1.一种石墨件表面沉积碳化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)石墨表面除杂：首先将石墨件表面的杂质通过形成金属卤化物升华除去；
(2)CVD沉积：将处理后的石墨件送入CVD反应炉，通过化学气相沉积反应在石墨件表面沉积碳化硅涂层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，金属卤化物的生成方法为在
1500～2200℃条件下通入卤族气体与石墨件表面反应，所述的卤族气体为氯气、氟利昂、氟气、溴蒸汽、碘蒸汽中的任意一种。
3.根据权利要求2述的方法，其特征在于，步骤(1)中，石墨表面除杂的具体步骤为：
1)将待处理石墨件基材放入炉筒内并关闭炉筒，抽真空置换，使真空度维持在0.1-
1mbar；
2)炉筒内加热器加热至500-800℃，开始通入氮气至真空度50-80mbar；
3)持续升温至1500-1800℃，通入卤族气体至真空度0.9-1.2bar，维持1500-1800℃若干分钟；
4)继续升温至1900-2200℃，维持1900-2200℃纯化2～12小时后，缓慢降温；
5)降温至1500-1800℃，停止通入卤族气体，并维持1500-1800℃若干分钟；
6)在保持通入氮气的情况下使真空度持续降低，继续降温至500-800℃时炉内真空度降至50-80mbar，停止通入氮气；
7)抽真空至0.1-1mbar，再通入氮气至0.9-1.2bar；
8)开炉取出石墨件基材，进行清洗并干燥后待用。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的清洗为超声清洗或喷淋清洗，所述的干燥为烘干箱烘干或高压气体吹扫或干冰吹扫中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在石墨表面除杂之后先对石墨件表面进行超声清洗或喷淋清洗后再进行CVD沉积。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，CVD沉积的具体步骤为：
1)将表面除杂后的石墨件置于炉筒内，关闭炉筒并抽真空置换，真空度0.1-1mbar；
2)蒸发器加热，进料管线预热，开始通入氮气至真空度130-180mbar；
3)炉筒升温至500-800℃，开始通入氢气，保持炉内真空度达到0.9-1.2bar，持续升温至1200-1600℃；
4)维持1200-1600℃一段时间后，开始通入原料气MTCS、氢气和氩气，在此温度下沉积
4-10小时；
5)反应完成后停止通入原料气中的MTCS和氩气，并开始降温，在真空度降至130-
180mbar后停止通入氢气，维持此状态2-15小时；
6)在温度降至200℃后，停止通入氮气，开始抽真空至0.1-1mbar，再充氮气至1bar；待基材完全冷却后，处理完毕。
7.一种石墨件表面沉积碳化硅的装置，其特征在于，包括依次相连的预处理反应器单元、清洗单元、干燥单元和CVD反应器单元，所述的预处理反应单元用于将石墨件表面的杂质通过形成金属卤化物升华除去石墨件表面杂质。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述的预处理反应器单元包括炉筒、底盘和分别与所述炉筒相连通的氮气供应罐和卤族气体供应罐，所述炉筒内设置有加热器，在底盘上设置有氮气通入口和卤族气体通入口，所述的预处理反应器单元还设有至少一个真空压力表和至少一个热电偶，用于监测反应器的压力和温度。
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述的清洗单元为超声清洗装置或喷淋清洗装置；所述的干燥单元为干燥箱或高压气体清扫装置或干冰吹扫装置。
10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，CVD反应器还设有至少一个真空压力表和至少一个热电偶，用于监测反应器的压力和温度，所述CVD反应器的炉筒上还开设有带有视镜的窗口，从炉筒外可以看到反应器内的沉积情况。