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평판 디스플레이용 유리 기판 및 그의 제조 방법{GLASS SUBSTRATE FOR FLAT PANEL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 평판 디스플레이용 유리 기판과 그의 제조 방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(TFT)형 액정 디스플레이 및 유기 전계 발광(EL) 디스플레이 등의 박형이며 소비 전력이 적은 평판 디스플레이는, 최근 휴대 기기 등의 디스플레이로서 널리 이용되고 있다. 이들 디스플레이용의 기판으로는 일반적으로 유리 기판이 이용되고 있다. TFT에는 비정질 실리콘(α-Si)ㆍTFT와, 폴리실리콘(p-Si)ㆍTFT가 존재한다. p-SiㆍTFT는 초고정밀도이며 아름다운 화면을 실현할 수 있다는 것, 디스플레이의 높은 내구성을 실현할 수 있다는 것, 디스플레이의 박형ㆍ경량화가 가능하다는 것, 및 저소비 전력화가 가능하다는 것 등의 면에서 α-SiㆍTFT보다 우수하다. 그러나, 종래 p-SiㆍTFT의 제조에는 고온 처리가 필요하였다. 그 때문에, p-SiㆍTFT를 제조할 때에 유리 기판에 열 수축 및 열 충격이 발생하기 때문에 실리카 유리 이외의 유리를 사용할 수 없었다. 그 결과, 액정 디스플레이에 p-SiㆍTFT를 적용하는 것이 곤란하였다. 그러나, 최근 열 처리 온도가 감소된 저온 폴리실리콘(LTPS) TFT가 개발되었기 때문에, 평판 디스플레이에 p-SiㆍTFT를 적용하는 것이 가능해졌다. 이에 따라, 휴대 기기 등의 소형 기기의 디스플레이라도 고정밀도이며 아름다운 화면을 실현할 수 있게 되었다. 단, 아직도 p-SiㆍTFT의 제조에는 400 내지 600 ℃의 고온의 열 처리가 필요하다. 종래의 디스플레이용 유리 기판의 경우 변형점(strain point)이 충분히 높지 않은 것이 많아, p-SiㆍTFT 제조시의 열 처리에 의해 큰 열 수축이 발생하여 화소의 피치 어긋남을 야기한다는 문제가 발생하기 쉽다. 또한, 최근 더욱 고정밀화가 요구되고 있다. 따라서, 이러한 화소의 피치 어긋남을 억제하기 위해, 디스플레이 제조시의 유리 기판의 열 수축을 감소시키는 것이 강하게 요구되고 있다. 종래, 이러한 열 수축의 문제를 고려하여 개발된 디스플레이용 유리 기판이 보고되어 있다(특허문헌1 내지 3).
일본 특허 공개 제2002-3240호 공보
일본 특허 공개 제2004-315354호 공보
일본 특허 공개 제2007-302550호 공보
여기서, 유리 기판의 열 수축은 유리 전이점(이하 Tg라 함) 및 변형점으로 대표되는 저온 점성 영역에서의 특성(저온 점성 특성) 온도를 높임으로써 억제할 수 있다(이하, 본 명세서에서는 「저온 점성 특성 온도」로서 「Tg 및 변형점」을 대표하여 기재함). 그러나, 단순히 유리의 Tg 및 변형점을 높이는 것에만 주목하여 유리 조성의 개량을 행하면, 유리의 내실투성이 악화되기 쉽다는 문제가 발생한다. 또한, 내실투성이 악화, 즉 실투 온도가 높아져 액상 점도가 저하되면, 제조 방법의 자유도도 저하된다. 실투 온도가 높아지고 액상 점도가 저하되면, 예를 들어 오버플로우 다운드로우(overflow downdraw)법을 사용한 유리 기판의 제조가 곤란해진다는 문제가 발생한다. 따라서, 본 발명은 높은 Tg 및 변형점과, 양호한 내실투성을 양립하여 구비하고, p-SiㆍTFT가 적용되는 디스플레이에 이용되더라도 화소의 피치 어긋남의 문제를 발생시키지 않는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판은, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 75 ppm 이하이다. 단, 상기 열 수축률이란, 승강온 속도 10 ℃/분, 550 ℃에서 2 시간 동안 유지하는 열 처리가 실시된 후의 유리 기판의 수축량을 이용하여, 이하의 수학식에 의해 구해지는 값이다. 열 수축률(ppm)={열 처리 후의 유리 기판의 수축량/열 처리 전의 유리 기판의 길이}×10 6 이후의 「열 수축률」도 마찬가지로 정의된다. 본 발명의 제2 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판은, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 60 ppm 이하이다. 본 발명의 제3 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판은, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되는 유리 기판이며, Tg에서 30분간 유지시킨 후, Tg-100 ℃까지 100 ℃/분으로 냉각시키고, 실온까지 방냉한 후, 승강온 속도 10 ℃/분, 550 ℃에서 2 시간 동안 유지하는 열 처리가 실시된 후의 상기 유리 기판의 열 수축률이 75 ppm 이하이다. 또한 본 발명은, 몰％로 SiO 2 가 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 이 3 내지 20 ％, B 2 O 3 이 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량)가 3 내지 25 ％이고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리가 되도록 조합한 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용융 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정을 포함하고, 상기 유리판의 열 수축률이 75 ppm 이하인 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판의 제1 제조 방법도 제공한다. 또한 본 발명은, 몰％로 SiO 2 가 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 이 3 내지 20 ％, B 2 O 3 이 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량)가 3 내지 25 ％이고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리가 되도록 조합한 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용융 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정을 포함하고, 상기 유리판의 열 수축률이 60 ppm 이하인 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판의 제2 제조 방법도 제공한다. 또한 본 발명은, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 75 ppm 이하인 제1 평판 디스플레이용 유리 기판도 제공한다. 또한 본 발명은, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 60 ppm 이하인 제2 평판 디스플레이용 유리 기판도 제공한다.
본 발명의 유리 기판은 높은 Tg 및 변형점과, 양호한 내실투성의 양립을 가능하게 한다. 따라서, 본 발명에 따르면 디스플레이 제조시의 열 처리에 의한 열 수축이 억제되어 화소의 피치 어긋남의 문제를 발생시키지 않는 우수한 특성을 갖는 유리 기판을 제공할 수 있다.
본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 몰％ 표시로 SiO 2 를 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 을 3 내지 20 ％, B 2 O 3 을 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량)를 3 내지 25 ％ 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키는 유리로 구성되는 유리 기판을 포함한다. 또한, 본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 몰％ 표시로 SiO 2 를 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 을 3 내지 20 ％, B 2 O 3 을 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량)를 3 내지 25 ％ 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키는 유리로 구성되는 유리 기판을 포함한다. (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17, 보다 바람직하게는 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시킴으로써, 본 실시 형태의 유리 기판은 양호한 내실투성을 유지하면서 Tg 및 변형점을 높일 수 있다. 이 Tg 및 변형점의 상승에 의해, 디스플레이 제조시의 열 처리시에 발생하는 열 수축량이 억제된다. 또한, Tg 및 변형점의 상승을 목적으로 하여 단순히 SiO 2 및 Al 2 O 3 량을 증가시키고 B 2 O 3 량을 감소시킨 것만으로는, 용융 온도가 높아져 용해성이 저하되는 경우도 있다. 그러나, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 이 상기 관계를 만족시킴으로써 용해성의 저하도 억제할 수 있다. 즉, 본 실시 형태의 유리 기판은 양호한 내실투성 및 양호한 용해성을 유지하면서, Tg 및 변형점을 상승시킬 수 있다. 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는, ZnO를 임의 성분으로서 5 ％ 이하로 함유할 수 있다. 이 경우, SiO 2 및 Al 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 SiO 2 +Al 2 O 3 ≥70 ％, 보다 바람직하게는 SiO 2 +Al 2 O 3 ≥75 ％를 만족시키고, RO, ZnO 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 RO+ZnO+B 2 O 3 =7 내지 25 ％를 만족시키는 것이 바람직하다. 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는 변형점을 660 ℃ 이상으로 할 수 있다. 평판 디스플레이 제조시의 열 수축을 보다 확실하게 억제하기 위해 변형점은 665 ℃ 이상이 바람직하고, 675 ℃ 이상이 보다 바람직하고, 680 ℃ 이상이 더욱 바람직하고, 685 ℃ 이상이 더욱 바람직하고, 690 ℃ 이상이 더욱 바람직하고, 695 ℃ 이상이 더욱 바람직하고, 700 ℃ 이상이 더욱 바람직하다. 유리의 용해성은 점도가 10 2.5 dPaㆍs일 때의 유리 온도(용융 온도)에 의해 평가할 수 있다. 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는 용융 온도가 1680 ℃ 이하인 것이 바람직하다. 용융 온도를 1680 ℃ 이하로 함으로써, 본 실시 형태의 유리 기판은 양호한 용해성을 가질 수 있다. 또한, 용융 온도가 지나치게 낮으면 Tg 및 변형점이 낮아지기 쉽다. 그 때문에, 고Tg 및 고변형점을 실현하기 위해서는 용융 온도가 어느 정도의 크기를 가질 필요가 있다. 따라서, 용융 온도는 바람직하게는 1550 내지 1650 ℃이고, 바람직하게는 1550 내지 1645 ℃이고, 보다 바람직하게는 1580 내지 1640 ℃이고, 보다 바람직하게는 1590 내지 1630 ℃이고, 더욱 바람직하게는 1600 내지 1620 ℃이다. 열 수축량은, 상기한 바와 같은 유리 조성의 조정 뿐만 아니라 유리 제조시의 조건을 적절하게 조정함으로써도 감소시킬 수 있다. 