1.一种化合物，其特征在于，由通式(I)表示，
式(I)中，A表示卤素原子、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷基磺酰基、无取代或具有取代基的芳基、氰基、或硝基，n表示0～5中的任一整数，其中，n为2以上时，A彼此可以相同也可以不同，Y表示烷基，M表示碱金属或碱土金属，m表示1或2的整数。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，其为Z型异构体。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，每1分子含有2分子的水。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物，其中，M为碱金属。
5.一种通式(I)所示的化合物的制造方法，其特征在于，包括使碱金属化合物或碱土金属化合物与通式(II)所示的四唑基肟衍生物作用的工序(A)，
式(II)中，A表示卤素原子、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷基磺酰基、无取代或具有取代基的芳基、氰基、或硝基，n表示0～5中的任一整数，其中，n为2以上时，A彼此可以相同也可以不同，Y表示烷基，
式(I)中，A、n和Y与式(II)相同，M表示碱金属或碱土金属，m表示1或2的整数。
6.一种通式(I)所示的化合物的Z型异构体的精制方法，其特征在于，包括在通式(I)所示的化合物的水溶液中添加醇，使通式(I)所示的化合物的Z型异构体的结晶析出的工序(B)，
式(I)中，A表示卤素原子、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷基磺酰基、无取代或具有取代基的芳基、氰基、或硝基，n表示0～5中的任一整数，其中，n为2以上时，A彼此可以相同也可以不同，Y表示烷基，M表示碱金属或碱土金属，m表示1或2的整数。
7.根据权利要求6所述的化合物的精制方法，其中，所述醇为低级醇。
8.一种通式(I)所示的化合物的Z型异构体的制造方法，其特征在于，包括对含有通式(I)所示的化合物的E型异构体的溶液进行光照射，使其异构化为Z型异构体的工序(C)，式(I)中，A表示卤素原子、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷基磺酰基、无取代或具有取代基的芳基、氰基、或硝基，n表示0～5中的任一整数，其中，n为2以上时，A彼此可以相同也可以不同，Y表示烷基，M表示碱金属或碱土金属，m表示1或2的整数。
9.根据权利要求8所述的通式(I)所示的化合物的Z型异构体的制造方法，包括：
所述含有通式(I)所示的化合物的E型异构体的溶液为水溶液的工序(C’)，和所述工序(C’)后，在所述水溶液中添加醇，使所述通式(I)所示的化合物的Z型异构体的结晶析出的工序(B’)。
10.一种通式(IV)所示的四唑基肟衍生物的制造方法，其特征在于，包括使通式(I)所示的化合物与通式(III)所示的卤化物反应，得到通式(IV)所示的四唑基肟衍生物的工序(D1)，
式(III)中，Het表示具有取代基的吡啶基或者具有取代基的噻唑基，
X表示卤素原子，
式(I)中，A表示卤素原子、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷基磺酰基、无取代或具有取代基的芳基、氰基、或硝基，
n表示0～5中的任一整数，其中，n为2以上时，A彼此可以相同也可以不同，Y表示烷基，
M表示碱金属或碱土金属，
m表示1或2的整数，
式(IV)中，Het、X、A、n和Y分别与式(III)和式(I)相同。
11.根据权利要求10所述的通式(IV)所示的四唑基肟衍生物的制造方法，其中，所述通式(III)所示的卤化物是通式(VI)所示的卤代甲基吡啶衍生物，
1C
式(VI)中，R 表示无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的烷氧基，
2C
R 表示氢原子、无取代或具有取代基的烷氧基羰基、或者无取代或具有取代基的酰基，X表示卤素原子，
Z表示卤素原子、氰基、硝基、羟基、硫醇基、甲酰基、羧基、无取代或具有取代基的氨基、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的链烯基、无取代或具有取代基的炔基、
3 3 3 3
无取代或具有取代基的芳基、无取代或具有取代基的杂环基团、OR、S(O)pR、COR、或CO2R，
3
其中，R 表示无取代或具有取代基的氨基、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的链烯基、无取代或具有取代基的炔基、无取代或具有取代基的芳基、或者无取代或具有取代基的杂环基团，p表示括号内的氧原子数且为0～2中的任一整数，
q表示Z的取代数且为0～3中的任一整数，q为2以上时，多个Z彼此可以相同也可以不同。