银基离线Low‑E钢化玻璃均质化处理方法 |
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| 申请号 | CN201610993246.2 | 申请日 | 2016-11-11 | 公开(公告)号 | CN106746552A | 公开(公告)日 | 2017-05-31 |
| 申请人 | 中航三鑫股份有限公司; | 发明人 | 代干; 张榜; 刘东阳; | ||||
| 摘要 | 本 发明 涉及 银 基离线Low‑E 钢 化玻璃均质化处理的技术领域，公开了银基离线Low‑E钢化玻璃均质化处理方法，包括以下处理步骤：1)、将多片银基离线Low‑E钢化玻璃呈裸露状放置在 支撑 架上，相邻的银基离线Low‑E钢化玻璃之间用耐高温板材间隔；2)、将支撑架置于密闭加热炉中；3)、往密闭加热炉内注入惰性气体；4)、对密闭加热炉内的银基离线Low‑E钢化玻璃进行加热；5)、密闭加热炉加热至一定 温度 后恒温一定时间；6)、对密闭加热炉降温，取出银基离线Low‑E钢化玻璃。银基离线Low‑E钢化玻璃在加热的过程中，惰性气体可以保护其表面的银膜层，保证银基离线Low‑E钢化玻璃的 质量 ，使容易出现自爆的银基离线Low‑E钢化玻璃在处理过程中提前自爆。 | ||||||
| 权利要求 | 1.银基离线Low-E钢化玻璃均质化处理方法，其特征在于，包括以下处理步骤： |
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| 说明书全文 | 银基离线Low-E钢化玻璃均质化处理方法技术领域[0001] 本发明涉及银基离线Low-E钢化玻璃均质化处理的技术领域，尤其涉及银基离线Low-E钢化玻璃均质化处理方法。 背景技术[0002] 银基离线Low-E钢化玻璃具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，节能功能优异，在当代的建筑中应用越来越多。同时为了满足安全性要求，该Low-E玻璃均需钢化处理，由于钢化玻璃有自爆的特性，给银基离线Low-E钢化玻璃的后期使用造成一定的困扰，甚至带来较大的安全隐患。 [0003] 为了尽可能的减少银基离线Low-E钢化玻璃在运用中的自爆情况，一般情况下，在该银基离线Low-E钢化玻璃生产中都会进行均质化处理，将银基离线Low-E钢化玻璃放置在热均质炉中进行均质化处理，使得容易自爆的银基离线Low-E钢化玻璃在加热过程中提前自爆，避免银基离线Low-E钢化玻璃在后续使用过程中自爆。 [0004] 现有技术中，由于银基离线Low-E钢化玻璃的表面镀有银层膜层，这样，在均质化过程中，银膜层易由于长时间受热，出现脱膜氧化等缺陷，导致银功能层被破坏，进而导致银基离线Low-E钢化玻璃废品率大大提高，增加制造成本。 发明内容[0005] 本发明的目的在于提供银基离线Low-E钢化玻璃均质化处理方法，旨在解决现有技术中，银基离线Low-E钢化玻璃在均质化处理过程中，银膜层易被氧化破坏的问题。 [0006] 本发明是这样实现的，银基离线Low-E钢化玻璃均质化处理方法，包括以下处理步骤： [0007] 1)、将多片银基离线Low-E钢化玻璃呈裸露状放置在支撑架上，且多片所述银基离线Low-E钢化玻璃之间相间隔并列布置，相邻的银基离线Low-E钢化玻璃之间用耐高温板材间隔，且所述银基离线Low-E钢化玻璃与耐高温板材之间具有间隙； [0008] 2)、将放置有银基离线Low-E钢化玻璃的支撑架置于密闭加热炉中，并封闭密闭加热炉； [0009] 3)、排出密闭加热炉内的空气，往所述密闭加热炉内注入惰性气体； [0010] 4)、启动所述密闭加热炉，对所述密闭加热炉内的银基离线Low-E钢化玻璃进行加热； [0011] 5)、所述密闭加热炉加热至一定温度后恒温一定时间； [0013] 进一步的，所述银基离线Low-E钢化玻璃呈纵向竖直状放置于所述支撑架上。 [0014] 进一步的，所述密闭加热炉内的银基离线Low-E钢化玻璃在加热过程中，依序进行升温、恒温以及降温处理，且在恒温时玻璃的温度范围控制在280℃-300℃之间。 [0015] 进一步的，所述银基离线Low-E钢化玻璃进行恒温处理的时间不小于2h。 [0016] 进一步的，所述密闭加热炉降温的终止温度为气体温度不高于70℃。 [0017] 进一步的，所述银基离线Low-E钢化玻璃进行均质化处理的过程中，所述密闭加热炉内的惰性气体含量不低于95％。 [0018] 进一步的，所述支撑架包括底座架，所述底座架的上端形成有架面，所述架面上中间位置设有竖向布置的支撑杆，所述支撑杆的上端设有横向布置的定位杆，所述定位杆上形成有多个朝下布置且相间隔布置的定位头，所述架面上插设有纵向布置的方杆，所述方杆的上端抵接在所述定位头的侧边，所述耐高温板材抵靠在所述方杆，所述银基离线Low-E钢化玻璃布置在所述耐高温板材的外侧。 [0019] 进一步的，所述底座架具有多个水平布置且相互平行分布的水平杆，多条所述水平杆的上端形成所述架面；所述水平杆的上端中设有插孔，所述方杆的下端插设在所述插孔中。 [0020] 进一步的，所述定位头活动连接在所述定位杆上。 [0021] 进一步的，所述定位杆上设有轨槽，所述轨槽具有朝下布置的开口，所述轨槽沿着所述定位杆的长度方向延伸布置，所述定位头的上端活动置于所述轨槽中。 [0022] 进一步的，在所述银基离线Low-E钢化玻璃的顶部套设有U型块，所述U型块的侧边抵靠在所述耐高温板材上。 [0023] 进一步的，所述底座架为条杆连接而成，所述底座架的内部呈空心状，且所述架面的中部形成有镂空区域，所述底座架的内部插设有收集板，所述收集板与所述镂空区域正对布置；在所述步骤4)中，在所述密闭加热炉内加热并自爆的银基离线Low-E钢化玻璃的碎片落入所述收集板上。 [0024] 与现有技术相比，本发明提供的银基离线Low-E钢化玻璃均质化处理方法，多片银基离线Low-E钢化玻璃放置在支撑架上，便于一次性对多片银基离线Low-E钢化玻璃进行均质化处理；在密闭加热炉内注入惰性气体，将密闭加热炉内的空气排出，这样，在加热的过程中，惰性气体可以保护银基离线Low-E钢化玻璃表面的银膜层，避免银膜层被破坏，进而较好的保证银基离线Low-E钢化玻璃的质量。通过上述的均质化处理，容易出现自爆的银基离线Low-E钢化玻璃在处理过程中，则会提前自爆，并且，自爆的银基离线Low-E钢化玻璃在耐高温板材的阻挡下，不会对相邻的银基离线Low-E钢化玻璃造成损伤，这样，经过均质化处理的银基离线Low-E钢化玻璃在后续使用过程中，自爆概率则大大降低，进而大大提高银基离线Low-E钢化玻璃使用的安全性能。附图说明 [0025] 图1是本发明实施例提供的用于放置银基离线Low-E钢化玻璃的支撑架的主视示意图。 具体实施方式[0026] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。 [0027] 以下结合具体实施例对本发明的实现进行详细的描述。 [0028] 参照图1所示，为本发明提供的较佳实施例。 [0029] 本实施例提供的银基离线Low-E钢化玻璃17均质化处理方法，对制造成型好的银基离线Low-E钢化玻璃17进行均质化处理，使得容易自爆的银基离线Low-E钢化玻璃17提前自爆，大大降低银基离线Low-E钢化玻璃17在后续使用过程中自爆的可能性，保证银基离线Low-E钢化玻璃17使用的安全性。 [0030] 银基离线Low-E钢化玻璃17均质化处理方法，包括以下步骤： [0031] 1)、将多片银基离线Low-E钢化玻璃17放置在支撑架上，多片银基离线Low-E钢化玻璃17之间相间隔并列布置，且银基离线Low-E钢化玻璃17呈裸露状布置；相邻的银基离线Low-E钢化玻璃17之间用耐高温板材16间隔，且银基离线Low-E钢化玻璃17与耐高温板材16之间具有间隙； [0032] 2)、将放置有多片银基离线Low-E钢化玻璃17的支撑架放置在密闭加热炉内，并封闭密闭加热炉； [0033] 3)、往密闭加热炉内注入惰性气体，并同时排出密闭加热炉内的空气； [0034] 4)、启动密闭加热炉，对密闭加热炉内的银基离线Low-E钢化玻璃17进行加热； [0035] 5)、密闭加热炉加热至一定温度后恒温一定时间； [0036] 6)、待密闭加热炉降温好以后，打开密闭加热炉，取出加热后的银基离线Low-E钢化玻璃17。 [0037] 上述的银基离线Low-E钢化玻璃17均质化处理方法中，多片银基离线Low-E钢化玻璃17放置在支撑架上，便于一次性对多片银基离线Low-E钢化玻璃17进行均质化处理；在密闭加热炉内注入惰性气体，将密闭加热炉内的空气排出，这样，在加热的过程中，惰性气体可以保护银基离线Low-E钢化玻璃17表面的银膜层，避免银膜层被破坏，进而较好的保证银基离线Low-E钢化玻璃17的质量。 [0038] 通过上述的均质化处理，容易出现自爆的银基离线Low-E钢化玻璃17在处理过程中，则会提前自爆，并且，自爆的银基离线Low-E钢化玻璃17在耐高温板材16的阻挡下，不会对相邻的银基离线Low-E钢化玻璃17造成损伤，这样，经过均质化处理的银基离线Low-E钢化玻璃17在后续使用过程中，自爆概率则大大降低，进而大大提高银基离线Low-E钢化玻璃17使用的安全性能。 [0039] 本实施例中，银基离线Low-E钢化玻璃17呈纵向竖直在状布置放置在支撑架上，这样，如果银基离线Low-E钢化玻璃17在加热出现自爆现象时，可以避免自爆的银基离线Low-E钢化玻璃17的碎片对相邻的银基离线Low-E钢化玻璃17造成损坏。 [0040] 在上述步骤4)中，密闭加热炉内的银基离线Low-E钢化玻璃17在加热过程中，依序进行升温、恒温以及降温处理，并且，恒温时的温度范围控制为280℃至300℃之间，因此，在升温过程中，要尽量避免温度高于300℃，或者，缩短温度高于300℃的时间，且恒温的时间不小于2h。密闭加热炉在降温过程中，降温的终止温度不高于70℃，如果密闭加热炉的温度高于70℃，则禁止打开密闭加热炉。 [0041] 另外，银基离线Low-E钢化玻璃17进行均质化处理的过程中，密闭加热炉内的惰性气体含量不低于95％。 [0042] 本实施例中，密闭加热炉可以高压釜，当然，也可以是类型的可以密闭的加热设备。另外，当多个银基离线Low-E钢化玻璃17放置好在支撑架上后，利用绑带等进行捆绑，以使得多片银基离线Low-E钢化玻璃17在支撑架稳固固定。 [0043] 本实施例中，支撑架包括底座架11，该底座架11的上端形成有架面112，在架面112上设有纵向布置的支撑杆13，支撑杆13的上端设有横向布置的定位杆14，该定位杆14上形成有多个定位头15，该多个定位头15朝下延伸布置，且呈相间隔布置。架面112上插设有纵向布置的方杆12，方杆12的上端抵接在定位头15的侧边，耐高温板材16抵靠着方杆12，银基离线Low-E钢化玻璃17布置在耐高温板材16的外侧 [0044] 这样，在步骤1)中，将耐高温板材16放置在架面112上，且抵靠着方杆12，银基离线Low-E钢化玻璃17放置在支撑架上，布置在耐高温板材16的外侧，且银基离线Low-E钢化玻璃17的底部置于底座架11的架面112上。 [0045] 为了便于调节多片银基离线Low-E钢化玻璃17之间的间隔距离，定位头15活动连接在定位杆14上，这样，定位头15则可以沿着定位杆14移动，实现相邻之间的定位头15的间隔调节。 [0046] 具体地，在定位杆14上设有轨槽，该轨槽具有朝下布置的开口，且轨槽沿着定位杆14的长度方向延伸布置，定位头15的上端活动置于轨槽中，从而，定位头15则可以沿着轨槽移动，定位头15移动至适当位置时，再利用紧固件等将定位头15固定位置。 [0047] 作为其他实施例，定位头15也可以通过其他方式在定位杆14上移动，例如直接将定位头15通过螺钉固定在定位杆14的不同位置，也可以实现相邻定位头15之间的间隔调节。 [0048] 底座架11具有多个水平布置且相互平行分布的水平杆，多条水平杆的上端形成上述的架面112，水平杆的上端中设有插孔，方杆12的下端插设在插孔中。 [0049] 在底座架11的架面112中分别多个插孔，该多个插孔沿底座架11的横向方向延伸布置，这样，当银基离线Low-E钢化玻璃17放置好的底座架11的架面112上后，通过在插孔中插设方杆12，且方杆12置于银基离线Low-E钢化玻璃17的外侧，这样，可以进一步保护放置好的银基离线Low-E钢化玻璃17，对银基离线Low-E钢化玻璃17进行多一次的定位。 [0050] 当耐高温板材16放置在支撑架上后，为了使得其与银基离线Low-E钢化玻璃17之间存在间隙，在银基离线Low-E钢化玻璃17的顶部套设有U型块18，U型块18的侧边抵靠在耐高温板材16上，这样，通过配置不同厚度的U型头，则可以调节耐高温板材16与银基离线Low-E钢化玻璃17之间的间隙的大小。 [0051] 底座架11为条杆连接而成，底座架11的内部呈空心状，且底座架11的架面112的中部形成镂空区域，且在底座架11内部插设有收集板，该收集板正对这架面112的镂空区域布置，这样，银基离线Low-E钢化玻璃17在加热的过程中，出现自爆的银基离线Low-E钢化玻璃17的碎片，则通过架面112的镂空区域落入在收集板上，便于工人对银基离线Low-E钢化玻璃17的碎片进行收集打扫。 [0052] 底座架11的端部中设有开口，这样，便于收集板插入底座架11的内部，以及将收集板从底座架11的端部的开口抽出。 [0053] 另外，为了便于支撑架的放置，底座架11呈倒梯形状布置，且底部两侧呈倾斜状，底部的中部形成有放置面111，这样，当底座架11处于放置状态时，其底部的中部直接置于地面等上，且底部的两侧呈悬空状，不会对放置的地面有过大的要求。 |
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