유기 셀레늄 재료들 및 유기 발광 소자들에서 이들의 사용 |
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申请号 | KR1020167017199 | 申请日 | 2009-09-24 | 公开(公告)号 | KR1020160078526A | 公开(公告)日 | 2016-07-04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
申请人 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션; | 发明人 | 시아추안쥔; 크웡레이몬드; 마빈; 린춘; | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
摘要 | 본발명은디벤조셀레노펜, 벤조[b]셀레노펜또는벤조[c]셀레노펜을포함하는유기셀레늄화합물들및 유기발광소자들에서이들의사용을제공한다. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
权利要求 | 양극 층과 음극 층 사이에 배치되는 유기 층을 포함하고, 상기 유기 층은 유기 셀레늄 재료를 포함하며, 상기 유기 셀레늄 재료는 하기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며, 여기서, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 및 R 7 각각은 관련된 부분에 있는 임의의 가능한 위치에 대한 선택적인 치환기를 가리키며, 독립적으로 할로, 알킬, 헤테로알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴킬, 헤테로사이클릭 기, 아릴, 및 헤테로아릴로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Ar은 방향족 기를 가리키며, 2개의 분자 부분들을 연결하는 각각의 라인은 상기 각각의 부분 상의 임의의 가능한 위치에서 상기 2개의 부분 사이의 부착을 가리키는 것인 유기 발광 소자. 양극 층과 음극 층 사이에 배치되는 유기 층을 포함하고, 상기 유기 층은 유기 셀레늄 재료를 포함하며, 상기 유기 셀레늄 재료는 및 이들의 유도체들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것인 유기 발광 소자. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 셀레늄 재료는 호스트 재료이며, 상기 유기 층은 도펀트 재료를 더 포함하는 것인 유기 발광 소자. 제3항에 있어서, 상기 유기 층은 방출 층이며, 상기 도펀트 재료는 인광성 또는 형광성 도펀트 재료인 유기 발광 소자. 제4항에 있어서, 상기 도펀트 재료는 인광성 도펀트 재료인 유기 발광 소자. 제5항에 있어서, 상기 도펀트 재료는 로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 인광성 도펀트 재료인 유기 발광 소자. 제5항에 있어서, 상기 도펀트 재료는 로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 인광성 도펀트 재료인 유기 발광 소자. 제5항에 있어서, 상기 도펀트 재료는 로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 인광성 도펀트 재료인 유기 발광 소자. 제5항에 있어서, 정공 주입 층, 전자 주입 층, 정공 수송 층, 전자 수송 층, 정공 차단 층, 여기자 차단 층, 및 전자 차단 층으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 유기 층들을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자. 제9항에 있어서, 상기 정공 수송 층은 유기 셀레늄 재료를 포함하는 것인 유기 발광 소자. 제9항에 있어서, 상기 전자 수송 층은 유기 셀레늄 재료를 포함하는 것인 유기 발광 소자. 제1항에 있어서, 상기 유기 층은 정공 수송 층 또는 전자 수송 층인 유기 발광 소자. 제2항에 있어서, 상기 유기 층은 정공 수송 층 또는 전자 수송 층인 유기 발광 소자. 로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며, 여기서, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 및 R 7 각각은 관련된 부분에 있는 임의의 가능한 위치에 대한 선택적인 치환기를 가리키며, 독립적으로 할로, 알킬, 헤테로알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴킬, 헤테로사이클릭 기, 아릴, 및 헤테로아릴로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Ar은 방향족 기를 가리키며, 2개의 분자 부분들을 연결하는 각각의 라인은 상기 각각의 부분 상의 임의의 가능한 위치에서 상기 2개의 부분 사이의 부착을 가리키는 것인 유기 셀레늄 화합물. 및 이들의 유도체들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것인 유기 셀레늄 화합물. |
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说明书全文 |
