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溅射靶
申请号	CN201180004937.0	申请日	2011-12-09	公开(公告)号	CN103348035A	公开(公告)日	2013-10-09
申请人	吉坤日矿日石金属株式会社;			发明人	挂野崇; 铃木了; 栗原敏也; 中村祐一郎; 关和广; 牧野修仁; 熊原吉一;
摘要	一种溅射靶，将多个分割靶排列到背衬板上并且与该背衬板接合而构成，所述溅射靶的特征在于，在排列的多个各分割靶的表面，具有从距该分割靶的侧面的距离为23.0mm～0.10mm的位置朝向分割靶的侧面向下倾斜的5～40°的斜坡。本发明的课题在于提供一种溅射靶、特别是FPD用溅射靶，其即使在分割靶的连续溅射时，也能够抑制结核的产生和异常放电，并且在与间隙部分对置的基板上形成的膜的特性与其他部分的膜的特性没有差异，即得到膜特性的均匀性高的膜。
权利要求	1.一种溅射靶，将多个分割靶排列到背衬板上并且与该背衬板接合而构成，所述溅射靶的特征在于，在排列的多个各分割靶的表面，具有从距该分割靶的侧面的距离为 23.0mm～0.10mm的位置朝向分割靶的侧面向下倾斜的5～40°的斜坡。 2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，具有朝向分割靶的侧面向下倾斜的10～ 30°的斜坡。 3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，分割靶侧面的、由向下倾斜的斜坡形成的距平坦面的最大深度为2.0mm以下。 4.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，分割靶侧面的、由向下倾斜的斜坡形成的距平坦面的最大深度为1.0mm以下。 5.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，分割靶间的间隙为1.0mm以下。 6.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，分割靶间的间隙为0.05～ 1.0mm。 7.如权利要求1～6中任一项所述的溅射靶，其特征在于，分割靶为陶瓷制靶。
说明书全文	溅射靶 [0001] 技术分野 [0002] 本发明涉及通过溅射法制作透明导电膜时使用的溅射靶，特别是涉及由多片靶材构成、具有分割部的ITO、IZO、IGZO等陶瓷溅射靶。背景技术 [0003] 透明导电膜形成用ITO、IZO、IGZO等薄膜正被广泛用作以液晶显示器、触控式面板、EL显示器等为中心的显示器件的透明电极。多数情况下，ITO、IZO、IGZO等透明导电膜形成用氧化物薄膜通过溅射而形成。以下的说明中，主要将ITO靶用作代表例来进行说明。 [0004] 就ITO(氧化铟锡(Indium Tin Oxide))薄膜而言，由于高导电率、高透射率的特征，在纯平面板用显示电极等中使用。近年来，随着纯平显示器(FPD)的大型化，ITO靶的大型化的要求增强。 [0005] 但是，由于用于制作大型ITO的新型设备投资和由翘曲等原因导致的成品率降低，因此非常困难。因此，目前，大型ITO靶使用将多个小型的ITO构件接合而成的多分割靶。 [0006] 就ITO等陶瓷靶而言，与金属相比，并非具有强度(硬度、柔软性、抗拉强度)的靶，因此，接近配置时，即使是轻微接触也产生碎屑。因此，并不进行接触配置，而是将分割靶的各间隙拉开约0.1mm～约0.5mm。 [0007] 而且，对对置的分割靶的边缘部进行C加工或R加工。尽管如此，将多分割靶配置到背衬板上时仍需要相当的注意。 [0008] 另一方面，已知使用如上所述配置的多分割靶进行长时间溅射时，在靶的表面、特别是在分割部部分析出被称为结核的认为是铟的低级氧化物的黑色附着物，容易导致异常放电，成为向薄膜表面的颗粒产生源。 [0009] 对此，有如下记载：通过在间隙部分全部填入铟或各种合金的方法，有可能抑制溅射时的结核产生和异常放电。 [0010] 例如，在专利文献1中公开了在间隙部分中填充与靶主体的铟与锡的原子数之比相等的铟-锡合金的方法。但是，为此，需要测定靶主体的铟与锡的原子数之比，并且根据该结果将注入的铟-锡合金的组成调节至该程度，因此，在靶的生产率方面存在问题。 [0011] 此外，存在如下问题：由于在间隙部全部注入铟-锡合金，因此在其上部形成的膜的电特性与在其他部分形成的膜的电特性不同。 [0012] 另外，在专利文献2中公开了在间隙部分中填充铟的方法，在专利文献3中公开了在间隙部分中填充具有比接合材料更高熔点的合金的方法。 [0013] 但是，这些方法仍然存在以下问题：由于在间隙部全部注入铟等，因此在其上部形成的膜的电特性与在其他部分形成的膜的电特性不同。 [0014] 专利文献4中公开了在间隙部分填充与金属氧化物烧结体构成元素相同、但为其他组成的材料的方法。但是，在氧量较少的情况下，具有与通常的合金几乎不变的特性，因此存在在其上部形成的膜的电特性与在其他部分形成的膜的电特性不同的问题，另外，相反，在氧量较多的情况下，与ITO的特性几乎不变，因此，存在在低温下无法熔解流入间隙部分的问题。 [0015] 关于上述，均是基于在分割靶的间隙(间隙部)中导入填充剂而不产生间隙的构思的技术方案。 [0016] 但是，就填充材料本身而言，由于填充这样的特殊性而难以成为与靶材同一性质的材料，无论怎样都会产生边界，难以抑制或减少分割部结核的产生。 [0017] 现有技术文献 [0018] 专利文献 [0019] 专利文献1：日本特开平01-230768号公报 [0020] 专利文献2：日本特开平08-144052号公报 [0021] 专利文献3：日本特开2000-144400号公报 [0022] 专利文献4：日本特开2010-106330号公报发明内容 [0023] 发明所要解决的问题 [0024] 本发明的课题在于，提供一种陶瓷制溅射靶、特别是FPD用溅射靶，其即使在分割陶瓷靶的连续溅射时，也能够抑制结核的产生和异常放电，并且在与间隙部分对置的基板上形成的膜的特性与其他部分的膜的特性没有差异，即得到膜特性的均匀性高的膜。 [0025] 用于解决问题的方法 [0026] 为了解决上述课题，本发明人进行了深入的研究，结果得到如下见解：通过由多个分割靶构成陶瓷制溅射靶，并对该多个分割靶的边缘部下功夫，排列分割靶来制作大型的靶，能够提供可以降低由各分割靶的边缘部引起的颗粒产生所导致的不良的溅射靶、特别是FPD用溅射靶。 [0027] 基于这样的见解，本发明提供： [0028] (1)一种溅射靶，将多个分割靶排列到背衬板上并且与该背衬板接合而构成，所述溅射靶的特征在于，在排列的多个各分割靶的表面，具有从距该分割靶的侧面的距离为23.0mm～0.10mm的位置朝向分割靶的侧面向下倾斜的5～40°的斜坡。 [0029] 另外，本发明提供： [0030] (2)上述(1)所述的溅射靶，其特征在于，具有朝向分割靶的侧面向下倾斜的10～30°的斜坡。 [0031] 另外，本发明提供： [0032] (3)上述(1)或(2)所述的溅射靶，其特征在于，分割靶侧面的、由向下倾斜的斜坡形成的距平坦面的最大深度为2.0mm以下。 [0033] 另外，本发明提供： [0034] (4)上述(1)或(2)所述的溅射靶，其特征在于，分割靶侧面的、由向下倾斜的斜坡形成的距平坦面的最大深度为1.0mm以下。 [0035] 另外，本发明提供： [0036] (5)上述(1)～(4)中任一项所述的溅射靶，其特征在于，分割靶间的间隙为0.05～1.0mm。 [0037] 另外，本发明提供： [0038] (6)上述(1)～(4)中任一项所述的溅射靶，其特征在于，分割靶间的间隙为0.1～0.5mm。 [0039] 另外，本发明提供： [0040] (7)上述(1)～(6)中任一项所述的溅射靶，其特征在于，分割靶为陶瓷制靶。 [0041] 发明效果 [0042] 对于这样制造的本发明的溅射靶而言，能够提供一种溅射靶、特别是FPD用溅射靶，其即使在分割靶的连续溅射时，也能够抑制结核的产生和异常放电，并且在与间隙部分对置的基板上形成的膜的特性与其他部分的膜的特性没有差异，即得到膜特性的均匀性高的膜，并且具有能够使成膜的成品率提高、提高制品的品质的较大优点。 [0043] 另外，本发明特别是对ITO靶、IZO靶、IGZO靶等陶瓷靶有效，但也应该容易理解，本发明也能够应用于容易产生结核的金属制靶。附图说明 [0044] 图1是本发明的分割溅射靶中形成的代表斜坡(倾斜面)的截面说明图。 [0045] 图2是表示与根据分割靶的边缘部的加工方法(C加工、R加工、本申请发明的斜坡加工)的靶寿命对应的、结核的产生状况的示意说明图。 [0046] 图3是表示示出本申请发明的一例的在使用赋予11.3°的斜坡(倾斜面)的分割靶进行溅射的情况下的、在分割靶间的间隙和边缘部形成的结核的产生状况的图。 [0047] 图4是现有的分割靶的边缘部形成的C加工的截面说明图。 [0048] 图5是表示在现有的分割靶中，在分割靶间的间隙和边缘部形成的结核的产生状况的图。具体实施方式 [0049] 本发明的溅射靶是将多个分割靶排列到背衬板上并且与该背衬板接合而构成的，具有从距排列的多个各分割靶的侧面的距离为23.0mm～0.10mm的位置朝向靶的侧面向下倾斜的5～40°的斜坡。需要说明的是，此时“向下”的含义是指“朝向背衬板侧”。 [0050] 对于靶而言，俯视一般为矩形，因此，与其对应，可以排列多个长方形的分割靶来制作。但是，分割靶当然不限于长方形，也可以为其他形状、例如正方形、三角形、扇形、或将它们适当组合来制作。本申请发明包含上述情况。 [0051] 对背衬板进行焊接时，可以使用由铟或铟合金构成的焊料形成。作为其他方法，可以使用熔射法、镀覆法等。在形成包覆层后，例如在由铜或铜合金等构成的背衬板上，使用由铟或铟合金构成的焊料进行焊接。 [0052] 图1中示出本申请发明的代表例。图1为形成有从距分割靶的侧面的距离为5mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡(斜面)的靶。如图1所示，在该情况下，距靶边缘部的靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离达到lmm。 [0053] 如图1所示，作为其他例，在形成从距分割靶的侧面的距离为2.5mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡(斜面)的情况下，距靶边缘部的靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离达到0.5mm。 [0054] 本发明的溅射靶的上述斜坡面，可以在上述的范围内任意选择，但为了抑制结核的产生，作为更优选的方式，推荐形成朝向靶的侧面向下倾斜的10～30°的斜坡。这是由于，根据各种实验，使斜坡的面积大并且使深度浅，有助于防止结核。 [0055] 此外，优选使分割靶侧面的、由向下倾斜的斜坡形成的距靶平坦面的最大深度为2.0mm以下。此外，更优选靶侧面的边缘部的、距靶平坦面的最大深度为1.0mm以下，并且距平坦面的最小深度为0.1mm以上。 [0056] 另外，本发明中，将分割靶间的间隙设为1.0mm以下的范围。优选分割靶间的间隙为0.05～1.0mm，进一步优选分割靶间的间隙为0.1～0.5mm。在分割靶间的间隙小的情况下，将多个分割靶排列到背衬板上时，由于分割靶的接触，容易产生碎屑，因此需要注意。 [0057] 根据溅射靶的材料，有难以产生碎屑的材料，此时不需要设置间隙。即，使间隙为0mm。在使该间隙为0mm的情况下，形成有朝向分割靶的侧面向下倾斜的5～40°的斜坡的分割靶，与设有间隙的情况同样，能够大幅抑制结核的产生。 [0058] 据该现象可以推测：即使在背衬板上密接排列各分割靶的情况下，在分割靶的侧面即使略微存在间隙时，该间隙也能成为结核的产生原因。通过应用本申请发明，在这样的情况下仍具有能够抑制结核产生的效果。本申请发明包括不设置间隙(间隙：0mm)的情况。 [0059] 另外，在靶的溅射时以及冷却时，反复发生稍微的热膨胀和收缩，分割靶的间隙具有适度调节该热膨胀和收缩的功能，因此，也具有能够防止靶的裂缝和裂纹的效果。 [0060] 另外，分割靶可以优选应用陶瓷制靶、特别是ITO、IZO、IGZO靶。 [0061] 以往，将分割靶排列到背衬板上的情况下，为了防止由靶相互的接触引起的碎屑，空开少许的间隔来配置，并且对靶的上端的边缘部进行R加工或C加工(45°的切槽加工)。在图2中示出该情况。图2的左上为进行了R加工的情况、图2的左中为进行了C加工的情况。另外，作为参考，将本申请发明的进行了斜坡加工的情况示于图2的下图。 [0062] 在将上述边缘部进行R加工的情况以及进行C加工的情况下，在各分割靶的邻近部形成加工槽，并且大幅凹陷，因此，结核(再沉淀)容易堆积。在靶的寿命初期～寿命50%为止，结核在加工槽不断堆积。将该示意图(用颗粒“○”表示结核)示于图2的中央。 [0063] 但是，靶寿命达到50～100%时，结核被再溅射，靶的分割部浅浅地凹陷，形成接近平坦的形状，几乎没有观察到结核的堆积。 [0064] 本申请发明在该现象中得到大的提示。即得到如下见解：通过从初期阶段形成如下表面形状，能够抑制结核的产生，所述表面形状为：在分割靶中存在间隙并且进行了C加工或R加工的情况下，在该C加工或R加工的加工槽消失后的、靶寿命达到50～100%时的表面形状。 [0065] 上述见解为：赋予一定程度大而浅地朝向分割靶的侧面向下倾斜的斜坡。由大量实验的结果可知，有效的是：赋予从距排列的多个各分割靶的侧面的距离为23.0mm～0.10mm的位置、朝向靶的侧面向下倾斜的5～40°的斜坡。对此，具有更优选的条件，但上述的范围是本申请发明的基础。 [0066] 实施例 [0067] 以下，基于实施例以及比较例进行说明。需要说明的是，本实施例只是一例，并不受该例任何限制。即，本发明仅受权利要求书的限制，也包括本发明中包含的实施例以外的各种变形。 [0068] (实施例1) [0069] 将作为原料的比表面积为5m2/g的氧化铟粉末与氧化锡粉末以重量比9:1的比例2 混合后的混合粉末投入冲压用模具中，在700Kg/cm 的压力下成形，制作ITO成形体。接着，将该ITO成形体在氧气气氛中、以升温速度5℃/分钟从室温升温至1500℃，然后，在 1500℃下保持温度20小时，然后，通过炉冷进行烧结。 [0070] 对这样得到的烧结体的表面进行磨削，再将侧边用金刚石切刀切割成127mm×254mm的尺寸。 [0071] 并且，如图1所示，形成从距分割靶的侧面的距离为5mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡(斜面)。如图1所示，在该情况下，距靶边缘部的靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离达到lmm。制作两片这样的加工体。 [0072] 接着，将无氧铜制的背衬板设置在设定为200℃的加热板上，使用铟作为焊料，以使其厚度达到约0.2mm的方式进行涂布。在该背衬板上，将两片ITO烧结体在冷却后以达到0.3mm的间隙的方式使接合面之间相对地设置，放置冷却直至室温。 [0073] 将该靶安装到新柯隆公司(シンクロン)制磁控溅射装置(BSC-7011)上，在投入2 功率在DC电源时为2.3W/cm、气压为0.6Pa、溅射气体为氩气(Ar)的条件下，进行至气体 2 流量为300sccm、溅射累计电量为160WHr/cm。考察溅射中的结核的产生状况。另外，通过陆标科技公司(ランドマ一クテクノロジ一)制微弧监测器(MAM Genesis)，测定微弧产生次数(次)。 [0074] 关于微弧的判定基准，在检测电压100V以上、释放能量(产生电弧放电时的溅射2 电压×溅射电流×产生时间)为20mJ以下。将直至累计160WH r/cm 的微弧产生累积次数示于表1。 [0075] 如该表1所示，从溅射开始时至靶寿命100%后的累积发弧次数为527次，与后述比较例相比大幅减少。 [0076] 表1 [0077] [0078] 将分割靶的分割部的结核产生状况示于图3。