구체적으로는, 유리 서냉시에 Tg부터 Tg-100 ℃까지의 온도 영역에서 유리를 필요한 충분히 낮은 속도로 냉각시킴으로써, 열 수축량을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판에서는, 상기한 바와 같은 조성의 조정 뿐만 아니라 필요에 따라 서냉 조건을 적절하게 조정함으로써, 열 수축률을 75 ppm 이하, 바람직하게는 65 ppm 이하, 보다 바람직하게는 60 ppm 이하로 할 수 있다. 열 수축률을 75 ppm 이하, 바람직하게는 65 ppm 이하, 보다 바람직하게는 60 ppm 이하로 함으로써, 본 실시 형태의 유리 기판이 p-SiㆍTFT가 적용되는 디스플레이에 이용되고, 나아가 이 디스플레이가 고정밀도인 경우에도 화소의 피치 어긋남을 충분히 억제할 수 있다. 화소의 피치 어긋남을 보다 확실하게 억제하기 위해 열 수축률은 55 ppm 이하가 바람직하고, 50 ppm 이하가 보다 바람직하고, 45 ppm 이하가 더욱 바람직하고, 43 ppm 이하가 더욱 바람직하고, 40 ppm 이하가 더욱 바람직하고, 38 ppm 이하가 더욱 바람직하다. 바꿔 말하면 열 수축률은 0 내지 75 ppm이고, 바람직하게는 0 내지 65 ppm이고, 보다 바람직하게는 0 내지 60 ppm이고, 더욱 바람직하게는 0 내지 55 ppm이고, 더욱 바람직하게는 0 내지 50 ppm이고, 더욱 바람직하게는 0 내지 45 ppm이고, 더욱 바람직하게는 0 내지 43 ppm이고, 더욱 바람직하게는 0 내지 40 ppm이고, 더욱 바람직하게는 0 내지 38 ppm이다. 또한, 열 수축률을 0 ppm으로 하고자 하면, 서냉 공정을 매우 길게 하거나 서냉 공정 후에 열 수축 감소 처리(오프라인 어닐링)를 실시하는 것이 요구되지만, 생산성이 저하되고 비용이 급등한다. 생산성 및 비용을 감안하면 열 수축률은 예를 들면 3 내지 75 ppm이고, 바람직하게는 5 내지 75 ppm이고, 보다 바람직하게는 5 내지 65 ppm이고, 더욱 바람직하게는 8 내지 55 ppm이고, 더욱 바람직하게는 8 내지 50 ppm이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 45 ppm이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 43 ppm이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 40 ppm이고, 더욱 바람직하게는 15 내지 38 ppm이다. 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는 1250 ℃ 이하의 실투 온도를 갖는다. 실투 온도를 1250 ℃ 이하로 함으로써, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는 다운드로우법을 이용하여 성형하기 쉬워진다는 효과가 얻어진다. 그 결과, 유리 기판의 표면 품위를 향상시킬 수 있음과 동시에 유리 기판의 생산 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 실투 온도가 지나치게 높으면 실투가 발생하기 쉽고, 내실투성이 저하된다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판의 실투 온도는 바람직하게는 1230 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 1220 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 1210 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 1200 ℃ 이하로 한다. 한편, 저열 수축이나 저밀도 등의 평판 디스플레이용 기판의 특성을 실현하기 위해서는, 유리 기판을 구성하는 유리의 실투 온도가 바람직하게는 1050 ℃ 내지 1250 ℃, 보다 바람직하게는 1110 ℃ 내지 1250 ℃, 더욱 바람직하게는 1150 ℃ 내지 1240 ℃, 한층 더 바람직하게는 1160 ℃ 내지 1230 ℃, 보다 한층 더 바람직하게는 1170 ℃ 내지 1220 ℃이다. 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는 액상 점도가 10 4.0 dPaㆍs 이상인 것이 바람직하고, 10 4.5 dPaㆍs 이상인 것이 보다 바람직하다. 액상 점도를 10 4.0 dPaㆍs 이상으로 함으로써 플로트(float)법으로 성형하기 쉬워진다. 또한, 액상 점도를 10 4.5 dPaㆍs 이상으로 함으로써 성형성이 더욱 향상된다. 따라서, 액상 점도를 이러한 범위로 함으로써, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는 다운드로우법(특히 오버플로우 다운드로우법)을 이용하여 성형하기 쉬워진다. 그 결과, 유리 기판의 표면 품위를 향상시킬 수 있음과 동시에 유리 기판의 생산 비용을 감소시킬 수 있다. 액상 점도는 보다 바람직하게는 10 4.5 내지 10 6.0 dPaㆍs이고, 보다 바람직하게는 10 4.5 내지 10 5.9 dPaㆍs이고, 보다 바람직하게는 10 4.6 내지 10 5.8 dPaㆍs이고, 보다 바람직하게는 10 4.6 내지 10 5.7 dPaㆍs이고, 보다 바람직하게는 10 4.7 내지 10 5.7 dPaㆍs이고, 보다 바람직하게는 10 4.8 내지 10 5.6 dPaㆍs이고, 더욱 바람직하게는 10 4.9 내지 10 5.5 dPaㆍs이다. 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리의 다른 물성에 대하여, 바람직한 범위는 이하와 같다. 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는 100 내지 300 ℃의 범위에서의 평균 열팽창 계수가 37×10 -7 K -1 미만인 것이 바람직하고, 28×10 -7 K -1 이상 36×10 -7 K -1 미만인 것이 보다 바람직하고, 30×10 -7 K -1 이상 35×10 -7 K -1 미만인 것이 더욱 바람직하고, 31×10 -7 K -1 이상 34.5×10 -7 K -1 미만인 것이 더욱 바람직하고, 32×10 -7 K -1 이상 34×10 -7 K -1 미만인 것이 더욱 바람직하다. 열팽창 계수가 지나치게 크면, 디스플레이 제조시의 열 처리 공정에서 열충격이나 열 수축량이 증대된다. 한편, 열팽창 계수가 지나치게 작으면, 디스플레이 제조시에 유리 기판 위에 형성되는 금속 및 유기계 접착제 등의 주변 재료의 열팽창 계수와의 정합을 취하기 어려워져, 주변 부재가 박리될 우려가 있다. 또한, p-SiㆍTFT 제조 공정에서는 급가열과 급냉이 반복되어, 유리 기판에 가해지는 열충격이 커진다. 또한, 대형 유리 기판은 열 처리 공정에서 온도차(온도 분포)가 발생하기 쉬워 유리 기판의 파괴 확률이 높아진다. 열팽창 계수를 상기 범위로 함으로써 열팽창차로부터 발생하는 열 응력을 감소시킬 수 있으며, 결과적으로 열 처리 공정에서의 유리 기판의 파괴 확률이 저하된다. 또한, 유리 기판 위에 형성되는 금속 및 유기계 접착제 등의 주변 재료의 열팽창 계수와의 정합을 중시하는 관점에서는, 유리 기판을 구성하는 유리의 100 내지 300 ℃의 범위에서의 평균 열팽창 계수가 55×10 -7 K -1 미만인 것이 바람직하고, 40×10 -7 K -1 미만인 것이 보다 바람직하고, 28×10 -7 K -1 이상 40×10 -7 K -1 미만인 것이 더욱 바람직하고, 30×10 -7 K -1 이상 39×10 -7 K -1 미만인 것이 한층 더 바람직하고, 32×10 -7 K -1 이상 38×10 -7 K -1 미만인 것이 보다 한층 더 바람직하고, 34×10 -7 K -1 이상 38×10 -7 K -1 미만인 것이 더욱 한층 더 바람직하다. Tg가 지나치게 낮으면 내열성이 저하되고, 열 처리 공정에서 열 수축이 커진다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판의 Tg는 720 ℃ 이상이 바람직하고, 740 ℃ 이상이 보다 바람직하고, 745 ℃ 이상이 더욱 바람직하고, 750 ℃ 이상이 더욱 바람직하고, 755 ℃ 이상이 더욱 바람직하고, 760 ℃ 이상이 더욱 바람직하다. 밀도가 지나치게 높으면 유리 기판의 경량화가 곤란해져 디스플레이의 경량화가 곤란해지는 경우가 있다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판의 밀도는 2.6 g/cm 3 이하가 바람직하고, 2.5 g/cm 3 미만이 보다 바람직하고, 2.45 g/cm 3 이하가 더욱 바람직하고, 2.42 g/cm 3 이하가 한층 더 바람직하고, 2.4 g/cm 3 이하가 보다 한층 더 바람직하다. 특히, p-SiㆍTFT를 구비하는 평면 디스플레이용 유리 기판이나 유기 EL 디스플레이용 유리 기판은, 경량화가 요구되고 있기 때문에 2.5 g/cm 3 미만이 바람직하고, 2.45 g/cm 3 이하가 더욱 바람직하고, 2.42 g/cm 3 이하가 한층 더 바람직하고, 2.4 g/cm 3 이하가 보다 한층 더 바람직하다. 유리 융액의 비저항이 지나치게 낮으면, 유리 원료의 용해에 전기 용해를 이용하는 경우, 유리 원료의 용해에 필요한 전류값이 과대해진다. 따라서, 설비상의 제약이 발생하는 경우가 있다. 또한, 전극의 소모가 많아진다는 문제가 발생하는 경우가 있다. 한편, 비저항이 지나치게 높으면 용해시에 유리 원료가 아닌, 용해조를 형성하는 내열 벽돌에 전류가 흘러 용해조가 파손될 우려가 있다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리의 1550 ℃에서의 비저항은 50 내지 300 Ωㆍcm가 바람직하고, 50 내지 250 Ωㆍcm가 보다 바람직하고, 80 내지 240 Ωㆍcm가 더욱 바람직하고, 100 내지 230 Ωㆍcm가 더욱 바람직하다. 영률 및 비탄성률(영률/밀도)이 지나치게 낮으면, 디스플레이 제조시에 자신의 중량에 의한 유리 기판의 휘어짐에 의해 유리 기판이 파손되기 쉬워진다. 특히, 폭 방향 2000 mm 이상의 대형 유리 기판에서는 휘어짐에 의한 파손의 문제가 현저해진다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판의 영률은 70 GPa 이상이 바람직하고, 73 GPa 이상이 보다 바람직하고, 74 GPa 이상이 더욱 바람직하고, 75 GPa 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 본 실시 형태의 유리 기판의 비탄성률은 28 GPa 이상이 바람직하고, 29 GPa 이상이 보다 바람직하고, 30 GPa 이상이 더욱 바람직하고, 31 GPa 이상이 더욱 바람직하다. 이어서, 본 실시 형태의 유리 기판의 유리 성분에 대하여 설명한다. 또한, 이하 몰％를 간단히 ％로 약기한다. (SiO 2 ) SiO 2 는 골격 성분이며, 필수 성분이다. SiO 2 량이 지나치게 적으면, 내산성 저하, Tg 및 변형점의 저하, 열팽창 계수 증가 및 내완충 불산(BHF, Buffered HF) 저하가 발생하는 경우가 있다. 또한, 저밀도화를 도모하는 것이 곤란해지는 경우도 있다. 한편, SiO 2 량이 지나치게 많으면 용융 온도가 현저하게 높아져 용해 및 성형이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 내실투성이 저하되는 경우도 있다. 또한, 유리를 슬리밍하는 경우의 에칭 속도를 충분히 빠르게 할 수 없다. 