1.一种用于处理半导体晶片的石英玻璃夹具，其特征在于石英玻璃至少在其深度为至少50μm的近表面区域掺杂了氮，且亚稳态羟基的平均含量小于30重量ppm，以及其假定温
13
度低于1250℃和在1200℃的温度时粘度为至少10 dPa·s。
2.根据权利要求1所述的夹具，特征在于所述石英玻璃由天然存在的SiO2原料熔融获得，且亚稳态羟基的平均含量小于5重量ppm。
3.根据权利要求1所述的夹具，特征在于亚稳态羟基的平均含量不超过1重量ppm。
4.根据权利要求1所述的夹具，特征在于所述石英玻璃由人造SiO2熔融获得，且平均氮含量为至少0.1原子％。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的夹具，特征在于所述石英玻璃的氟含量小于50重量ppm。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的夹具，特征在于所述石英玻璃的氯含量小于60重量ppm。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的夹具，特征在于所述石英玻璃的SiH基含量低于
17
1x10 每立方厘米玻璃。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的夹具，特征在于所述石英玻璃对于波长163nm的UV辐射显示小于0.5/cm的吸收率。
9.根据权利要求1-4中任一项所述的夹具，特征在于所述石英玻璃的Na和K含量各自小于500重量ppb。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的夹具，特征在于所述石英玻璃中至少在深度为至少50μm的近表面区域包含氧化铝，其中Al含量为5000-20000重量ppm。
11.一种制造根据权利要求1-10中任一项所述的用于半导体制造中的石英玻璃夹具的方法，特征在于：
●提供颗粒形式的SiO2原料，
●熔融或烧结该SiO2原料以获得石英玻璃坯，其中使所述SiO2原料或石英玻璃坯经受脱水处理，
●在含氨气氛中将所述石英玻璃坯加热至1050℃至1850℃范围的氮化温度，●温度处理，藉此将石英玻璃坯中的石英玻璃设定到1250℃或更低的假定温度，●对石英玻璃坯进行表面处理，形成石英玻璃夹具。
12.根据权利要求11所述的方法，特征在于在石英玻璃坯加热期间的氮化温度不超过
1250℃。
13.根据权利要求11所述的方法，特征在于所述脱水处理包括在含石墨的模中熔融或烧结SiO2原料。
14.根据权利要求11所述的方法，特征在于所述脱水处理包括在无水气氛或真空中熔融或烧结SiO2原料。
15.根据权利要求11-14中任何一项所述的方法，特征在于所述脱水处理包括在真空中对石英玻璃坯进行退火。
16.根据权利要求11-14中任何一项所述的方法，特征在于所述脱水处理包括在氨气气氛中将SiO2原料或石英玻璃坯加热至氮化温度。
17.根据权利要求11-14中任何一项所述的方法，特征在于所述表面处理包括使用局部作用于表面的激光束或高温等离子加热石英玻璃坯表面。
18.根据权利要求11-14中任何一项所述的方法，特征在于所述表面处理包括机械表面处理，由此设定0.2微米或更高的初始平均表面粗糙度Ra，0，且其中在后续蚀刻处理中有至少10微米从由该机械处理所获得的表面上被移除。
19.根据权利要求11所述的方法，特征在于提供由天然存在的原料获得的SiO2原料。