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재료 | 재료의 예들 | 공개문헌들 | |
정공 주입 재료들 | |||
프탈로시아닌 및 포르피린 화합물들 | Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996) | ||
스타버스트 트리아릴아민들 | J. Lumin. 72-74, 985 (1997) | ||
CF x 불화탄화수소 폴리머 | Appl. Phys. Lett. 78, 673 (2001) | ||
전도성 폴리머들(예를 들어, PEDOT: PSS, 폴리아닐린, 폴리티오펜) | Synth. Met. 87, 171 (1997) WO2007002683 | ||
포스폰산 및 실란 SAM들 | US20030162053 | ||
전도성 도펀트들을 가지는트리아릴아민 또는 폴리티오펜 폴리머들 | 및 | EA01725079A1 | |
몰리브덴 및 텅스텐 산화물들과 같은 금속 산화물들과 착체된 아릴아민들 | SID Symposium Digest, 37, 923 (2006) WO2009018009 | ||
p-타입 반도체 유기 착염들 | US20020158242 | ||
금속 유기 금속 착염들 | US20060240279 | ||
가교 가능한 화합물들 | US20080220265 | ||
정공 수송 재료들 | |||
트리아릴아민들 (예를 들어, TPD, a-NPD) | Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987) | ||
US5061569 | |||
EP650955 | |||
J. Mater. Chem. 3, 319 (1993) | |||
| Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007) | ||
Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007) | |||
스피로플루오렌 코어에 있는 트리아릴아민 | Synth. Met. 91, 209 (1997) | ||
아릴아민 카르바졸 화합물들 | Adv. Mater. 6, 677 (1994), US20080124572 | ||
(디)벤조티오펜/(디)벤조푸란을 가지는 트리아릴아민 | US20070278938, US20080106190 | ||
인돌로카르바졸들 | Synth. Met. 111, 421 (2000) | ||
이소인돌 화합물들 | Chem. Mater. 15, 3148 (2003) | ||
금속 카르벤 착염들 | US20080018221 | ||
인광성 OLED 호스트 재료들 | |||
적색 호스트들 | |||
아릴카르바졸들 | Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001) | ||
금속 8-하이드록시퀴놀레이트들(예를 들어, Alq 3 , BAlq) | Nature 395, 151 (1998) | ||
US20060202194 | |||
WO2005014551 | |||
WO2006072002 | |||
금속 펜옥시벤조티아졸 화합물들 | Appl. Phys. Lett. 90, 123509 (2007) | ||
콘주게이트 올리고머들 및 폴리머들 (예를 들어, 폴리플루오렌) | Org. Electron. 1, 15 (2000) | ||
방향족 용융 고리들 | WO2009066779, WO2009066778, WO2009063833, US20090045731, US20090045730, WO2009008311, US20090008605, US20090009065 | ||
아연 착염들 | WO2009062578 | ||
녹색 호스트들 | |||
아릴카르바졸들 | Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001) | ||
US20030175553 | |||
WO2001039234 | |||
아릴트리페닐렌 화합물들 | US20060280965 | ||
US20060280965 | |||
WO2009021126 | |||
공여체 수용체 타입 분자들 | WO2008056746 | ||
아자-카르바졸/DBT/DBF | JP2008074939 | ||
폴리머들(예를 들어, PVK) | Appl. Phys. Lett. 77, 2280 (2000) | ||
스피로플루오렌 화합물들 | WO2004093207 | ||
금속 펜옥시벤조옥사졸 화합물들 | WO2005089025 | ||
WO2006132173 | |||
JP200511610 | |||
스피로플루오렌-카르바졸 화합물들 | JP2007254297 | ||
JP2007254297 | |||
인돌로카르바졸들 | WO2007063796 | ||
WO2007063754 | |||
5-멤버 고리 전자 결핍 헤테로사이클들 (예를 들어, 트리아졸, 옥사디아졸) | J. Appl. Phys. 90, 5048 (2001) | ||
WO2004107822 | |||
테트라페닐렌 착염들 | US20050112407 | ||
금속 펜옥시피리딘 화합물들 | WO2005030900 | ||
금속 배위 착염들(예를 들어, N^N 리간드들을 가지는 Zn, Al) | US20040137268, US20040137267 | ||