如该图3所示，在形成分割部的间隙为0.3mm、从距分割靶的侧面的距离为5mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡(斜面)、且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为1mm的情况下，从溅射开始时直至靶寿命100%，几乎未见结核的产生。将该状态在表1中记载为○。 [0079] (实施例2) [0080] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为5mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为1mm，使分割部的间隙为0.1mm。 [0081] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为462次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减少。 [0082] (实施例3) [0083] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为5mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为1mm，使分割部的间隙为0.5mm。 [0084] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为576次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均少许增加。但是，与后述的比较例相比，大幅减少。 [0085] (实施例4) [0086] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为11.43mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为1mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0087] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为433次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减少。 [0088] (实施例5) [0089] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为2.75mm的位置朝向靶的侧面向下20°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为1mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0090] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为713次，与实施例1相比，结核、发弧均少许增加。但是，与后述的比较例相比，大幅减少。将该状态在表1中记载为△，是没有特别问题的水平。 [0091] (实施例6) [0092] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为1.73mm的位置朝向靶的侧面向下30°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为1mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0093] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为796次，与实施例1相比，结核、发弧均少许增加。但是，与后述的比较例相比，大幅减少。将该状态在表1中记载为△，是没有特别问题的水平。 [0094] (实施例7) [0095] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为5.71mm的位置朝向靶的侧面向下5°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为0.5mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0096] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为301次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减少。 [0097] (实施例8) [0098] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为2.50mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为0.5mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0099] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为345次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减少。 [0100] (实施例9) [0101] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为1.37mm的位置朝向靶的侧面向下20°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为0.5mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0102] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为442次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减少。 [0103] (实施例10) [0104] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为0.87mm的位置朝向靶的侧面向下30°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为0.5mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0105] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为508次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减少。 [0106] (实施例11) [0107] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为3.43mm的位置朝向靶的侧面向下5°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为0.3mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0108] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为194次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减半。 [0109] (实施例12) [0110] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为1.50mm的位置朝向靶的侧面向下11.3°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为0.3mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0111] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为250次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减半。 [0112] (实施例13) [0113] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为0.82mm的位置朝向靶的侧面向下20°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为0.3mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0114] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为331次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减少。 [0115] (实施例14) [0116] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为0.52mm的位置朝向靶的侧面向下30°的角度的斜坡，并且使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为0.3mm，使分割部的间隙为0.3mm。 [0117] 如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为428次，几乎未见结核的产生。与实施例1相比，结核、发弧均减少。 [0118] (比较例1) [0119] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如图4所示，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为1mm的位置朝向靶的侧面向下45°的角度的斜坡。 [0120] 如图5所示，在该情况下，距靶边缘部的靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离达到1.0mm。将使靶的分割部的间隙为0.3mm时的结核产生状况示于图5。将该状态在表1中记载为×。 [0121] 如该图5所示，靶上端的边缘部C1.0mm加工时，可见直至靶寿命50%结核的产生多、靶寿命100%时结核消失的逆转现象。 [0122] 这可以认为是由于，从靶寿命50%至100%，随着腐蚀进行，边缘部与靶平坦面部分的高低差消失，成为整个面平坦，因此，甚至结核也被溅射。 [0123] 如上述表1所示，从溅射开始时至靶寿命100%后的累积发弧次数为1812次，从50%至100%，发弧产生次数增大。另外，结核的产生也显著增加。 [0124] (比较例2) [0125] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，形成从距该分割靶的侧面的距离为0.5mm的位置朝向靶的侧面向下45°的角度的斜坡。此外，将使靶的分割部的间隙为0.1mm。 [0126] 在该情况下，如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为1762次，得到微弧的产生次数极度增多的结果。另外，结核的产生也显著增加。 [0127] (比较例3) [0128] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，形成从距该分割靶的侧面的距离为0.5mm的位置朝向靶的侧面、向下45°的角度的斜坡。此外，使靶的分割部的间隙为0.5mm。 [0129] 在该情况下，如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为1908次，得到微弧的产生次数极度增多的结果。另外，结核的产生也显著增加。 [0130] (比较例4) [0131] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如图5所示，从距该分割靶的侧面的距离为1mm的位置朝向靶的侧面、形成半径1mm圆加工(R加工)(参照图4)。此外，使靶的分割部的间隙为0.3mm。 [0132] 在该情况下，如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为1826次，得到微弧的产生次数极度增多的结果。另外，结核的产生也显著增加。 [0133] (比较例5) [0134] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，形成从距该分割靶的侧面的距离为0.5mm的位置朝向靶的侧面向下45°的角度的斜坡。此外，使靶的分割部的间隙为0.3mm。 [0135] 在该情况下，如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为1522次，得到微弧的产生次数极度增多的结果。另外，结核的产生也显著增加。 [0136] (比较例6) [0137] 直到制造ITO烧结体的工序，与实施例1同样，对于分割靶，如表1所示，从距该分割靶的侧面的距离为0.5mm的位置朝向靶的侧面、形成半径0.5mm圆加工(R加工)。此外，使靶的分割部的间隙为0.3mm。 [0138] 在该情况下，如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为1559次，得到微弧的产生次数极度增多的结果。另外，结核的产生也增加。 [0139] (比较例7) [0140] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，形成从距该分割靶的侧面的距离为0.3mm的位置朝向靶的侧面、向下45°的角度的斜坡。此外，使靶的分割部的间隙为0.3mm。 [0141] 在该情况下，如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为1220次，得到微弧的产生次数极度增多的结果。另外，结核的产生也增加。 [0142] (比较例8) [0143] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，如表1所示，从距该分割靶的侧面的距离为0.3mm的位置朝向靶的侧面、形成半径0.3mm圆加工(R加工)。此外，使靶的分割部的间隙为0.3mm。在该情况下，如上述表1所示，从溅射开始时到靶寿命100%后的累积发弧次数为1233次，得到微弧的产生次数极度增多的结果。另外，结核的产生也增加。 [0144] (实施例15) [0145] 直到制造ITO烧结体的工序均与实施例1相同，对于分割靶，为如下情况：形成从距该分割靶的侧面的距离为5.0mm的位置朝向靶的侧面、向下11.3°的角度的斜坡，使距靶平坦面的斜坡(斜面)的最深部的距离为1mm，并且使间隙为0mm。 [0146] 发弧为287次，结核的产生少。得到比实施例1好的结果。可知间隙为0mm的情况下，也有效果。 [0147] 但是，这是由于靶的尺寸小，因此间隙为0mm也不会产生裂纹，但在大型靶的情况下需要裂纹对策。 [0148] 由上述的实施例、比较例可知，作为将多个分割靶排列到背衬板上、并且在该背衬板上接合而构成的溅射靶，形成如下结构极其重要：具有从距排列的多个各分割靶的侧面的距离为23.0mm～0.10mm的位置朝向靶的侧面向下倾斜的5～40°的斜坡。由此，能够抑制结核的产生和异常放电，同时在与间隙部分对置的基板上形成的膜的特性与其他部分的膜的特性没有差异，即可以得到膜特性的均匀性高的膜。 [0149] 产业上的可利用性 [0150] 对于本发明的溅射靶而言，能够提供如下溅射靶：其即使在分割靶的连续溅射时，也能够抑制结核的产生和异常放电，并且在与间隙部分对置的基板上形成的膜的特性与其他部分的膜的特性没有差异，即得到膜特性的均匀性高的膜，而且具有能够使成膜的成品率提高、且提高制品的品质的较大优点，并且能够提供一种大型的溅射靶，能够降低由分割靶部引起的颗粒产生所导致的不良率，因此，特别是作为FPD用溅射靶有用。

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