配位子が１８０°反転された形態で積層され、上下相互の該有機金属化合物の中心金属間の距離はほぼファンデルワールス結合に近い３Å（ファンデルワールス結合長：
２.８２Å）と、これより長い６.５Åの間隔で交代に積層され、左右相互の該有機金属化合物の中心金属はジグザグに配列されている。 すなわち、本発明の有機金属化合物では２つの有機配位子が中心金属と同じ平面に存在し、金属−金属間の距離が近い配列をしているから、金属パターンの形成時に金属膜の収縮率が低くなり、ひび割れと小割れの発生を防止することができる。 また、本発明の有機金属化合物を構成する有機配位子は、光に敏感であって露光時に中心金属から容易に分離されて分解される特性があるため、金属パターン形成時に別途のフォトレジスト塗布工程及びエッチング工程を必要としない。 【００２５】このような有機金属化合物を用いた本発明の金属パターン形成方法は、該有機金属化合物を溶媒に溶解させた後、基板上に塗布して薄膜を形成し、マスクを用いて露光させた後、現像して金属または金属酸化物パターンを形成する段階を含む。 本発明の有機金属化合物を露光させると、金属Ｍに結合された有機配位子Ｌ及びＬ'が金属から分離、分解されて無くなり、基板上に残っている金属は周囲の金属と結合して金属パターンを形成する。 その結果、光に露出された有機金属薄膜は金属薄膜に変わり、光に露出されていなかった有機金属薄膜部分及び光分解された有機物は現像時に有機溶媒に溶解されて容易に除去される。 【００２６】本発明の金属パターン形成方法に使用される基板の種類は、本発明の目的を阻害しない限り特に制限されず、シリコンまたはガラスのような無機物からなる基板、プラスチックのような有機物からなる基板、もしくは無機物と有機物の複合体からなる基板などを使用することができる。 【００２７】一方、本発明の金属パターン形成方法において、前記塗布段階はスピンコート、ロールコート、マイクロコンタクトプリント(micro-contact printing)又はスプレーコート法によって行われることが好ましく、
前記露光段階では紫外線ＵＶを用いることが好ましい。 【００２８】本発明の金属パターン形成方法は、金属または金属酸化物パターン形成後、熱処理する段階をさらに含むことができる。 該熱処理はいわゆるアニーリングである。 本発明によれば、ガラスまたはプラスチックなどからなる基板に、熱的な影響を与えず比較的低い温度で熱処理を行うことが可能であり、必要に応じて水素／
窒素混合ガスまたは純粋窒素ガスまたは空気条件の下で３００℃以下、好ましくは２００℃以下の温度で熱処理を行うことができる。 【００２９】上述した本発明の金属パターン形成方法は、フレキシブルディスプレイ(flexible display)またはフラットパネルディスプレイ(flat panel display)のスパッタ層を代替する用途に使用し、もしくはＣＭＰフリーダマシンプロセッシング(CMP-free damascene proc
essing)及びＰＲ−フリーＩＴＯ層の形成に使用することができる。 【００３０】 【実施例】以下、実施例によって本発明をより具体的に説明する。 これらの実施例は本発明を説明するためのものであり本発明を限定するものではない。 （製造例１） １,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−
チオン(1,3-dimethyl-4,5-dimethylimidazole-2-thion
e)の合成【００３１】 【化１０】 【００３２】Kuhnなどの文献（参照：N. Kuhn and T. K
ratz, Synthesis, June 1993, P.561）に記述された方法を変形し、次のように１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−チオンを合成した。 【００３３】ジメチルチオウレア（１００ｍｍｏｌ）を１−ヘキサノール（２５０ｍＬ）に添加した後、３−ヒドロキシル−２−ブタノン（１００ｍｍｏｌ）添加した。 その後、反応温度を約１５０℃〜１６０℃に昇温させながら還流反応を約１２時間程度行った。 温度が段々上がるにつれて、白い固体状反応物が１−ヘキサノールに溶解して黄色に変わった。 還流反応が完了した後、前記溶液を約−３０℃程度の冷凍庫に一日程度保管すると、白い固体成分と黄色い液体成分に分離した。 黄色い液体部分を注射器で除去し、残っている白い固体部分を水とエーテルで洗浄し、乾燥させて１,３−ジメチル−
