1.一种用于制造包括两个或更多个参考层方向的基于铁磁薄膜的磁场传感器的方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成传感器层堆叠，所述传感器层堆叠包括在所述第一绝缘层上形成的参考层、在所述参考层上形成的非磁性中间层、和在所述非磁性中间层上形成的第二铁磁性层；
对所述传感器层堆叠进行选择性刻蚀以形成第一电极堆叠和第二电极堆叠，其中所述第一电极堆叠具有用于设置第一参考方向的第一形状各向异性，并且其中所述第二电极堆叠具有用于设置第二参考方向的第二形状各向异性；
施加饱和场直至所述第一和第二电极堆叠的每个参考层具有与所述饱和场对准的磁化，所述饱和场基本上与所述衬底平行并且被取向在所述第一和第二参考方向之间；以及移除所述饱和场以允许所述第一形状各向异性设置所述第一电极堆叠的参考层的磁化，并且允许所述第二形状各向异性设置所述第二电极堆叠的参考层的磁化。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在施加所述基本上与所述衬底平行并且被取向在所述第一和第二参考方向之间的饱和场的同时，在升高的温度下对所述第一和第二电极堆叠进行加热，以及在移除所述饱和场之后使所述第一和第二电极堆叠冷却以沿第一形状限定的轴设置所述第一电极堆叠中的参考层的磁化，并且沿第二形状限定的轴设置所述第二电极堆叠中的参考层的磁化。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在施加所述饱和场的同时分别在所述第一和第二电极堆叠中形成的第一和第二反铁磁钉扎层的阻挡温度之上的升高的温度下加热所述第一和第二电极堆叠，从而所述移除所述饱和场的步骤允许所述第一形状各向异性设置所述第一电极堆叠中的钉扎层的磁化，并且允许所述第二形状各向异性设置所述第二电极堆叠中的钉扎层的磁化；以及使所述第一和第二电极堆叠冷却，由此使所述第一电极堆叠中的钉扎层的磁化沿第一形状限定的轴钉扎，并且使所述第二电极堆叠中的钉扎层的磁化沿第二形状限定的轴钉扎。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在移除所述饱和场之后，在使所述第一和第二电极堆叠冷却之前，分别在所述第一和第二电极堆叠中形成的第一和第二反铁磁性层的反铁磁晶相形成温度或者之上加热所述第一和第二电极堆叠，由此使所述第一电极堆叠中的钉扎层的磁化沿第一形状限定的轴钉扎，并且使所述第二电极堆叠中的钉扎层的磁化沿第二形状限定的轴钉扎。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极堆叠中的参考层的磁化方向沿所述第一电极堆叠的长轴维度设置，并且其中所述第二电极堆叠中的参考层的磁化方向沿所述第二电极堆叠的长轴维度设置。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极堆叠中的参考层的磁化方向沿所述第一电极堆叠的短轴维度设置，并且其中所述第二电极堆叠中的参考层的磁化方向沿所述第二电极堆叠的短轴维度设置。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二电极堆叠中的每一个包括反铁磁性层，其包括铱锰或铂锰。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一参考方向与所述第二参考方向正交，并且其中施加基本上与所述衬底平行的所述饱和场包括按相对所述第一参考方向和所述第二参考方向均偏移45度的角度来施加所述饱和场。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一参考方向相对所述第二参考方向小于
180度，并且其中施加基本上与所述衬底平行的所述饱和场包括按相对所述第一参考方向和所述第二参考方向的相等偏移的角度来施加所述饱和场。
10.根据权利要求1所述的方法，其中施加基本上与所述衬底平行的所述饱和场包括按具有沿两个或更多个参考层方向中的每个方向的场分量的角度来施加所述饱和场。
11.一种用于制造包括两个或更多个参考层设置方向的基于铁磁薄膜的磁场传感器的方法，包括：