청색 호스트들 | |||
아릴카르바졸들 | Appl. Phys. Lett, 82, 2422 (2003) | ||
US20070190359 | |||
디벤조티오펜/디벤조푸란-카르바졸 화합물들 | WO2006114966, US20090167162 | ||
US20090167162 | |||
WO2009086028 | |||
US20090030202, US20090017330 | |||
실리콘 아릴 화합물들 | US20050238919 | ||
WO2009003898 | |||
실리콘/게르마늄 아릴 화합물들 | EP2034538A | ||
아릴 벤조일 에스테르 | WO2006100298 | ||
고 삼중항 금속 유기 금속 착염 | US7154114 | ||
인광성 도펀트들 | |||
적색 도펀트들 | |||
중금속 포르피린들 (예를 들어, PtOEP) | Nature 395, 151 (1998) | ||
이리듐(III) 유기 금속 착염들 | Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001) | ||
US2006835469 | |||
US2006835469 | |||
US20060202194 | |||
US20060202194 | |||
US20070087321 | |||
US20070087321 | |||
Adv. Mater. 19, 739 (2007) | |||
WO2009100991 | |||
WO2008101842 | |||
백금(II) 유기 금속 착염들 | WO2003040257 | ||
오스뮴(III) 착염들 | Chem. Mater. 17, 3532 (2005) | ||
루테늄(II) 착염들 | Adv. Mater. 17, 1059 (2005) | ||
레늄 (I), (II), 및 (III) 착염들 | US20050244673 | ||
녹색 도펀트들 | |||
이리듐(III) 유기 금속 착염들 | 및 이의 유도체들 | Inorg. Chem. 40, 1704 (2001) | |
US20020034656 | |||
US7332232 | |||
US20090108737 | |||
US20090039776 | |||
US6921915 | |||
US6687266 | |||
Chem. Mater. 16, 2480 (2004) | |||
US20070190359 | |||
US 20060008670 JP2007123392 | |||
Adv. Mater. 16, 2003 (2004) | |||
Angew. Chem. Int. Ed. 2006, 45, 7800 | |||
WO2009050290 | |||
US20090165846 | |||
US20080015355 | |||
폴리머 금속 유기 금속 화합물들을 위한 모노머 | US7250226, US7396598 | ||
다좌 리간드들(polydentated ligands)을 포함하는, Pt(II) 유기 금속 착염들 | Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005) | ||
Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005) | |||
Chem. Lett. 34, 592 (2005) | |||
WO2002015645 | |||
US20060263635 | |||
Cu 착염들 | WO2009000673 | ||
금 착염들 | Chem. Commun. 2906 (2005) | ||
레늄(III) 착염들 | Inorg. Chem. 42, 1248 (2003) | ||
중수소화 유기 금속 착염들 | US20030138657 | ||
2개 이상의 금속 중심들을 가지는 유기 금속 착염들 | US20030152802 | ||
US7090928 | |||
청색 도펀트들 | |||
이리듐(III) 유기 금속 착염들 | WO2002002714 | ||
WO2006009024 | |||
US20060251923 | |||
US7393599, WO2006056418, US20050260441, WO2005019373 | |||
US7534505 | |||
US7445855 | |||
US20070190359, US20080297033 | |||
US7338722 | |||
US20020134984 | |||
Angew. Chem. Int. Ed. 47, 1 (2008) | |||
Chem. Mater. 18, 5119 (2006) | |||
Inorg. Chem. 46, 4308 (2007) | |||
WO2005123873 | |||
WO2005123873 | |||
WO2007004380 | |||
WO2006082742 | |||
오스뮴(II) 착염들 | US7279704 | ||
Organometallics 23, 3745 (2004) | |||
금 착염들 | Appl. Phys. Lett.74,1361 (1999) | ||
백금(II) 착염들 | WO2006098120, WO2006103874 | ||
여기자/정공 차단 층 재료들 | |||
배소큐프로인 화합물들 (예를 들어, BCP, BPhen) | Appl. Phys. Lett. 75, 4 (1999) | ||
Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001) | |||