４,５−ジメチルイミダゾール−２−チオンを得た。 このように製造された１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−チオンの
1 Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りである。 【００３４】 1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ 2 Ｃｌ 2 ）：３．４８
［ｓ，６Ｈ，Ｎ（１，３）−ＣＨ
3 ］，２．０６［ｓ，
６Ｈ，Ｃ（４，５）−ＣＨ
3 ］ （製造例２） １,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−
イリデン(1,3-dimethyl-4,5-dimethylimidazol-2-ylide
ne)の合成【００３５】 【化１１】 【００３６】前記製造例１で得た１,３−ジメチル−４,
５−ジメチルイミダゾール−２−チオン（５ｍｍｏｌ）
をＴＨＦ（３０ｍＬ）に溶解した後、温度を０℃に下げた。 ここに、２.２当量程度のカリウム金属を細かく切って入れた。 次に、温度を昇温させて約４時間程度還流反応を行った。 反応後、濾紙を針の先端に縛り付けたものを用いて薄黄色の液体部分のみを分離した。 その後、
溶媒を除去して、やや黄色みを帯びた１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−イリデンを得て、窒素雰囲気中、低温で保管した。 このように製造された１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−
２−イリデンの
1 Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りである。 【００３７】 1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ 6 Ｄ 6 ）：３．３５［ｓ，
６Ｈ，Ｎ（１，３）−ＣＨ
3 ］，１．５９［ｓ，６Ｈ，
Ｃ（４，５）−ＣＨ
3 ］ （製造例３） ジフェニルアセトネート銀(diphenylacetonate silver)
の合成【００３８】 【化１２】 【００３９】１,３−ジフェニル−１,３−プロパンジオン（もしくはジベンゾイルメタン４.５４ｇ）をエタノール（２０ｍＬ）／水（６０ｍＬ）溶液に添加し、Ｎａ
ＯＨ（０.８ｇ）を加えた後、常温で約２時間程度反応させて黄色い液体を得た。 【００４０】その液体をＡｇＮＯ
3 （３.４４ｇ）水溶液（８０ｍＬ）に徐々に滴下して灰色の固体成分を生成した。 前記溶液を約１時間程度さらに攪拌し、固体成分を濾過して水／エタノール／エーテルの順で洗浄した後、
５０℃の真空オーブンで約６時間乾燥させ、ジフェニルアセトネート銀を得た。 このように製造されたジフェニルアセトネート銀のＣ＝Ｏ結合の存在を確認するために、ＩＲスペクトルで分析した。 その結果は次の通りである。 【００４１】ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）：１４２０，１４５
５，１５０９，１５６０，１５９７ｃｍ
-1 （製造例４） （１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２
−イリデン）（ジフェニルアセトネート）銀[(1,3-dime
thyl-4,5-dimethylimidazol-2-ylidene) (diphenylacet
onate)silver)]の合成【００４２】 【化１３】 【００４３】前記製造例２で得た１,３−ジメチル−４,
５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン（２８１ｍ
ｇ、２.２６７ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気中でＴＨＦ溶媒（３０ｍＬ）に添加した後、攪拌して溶解させた。 次に、前記ＴＨＦ溶液（３０ｍＬ）を低温（−７８℃）に冷却し、ここに前記製造例３で得たジフェニルアセトネート銀スラリー（７４９ｍｇ）を徐々に加えた後、ゆっくり常温に昇温させながら約３時間程度攪拌した。 攪拌後、セライト(celite)を用いて、反応中に生成された黒色の微細な沈澱物を除去した。 こうして得られた溶液部分から真空下で溶媒を除去した。 これから得た固体成分を塩化メチレン（約２０ｍＬ）にさらに溶解した後、冷凍庫（−３０℃）に一日程度放置し、上澄液部分の約半分程度を取って約１００ｍＬのペンタンまたはヘキサン溶媒に注射器を用いて徐々に滴下すると、灰色の固体成分が生成した。 前記溶液を約１時間程度そのまま放置して固体成分を沈澱させた後、薄黄色の上澄液部分を注射器によって除去した。 残っている固体成分にさらにヘキサンを約５０〜６０ｍＬ程度添加し、ここに前記で残しておいた残り半分の塩化メチレン溶液を滴下して灰色の固体成分を生成させた。 前述と同様に、その溶液を約１