따라서, SiO 2 의 함유율은 55 내지 80 ％가 바람직하고, 60 내지 78 ％가 보다 바람직하고, 62 내지 78 ％가 더욱 바람직하고, 65 내지 78 ％가 더욱 바람직하고, 65 내지 75 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리 기판에 있어서는, SiO 2 의 함유율은 67 내지 73 ％가 더욱 바람직하고, 69 내지 72 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 유리를 슬리밍하는 경우의 에칭 속도를 충분히 빠르게 하기 위해서는, SiO 2 의 함유율은 62 내지 78 ％가 더욱 바람직하고, 62 내지 73 ％가 더욱 바람직하고, 64 내지 70 ％가 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리 기판에 있어서는, SiO 2 의 함유율은 65 내지 73 ％가 더욱 바람직하고, 66 내지 71 ％가 더욱 바람직하다. (Al 2 O 3 ) Al 2 O 3 은 분상(分相)을 억제하고, Tg 및 변형점을 상승시키는 필수 성분이다. Al 2 O 3 량이 지나치게 적으면 유리가 분상되기 쉬워진다. 또한, Tg 및 변형점의 저하에 의한 내열성의 저하나 열 수축률의 증대, 영률 저하가 발생하는 경우도 있다. 또한, 유리의 에칭 속도를 충분히 빠르게 할 수 없다. 한편, Al 2 O 3 량이 지나치게 많으면 유리의 실투 온도가 상승하고, 내실투성이 저하되기 때문에 성형성이 악화된다. 따라서, Al 2 O 3 의 함유율은 3 내지 20 ％가 바람직하고, 5 내지 18 ％가 보다 바람직하고, 5 내지 15 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리 기판에 있어서는, Al 2 O 3 의 함유율은 7 내지 13 ％가 더욱 바람직하고, 9 내지 12 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 유리를 슬리밍하는 경우의 에칭 속도를 충분히 빠르게 하기 위해서는, Al 2 O 3 의 함유율은 7 내지 15 ％가 더욱 바람직하고, 9 내지 14 ％가 더욱 바람직하고, 10 내지 14 ％가 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리 기판에 있어서는, Al 2 O 3 의 함유율은 8 내지 15 ％가 더욱 바람직하고, 10 내지 14 ％가 더욱 바람직하다. (B 2 O 3 ) B 2 O 3 은 용융 온도로 대표되는 고온 영역에서의 점성 특성(고온 점성 특성) 온도를 저하시키고, 용해성을 개선시키는 필수 성분이다(이하, 본 명세서에서는, 「고온 점성 특성 온도」로서 「용융 온도」를 대표하여 기재함). B 2 O 3 량이 지나치게 적으면, 용해성 저하, 내BHF 저하, 내실투성 저하 및 열팽창 계수 증가가 발생하는 경우가 있다. 또한, 밀도가 증가하여 저밀도화를 도모하는 것이 곤란해지는 경우도 있다. 한편, B 2 O 3 량이 지나치게 많으면 Tg 및 변형점의 저하, 내산성 저하 및 영률 저하가 발생하는 경우가 있다. 또한, 유리 용해시의 B 2 O 3 의 휘발에 의해 유리의 불균질이 현저해지고, 맥리가 발생하기 쉬워진다. 따라서, B 2 O 3 의 함유율은 3 내지 15 ％가 바람직하고, 3 내지 13 ％가 보다 바람직하고, 3 내지 10 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리 기판에 있어서는, B 2 O 3 의 함유율은 3 ％ 이상 9.5 ％ 미만이 더욱 바람직하고, 3.5 ％ 이상 9.2 ％ 미만이 더욱 바람직하고, 4 ％ 이상 8.9 ％ 미만이 더욱 바람직하고, 5 내지 8.5 ％가 더욱 바람직하고, 6 내지 8 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 실투 온도의 상승을 방지하기 위해서는, B 2 O 3 의 함유율은 5 내지 13 ％가 보다 바람직하고, 5 내지 12 ％가 더욱 바람직하고, 6 내지 10 ％ 미만(6 ％ 이상 10 ％ 미만)이 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리 기판에 있어서는, B 2 O 3 의 함유율은 3 내지 9 ％가 더욱 바람직하고, 4 내지 8 ％가 더욱 바람직하다. (MgO) MgO는 용해성을 향상시키는 성분이다. 또한, MgO는 알칼리 토류 금속 중에서는 밀도를 증가시키기 어려운 성분이기 때문에, 그의 함유율을 상대적으로 증가시키면 유리의 저밀도화를 도모하기 쉬워진다. 본 실시 형태의 유리 기판에 있어서 MgO는 필수가 아니다. 그러나, MgO를 함유시킴으로써 용해성의 향상 및 절삭분 발생의 억제를 실현할 수 있기 때문에, MgO가 포함되어 있을 수도 있다. 그러나, MgO량이 지나치게 많으면 Tg 및 변형점의 저하, 내열성 저하 및 내산성 저하가 발생하는 경우가 있다. 또한, 실투 온도가 높아지고 내실투성이 저하되기 때문에, 다운드로우법에 적용하기 어려워지는 경우가 있다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 MgO의 함유율은 0 내지 15 ％가 바람직하고, 0 내지 10 ％가 보다 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리 기판에 있어서는, MgO의 함유율은 0 내지 5 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 2 ％ 미만(0 ％ 이상 2 ％ 미만)이 더욱 바람직하고, 0 내지 1.5 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 1 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 0.5 ％가 바람직하고, MgO가 실질적으로 함유되지 않는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 여기서 「MgO가 실질적으로 함유되지 않는다」는 것은, 유리 원료에 MgO가 원료로서 첨가되지 않는 것을 의미하고, MgO의 함유율이 바람직하게는 0.2 ％ 이하, 보다 바람직하게는 0.15 ％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.1 ％ 이하인 것을 말한다. 이하, 「어느 성분이 실질적으로 함유되지 않는다」는 것은 동일한 내용을 의미한다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리 기판에 있어서는, MgO의 함유율은 1 내지 9 ％가 더욱 바람직하고, 2 내지 8 ％가 더욱 바람직하다. (CaO) CaO는 유리의 실투 온도를 급격히 높이지 않고 유리의 용해성을 향상시키는 데 유효한 성분이다. 또한, CaO는 알칼리 토류 금속 중에서는 밀도를 증가시키기 어려운 성분이기 때문에, CaO량을 상대적으로 증가시키면 유리의 저밀도화를 도모하기 쉬워진다. CaO량이 지나치게 적으면, 고온시의 점성 상승에 의한 용해성 저하 및 내실투성 저하가 발생하기 쉬워진다. 한편, CaO량이 지나치게 많으면 열팽창 계수의 증가가 발생하기 쉬워진다. 이러한 이유로부터, CaO의 함유율은 0 내지 20 ％가 바람직하고, 0 내지 18 ％가 보다 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리 기판에 있어서는, CgO의 함유율은 3.6 내지 16 ％가 보다 바람직하고, 4 내지 16 ％가 더욱 바람직하고, 6 내지 16 ％가 더욱 바람직하고, 7 ％ 초과 16 ％ 이하가 더욱 바람직하고, 8 내지 13 ％가 더욱 바람직하고, 9 내지 12 ％가 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리 기판에 있어서는, CaO의 함유율은 0 내지 10 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 5 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 3 ％가 더욱 바람직하다. (SrO) SrO는 유리의 실투 온도를 낮출 수 있는 성분이다. SrO는 필수 성분은 아니지만, 함유시키면 내실투성 향상 및 용해성 향상을 실현할 수 있기 때문에 포함되어 있을 수도 있다. 그러나, SrO량이 지나치게 많으면 밀도가 상승한다. 따라서, 밀도를 저하시키고자 하는 경우에는 실질적으로 SrO를 함유시키지 않는 것이 바람직하다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 SrO의 함유율은 0 내지 10 ％가 바람직하고, 0 내지 8 ％가 보다 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해서는, SrO의 함유율은 3 ％ 미만이 바람직하고, 2 ％ 이하가 보다 바람직하고, 1 ％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.5 ％ 이하가 더욱 바람직하고, SrO가 실질적으로 포함되지 않는 것이 더욱 바람직하다. 바꿔 말하면, SrO의 함유율은 0 내지 3 ％ 미만(0 ％ 이상 3 ％ 미만)이 바람직하고, 0 내지 2 ％가 보다 바람직하고, 0 내지 1 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 0.5 ％가 더욱 바람직하고, SrO가 실질적으로 포함되지 않는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 용해성을 향상시키고자 하는 경우에는, SrO의 함유율은 1 내지 8 ％가 더욱 바람직하고, 3 내지 8 ％가 더욱 바람직하다. (BaO) BaO는 내실투성 및 용해성을 향상시키는 성분이다. 또한, BaO를 함유시킴으로써 열팽창 계수가 증대됨과 동시에 밀도가 과도하게 증가된다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 BaO의 함유율은 0 내지 10 ％가 바람직하고, 0 내지 5 ％가 보다 바람직하고, 0 내지 2 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 1 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 환경 부하의 문제가 있기 때문에 BaO가 실질적으로 포함되지 않는 것이 더욱 바람직하다. (Li 2 O, Na 2 O) Li 2 O 및 Na 2 O는 용해성을 향상시키는 성분이지만 유리의 열팽창 계수를 크게 하여, 디스플레이 제조에 있어서의 열 처리시에 기판을 파손하거나, 유리의 Tg 및 변형점을 크게 저하시키고, 과도하게 내열성을 저하시키는 성분이다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 Li 2 O 및 Na 2 O의 함유율은 0 내지 0.3 ％가 바람직하고, 0 내지 0.2 ％가 보다 바람직하고, 0 내지 0.1 ％가 더욱 바람직하고, Li 2 O 및 Na 2 O가 실질적으로 함유되지 않는 것이 더욱 바람직하다. (K 2 O) K 2 O는 유리의 염기성도를 높이고, 청징성을 발휘시키는 성분이다. 또한, K 2 O는 용해성을 향상시키고, 유리 융액의 비저항을 저하시키는 성분이다. 따라서, K 2 O는 필수 성분은 아니지만, 함유시키면 유리 융액의 비저항 저하 및 청징성 향상을 실현할 수 있다. 그러나, K 2 O량이 지나치게 많으면 열팽창 계수가 증대되거나, Tg 및 변형점이 크게 저하되어 내열성이 과도하게 저하되는 경우가 있다. 그 때문에, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 K 2 O의 함유율은 0 내지 0.8 ％가 바람직하고, 0.01 내지 0.5 ％가 보다 바람직하고, 0.1 내지 0.3 ％가 더욱 바람직하다. (ZrO 2 , TiO 2 ) ZrO 2 및 TiO 2 는 유리의 화학적 내구성과 Tg 및 변형점을 상승시키는 성분이다. ZrO 2 및 TiO 2 는 필수 성분은 아니지만, 함유시킴으로써 Tg 및 변형점의 상승과 내산성 향상을 실현할 수 있다. 그러나, ZrO 2 량 및 TiO 2 량이 지나치게 많아지면 실투 온도가 현저히 상승하기 때문에, 내실투성 및 성형성이 저하되는 경우가 있다. 