금속 8-히드록시퀴놀레이트들 (예를 들어, BAlq) | Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002) | ||
트리아졸, 옥사디아졸, 이미다졸, 벤조이미다졸과 같은 5-멤버 고리 전자 결핍 헤테로사이클들 | Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002) | ||
트리페닐렌 화합물들 | US20050025993 | ||
불화 방향족 화합물들 | Appl. Phys. Lett. 79, 156 (2001) | ||
페노티아진-S-산화물 | WO2008132085 | ||
전자 수송 재료들 | |||
안트라센-벤조이미다졸 화합물들 | WO2003060956 | ||
US20090179554 | |||
아자 트리페닐렌 유도체들 | US20090115316 | ||
안트라센-벤조티아졸 화합물들 | Appl. Phys. Lett. 89, 063504 (2006) | ||
금속 8-히드록시퀴놀레이트들 (예를 들어, Alq 3 , Zrq 4 ) | Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987) US7230107 | ||
금속 히드록시벤조퀴놀레이트들 | Chem. Lett. 5, 905 (1993) | ||
BCP, BPhen 등과 같은 배소큐프로인 화합물들 | Appl. Phys. Lett. 91, 263503 (2007) | ||
Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001) | |||
5-멤버 고리 전자 결핍 헤테로사이클들 (예를 들어, 트리아졸, 옥사디아졸, 이미다졸, 벤조이미다졸) | Appl. Phys. Lett. 74, 865 (1999) | ||
Appl. Phys. Lett. 55, 1489 (1989) | |||
Jpn. J. Apply. Phys. 32, L917 (1993) | |||
실올 화합물들 | Org. Electron. 4, 113 (2003) | ||
아릴보란 화합물들 | J. Am. Chem. Soc. 120, 9714 (1998) | ||
불화 방향족 화합물들 | J. Am. Chem. Soc. 122, 1832 (2000) | ||
플러렌 (예를 들어, C60) | US20090101870 | ||
트리아진 착염들 | US20040036077 | ||
Zn (N^N) 착염들 | US6528187 |
예들
예 1 : 화합물 H-1
1. 디벤조셀레노펜의 합성
10 g(21.5 mmol)의 1,2-디(비페닐-2-일)디셀란(J. Am. Chem. Soc. 1950, 72, 5753-5754에 따라 합성됨), 3.45 g(21.5 mmol)의 브롬 및 30 mL의 니트로벤젠의 혼합물이 3.5시간 동안 100℃로 가열되었다. 그 다음에 반응 혼합물은 냉각되었으며 니트로벤젠이 진공 증류에 의해 제거되었다. 잔류물은 용리제로서 헥산에서 10% 염화 메틸렌을 사용하여 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피법에 의해 정제되었다. 9.8 g의 흰색 고형물들이 MS에 의해 확인된 생성물로서 획득되었다.
2. 디벤조셀레노펜-4-일보론 산(dibenzoselenophen-4-ylboronic acid)
4.0 g(17.3 mmol)의 디벤조셀레노펜 및 150 mL의 건조 에테르가 질소 하에 250 mL의 3구 플라스크에 첨가되었다. 혼합물에, 11.5 mL의 BuLi(헥산에 1.6 M)가 실온에서 천천히 첨가되었다. 반응 혼합물은 그 다음에 5시간 동안 환류시키기 위해 가열되었다. 반응 혼합물은 -78 ℃까지 냉각되었으며 5 mL의 트리메틸 보레이트가 첨가되었다. 이것은 그 다음에 하룻밤 동안 실온에서 교반되었다. 약 50 mL의 1 M HCL이 반응 혼합물에 첨가되었다. 유기 상은 에틸 아세테이트로 추출되었으며 황산 나트륨으로 건조되었다. 결합된 유기 상은 증발 건조되었으며 헥산 중 100 mL의 30% 에틸 아세테이트가 8시간 동안 실온에서 교반하면서 고형물에 첨가되었다. 현탁액은 여과되었으며, 고형물들은 헥산으로 세척되고 건조되었으며, NMR에 의해 확인된 2의 흰색 고형물들을 생성물로 산출하였다.
3. 화합물 H-1의 합성
10 g(3.6 mmol)의 디벤조셀레노펜-4-일보론 산, 1.51 g(3.3 mmol)의 트리페닐렌페닐 트리플레이트(아래의 예 3에 개시된 방법에 따라 합성됨), 0.15 g(0.16 mmol)의 Pd 2 (dba) 3 , 0.27 g(0.66 mmol)의 디사이클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐, 4.2 g의 K 3 PO 4 , 90 mL의 톨루엔 및 10 mL의 물이 250 mL 3구 플라스크에 첨가되었다. 반응 혼합물은 20분 동안 질소로 버블링되었으며 질소 하에 하룻밤 동안 환류시키기 위해 가열되었다. 반응 혼합물은 건조되었으며 용리제로서 헥산에서 15% 염화 메틸렌으로 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피법에 의해 정제되었다. ~ 1.35 g의 흰색 고형물들이 NMR에 의해 확인된 생성물로 획득되었다.