時間程度そのまま放置して固体成分を沈澱させた後、薄黄色の上澄液部分を注射器によって除去した。 このように製造された（１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン）（ジフェニルアセトネート）
銀の収率は約８０％であり、単結晶はＣＨ
2 Ｃｌ 2 ／ペンタン溶媒下で−３０℃にて得た。 【００４４】（１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン）（ジフェニルアセトネート）
銀の化学的分析結果は次の通りである。
1 Ｈ−ＮＭＲ
（ＣＤ
2 Ｃｌ 2 ）：３．７５［ｓ，６Ｈ，Ｎ（１，３）−
ＣＨ
3 ］，２．１４［ｓ，６Ｈ，Ｃ（４，５）−Ｃ
Ｈ
3 ］，７．８９［ｍ，４Ｈ，Ｐｈ］，７．４０［ｍ，
６Ｈ，Ｐｈ］，６．４５［ｓ，１Ｈ，Ｃ＝ＣＨ−Ｃ］
13 Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤ 2 Ｃｌ 2 ）：１８５．７（ｓ，Ｏ−Ｃ
（Ｐｈ）−ＣＨ），１７９．４（ｓ，Ｃ
carbene ），１
２５．８（ｓ，Ｃ＝Ｃ（ＣＨ
3 ）−Ｎ），１２７．４，
１２８．４，１３０．２，１４３．８（Ｐｈ−ｇｒｏｕ
ｐ），９３．１（ｓ，Ｃ（Ｐｈ）＝ＣＨ＝Ｃ（Ｐ
ｈ）），３６．７（ｓ，Ｃ＝Ｃ（ＣＨ
3 ）−Ｎ），９．
５（ｓ，Ｃ＝Ｃ（ＣＨ
3 ）） ＦＴ−ＩＲ（ＫＢｒ）：１４２５，１４６６，１５０
７，１５６６，１６０５，１６４５ｃｍ
-1 ＵＶ／ＶＩＳ（ＣＨ 2 Ｃｌ 2 ）：２４７，２５４ｎｍ （実施例１）前記製造例４で得た（１,３−ジメチル−
４,５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン）（ジフェニルアセトネート）銀を塩化メチレンに０.２２Ｍ濃度で溶解した後、その溶液を大気中でガラス基板上にスピンコート法によって５００ｒｐｍ／５ｓｅｃ→２００
０ｒｐｍ／２０ｓｅｃ→５００ｒｐｍ／５ｓｅｃの条件で塗布した。 金属パターンを形成するために、前記基板を大気中の常温でＵＶ光（２００ｎｍ〜４００ｎｍ）に２時間露出させた。 光に露出された部分では光によって配位子が分離されながら銀金属フィルムが形成された。
光に露出されていない部分と光分解されて残っている有機物は、塩化メチレンで溶かして除去した。 このようにパターンが形成された基板を約２００℃のホットプレート上にのせ、空気中で約２時間程度熱処理(annealing)
を行って、電気の流れる金属パターンを得た。 ３Ｍテープで接着力を試験した結果、形成されたパターンは基板から分離されず、４ポイントプローブ法で電気抵抗を測定し、電気が流れていることを確認した。 【００４５】 【表１】 【００４６】（製造例５） （１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２
−イリデン）（ジメチルアセトネート）銀[(1,3-dimeth
yl-4,5-dimethylimidazol-2-ylidene) (dimethylaceton
ate)silver)]の合成【００４７】 【化１４】 【００４８】前記製造例２で得た１,３−ジメチル−４,
５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン（１６０ｍ
ｇ、１.２９ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気中でＴＨＦ溶媒（３０ｍＬ）に添加した後、攪拌して溶解させた。 次に、前記ＴＨＦ溶液（１５ｍＬ）を低温（−７８℃）に冷却し、ここにジメチルアセトネート銀スラリー（２４
２ｍｇ）を徐々に加えた後、ゆっくり常温に昇温させながら約３時間程度攪拌した。 攪拌済み後、セライト(cel
ite)を用いて、反応中に生成された黒色の微細な沈澱物を除去した。 こうして得られた溶液部分から真空下で溶媒を除去した。 これから得た固体成分を塩化メチレン（約２０ｍＬ）にさらに溶解した後、冷凍庫（−３０