특히, ZrO 2 는 냉각 과정에서 ZrO 2 의 결정이 석출되는 경우가 있으며, 이것이 개재물(inclusion)로서 유리의 품질 악화를 야기하는 경우가 있다. 또한, TiO 2 는 유리를 착색시키는 성분이기 때문에 디스플레이용 기판에는 바람직하지 않다. 이상의 이유로부터, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 ZrO 2 및 TiO 2 의 함유율은 각각 0 내지 5 ％가 바람직하고, 0 내지 3 ％가 보다 바람직하고, 0 내지 2 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 1 ％가 더욱 바람직하고, 0.5 ％ 미만이 더욱 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 본 실시 형태의 유리 기판이 ZrO 2 및 TiO 2 를 실질적으로 함유하지 않는 것이다. (ZnO) ZnO는 내BHF성 및 용해성을 향상시키는 성분이기 때문에 포함되어 있을 수도 있지만, 필수 성분은 아니다. 그러나 ZnO량이 지나치게 많아지면, 실투 온도 상승, Tg 및 변형점의 저하, 및 밀도 상승이 발생하는 경우가 있다. 그 때문에, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 ZnO의 함유율은 5 ％ 이하가 바람직하고, 3 ％ 이하가 보다 바람직하고, 2 ％ 이하가 더욱 바람직하고, 1 ％ 이하가 더욱 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 본 실시 형태의 유리 기판이 ZnO를 실질적으로 함유하지 않는 것이다. 바꿔 말하면, ZnO의 함유율은 0 내지 5 ％가 바람직하고, 0 내지 3 ％가 보다 바람직하고, 0 내지 2 ％가 더욱 바람직하고, 0 내지 1 ％가 더욱 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 본 실시 형태의 유리 기판이 ZnO를 실질적으로 함유하지 않는 것이다. (P 2 O 5 ) P 2 O 5 는 용융 온도를 저하시키고, 용해성을 향상시키는 성분이기 때문에 포함되어 있을 수도 있지만, 필수 성분은 아니다. 그러나 P 2 O 5 량이 지나치게 많으면, 유리 용해시의 P 2 O 5 의 휘발에 의해 유리의 불균질이 현저해지고, 맥리가 발생하기 쉬워진다. 또한, Tg 및 변형점이 저하됨과 동시에 내산성이 현저히 악화되거나 유백이 발생하기 쉬워진다. 그 때문에, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 P 2 O 5 의 함유율은 3 ％ 이하가 바람직하고, 1 ％ 이하가 보다 바람직하고, 0.5 ％ 이하가 더욱 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 본 실시 형태의 유리 기판이 P 2 O 5 를 실질적으로 함유하지 않는 것이다. 바꿔 말하면, P 2 O 5 의 함유율은 0 내지 3 ％가 바람직하고, 0 내지 1 ％가 보다 바람직하고, 0 내지 0.5 ％가 더욱 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 본 실시 형태의 유리 기판이 P 2 O 5 를 실질적으로 함유하지 않는 것이다. (청징제) 청징제로서는 환경에 대한 부하가 작고, 유리의 청징성이 우수한 것이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, Sn, Fe, Ce, Tb, Mo 및 W의 금속 산화물의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다. 청징제가 지나치게 적으면 기포 품질이 악화된다. 따라서, 청징제의 첨가량은 청징제의 종류나 유리의 조성에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 0.01 내지 1 ％, 바람직하게는 0.05 내지 1 ％, 바람직하게는 0.05 내지 0.5 ％, 보다 바람직하게는 0.05 내지 0.3 ％, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 0.2 ％의 범위로 하는 것이 적당하다. 청징제로서는 SnO 2 가 바람직하다. 그러나, SnO 2 는 유리의 내실투성을 저하시키는 성분이다. 그 때문에, 예를 들면 청징제로서 SnO 2 가 이용되는 경우에는, SnO 2 의 함유율은 0.01 내지 0.3 ％가 바람직하고, 0.03 내지 0.2 ％가 보다 바람직하고, 0.05 내지 0.15 ％가 더욱 바람직하다. (Fe 2 O 3 ) Fe 2 O 3 은 청징제로서의 기능뿐만 아니라, 유리 융액의 고온 영역에서의 점성을 저하시키고, 비저항을 저하시키는 기능을 행하는 성분이다. Fe 2 O 3 은 필수 성분은 아니지만, 용융 온도가 높아 용해가 곤란한 유리에 있어서는 용융 온도나 비저항을 저하시키기 위해 함유시키는 것이 바람직하다. Fe 2 O 3 량이 지나치게 많아지면, 유리가 착색되어 투과율이 저하되는 경우가 있다. 그 때문에, 본 실시 형태의 유리 기판에서는 Fe 2 O 3 의 함유율은 0 내지 0.1 ％가 바람직하고, 0 내지 0.08 ％가 보다 바람직하고, 0.001 내지 0.05 ％가 더욱 바람직하고, 0.005 내지 0.03 ％가 더욱 바람직하다. 여기서 용융 온도가 높은 유리에 있어서는, 용해 공정의 온도가 높아지기 때문에 Fe 2 O 3 의 청징제로서의 효과는 저하되기 쉽다. 그 때문에, 청징제로서 Fe 2 O 3 을 단독으로 이용하면 청징성이 저하되고, 유리 기판의 기포 품질이 악화되는 경우가 있기 때문에, SnO 2 와 병용하여 이용하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태의 유리 기판은, 환경 부하의 문제로부터 Sb 2 O 3 의 함유율이 0 내지 0.5 ％인 것이 바람직하고, 0 내지 0.3 ％인 것이 보다 바람직하고, 0 내지 0.1 ％인 것이 더욱 바람직하고, 0 내지 0.03 ％인 것이 한층 더 바람직하고, Sb 2 O 3 을 실질적으로 함유하지 않는 것이 보다 한층 더 바람직하다. (함유되지 않는 것이 바람직한 성분) As 2 O 3 , Sb 2 O 3 , PbO 및 F는 환경 부하의 문제에 의해 실질적으로 함유되지 않는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 실시 형태의 유리 기판에 포함되는 성분의 복합 파라미터는 이하와 같다. ((SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )) 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리에서는 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17이고, 8 내지 17인 것이 바람직하고, 8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키는 것이 보다 바람직하다. 이 관계를 만족시킴으로써 얻어지는 효과는 상술한 바와 같다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리에 있어서는, 그 효과를 보다 확실하게 얻기 위해 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )은 8.5 내지 15.0이 바람직하고, 9.5 내지 14.0이 보다 바람직하고, 10.0 내지 13.0이 더욱 바람직하고, 10.0 내지 12.5가 더욱 바람직하다. 또한, 실투 온도의 상승 방지와 충분한 에칭 속도를 실현하기 위해서는, (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )은 8 내지 15가 바람직하고, 8 내지 13이 보다 바람직하고, 8 내지 11이 더욱 바람직하고, 8 내지 10이 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리에 있어서는, (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )은 9.5 내지 17.0 ％가 더욱 바람직하고, 10.0 내지 17.0 ％가 더욱 바람직하다. (알칼리 토류 금속 산화물(RO: MgO+CaO+SrO+BaO)) RO는 용해성을 향상시키는 성분이다. RO량이 지나치게 적으면 용해성이 악화되는 경우가 있다. 그러나 RO량이 지나치게 많으면, Tg 및 변형점의 저하, 밀도 상승, 영률 저하 및 열팽창 계수의 증가가 발생하는 경우가 있다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리에서는, RO의 함유율은 3 내지 25 ％가 바람직하고, 4 내지 20 ％가 보다 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리에 있어서는, RO의 함유율은 5 ％ 이상 14 ％ 미만이 더욱 바람직하고, 6 내지 14 ％가 더욱 바람직하고, 8 내지 13 ％가 더욱 바람직하고, 9 내지 12 ％가 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리에 있어서는, RO의 함유율은 5 ％ 이상 18 ％ 미만이 더욱 바람직하고, 8 내지 17 ％가 더욱 바람직하다. (CaO/RO) 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리에 있어서는, CaO/RO는 0.5 이상이 바람직하고, 0.7 이상이 보다 바람직하고, 0.85를 초과하는 것이 더욱 바람직하고, 0.88 이상이 더욱 바람직하고, 0.90 이상이 더욱 바람직하고, 0.92 이상이 더욱 바람직하고, 0.95 이상이 더욱 바람직하다. 바꿔 말하면, CaO/RO는 0.5 내지 1이 바람직하고, 0.7 내지 1이 보다 바람직하고, 0.85 초과 내지 1이 더욱 바람직하고, 0.88 내지 1이 더욱 바람직하고, 0.90 내지 1이 더욱 바람직하고, 0.92 내지 1이 더욱 바람직하고, 0.95 내지 1이 더욱 바람직하다. CaO/RO를 이러한 범위로 함으로써 내실투성과 용해성을 양립시킬 수 있다. 또한, 저밀도화를 도모할 수 있다. 또한, 원료로서 복수의 알칼리 토류 금속 산화물을 함유시키는 것보다도 CaO만을 함유시키는 것이 Tg 및 변형점을 상승시킬 수 있다. 또한, 알칼리 토류 금속 산화물로서 CaO만을 원료로서 함유시킨 경우에도, 얻어지는 유리에는 다른 알칼리 토류 금속 산화물이 불순물로서 포함되는 경우가 있다. 알칼리 토류 금속 산화물로서 CaO만을 원료로서 함유시킨 경우, 얻어지는 유리의 CaO/RO의 값은 예를 들면 0.98 내지 1 정도이다. 또한, CaO는 원료가 저렴하고, 입수가 용이하다는 점에서도 바람직한 성분이다. (SiO 2 -(Al 2 O 3 /2)) SiO 2 -(Al 2 O 3 /2)의 값이 지나치게 작으면 에칭 속도는 향상되지만, 내실투성이 저하되는 경우가 있다. 한편, 이 값이 지나치게 크면 에칭 속도가 저하되는 경우가 있다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는, SiO 2 -(Al 2 O 3 /2)는 69 이하가 바람직하고, 50 내지 68이 보다 바람직하고, 55 내지 65가 더욱 바람직하고, 57 내지 63이 한층 더 바람직하고, 58 내지 62가 보다 한층 더 바람직하다. 또한, 양호한 생산성으로 유리 기판의 에칭(슬리밍)을 행하기 위해, 에칭 속도가 50 ㎛/h 이상인 것이 바람직하다. 한편, 과도하게 에칭 속도가 높으면 패널 제작 공정에서의 약액과의 반응에서 문제점이 발생할 우려가 있기 때문에, 유리 기판을 구성하는 유리의 에칭 속도는 160 ㎛/h 이하인 것이 바람직하다. 에칭 속도는 바람직하게는 60 내지 140 ㎛/h, 보다 바람직하게는 70 내지 120 ㎛/h이다. 본 발명에서는, 상기 에칭 속도는 이하의 조건으로 측정한 것으로 정의한다. 