예 2: 화합물 H-2
1. 화합물 H-2의 합성
1.67 g (6.0 mmol)의 디벤조셀레노펜-4-일보론 산, 1.20 g(2.6 mmol)의 비페닐-4,4'-디일 비스(트리플루오로메탄술포네이트), 0.025 g(0.027 mmol)의 Pd 2 (dba) 3 , 0.045 g(0.11 mmol)의 디사이클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐, 1.7 g의 K 3 PO 4 , 90 mL의 톨루엔 및 10 mL의 물이 250 mL 3구 플라스크에 첨가되었다. 반응 혼합물은 20분 동안 질소로 버블링되었으며 그 다음에 질소 하에 하룻밤 동안 환류시키기 위해 가열되었다. 반응 혼합물은 건조되었으며 잔류물은 용리제로서 헥산에서 10% 염화 메틸렌으로 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피법에 의해 정제되었다. ~ 1.31 g의 흰색 고형물들이 NMR에 의해 확인된 생성물로 획득되었다.
예 3: 3-(트리페닐렌-2-일)페닐 트리플루오로메탄술포네이트(트리페닐렌페닐 트리플레이트)를 준비하는 방법
트리페닐렌(19.0 g, 83 mmol)이 600 mL의 니트로벤젠에 첨가되었다. 모든 트리페닐렌이 용해된 후에, 철 분말(0.07 g, 1.25 mmol)이 첨가되었다. 반응 플라스크는 얼음 욕에 넣었다. 50 mL의 니트로벤젠에 있는 브롬(20.0 g 125 mmol)이 추가 깔때기를 통해 천천히 첨가되었다. 그 후에, 반응 플라스크는 5시간 동안 얼음 욕에서 교반되었다. HPLC가 반응을 모니터링하기 위해 수행되었다(TLC는 트리페닐렌과 브로모트리페닐렌들의 분리를 보여주지 않았다). 트리페닐렌:2-브로모트리페닐렌:디브로모트리페닐렌들의 비가 (254 nm에서) 대략 2:7:1에 도달하였을 때, 반응은 Na 2 SO 3 용액을 첨가함으로써 급냉되었다. 혼합물은 그 다음에 CH 2 Cl 2 로 추출되었다. 결합된 유기 추출물은 MgSO 4 를 통해 건조되었으며 CH 2 Cl 2 는 회전 증발기에 의해 제거되었다. 남은 니트로벤젠은 더 정제되지 않고 사용되는 가공되지 않은 브로모트리페닐렌 생성물을 산출하기 위해 진공 증류에 의해 제거되었다.
미반응 트리페닐렌, 모노브로모 및 디브로모 트리페닐렌의 2:7:1 혼합물을 함유하는 12g (39 mmol) 브로모트리페닐렌 혼합물, 13g (86mmol) 3-페닐보론 산, 0.6g (1.56 mmol) 2-디사이클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐 및 25 g (117 mmol) 제3인산 칼륨(K 3 PO 4 )은 무게를 달아서 둥근 바닥 플라스크에 가해진다. 150 mL 톨루엔 및 80 mL 물이 용매로 이 플라스크에 첨가되었다. 이 용액은 질소로 퍼징되었으며 0.4g (0.39 mmol)의 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)[Pd 2 (dba) 3 ]이 첨가되었다. 용액은 12시간 동안 환류시키기 위해 가열되었다. 냉각으로, 유기 층이 분리되었으며, MgSO 4 로 건조되었다. 생성물은 용리제로 헥산/디클로로메탄을 사용하여 트리페닐렌 및 디-(3-메톡시페닐) 치환 트리페닐렌으로부터 칼럼 크로마토그래피법에 의해 손쉽게 분리되었다(1/0 구배 내지 3/2). 용매는 회전 증발에 의해 제거되었으며, 생성물인, 2-(3-메톡시페닐)트리페닐렌은, 진공 하에 하룻밤 건조되었다.
질소 하에 둥근 바닥 플라스크에서, 1.8 g (5.4 mmol) 2-(3-메톡시페닐)트리페닐렌이 25 mL 무수 디클로로메탄에 용해되었다. 용액은 -78 ℃까지 냉각되었으며 4 g (1.5 mL, 16 mmol) 3브롬화 붕소가 주입기를 통해 천천히 첨가되었다. 용액은 실온까지 가열되었으며 하룻밤 동안 교반되었다. 얼음이 미반응 BBr 3 를 급냉시키기 위해 조심스럽게 첨가되었다. 3-(트리페닐렌-2-일)페놀 중간 생성물이 얼음의 첨가 중에 침전되었으며, 디클로로메탄이 용해시키기 위해 첨가되었다. 유기 층은 분리되었고 MgSO 4 로 건조되었으며, 디클로로메탄은 회전 증발에 의해 제거되었으며 생성물은 진공 하에 건조되었다.
