1.一种脱气腔室的石英窗，在该脱气腔室中使用含臭氧的气体在UV光照射下清洁半导体衬底，所述石英窗包括：
底表面，顶表面以及在所述底表面和所述顶表面之间延伸的侧壁；
位于所述顶表面和所述底表面之间的充气室；以及
与所述充气室流体连通的至少一个气体通道。
2.根据权利要求1所述的石英窗，其中所述石英是合成石英，和/或所述石英窗包括与所述充气室流体连通的能运行以使所述含臭氧的气体能够供应到所述充气室的第一气体通道以及与所述充气室流体连通的能运行以使所述充气室能排空的第二气体通道。
3.根据权利要求1所述的石英窗，其中所述充气室位于两个石英板之间，该两个石英板之间有真空密封件以定义所述充气室，成对的石英板连接在一起并且在所述成对的石英板的相对表面之间加工出所述充气室，或者将成对的石英板连接到石英环上，以将所述充气室定义在所述成对的石英板的相对表面之间并在所述环内部。
4.一种脱气腔室，其包括：
根据权利要求1所述的石英窗，其可拆卸地安装在所述脱气腔室的顶壁中的开口上；
以及
UV灯组件，其设置在所述石英窗的上方。
5.根据权利要求4所述的脱气腔室，其中：
臭氧源通过分支气体管线的第一分支与所述至少一个气体通道流体连通，通过所述第一分支的气体流由第一阀控制，所述臭氧源能运行以供应含臭氧的气体到所述充气室；
所述臭氧源通过所述分支气体管线的第二分支与第一真空泵的入口流体连通，通过所述第二分支的气体流由第二阀控制，所述第一真空泵能运行以排空所述充气室；
臭氧破坏单元通过第三气体管线与所述第一真空泵的出口流体连通，所述臭氧破坏单元能运行以破坏流过其中的臭氧；
所述臭氧源通过第四气体管线与所述脱气腔室流体连通，通过所述第四气体管线的气体流由第四阀控制，所述臭氧源能运行以提供含臭氧的气体给所述脱气腔室；
所述脱气腔室通过第五气体管线与所述第二真空泵的所述入口流体连通，通过所述第五气体管线的气体流由第五阀控制，所述第二真空泵能运行以排空所述脱气腔室；以及所述第二真空泵的出口通过第六气体管线与所述臭氧破坏单元流体连通；
所述脱气腔室还包括控制器，该控制器能运行以控制所述第一、第二、第四和第五阀、所述臭氧源和/或在所述充气室和所述脱气腔室中的气体压强。
6.根据权利要求4所述的脱气腔室，其中所述石英窗通过多个夹具可拆卸地安装，并且在所述石英窗和所述脱气腔室的上表面之间设置O形环，以提供真空密封。
7.根据权利要求4所述的脱气腔室，其中所述充气室掩盖位于所述顶壁中的整个开口，通过该开口，所述半导体衬底暴露于来自所述UV灯组件的UV光。
8.一种处理半导体衬底的方法，其包括：
(a)将半导体衬底输送到权利要求4所述的脱气腔室中；
(b)向所述脱气腔室供应含臭氧的气体；
(c)排空所述充气室；
(d)使用通过所述石英窗的UV光照射所述脱气腔室内的所述含臭氧的气体以在所述腔室产生O自由基；
(e)使在所述半导体衬底上的含卤素的残留物与所述O自由基反应一段时间以形成挥发性副产物，并将所述挥发性副产物从所述腔室中排出；
(f)将所述含臭氧的气体供给到所述充气室中并调整在所述充气室内的臭氧的分压，以基本阻挡所述UV光；
(g)排空所述脱气腔室；
(h)将所述半导体衬底输送出所述脱气腔室；
(i)对另一半导体衬底重复步骤(a)-(h)。
9.一种处理半导体衬底的方法，其包括：
(a)将半导体衬底输送到权利要求4所述的脱气腔室中；
(b)向所述脱气腔室供应含臭氧的气体；
(c)调整在所述充气室内的臭氧的分压使得通过所述石英窗的UV光的透射率被调整至所期望的值；
(d)使用通过所述石英窗的UV光照射所述脱气腔室内的所述含臭氧的气体以产生O自由基；
(e)使在所述半导体衬底上的含卤素的残留物与所述O自由基反应一段时间以形成挥发性副产物，并将所述挥发性副产物从所述腔室中排出；
(f)调整在所述充气室内的所述臭氧的分压，以基本阻挡所述UV光；
(g)排空所述脱气腔室；
(h)将所述半导体衬底输送出所述脱气腔室；
(i)对另一半导体衬底重复步骤(a)-(h)。
10.一种处理半导体衬底的方法，其包括：
(a)将半导体衬底输送到权利要求4所述的脱气腔室中；
(b)用UV光传感器测量来自所述UV灯组件的UV光辐射通量；
(c)向所述脱气腔室供应含臭氧的气体；
(d)根据所测量的所述UV光辐射通量，调整在所述充气室内的臭氧的分压使得通过所述石英窗的UV光辐射通量被调整至所期望的值；
(e)使用通过所述石英窗的UV光照射所述脱气腔室内的所述含臭氧的气体以在所述脱气腔室内产生O自由基；
(f)使在所述半导体衬底上的含卤素的残留物与所述O自由基反应一段时间以形成挥发性副产物，并将所述挥发性副产物从所述腔室中排出；
(g)调整在所述充气室内的所述臭氧的分压至基本有效阻挡所述UV光的分压；
(h)排空所述脱气腔室；
(i)将所述半导体衬底输送出所述脱气腔室；