에칭 속도(㎛/h)는, HF의 비율이 1 mol/kg, HCl의 비율이 농도 5 mol/kg의 혼합산인 40 ℃의 에칭액에, 유리 기판을 1 시간 동안 침지시킨 경우의, 단위 시간(1 시간)당의 유리 기판의 한쪽 표면의 두께 감소량(㎛)으로서 나타낸다. (SiO 2 +Al 2 O 3 ) SiO 2 +Al 2 O 3 이 지나치게 적으면 Tg 및 변형점이 저하되기 쉬워진다. 한편, SiO 2 +Al 2 O 3 이 지나치게 많으면 내실투성이 악화되기 쉬워진다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리에서는 SiO 2 +Al 2 O 3 은 70 ％ 이상인 것이 바람직하고, 75 ％ 이상이 바람직하고, 76 내지 88 ％가 보다 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리에 있어서는, SiO 2 +Al 2 O 3 은 78 내지 88 ％가 보다 바람직하고, 79 내지 85 ％가 더욱 바람직하고, 80 내지 84 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 실투 온도의 상승을 방지하기 위해서는 76 내지 85 ％가 보다 바람직하고, 76 내지 83 ％가 더욱 바람직하고, 78 내지 82 ％가 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리에 있어서는, SiO 2 +Al 2 O 3 은 76 내지 86 ％가 보다 바람직하고, 77 내지 83 ％가 더욱 바람직하다. (Al 2 O 3 /SiO 2 ) Al 2 O 3 /SiO 2 가 0.35를 초과하면 내실투성이 악화되기 쉬워진다. 한편, Al 2 O 3 /SiO 2 가 0.05 이하가 되면 Tg 및 변형점을 충분히 상승시킬 수 없다. 따라서, 본 실시 형태에서는 Al 2 O 3 /SiO 2 가 0.05 내지 0.35이고, 0.07 내지 0.30인 것이 바람직하고, 0.10 내지 0.25인 것이 더욱 바람직하다. (B 2 O 3 +P 2 O 5 ) B 2 O 3 +P 2 O 5 가 지나치게 적으면 용해성이 저하되기 쉬워진다. 한편, B 2 O 3 +P 2 O 5 가 지나치게 많으면, 유리 용해시의 B 2 O 3 +P 2 O 5 의 휘발에 의해 유리의 불균질이 현저해지고, 맥리가 발생하기 쉬워진다. 또한, Tg 및 변형점이 저하되기 쉬워진다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리에서는, B 2 O 3 +P 2 O 5 는 3 내지 15 ％가 바람직하고, 3 내지 10 ％가 보다 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리에 있어서는, B 2 O 3 +P 2 O 5 는 3 ％ 이상 9.5 ％ 미만이 더욱 바람직하고, 4 ％ 이상 8.9 ％ 미만이 더욱 바람직하고, 5 내지 8.5 ％가 더욱 바람직하고, 6 내지 8 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 내실투성을 향상시키기 위해서는 5 내지 13 ％가 보다 바람직하고, 5 내지 12 ％가 더욱 바람직하고, 6 내지 10 ％ 미만(6 ％ 이상 10 ％ 미만)이 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리에 있어서는, B 2 O 3 +P 2 O 5 는 3 내지 9 ％가 더욱 바람직하고, 4 내지 8 ％가 더욱 바람직하다. (CaO/B 2 O 3 ) 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리에 있어서는, CaO/B 2 O 3 이 지나치게 작으면 Tg 및 변형점이 저하되기 쉬워진다. 한편, CaO/B 2 O 3 이 지나치게 크면 용해성이 악화되기 쉬워진다. 따라서, 본 실시 형태에서는 CaO/B 2 O 3 은 0.5 이상이 바람직하고, 0.7 이상이 보다 바람직하고, 0.9 이상이 보다 바람직하고, 1.2를 초과하는 것이 더욱 바람직하고, 1.2 초과 5 이하가 더욱 바람직하고, 1.2 초과 3 이하가 더욱 바람직하고, 1.3 이상 2.5 이하가 더욱 바람직하고, 1.3 이상 2 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 용해성을 향상시키기 위해서는 0.5 내지 5가 바람직하고, 0.9 내지 3이 보다 바람직하고, 1 초과 2.5 이하가 더욱 바람직하고, 1 초과 2 이하가 더욱 바람직하고, 1.2 초과 2 이하가 더욱 바람직하고, 1.2 초과 1.5 이하가 더욱 바람직하다. (SrO+BaO) SrO 및 BaO는 유리의 실투 온도를 낮출 수 있는 성분이다. 이들 성분은 필수는 아니지만, 함유시키면 내실투성 향상 및 용해성 향상을 실현할 수 있다. 그러나, 이들 성분의 양이 지나치게 많으면 밀도가 상승한다. 따라서, 밀도를 저하시키고 경량화를 도모하기 어려워진다. 또한, 열팽창 계수가 증가하는 경우도 있다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리에서는, SrO+BaO는 10 ％ 이하가 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해서는 5 ％ 이하가 보다 바람직하고, 3 ％ 미만이 더욱 바람직하고, 2 ％ 미만이 더욱 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리가 SrO 및 BaO를 실질적으로 함유하지 않는 것이다. 바꿔 말하면, SrO+BaO는 0 내지 10 ％가 바람직하고, 경량화를 보다 더 도모하기 위해서는 0 내지 5 ％가 보다 바람직하고, 0 내지 3 ％ 미만(0 ％ 이상 3 ％ 미만)이 더욱 바람직하고, 0 내지 2 ％ 미만(0 ％ 이상 2 ％ 미만)이 더욱 바람직하고, 0 내지 1 ％ 미만(0 ％ 이상 1 ％ 미만)이 더욱 바람직하고, 0 내지 0.5 ％ 미만(0 ％ 이상 0.5 ％ 미만)이 한층 더 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리가 SrO 및 BaO를 실질적으로 함유하지 않는 것이다. (RO+ZnO+B 2 O 3 ) RO+ZnO+B 2 O 3 이 지나치게 적으면 고온 영역의 점성이 높아지고, 청징성 및 유리의 용해성이 저하되기 쉬워진다. 한편, RO+ZnO+B 2 O 3 이 지나치게 많으면 Tg 및 변형점이 저하되기 쉬워진다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리에서는, RO+ZnO+B 2 O 3 이 7 내지 30 ％인 것이 바람직하고, 10 내지 27 ％가 보다 바람직하다. 또한, 경량화를 보다 더 도모하기 위해 SrO+BaO를 3 ％ 미만밖에 포함하지 않는 유리에 있어서는, RO+ZnO+B 2 O 3 은 12 내지 22 ％가 더욱 바람직하고, 14 내지 21 ％가 더욱 바람직하고, 16 내지 20 ％가 더욱 바람직하다. 또한, 용해성을 향상시키기 위해서는 RO+ZnO+B 2 O 3 은 12 내지 27 ％가 더욱 바람직하고, 14 내지 25 ％가 더욱 바람직하고, 17 내지 23 ％가 더욱 바람직하다. 한편, SrO+BaO를 3 ％ 이상 함유하는 유리에 있어서는, RO+ZnO+B 2 O 3 은 13 내지 27 ％가 보다 바람직하고, 15 내지 25 ％가 더욱 바람직하다. (알칼리 금속 산화물(R 2 O: Li 2 O+Na 2 O+K 2 O)) R 2 O는 유리의 염기성도를 높이고, 청징제의 산화를 용이하게 하여 청징성을 발휘시키는 성분이다. 또한, R 2 O는 유리의 용해성 향상 및 비저항 저하의 실현을 용이하게 하는 성분이기 때문에, 포함되어 있을 수도 있다. R 2 O는 필수 성분은 아니지만, 함유시키면 비저항 저하, 청징성 향상 및 용해성 향상을 실현할 수 있다. 그러나, R 2 O량이 지나치게 많으면 Tg 및 변형점이 과도하게 저하되고, 열팽창 계수가 증대되는 경우도 있다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리에서는, R 2 O는 0 내지 0.8 ％가 바람직하고, 0.01 내지 0.5 ％가 보다 바람직하고, 0.1 내지 0.3 ％가 더욱 바람직하다. (K 2 O/R 2 O) K 2 O는 Li 2 O 및 Na 2 O에 비해 분자량이 크기 때문에 유리 기판으로부터 용출되기 어렵다. 그 때문에, R 2 O를 함유시키는 경우에는 K 2 O를 보다 높은 비율로 함유시키는 것이 바람직하다. K 2 O는 Li 2 O보다 높은 비율로 함유되는(K 2 O>Li 2 O를 만족시키는) 것이 바람직하다. K 2 O는 Na 2 O보다 높은 비율로 함유되는(K 2 O>Na 2 O를 만족시키는) 것이 바람직하다. K 2 O/R 2 O는 0.5 이상이 바람직하고, 0.6 이상이 바람직하고, 0.7 이상이 보다 바람직하고, 0.8 이상이 더욱 바람직하고, 0.95 이상이 더욱 바람직하다. 바꿔 말하면, K 2 O/R 2 O는 0.5 내지 1이 바람직하고, 0.6 내지 1이 바람직하고, 0.7 내지 1이 보다 바람직하고, 0.8 내지 1이 더욱 바람직하고, 0.95 내지 1이 더욱 바람직하다. 본 실시 형태의 유리 기판을 구성하는 유리는, 상기 각 성분을 적절하게 조합함으로써 실현할 수 있기 때문에 성분의 조합은 한정되지 않는데, 일례로서 이하와 같은 조합을 들 수 있다: SiO 2 65 내지 78 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ MgO 0 내지 2 ％ 미만(0 ％ 이상 2 ％ 미만) CaO 3.6 내지 16 ％ SrO 0 내지 2 ％ BaO 0 내지 1 ％ 미만(0 ％ 이상 1 ％ 미만) 를 함유하고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 15 ％, 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시킨다. 또는, 일례로서 이하와 같은 조합도 들 수 있다: SiO 2 65 내지 78 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 9.5 ％ MgO 0 내지 2 ％ 미만(0 ％ 이상 2 ％ 미만) CaO 3.6 내지 16 ％ SrO 0 내지 2 ％ 가 함유되고, BaO가 실질적으로 함유되지 않고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 9.5 ％, 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시킨다. 본 실시 형태의 유리 기판은 디스플레이용 기판이다. 본 실시 형태의 유리 기판은, 구체적으로 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용의 유리 기판에 바람직하다. 또한, 본 실시 형태의 유리 기판은 액정 디스플레이용 유리 기판 및 유기 EL 디스플레이용 유리 기판에 바람직하다. 특히, p-SiㆍTFT 액정 디스플레이용 유리 기판 및 유기 EL 디스플레이용 유리 기판에 바람직하다. 이 중에서도, 고정밀도가 요구되는 휴대 단말 등의 디스플레이용 유리 기판에 바람직하다. 또는, 본 실시 형태의 유리 기판은 산화물 반도체 박막 평판 디스플레이용 유리 기판에 바람직하다. 더욱 상세하게는, 본 실시 형태의 유리 기판은, 기판 표면에 산화물 반도체 박막ㆍTFT를 형성하여 제조되는 평판 디스플레이에 이용되는 유리 기판에 바람직하다. 본 실시 형태의 유리 기판의 크기는, 적용되는 디스플레이의 크기에 따라 적절하게 변경 가능하기 때문에 특별히 한정되지 않는다. 폭 방향의 길이는, 예를 들면 500 mm 내지 3500 mm로 할 수 있으며, 1000 mm 내지 3500 mm가 바람직하고, 2000 mm 내지 3500 mm가 보다 바람직하다. 세로 방향의 길이는, 예를 들면 500 mm 내지 3500 mm로 할 수 있으며, 1000 mm 내지 3500 mm가 바람직하고, 2000 mm 내지 3500 mm가 보다 바람직하다. 