℃）に一日程度放置しておき、上澄液部分の約半分程度を取って約１００ｍＬのペンタンまたはヘキサン溶媒に注射器を用いて徐々に滴下すると、灰色の固体成分が生成した。 前記溶液を約１時間程度そのまま放置して固体成分を沈澱させた後、薄黄色の上澄液部分を注射器によって除去した。 残っている固体成分にさらにヘキサンを約５０〜６０ｍＬ程度添加し、ここに前記で残しておいた残り半分の塩化メチレン溶液を滴下し、灰色の固体成分を生成させた。 前述と同様に、その溶液を約１時間程度そのまま放置して固体成分を沈澱させた後、薄黄色の上澄液部分を注射器によって除去した。 このように製造された（１,３−ジメチル−４,５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン）（ジメチルアセトネート）銀の化学的分析結果は次の通りである。 【００４９】
1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ 2 Ｃｌ 2 ）：３．６７
［ｄ，１．２Ｈｚ，６Ｈ，Ｎ（１，３）−ＣＨ
3 ］，
２．１２［ｄ，０．９Ｈｚ，６Ｈ，Ｃ（４，５）−ＣＨ
3 ］，１．８６［ｄ，０．９Ｈｚ，６Ｈ，Ｏ−Ｃ（Ｃ
Ｈ
3 ）−ＣＨ］，５．１０［ｓ，１Ｈ，Ｃ（ＣＨ 3 ）＝Ｃ
Ｈ＝Ｃ（ＣＨ
3 ）］ 13 Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤ 2 Ｃｌ 2 ）：１９０．８［ｓ，Ｏ−Ｃ
（ＣＨ
3 ）−ＣＨ］，１７９．４［ｓ，Ｃ carbene ］，１
２５．８［ｓ，Ｃ＝Ｃ（ＣＨ
3 ）−Ｎ］，９７．４
［ｓ，Ｃ（ＣＨ
3 ）＝ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ 3 ）］，３７．０
［ｓ，Ｃ＝Ｃ（ＣＨ
3 ）−Ｎ］，２９．３［ｓ，Ｃ（Ｃ
Ｈ
3 ）＝ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ 3 ）］，９．５［ｓ，Ｃ＝Ｃ（Ｃ
Ｈ
3 ）］ ＵＶ／ＶＩＳ（ＣＨ 2 Ｃｌ 2 ）：２４６，３００ｎｍ（実施例２）前記製造例５で得た（１,３−ジメチル−４,５
−ジメチルイミダゾール−２−イリデン）（ジメチルアセトネート）銀を塩化メチレンに０.２Ｍ濃度で溶解した後、その溶液を大気中でガラス基板上にスピンコート法によって５００ｒｐｍ／５ｓｅｃ→２０００ｒｐｍ／
２０ｓｅｃ→５００ｒｐｍ／５ｓｅｃの条件で塗布した。 金属パターンを形成するために、前記基板を大気中の常温でＵＶ光（２００ｎｍ〜４００ｎｍ）に２時間露出させた。 光に露出された部分では光によって配位子が分離されながら銀金属フィルムが形成された。 前記銀金属フィルムの比抵抗値を４ポイントプローブで測定した結果、約５×１０
9 μΩ であることが確認された。 一方、塩化メチレンを使用した溶媒を現像した後、測定した比抵抗値は６×１０ 8 μΩであった。 実施例１と同様の方法で約２００℃のホットプレート上にのせ、空気中で約２時間程度熱処理を行った後、得られた比抵抗値は２.０×１０ 2 μΩであった。 【００５０】 【発明の効果】以上述べたように、本発明の有機金属化合物を使用すると、別途のフォトレジストを使用せず、
直接的な露光によって電気伝導性金属パターンを容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】 【図１】 本発明で製造された(１,３−ジメチル−４,
５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン)(ジフェニルアセトネート)銀の分子構造の概略図である。 【図２】 本発明で製造された(１,３−ジメチル−４,
５−ジメチルイミダゾール−２−イリデン)(ジフェニルアセトネート)銀の分子配列の概略図である。 ───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｆ 1/10 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 邊 ▲えい▼ 勳 大韓民国大田市儒城區田民洞462−５番地 世宗アパート110棟203号(72)発明者 ▲黄▼ 億 采 大韓民国京畿道烏山市烏山洞 雲岩住公２ 團地202−1501 Ｆターム(参考） 2H025 AA19 AB15 AB17 AC01 AD01 BB00 BD10 CC09 CC20 FA29 4H006 AA01 AB76 4H048 AA01 AB76 VA20 VA32 VA57 VB10 4M104 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 DD51 |
