1.一种用于掺杂石墨烯和纳米管薄膜场效应晶体管器件以改善电子迁移率的方法，包括：
向石墨烯或者纳米管薄膜场效应晶体管器件的沟道区域选择性施加掺杂剂以改善所述场效应晶体管器件的电子迁移率，
其中所述掺杂剂是掺杂剂溶液，
其中所述掺杂剂溶液包括在溶剂中的浓度范围为0.1mM到100mM的至少一种电荷转移掺杂化合物的混合物，
所述至少一种电荷转移掺杂化合物包括硝酸铈铵和硫酸铈铵中的至少一种。
2.根据权利要求1的方法，还包括在所述石墨烯或者纳米管场效应晶体管器件的掺杂的沟道区域之上沉积接触金属。
3.根据权利要求1的方法，其中所述至少一种电荷转移掺杂化合物还包括钌联吡啶络合物。
4.根据权利要求1的方法，其中所述至少一种电荷转移掺杂化合物还包括三乙基氧鎓六氯锑酸盐。
5.根据权利要求1的方法，其中所述溶剂包括水、二氯乙烷、醇和二氯苯中的至少一种。
6.根据权利要求1的方法，其中所述掺杂剂在凝胶混合物中，其中在施加后所述凝胶蒸发。
7.根据权利要求1的方法，其中向石墨烯或者纳米管场效应晶体管器件的沟道区域选择性施加掺杂剂包括将所述石墨烯或者纳米管场效应晶体管以一持续时间放入掺杂剂溶液中。
8.根据权利要求7的方法，其中所述持续时间包括从一秒到十小时的范围。
9.根据权利要求7的方法，其中所述持续时间基于施加的所述掺杂剂的浓度。
10.根据权利要求7的方法，还包括从所述掺杂剂溶液除去并且用掺杂剂溶剂漂洗所述石墨烯或者纳米管场效应晶体管器件。
11.根据权利要求1的方法，其中向石墨烯或者纳米管场效应晶体管器件的沟道区域选择性施加掺杂剂以改善所述石墨烯或者纳米管场效应晶体管器件的电子迁移率还包括降低所述场效应晶体管器件的电阻。
12.根据权利要求1的方法，其中向石墨烯或者纳米管场效应晶体管器件的沟道区域选择性施加掺杂剂包括直接在所述石墨烯或者纳米管场效应晶体管器件的沟道区域之上压印所述掺杂剂。
13.根据权利要求12的方法，其中所述压印包括使用聚合物基压印、喷墨印刷、刷涂以及丝网印刷中的一种。
14.一种半导体装置，包括：
在衬底上制造的具有暴露的沟道区域的石墨烯或者纳米管薄膜场效应晶体管器件，其中用掺杂剂掺杂所述沟道区域以改善电子迁移率；以及
在所述石墨烯或者纳米管薄膜场效应晶体管器件的掺杂的沟道区域之上设置的接触金属，
其中所述掺杂剂包括在溶剂中的浓度范围为0.1mM到100mM的至少一种电荷转移掺杂化合物的混合物，
所述至少一种电荷转移掺杂化合物包括硝酸铈铵和硫酸铈铵中的至少一种。
15.根据权利要求14的装置，其中所述至少一种电荷转移掺杂化合物还包括钌联吡啶络合物和三乙基氧鎓六氯锑酸盐中的一种。
16.根据权利要求14的装置，其中所述溶剂包括水、二氯乙烷、醇和二氯苯中的至少一种。
17.一种半导体装置，包括：
接触金属；以及
在衬底上制造并且设置在所述接触金属之上的石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件，其中用掺杂剂掺杂所述石墨烯或者纳米管薄膜场效应晶体管器件的沟道区域以改善电子迁移率，
其中所述掺杂剂包括在溶剂中的浓度范围为0.1mM到100mM的至少一种电荷转移掺杂化合物的混合物，
所述至少一种电荷转移掺杂化合物包括硝酸铈铵和硫酸铈铵中的至少一种。
18.根据权利要求17的装置，其中所述至少一种电荷转移掺杂化合物还包括钌联吡啶络合物和三乙基氧鎓六氯锑酸盐中的一种。
19.根据权利要求17的装置，其中所述溶剂包括水、二氯乙烷、醇和二氯苯中的至少一种。