보다 큰 유리 기판을 사용할수록 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이의 생산성이 향상된다. 본 실시 형태의 유리 기판의 두께는, 적용되는 디스플레이의 크기에 따라 적절하게 변경 가능하기 때문에 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 유리 기판이 지나치게 얇으면 유리 기판 자체의 강도가 저하된다. 예를 들면, 액정 디스플레이 제조시의 파손이 발생하기 쉬워진다. 한편, 유리 기판이 지나치게 두꺼운 것은 박형화가 요구되는 디스플레이에는 바람직하지 않다. 또한, 유리 기판이 지나치게 두꺼우면 유리 기판의 중량이 무거워지기 때문에, 액정 디스플레이의 경량화가 곤란해진다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판의 두께는 0.1 mm 내지 1.1 mm가 바람직하고, 0.1 mm 내지 0.7 mm가 보다 바람직하고, 0.3 내지 0.7 mm가 더욱 바람직하고, 0.3 내지 0.5 mm가 더욱 바람직하다. 본 실시 형태의 유리 기판은, 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용해 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 상기 유리판에서는 열 수축률이 75 ppm 이하, 바람직하게는 60 ppm 이하이다. 또한, 상기 유리 기판을 구성하는 유리는 실투 온도가 1250 ℃ 이하이고, 몰％로 SiO 2 : 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 : 3 내지 20 ％, B 2 O 3 : 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량): 3 내지 25 ％를 유리 조성으로서 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17, 바람직하게는 8.45 내지 17.0의 관계를 만족시킨다. 이 때, 유리의 변형점은 665 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 본 실시 형태의 유리 기판은 공지된 유리 기판의 제조 방법을 사용하여 제조할 수 있다. 성형 방법도 공지된 방법을 사용할 수 있지만, 플로트법 또는 다운드로우법을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 오버플로우 다운드로우법을 사용하는 것이 바람직하다. 다운드로우법에 의해 성형된 유리 기판은, 그의 주표면이 열간 성형된 표면이기 때문에 매우 높은 평활성을 갖고 있다. 따라서, 성형 후의 유리 기판 표면의 연마 공정이 불필요해지기 때문에 제조 비용을 감소시킬 수 있으며, 생산성도 향상시킬 수 있다. 또한, 다운드로우법을 사용하여 성형된 유리 기판의 양 주표면은 균일한 조성을 갖고 있기 때문에, 에칭 처리를 행했을 때에 균일하게 에칭을 행할 수 있다. 또한, 다운드로우법을 사용하여 성형함으로써, 미소 균열이 없는 표면 상태를 갖는 유리 기판을 얻을 수 있다. 그 결과, 유리 기판 자체의 강도도 향상시킬 수 있다. 열 수축률이 75 ppm 이하, 바람직하게는 60 ppm 이하인 유리 기판을 제조하기 위해, 서냉시의 조건을 적절하게 조정하는 것이 바람직하다. 예를 들면 다운드로우법을 사용하는 경우에는, 유리판의 온도를 Tg부터 Tg-100 ℃까지의 온도 범위 내에서 20 내지 120초 유지하도록 서냉을 행하는 것이 바람직하다. 바꿔 말하면, 다운드로우법을 사용하는 경우에는, 유리판이 Tg부터 Tg-100 ℃까지의 온도 범위에서 20 내지 120초에 냉각되도록 서냉을 행하는 것이 바람직하다. 20초 미만이면, 열 수축량을 충분히 감소시킬 수 없는 경우가 있다. 한편, 120초를 초과하면 생산성이 저하됨과 동시에 유리 제조 장치(서냉로)가 대형화된다. 따라서, 비용 및 생산성을 유지하면서 열 수축률을 저하시키기 위해서는, 유리판의 온도를 Tg부터 Tg-100 ℃까지의 온도 범위 내에서 20 내지 120초 유지하도록 서냉을 행하는 것이 바람직하고, 30 내지 120초 유지하는 것이 보다 바람직하고, 50 내지 100초 유지하는 것이 더욱 바람직하다. 바꿔 말하면, 유리판이 Tg부터 Tg-100 ℃까지의 온도 범위에서 20 내지 120초에 냉각되도록 서냉을 행하는 것이 바람직하고, 30 내지 120초에 냉각되는 것이 보다 바람직하고, 50 내지 100초에 냉각되는 것이 더욱 바람직하다. 또는, 유리판의 중앙부의 평균 냉각 속도를 Tg부터 Tg-100 ℃의 온도 범위 내에 있어서, 50 내지 300 ℃/분으로 하도록 서냉을 행하는 것이 바람직하다. 평균 냉각 속도가 300 ℃/분을 초과하면, 열 수축량을 충분히 감소시킬 수 없는 경우가 있다. 한편, 50 ℃/분 미만이면 생산성이 저하됨과 동시에 유리 제조 장치(서냉로)가 대형화된다. 따라서, 비용 및 생산성을 유지하면서 열 수축률을 저하시키기 위한 평균 냉각 속도의 바람직한 범위는 50 내지 300 ℃/분이고, 50 내지 200 ℃/분이 보다 바람직하고, 60 내지 120 ℃/분이 더욱 바람직하다. 한편, 서냉 공정 후에 열 수축 감소 처리(오프라인 어닐링) 공정을 별도로 마련함으로써 열 수축률을 작게 할 수도 있다. 그러나, 서냉 공정과는 별도로 오프라인 어닐링 공정을 마련하면, 생산성이 저하되고 비용이 높아진다는 문제점이 있다. 그 때문에, 상술한 바와 같이 서냉 공정에서 유리판의 냉각 속도를 제어한다는 열 수축 감소 처리(온라인 어닐링)를 실시함으로써, 열 수축률을 소정 범위 내로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 유리의 수분량을 나타내는 β-OH값은 그 값이 작을수록 Tg 및 변형점이 높아지는 경향이 있다. 한편, β-OH값이 클수록 용융 온도를 저하시키는 경향이 있다. Tg 및 변형점의 상승과 용해성의 향상을 양립시키기 위해, β-OH값은 0.05 내지 0.40 mm -1 로 하는 것이 바람직하고, 0.10 내지 0.35 mm -1 이 보다 바람직하고, 0.10 내지 0.30 mm -1 이 더욱 바람직하고, 0.10 내지 0.25 mm -1 이 더욱 바람직하다. β-OH값은 원료의 선택에 따라 조정할 수 있다. 예를 들면, 함수량이 높은 원료(예를 들면 수산화물 원료)를 선택하거나 염화물 등의 유리 중의 수분량을 감소시키는 원료의 함유량을 조정함으로써 β-OH값을 증감시킬 수 있다. 또한, 유리 용해에 이용하는 가스 연소 가열(산소 연소 가열)과 전기 가열(직접 통전 가열)의 비율을 조정함으로써 β-OH값을 조정할 수 있다. 또한, 로(爐)내 분위기 중의 수분량을 증가시키거나 용해시에 용융 유리에 대하여 수증기를 버블링함으로써, β-OH값을 증가시킬 수 있다. 또한 유리의 β-OH값은, 유리의 적외선 흡수 스펙트럼에 있어서 다음의 수학식에 의해 구해진다. β-OH값=(1/X)log10(T1/T2) X: 유리 두께(mm) T1: 참조 파장 2600 nm에서의 투과율(％) T2: 수산기 흡수 파장 2800 nm 부근에서의 최소 투과율(％) 상기 개시 내용으로부터 얻어지는 본 실시 형태의 평판 디스플레이용 유리 기판으로서, 예를 들면 이하의 제1 내지 제4 유리 기판을 들 수 있다. 또한, 상기내용으로부터 얻어지는 본 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법으로서, 예를 들면 이하의 제1 내지 제4 제조 방법을 들 수 있다. 제1 평판 디스플레이용 유리 기판으로서, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 75 ppm 이하인 유리 기판을 들 수 있다. 제2 평판 디스플레이용 유리 기판으로서, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 60 ppm 이하인 유리 기판을 들 수 있다. 제3 평판 디스플레이용 유리 기판으로서, 몰％ 표시로 SiO 2 65 내지 78 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ MgO 0 내지 2 ％ 미만 CaO 3.6 내지 16 ％ SrO 0 내지 2 ％ BaO 0 내지 1 ％ 미만 를 함유하고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 15 ％, 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되는 유리 기판을 들 수 있다. 제4 평판 디스플레이용 유리 기판으로서, 몰％ 표시로 SiO 2 65 내지 78 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 9.5 ％ MgO 0 내지 2 ％ 미만 CaO 3.6 내지 16 ％ SrO 0 내지 2 ％ 를 함유하고, BaO를 실질적으로 함유하지 않고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 9.5 ％, 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되는 유리 기판을 들 수 있다. 상기 제1 내지 제4 평판 디스플레이용 유리 기판은 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판에 바람직하다. 특히, 상기 제1 내지 제4 평판 디스플레이용 유리 기판은 p-SiㆍTFT가 형성되는 액정 디스플레이용 유리 기판에 바람직하다. 또는, 상기 제1 내지 제4 평판 디스플레이용 유리 기판은 유기 EL 디스플레이용 유리 기판에도 바람직하다. 또는, 상기 제1 내지 제4 평판 디스플레이용 유리 기판은, 산화물 반도체 박막 트랜지스터가 형성되는 디스플레이용 유리 기판에도 바람직하다. 평판 디스플레이용 유리 기판의 제1 제조 방법으로서, 몰％로 SiO 2 가 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 이 3 내지 20 ％, B 2 O 3 이 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량)가 3 내지 25 ％이고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리가 되도록 조합한 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용융 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정을 포함하고, 상기 유리판의 열 수축률이 75 ppm 이하인 제조 방법을 들 수 있다. 평판 디스플레이용 유리 기판의 제2 제조 방법으로서, 몰％로 SiO 2 가 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 이 3 내지 20 ％, B 2 O 3 이 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량)가 3 내지 25 ％이고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리가 되도록 조합한 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용융 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정을 포함하고, 상기 유리판의 열 수축률이 60 ppm 이하인 제조 방법을 들 수 있다. 평판 디스플레이용 유리 기판의 제3 제조 방법으로서, 몰％로 SiO 2 가 65 내지 78 ％, Al 2 O 3 이 3 내지 20 ％, B 2 O 3 이 3 내지 15 ％, MgO가 0 내지 2 ％ 미만, CaO가 3.6 내지 16 ％, SrO가 0 내지 2 ％, BaO가 0 내지 1 ％ 미만이고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 15 ％ 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리가 되도록 조합한 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용융 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정 을 포함하는 제조 방법을 들 수 있다. 