1.7 g (5.3mmol)의 3-(트리페닐렌-2-일)페놀이 0.84 g (10.5 mmol) 무수 피리딘과 100 mL 무수 디클로로메탄과 함께 질소 하에 플라스크에 첨가되었다. 용액은 얼음 욕에서 냉각되었으며 2.97 g (10.5 mmol) 트리플루오로메탄술폰산 무수물(Tf 2 O)이 주입기를 통해 천천히 첨가되었다. 용액은 실온까지 가열되었으며 하룻밤 동안 교반되었다. 용액은 물로 세정되었고, MgSO 4 로 건조되었으며 용매는 회전 증발에 의해 제거되었다. 생성물인, 3-(트리페닐렌-2-일)페닐 트리플루오로메탄술포네이트는 용리제로 헥산/디클로로메탄을 사용하여 칼럼 크로마토그래피법에 의해 정제되었다(1/0 내지 1/1 구배).
합성 방법의 설명은 또한 그 전체가 참고로 여기에 포함된, 2008년 7월 8일 출원된, 국제 출원 번호 PCT/US08/72452에 상응하는, 미국 가출원 번호 60/963,944에서 발견될 수 있다.
예 4: 소자 예들
모든 예의 소자들은 고 진공(<10 -7 Torr) 열 증발에 의해 제조되었다. 양극 전극은 1200 Å의 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 음극은 10 Å의 LiF와 뒤이은 1000 Å의 Al으로 구성되었다. 모든 소자들은 제조 후에 즉시 질소 글러브 박스(<1 ppm의 H 2 O 및 O 2 )에서 에폭시 수지로 밀봉되는 글라스 뚜껑으로 캡슐화되었으며, 수분 제거제가 패키지 내에 포함되었다.
소자 예들의 유기 적층은, ITO 표면으로부터 순차적으로, 정공 주입 층(HIL)으로서 100 Å의 화합물 A, 정공 수송 층(HTL)으로서 300 Å의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(α-NPD), 방출 층(EML)으로서 10 또는 15 wt%의 Ir 인광성 화합물로 도핑된 300 Å의 본 발명의 화합물, ETL2로서 50 Å의 HPT 또는 100 Å의 본 발명의 화합물 및 ETL1로서 450 또는 400 Å의 Alq 3 (트리스-8-히드록시퀴놀린 알루미늄)로 구성되었다.
비교 예들 1 및 2는 CBP가 호스트로서 사용되는 것을 제외하고 소자 예들과 유사하게 제조되었다.
소자 구조들 및 데이터는 표 2 및 3에 요약되며 표 2는 소자 구조를 보여주며 표 3은 이 소자들에 대한 상응하는 측정된 결과들을 보여준다. 여기에 사용되는 바와 같이, 화합물들 A 및 B, 및 HPT는, 다음의 구조들을 가진다:
소자 예 | 호스트 | 도펀트 % | ETL2 (Å) | ETL1 (Å) |
비교 1 | CBP | B 10% | HPT (50) | Alq 3 (450) |
비교 2 | CBP | A 10% | HPT (50) | Alq 3 (450) |
1 | H-1 | A 10% | HPT (50) | Alq 3 (450) |
2 | H-1 | A 10% | H-1 (100) | Alq 3 (400) |
3 | H-1 | A 15% | HPT (50) | Alq 3 (450) |
4 | H-1 | A 15% | H-1 (100) | Alq 3 (400) |
5 | H-2 | A 10% | HPT (50) | Alq 3 (450) |
6 | H-2 | A 10% | H-2 (100) | Alq 3 (400) |
7 | H-2 | A 15% | HPT (50) | Alq 3 (450) |
8 | H-2 | A 15% | H-2 (100) | Alq 3 (400) |
소자 예 | CIE | L=1000 cd/m 2 에서 | J=40 mA/cm 2 에서 | |||||
X | Y | V (V) | LE (cd/A) | EQE (%) | PE (lm/W) | L 0 (cd/m 2 ) | LT 80% (hr) | |
비교 1 | 0.331 | 0.627 | 6.1 | 61.0 | 17 | 31.4 | 16,935 | 87 |