在衬底上形成参考层结构并且使其与所述衬底绝缘，其中所述参考层结构包括通过由隔层隔开的第一和第二铁磁体层形成的不平衡合成反铁磁体，其中所述第一和第二铁磁性层具有不同的磁矩；
对所述参考层结构进行选择性刻蚀以形成第一电极堆叠和第二电极堆叠，其中所述第一电极堆叠具有用于设置第一参考方向的第一形状各向异性，并且其中所述第二电极堆叠具有用于设置第二参考方向的第二形状各向异性；
施加饱和场直至所述第一和第二电极堆叠中的每一个具有与所述饱和场对准的磁化，所述饱和场被取向在所述第一和第二参考方向之间；以及
移除所述饱和场以允许所述第一形状各向异性设置所述第一电极堆叠的第一和第二铁磁性层的磁化，并且允许所述第二形状各向异性设置所述第二电极堆叠的第一和第二铁磁性层的磁化。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在施加所述饱和场的同时在升高的温度下对所述第一和第二电极堆叠进行加热，所述饱和场基本上与所述衬底平行并且被取向在所述第一和第二参考方向之间，以及在移除所述饱和场之后使所述第一和第二电极堆叠冷却以沿第一形状限定的轴设置所述第一电极堆叠中的不平衡合成反铁磁体的磁化，并且沿第二形状限定的轴设置所述第二电极堆叠中的不平衡合成反铁磁体的磁化。
13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在施加所述饱和场的同时在升高的温度下分别在所述第一和第二电极堆叠中形成的第一和第二反铁磁钉扎层之上加热所述第一和第二电极堆叠，从而所述移除所述饱和场的步骤允许所述第一形状各向异性设置所述第一电极堆叠中的钉扎层的磁化，并且允许所述第二形状各向异性设置所述第二电极堆叠中的钉扎层的磁化；以及
使所述第一和第二电极堆叠冷却，由此使所述第一电极堆叠中的钉扎层的磁化沿第一形状限定轴钉扎，并且使所述第二电极堆叠中的钉扎层的磁化沿第二形状限定轴钉扎。
14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在移除所述饱和场之后，在使所述第一和第二电极堆叠冷却之前，分别在所述第一和第二电极堆叠中形成的第一和第二反铁磁性层的反铁磁晶相形成温度或之上加热所述第一和第二电极堆叠，由此所述第一电极堆叠中的钉扎层的磁化沿第一形状限定的轴钉扎，并且所述第二电极堆叠中的钉扎层的磁化沿第二形状限定的轴钉扎。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一电极堆叠中的第一和第二铁磁性层的磁化方向沿所述第一电极堆叠的长轴维度设置，并且其中所述第二电极堆叠中的第一和第二铁磁性层的磁化方向沿所述第二电极堆叠的长轴维度设置。
16.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一电极堆叠具有其中第一短轴维度与所述第一参考方向对准的第一形状各向异性，并且所述第二电极堆叠具有其中第二短轴维度与所述第二参考方向对准的第二形状各向异性。
17.一种包括两个或更多个参考层磁化方向的基于铁磁薄膜的磁场传感器，包括：
衬底；
所述衬底上的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第一传感器层堆叠，其包括所述第一绝缘层上的第一参考层；以及
所述第一绝缘层上的第二传感器层堆叠，其包括所述第一绝缘层上的第二参考层；
其中所述第一电极堆叠具有限定所述第一参考层的第一参考方向的第一形状各向异性，并且其中所述第二电极堆叠具有限定所述第二参考层的与所述第一参考方向不同的第二参考方向的第二形状各向异性。
18.根据权利要求17所述的基于铁磁薄膜的磁场传感器，其中所述第一和第二参考层均包括通过由隔层隔开的第一和第二铁磁体层形成的不平衡合成反铁磁体，其中所述第一和第二铁磁性层具有不同的磁矩。
19.根据权利要求18所述的基于铁磁薄膜的磁场传感器，其中所述第一和第二铁磁性层中的每一个分别具有沿所述第一和第二参考层的短轴对准的磁化。
20.根据权利要求17所述的基于铁磁薄膜的磁场传感器，其中所述第一和第二传感器层堆叠中的每一个分别包括与所述第一和第二参考层相邻的反铁磁性层。