평판 디스플레이용 유리 기판의 제4 제조 방법으로서, 몰％ 표시로 SiO 2 가 65 내지 78 ％, Al 2 O 3 이 3 내지 20 ％, B 2 O 3 이 3 내지 9.5 ％, MgO가 0 내지 2 ％ 미만, CaO가 3.6 내지 16 ％, SrO가 0 내지 2 ％이고, BaO를 실질적으로 함유하지 않고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 9.5 ％ 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리가 되도록 조합한 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용융 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정 을 포함하는 제조 방법을 들 수 있다. 상기 평판 디스플레이용 유리 기판의 제1 내지 제4 제조 방법에서의 상기 서냉 공정에 있어서, 유리판의 냉각 속도를 제어하여 열 수축률을 감소시키는 열 수축 감소 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 또한 상기 서냉 공정에 있어서, 유리판의 중앙부의 평균 냉각 속도를 Tg부터 Tg-100 ℃의 온도 범위 내에서 50 내지 300 ℃/분으로 하는 열 수축 감소 처리를 실시하는 것이 보다 바람직하다. [실시예] 이어서, 본 발명의 유리 기판에 대하여 실시예를 들어 상세히 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 예에 의해 한정되는 것은 아니다. <제1 유리 기판> 제1 유리 기판에 대하여 실시예를 들어 설명한다. 또한, 제1 유리 기판이란, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 75 ppm 이하인 유리 기판이다. (실시예 1-1 내지 1-24 및 비교예 1-1 내지 1-6) 표 1-1 및 1-2에 나타내는 유리 조성이 되도록 실시예 1-1 내지 1-24 및 비교예 1-1 내지 1-6의 시료 유리를 이하의 절차에 따라 제작하였다. 얻어진 시료 유리 및 시료 유리 기판에 대하여, 실투 온도, Tg, 100 내지 300 ℃의 범위에서의 평균 열팽창 계수, 열 수축률, 밀도, 변형점, 용융 온도(점도가 10 2.5 dPaㆍs일 때의 유리 온도), 액상 점도 및 1550 ℃에서의 비저항을 측정하였다. (시료 유리의 제작) 우선, 표 1-1 및 1-2에 나타내는 유리 조성이 되도록, 통상의 유리 원료인 실리카, 알루미나, 산화붕소, 탄산칼륨, 염기성 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 탄산스트론튬, 2산화주석 및 3산화2철을 이용하여, 유리 원료 배치(이하 배치라 함)를 조합하였다. 또한, 유리로 400 g이 되는 양으로 조합하였다. 상기 조합한 배치를 백금 도가니 중에서 용융 및 청징하였다. 우선, 이 도가니를 1575 ℃로 설정한 전기로에서 4 시간 동안 유지시켜, 배치를 용융시켰다. 이어서, 이 전기로를 1640 ℃까지 승온시키고, 2 시간 동안 유지시킴으로써 유리 융액의 청징을 행하였다. 그 후, 유리 융액을 로 외에서 철판 위에 흘려 보내고, 냉각 고화시켜 유리체를 얻었다. 이 유리체에 대하여, 이어서 서냉 조작을 실시하였다. 서냉 조작은, 이 유리체를 800 ℃로 설정한 별도의 전기로 중에서 2 시간 동안 유지시킨 후, 740 ℃까지 2 시간, 660 ℃까지 2 시간 더 냉각시킨 후, 이 전기로의 전원을 끄고, 실온까지 냉각시킴으로써 행하였다. 이 서냉 조작을 거친 유리체를 시료 유리로 하였다. 상기 시료 유리는 서냉 조건에 영향을 받지 않으며, 또한/또는 기판 형상으로는 측정할 수 없는 특성(실투 온도, 용융 온도, 비저항, 밀도, 열팽창 계수, Tg 및 변형점)의 측정에 이용하였다. 또한, 상기 시료 유리에 절단, 연삭 및 연마 가공을 실시하여, 상하면이 경면인 30 mm×40 mm×0.7 mm의 시료 유리 기판을 제작하였다. 상기 시료 유리 기판은 서냉 조건에 영향받지 않는 β-OH의 측정에 이용하였다. 또한, 상기 시료 유리 기판에 통상의 유리 가공 기술을 이용하여 폭 5 mm, 길이 20 mm의 직육면체로 하고, 이것을 Tg에서 30분간 유지시킨 후, Tg-100 ℃까지 100 ℃/분으로 냉각시키고, 실온까지 방냉함으로써, 열 수축 측정용 시료 유리 기판으로 하였다. (실투 온도의 측정 방법) 상기 시료 유리를 분쇄하고, 2380 ㎛의 체에 통과시키고, 1000 ㎛의 체 위에 남아 있는 유리 입자를 얻었다. 이 유리 입자를 에탄올에 침지시키고, 초음파 세정한 후, 항온조에서 건조시켰다. 건조시킨 유리 입자를 폭 12 mm, 길이 200 mm, 깊이 10 mm의 백금 보트 위에, 상기 유리 입자 25 g을 거의 일정한 두께가 되도록 넣었다. 이 백금 보트를 실시예 1-1 내지 1-6, 1-8 내지 1-24 및 비교예 1-1, 1-3 내지 1-5에 대해서는 1080 내지 1320 ℃, 실시예 1-7, 비교예 1-2 및 1-6에 대해서는 1140 내지 1380 ℃의 온도 구배를 가진 전기로 내에 5 시간 동안 유지시키고, 그 후 로로부터 취출하여, 유리 내부에 발생한 실투를 50배의 광학 현미경으로 관찰하였다. 실투가 관찰된 최고 온도를 실투 온도로 하였다. (용융 온도) 상기 시료 유리의 용융 온도는 백금구(白金球) 인상식 자동 점도 측정 장치를 이용하여 측정하였다. 상기 측정 결과로부터 점도 10 2.5 dPaㆍs일 때의 온도를 산출하여 용융 온도를 얻었다. (액상 점도) 상기 용융 온도의 측정 결과로부터, 상기 실투 온도에서의 점성을 산출하여 액상 점도를 얻었다. (비저항) 상기 시료 유리의 용융시의 비저항을 HP사 제조 4192A LF 임피던스ㆍ분석기를 이용하여 4단자법으로 측정하였다. 상기 측정 결과로부터, 1550 ℃에서의 비저항값을 산출하였다. (100 내지 300 ℃의 범위에서의 평균 열팽창 계수 및 Tg의 측정 방법) 상기 시료 유리를 φ 5 mm, 길이 20 mm의 원주상으로 가공하여 시험편으로 하였다. 이 시험편에 대하여, 시차 열팽창계(서모 플러스(Thermo Plus)2 TMA8310)를 이용하여 승온 과정에서의 온도와 시험편의 신축량을 측정하였다. 이 때의 승온 속도는 5 ℃/분으로 하였다. 상기 온도와, 시험편의 신축량의 측정 결과를 바탕으로 100 내지 300 ℃의 온도 범위에서의 평균 열팽창 계수 및 Tg를 측정하였다. 또한 본원에서의 Tg란, 유리체를 800 ℃로 설정한 별도의 전기로 중에서 2 시간 동안 유지시킨 후, 740 ℃까지 2 시간, 660 ℃까지 2 시간 더 냉각시킨 후, 이 전기로의 전원을 끄고, 실온까지 냉각시킨 시료 유리에 대하여 측정한 값이다. (변형점) 상기 시료 유리를 각 변(角) 3 mm, 길이 55 mm의 각주 형상으로 절단ㆍ연삭 가공하여 시험편으로 하였다. 이 시험편에 대하여, 빔 굽힘 측정 장치(도쿄 고교 가부시끼가이샤 제조)를 이용하여 측정을 행하여, 빔 굽힘법(ASTM C-598)에 따라 계산에 의해 변형점을 구하였다. (밀도) 상기 시료 유리를 경면 연마하여 5×30×30 mm의 판형 샘플을 제작하였다. 이 샘플을 이용하여 아르키메데스법에 의해 유리의 밀도를 측정하였다. (열 수축률) 열 수축률은, 상기 열 수축 측정용 시료 유리 기판에 대하여 550 ℃에서 2 시간의 열 처리를 실시하고, 열 처리 후의 유리 기판의 수축량을 이용하여 이하의 수학식으로 구하였다. 열 수축률(ppm)={열 처리 후의 유리 기판의 수축량/열 처리 전의 유리 기판의 길이}×10 6 본 실시예에서는, 구체적으로 이하의 방법에 의해 수축량의 측정을 행하였다. 상기 열 수축용 시료 유리에 대하여, 시차 열팽창계(리가꾸 가부시끼가이샤 제조 서모플렉스 TMA8140형)를 이용하여 실온부터 550 ℃까지 승온시키고, 2 시간 동안 유지시킨 후, 실온까지 냉각시키고, 열 처리 전후에서의 시료 유리의 수축량을 측정하였다. 이 때의 승강온 속도는 10 ℃/분으로 설정하였다. (에칭 속도) 유리 기판을, HF의 비율이 1 mol/kg, HCl의 비율이 5 mol/kg인 혼합산의 40 ℃의 에칭액에 1 시간 동안 침지시켰다. 그 후, 유리 기판의 한쪽 표면의 두께 감소량(㎛)을 측정하였다. 단위 시간(1 시간)당의 감소량(㎛)으로 하여 에칭 속도(㎛/h)를 구하였다. [표 1-1] [표 1-2] 실시예 1-1 내지 1-24에서 얻어진 유리 기판은 720 ℃ 이상의 Tg를 갖고, 열 수축률 및 실투 온도도 본 발명의 제1 유리 기판의 조건을 만족하고 있었다. 또한, 실시예 1-1 내지 1-24의 유리는 1680 ℃ 이하의 용융 온도도 갖고 있고, 양호한 용해성도 실현되어 있었다. 따라서, 실시예 1-1 내지 1-24에서 얻어진 유리 기판은, p-SiㆍTFT가 적용되는 디스플레이에도 이용할 수 있는 우수한 특성을 구비한 유리 기판이라고 할 수 있다. 한편, 비교예 1-1 내지 1-6에서 얻어진 유리는, 열 수축률 또는 실투 온도가 본 발명의 제1 유리 기판의 조건을 만족하고 있지 않았다. 또한, 비교예 2의 유리는 용융 온도가 1680 ℃를 초과하였으며, 양호한 용해성도 얻어지지 않았다. 이와 같이, 비교예 1-1 내지 1-6에서 얻어진 유리 기판은 p-SiㆍTFT가 적용되는 디스플레이에는 적합하지 않았다. (실시예 1-25) 실시예 1-4에 나타내는 조성이 되도록 조합한 유리 원료를, 내화 벽돌제의 용해조와 백금 합금제의 청징조(조정조)를 구비한 연속 용해 장치를 이용하여 1560 내지 1640 ℃에서 용해시키고, 1620 내지 1670 ℃에서 청징하고, 1440 내지 1530 ℃에서 교반한 후에 오버플로우 다운드로우법에 의해 두께 0.7 mm의 박판형으로 성형하고, Tg부터 Tg-100 ℃의 온도 범위 내에서 100 ℃/분의 평균 속도로 냉각을 행하여, 액정 디스플레이용(또는 유기 EL 디스플레이용) 유리 기판을 얻었다. 또한, 상기 기재의 각 특성에 대해서는 얻어진 유리 기판을 이용하여 측정하였다. 또한, 기판 형상으로는 측정할 수 없었던 특성(밀도, 변형점, 팽창 계수 및 Tg)에 대해서는, 상기 시료 제작 방법에 준하여 상기 유리 기판을 재용융시키고, 시료 유리를 제작하여 특성을 측정하였다. 상기한 바와 같이 얻어진 실시예 1-25의 유리 기판의 용융 온도는 1610 ℃, β-OH값은 0.20 mm -1 이었으며, Tg는 754 ℃, 변형점은 697 ℃, 열 수축률은 51 ppm이었고, 다른 특성은 실시예 1-4와 동등하였다. 이와 같이, 실시예 1-25의 유리 기판은 720 ℃ 이상의 Tg와 1680 ℃ 이하의 용융 온도를 갖고 있고, 높은 Tg 및 변형점과, 양호한 용해성이 실현되어 있었다. 또한, 열 수축률 및 실투 온도도 본 발명의 제1 유리 기판의 조건을 만족하고 있었다. 또한, 실시예 1-25의 유리 기판은 실시예 1-4보다 β-OH값이 0.1 mm -1 정도 크기 때문에, 실시예 1-4와 비교하면 Tg는 2 내지 3 ℃ 낮아지지만, 충분히 높은 Tg가 실현되어 있다. 따라서, 실시예 1-25에서 얻어진 유리 기판은, p-SiㆍTFT가 적용되는 디스플레이에도 이용할 수 있는 우수한 특성을 구비한 유리 기판이라고 할 수 있다. (실시예 1-26) 실시예 1-12에 나타내는 유리 조성이 되도록 조합한 유리 원료를 이용하여 실시예 1-25와 동일하게 하여 유리 기판을 제작하고, 각 특성을 측정하였다. 