비교 2 | 0.346 | 0.613 | 6.2 | 57.0 | 16 | 28.9 | 13,304 | 105 |
1 | 0.357 | 0.605 | 6.1 | 62.6 | 17.3 | 32.2 | 15,561 | 140 |
2 | 0.358 | 0.605 | 6.7 | 56.9 | 15.7 | 26.7 | 15,421 | 150 |
3 | 0.362 | 0.604 | 5.8 | 63.3 | 17.4 | 34.3 | 17,977 | 130 |
4 | 0.363 | 0.603 | 6.3 | 55.8 | 15.4 | 27.8 | 16,436 | 175 |
5 | 0.352 | 0.611 | 6.2 | 61.1 | 16.8 | 30.9 | 16,102 | 126 |
6 | 0.351 | 0.610 | 7.3 | 45.6 | 12.6 | 19.6 | 14,384 | 148 |
7 | 0.354 | 0.610 | 6.3 | 59.2 | 16.3 | 29.5 | 16,255 | 73 |
8 | 0.354 | 0.610 | 7.5 | 36.5 | 10 | 15.3 | 11,882 | 185 |
소자 예들 1내지 8로부터, 녹색 인광성 OLED들에서 호스트들로서 화합물들 H-1 및 H-2는 비페닐들 또는 트리페닐렌들과 같은 아릴 구성 블록들과 연결되는 디엔조셀레노펜이 효율적인 녹색 전계인광성을 위해 충분히 높은 삼중항 에너지를 가진다는 것을 나타내는, 높은 소자 효율(1000 cd/m 2 에서 LE>40 cd/A)을 가지는 것을 볼 수 있다. 호스트로서 화합물들 H-1 및 H-2를 포함하는 소자들의 높은 안정성은 주목할 만하다. 소자 예 1 및 비교 예 2는 단지 호스트만이 상이하다. 소자 예 1은 호스트로서 화합물 H-1을 사용하지만 비교 예 2는 통상적으로 사용되는 호스트 CBP를 사용한다. 수명, T 80% (실온에서 40 mA/cm 2 의 일정한 전류 밀도에서 휘도 값의 80%로 열화시키기 위해, 초기 휘도(L 0 )에 대해 요구되는 시간으로 정의됨)은 각각 140시간과 105시간이며, 소자 예 1이 약간 더 높은 L 0 를 가진다. 유사하게, 호스트로서 화합물 H-2를 사용하는 소자 예 5가 비교 예 2보다 더 안정적이다. 화합물들은 강화 층 재료(ETL2)로서 잘 기능을 할 수 있다는 것이 또한 주목할 만하다. 예를 들어, 소자 예 4 및 소자 예 8은 각각 화합물 H-1과 H-2을 호스트와 ETL2 층으로서 가진다. 이들은 강화 층 재료로서 화합물들 H-1 및 H-2의 양호한 성능을 나타내는, 185 및 175시간의 T 0.8 을 각각 가진다.
데이터는 디벤조셀레노펜들을 함유하는 호스트들이 호스트로서 통상적으로 사용되는 CBP와 비교하여 적어도 동일한 효율 및 안정성의 개선을 제공하는, 인광성 OLED들을 위한 우수한 호스트 및 강화 층 재료들이라는 것을 암시한다. 벤조셀레노펜들을 함유하는 트리페닐렌의 보다 콘주게이트 버전들, 예를 들어 (4,4'-비페닐과 같은) p-페닐렌을 통해 연결되는 트리페닐렌 및 디벤조셀레노펜 유닛들이 더 낮은 에너지(황색 내지 적색)의 인광성 OLED들에 매우 적합할 수 있다. 트리페닐렌을 함유하는 기는 벤조셀레노펜들의 어떤 위치에 부착될 수 있다.
여기에 설명된 다양한 실시예들은 단지 예시를 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것이 아니라는 것이 이해된다. 예를 들어, 여기에 설명된 많은 재료들 및 구조들은 본 발명의 정신으로부터 벗어나지 않고 다른 재료들 및 구조들로 대체될 수 있다. 그러므로 청구된 바와 같은 본 발명은 본 기술분야의 숙련된 사람에게 명백하게 되는, 여기에 설명된 특정한 예들 및 바람직한 실시예들로부터 나온 변형들을 포함한다. 본 발명이 왜 작용하는지에 대한 다양한 이론들은 한정을 하기 위한 것이 아니라고 이해된다.