(j)对另一半导体衬底重复步骤(a)-(i)。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述UV灯组件在贯穿步骤(a)-(i)的过程中维持开通状态；所述充气室中的所述臭氧的分压与所述充气室的垂直高度的积为4至53厘米·乇；所述含臭氧的气体包含0.1至0.5wt%的氮气；所述含卤素的残留物包含溴；和/或所述一段时间为15至60秒。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述UV灯组件在贯穿步骤(a)-(i)的过程中维持开通状态；所述充气室中的所述臭氧的分压与所述充气室的垂直高度的积为4至53厘米·乇；所述含臭氧的气体包含0.1至0.5wt％的氮气；所述含卤素的残留物包含溴；和/或所述一段时间为15至60秒。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述UV灯组件在贯穿步骤(a)-(j)的过程中维持开通状态；所述充气室中的所述臭氧的分压与所述充气室的垂直高度的积为4至53厘米·乇；所述含臭氧的气体包含0.1至0.5wt％的氮气；所述含卤素的残留物包含溴；和/或所述一段时间为15至60秒。
14.一种在根据权利要求5所述的脱气腔室中处理半导体衬底的方法，所述方法包括：
(a)通过所述控制器关闭所述第二、所述第四和所述第五阀，通过所述控制器打开所述第一阀以供应所述含臭氧的气体至所述充气室，并通过所述控制器调整所述充气室内的臭氧的分压以基本阻挡所述UV光；
(b)通过所述控制器关闭所述第一阀并打开所述第五和所述第二阀以排空所述脱气腔室；
(c)将半导体衬底输送到所述脱气腔室中；
(d)通过所述控制器打开所述第一阀以排空所述充气室；
(e)通过所述控制器关闭所述第一和所述第二阀并打开所述第四阀以向所述脱气腔室供应含臭氧的气体；
(f)使用通过所述石英窗的UV光照射所述脱气腔室内的所述含臭氧的气体以在所述腔室内产生O自由基；
(g)使在所述半导体衬底上的含卤素的残留物与所述O自由基反应一段时间以形成挥发性副产物，并将所述挥发性副产物从所述腔室中排出；
(h)通过所述控制器关闭所述第四和所述第五阀并打开所述第一阀以供应所述含臭氧的气体至所述充气室，并通过所述控制器调整所述充气室内的臭氧的分压以基本阻挡所述UV光；
(i)通过所述控制器关闭所述第一阀并打开所述第二和所述第五阀以排空所述脱气腔室；
(j)将所述半导体衬底输送出所述脱气腔室；
(k)对另一半导体衬底重复步骤(a)-(j)。
15.一种脱气腔室，其包括：
根据权利要求2所述的石英窗，其可拆卸地安装到所述脱气腔室的顶壁中的开口上；
以及
UV灯组件，其设置在所述石英窗的上方。
16.根据权利要求15所述的脱气腔室，其中：
臭氧源通过第一气体管线的与所述第一气体通道流体连通，通过所述第一气体管线的气体流由第一阀控制，并且所述臭氧源通过所述第二气体管线与所述第二脱气腔室流体连通，通过所述第二气体管线的气体流由第二阀控制，所述臭氧源能运行以供应含臭氧的气体到所述充气室和/或所述脱气腔室；
所述第二气体通道通过第三气体管线与真空泵的入口流体连通，通过所述第三气体管线的气体流由第三阀控制，所述真空泵能运行以排空所述充气室；
所述脱气腔室通过第四气体管线与所述真空泵的所述入口流体连通，通过所述第四气体管线的气体流由第四阀控制，所述真空泵能运行以排空所述脱气腔室；
臭氧破坏单元通过第五气体管线与所述真空泵的出口流体连通，所述臭氧破坏单元能运行以破坏流过其中的臭氧；以及
所述脱气腔室还包括控制器，该控制器能运行以控制所述第一、所述第二、所述第三、和所述第四阀、所述臭氧源和/或所述充气室和所述脱气腔室中的气体压强。
17.一种在根据权利要求16所述的脱气腔室中处理半导体衬底的方法，所述方法包括：
(a)通过所述控制器关闭所述第二阀，通过所述控制器打开所述第一、所述第三和所述第四阀以排空所述脱气腔室，并且供应所述含臭氧的气体至所述充气室，以及通过所述控制器调整所述充气室内的臭氧的分压，从而基本阻挡所述UV光；
(b)将半导体衬底输送到所述脱气腔室中；
(c)通过所述控制器关闭所述第一阀并打开所述第二阀以向所述脱气腔室供应含臭氧的气体，并排空所述充气室；
(d)使用通过所述石英窗的UV光照射所述脱气腔室内的所述含臭氧的气体以在所述腔室内产生O自由基；
(e)使在所述半导体衬底上的含卤素的残留物与所述O自由基反应一段时间以形成挥发性副产物，并将所述挥发性副产物从所述腔室中排出；
(f)通过所述控制器关闭所述第二阀并打开所述第一阀以排空所述脱气腔室，并供应所述含臭氧的气体至所述充气室，以及通过所述控制器调整所述充气室内的臭氧的分压，从而基本阻挡所述UV光；
(g)将所述半导体衬底输送出所述脱气腔室；
(h)对另一半导体衬底重复步骤(a)-(g)。
18.一种制造根据权利要求1所述的石英窗的方法，所述方法包括：将具有加工在其中的所述充气室和通道的两石英板熔合在一起，或者将两石英板和夹于该两石英板之间的弹性密封环夹持在一起，从而形成所述充气室。