상기한 바와 같이 얻어진 실시예 1-26의 유리 기판의 용융 온도는 1585 ℃, β-OH값은 0.21 mm -1 이었으며, Tg는 761 ℃, 변형점은 710 ℃, 열 수축률은 31 ppm이었고, 다른 특성은 실시예 1-12와 동등하였다. 이와 같이, 실시예 1-26의 유리 기판은 720 ℃ 이상의 Tg와 1680 ℃ 이하의 용융 온도를 갖고 있고, 높은 Tg 및 변형점과 양호한 용해성이 실현되어 있었다. 또한, 열 수축률 및 실투 온도도 본 발명의 제1 유리 기판의 조건을 만족하고 있었다. 또한, 실시예 1-26의 유리 기판은 실시예 1-12보다 β-OH값이 0.1 mm -1 정도 크기 때문에, 실시예 1-12와 비교하면 Tg는 2 내지 3 ℃ 낮아지지만, 충분히 높은 Tg가 실현되어 있다. 따라서, 실시예 1-26에서 얻어진 유리 기판은, p-SiㆍTFT가 적용되는 디스플레이에도 이용할 수 있는 우수한 특성을 구비한 유리 기판이라고 할 수 있다. <제2 유리 기판> 제2 유리 기판에 대하여 실시예를 들어 설명한다. 또한, 제2 유리 기판이란, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 60 ppm 이하인 유리 기판이다. 제1 유리 기판의 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로, 표 2-1 및 2-2에 나타내는 유리 조성이 되도록 실시예 및 비교예의 시료 유리를 제작하고, 각 특성을 측정하였다. [표 2-1] [표 2-2] <제3 유리 기판> 제3 유리 기판에 대하여 실시예를 들어 설명한다. 또한, 제3 유리 기판이란, 몰％ 표시로 SiO 2 65 내지 78 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ MgO 0 내지 2 ％ 미만 CaO 3.6 내지 16 ％ SrO 0 내지 2 ％ BaO 0 내지 1 ％ 미만 를 함유하고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 15 ％, 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되는 유리 기판이다. 제1 유리 기판의 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로, 표 3에 나타내는 유리 조성이 되도록 실시예 및 비교예의 시료 유리를 제작하고, 각 특성을 측정하였다. [표 3] <제4 유리 기판> 제4 유리 기판에 대하여 실시예를 들어 설명한다. 또한, 제4 유리 기판이란, 몰％ 표시로 SiO 2 65 내지 78 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 9.5 ％ MgO 0 내지 2 ％ 미만 CaO 3.6 내지 16 ％ SrO 0 내지 2 ％ 를 함유하고, BaO를 실질적으로 함유하지 않고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 9.5 ％, 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되는 유리 기판이다. 제1 유리 기판의 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로, 표 4에 나타내는 유리 조성이 되도록 실시예 및 비교예의 시료 유리를 제작하고, 각 특성을 측정하였다. [표 4] <본 발명의 실시 형태의 통합> 상기 개시로부터, 본 발명은 이하의 양태를 제공한다. 본 발명의 제1 양태는, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 75 ppm 이하인 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 단, 상기 열 수축률이란, 승강온 속도 10 ℃/분, 550 ℃에서 2 시간 동안 유지하는 열 처리가 실시된 후의 유리 기판의 수축량을 이용하여, 이하의 수학식으로 구해지는 값이다. 열 수축률(ppm)={열 처리 후의 유리 기판의 수축량/열 처리 전의 유리 기판의 길이}×10 6 이후의 본 발명의 양태에 있어서도, 「열 수축률」은 동일하게 정의된다. 본 발명의 제2 양태는, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 60 ppm 이하인 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제3 양태는, 몰％ 표시로 SiO 2 65 내지 78 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ MgO 0 내지 2 ％ 미만 CaO 3.6 내지 16 ％ SrO 0 내지 2 ％ BaO 0 내지 1 ％ 미만 를 함유하고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 15 ％, 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되는 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제4 양태는, 몰％ 표시로 SiO 2 65 내지 78 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 9.5 ％ MgO 0 내지 2 ％ 미만 CaO 3.6 내지 16 ％ SrO 0 내지 2 ％ 를 함유하고, BaO를 실질적으로 함유하지 않고, B 2 O 3 , P 2 O 5 및 CaO의 몰％로 표시되는 함유율이 B 2 O 3 +P 2 O 5 =3 내지 9.5 ％, 및 CaO/B 2 O 3 >1.2의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되는 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제5 양태는, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되는 유리 기판이고, Tg에서 30분간 유지시킨 후, Tg-100 ℃까지 100 ℃/분으로 냉각시키고, 실온까지 방냉한 후, 승강온 속도 10 ℃/분, 550 ℃에서 2 시간 동안 유지하는 열 처리가 실시된 후의 상기 유리 기판의 열 수축률이 75 ppm 이하인 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제6 양태는, 상기 유리는 몰％ 표시로 ZnO 0 내지 5 ％를 함유하고, 상기 유리에 있어서, SiO 2 및 Al 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 SiO 2 +Al 2 O 3 ≥ 75 ％를 만족시키고, RO, ZnO 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 RO+ZnO+B 2 O 3 =7 내지 25 ％를 만족시키는 상기 제1 내지 제5 양태 중 어느 하나의 양태에 기재된 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제7 양태는, 상기 유리에 있어서, MgO, CaO, SrO 및 BaO의 함유율의 합계가 4 내지 20 몰％인 상기 제1 내지 제6 양태 중 어느 하나의 양태에 기재된 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제8 양태는, 상기 유리에 있어서, 몰％로 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 함유율의 합계에 대한 CaO의 함유율의 비가 0.5를 초과하는 것인 상기 제1 내지 제7 양태 중 어느 하나의 양태에 기재된 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제9 양태는, 상기 유리의 액상 점도가 10 4.5 dPaㆍs 이상이고, 상기 유리를 다운드로우법에 의해 성형함으로써 얻어진 것인 상기 제1 내지 제8 양태 중 어느 하나의 양태에 기재된 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제10 양태는, 상기 유리는 As 2 O 3 및 Sb 2 O 3 을 실질적으로 함유하지 않는 것인 상기 제1 내지 제9 양태 중 어느 하나의 양태에 기재된 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제11 양태는, 액정 디스플레이용 유리 기판인 상기 제1 내지 제10 양태 중 어느 하나의 양태에 기재된 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제12 양태는 몰％로 SiO 2 가 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 이 3 내지 20 ％, B 2 O 3 이 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량)가 3 내지 25 ％이고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리가 되도록 조합한 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용융 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정을 포함하고, 상기 유리판의 열 수축률이 75 ppm 이하인 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 제13 양태는, 몰％로 SiO 2 가 55 내지 80 ％, Al 2 O 3 이 3 내지 20 ％, B 2 O 3 이 3 내지 15 ％, RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량)가 3 내지 25 ％이고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리가 되도록 조합한 유리 원료를 용융시켜 용융 유리를 생성하는 용융 공정과, 상기 용융 유리를 유리판으로 성형하는 성형 공정과, 상기 유리판을 서냉하는 서냉 공정을 포함하고, 상기 유리판의 열 수축률이 60 ppm 이하인 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 제14 양태는, 상기 용융 공정에서는, β-OH가 0.05 내지 0.40 mm -1 이 되도록 용융 유리를 생성하고, 상기 서냉 공정에서는, 상기 유리판을 유리 전이점(Tg)부터 Tg-100 ℃까지의 온도 범위 내에서 50 내지 300 ℃/분의 평균 속도로 냉각시키는 것인 상기 제12 또는 13의 양태에 기재된 p-SiㆍTFT가 형성되는 평판 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 제15 양태는, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=7.5 내지 17의 관계를 만족시키고, 변형점이 665 ℃ 이상이고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 75 ppm 이하인 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 제16 양태는, 몰％ 표시로 SiO 2 55 내지 80 ％ Al 2 O 3 3 내지 20 ％ B 2 O 3 3 내지 15 ％ RO(MgO, CaO, SrO, BaO의 합계량) 3 내지 25 ％ 를 함유하고, SiO 2 , Al 2 O 3 및 B 2 O 3 의 몰％로 표시되는 함유율이 (SiO 2 +Al 2 O 3 )/(B 2 O 3 )=8.45 내지 17.0의 관계를 만족시키고, 실투 온도가 1250 ℃ 이하인 유리로 구성되고, 열 수축률이 60 ppm 이하인 평판 디스플레이용 유리 기판을 제공한다.
본 발명의 평판 디스플레이용 유리 기판은 p-Si가 이용되는 평판 디스플레이에 바람직하고, 특히 p-SiㆍTFT가 이용되는 액정 디스플레이용의 유리 기판 및 유기 EL 디스플레이용의 유리 기판에 바람직하고, 그 중에서도 고정밀도가 요구되는 휴대 단말 등의 디스플레이용 유리 기판에 바람직하다. |
