1.一种空腔薄膜的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一掺杂浓度的N型硅片；
在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度；
通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层；
通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜；
在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜中形成多个通孔，所述多个通孔露出部分第一多孔硅层；
通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔；
通过外延生长工艺形成单晶硅层，密闭所述多个通孔。
2.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，在通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜之后，在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜中形成多个通孔，所述多个通孔露出部分第一多孔硅层之前，还包括：
在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜表面形成第二掺杂浓度的第二N型层；
通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第二N型层变成第二多孔硅层；
通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第二N型空腔隔膜。
3.如权利要求2所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，同时在所述第二N型空腔隔膜和第一N型空腔隔膜中形成多个通孔所述多个通孔露出部分第一多孔硅层和部分第二多孔硅层；通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔，同时使得所述第二多孔硅层变成第二空腔。
4.如权利要求3所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，重复执行权利要求2和权利要求3中的步骤。
5.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层之后，通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜之前，还包括：
通过氧化方式固化所述第一多孔硅层。
6.如权利要求5所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，通过氧化方式固化所述第一多孔硅层中的工艺温度为300℃～500℃。
7.如权利要求5所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，通过氧化方式固化所述第一多孔硅层之后，还包括：
使用稀释的氢氟酸去除氧化方式固化所述第一多孔硅层过程中所形成的氧化层。
8.如权利要求7所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，所述稀释的氢氟酸中氟化氢与水的体积比为1：40。
9.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层包括：
在所述第一掺杂浓度的N型硅片上形成氮化硅薄膜；
在所述氮化硅薄膜中形成窗口；
对所述窗口中的第一掺杂浓度的N型硅片表面执行离子注入工艺，形成第二掺杂浓度的第一N型层。
10.如权利要求9所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为
1500埃～3000埃。
11.如权利要求9所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，对所述窗口中的第一掺杂浓度的N型硅片表面执行离子注入工艺包括：
对所述窗口中的第一掺杂浓度的N型硅片表面注入磷离子；
对注入磷离子后的第一掺杂浓度的N型硅片执行退火工艺。
12.如权利要求11所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，对所述窗口中的第一掺杂浓度的N型硅片表面注入磷离子中，所述磷离子的注入剂量为1E14～1E16，所述磷离子的注入能量为40Kev～80Kev。
13.如权利要求11所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，对注入磷离子后的第一掺杂浓度的N型硅片执行退火工艺中，采用的工艺条件为：
反应气体：氮气和氧气；
反应温度：800℃～1200℃；
反应时间：30分钟～60分钟。
14.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，电化学腐蚀工艺所采用的反应溶液为：氟化氢与醇类的混合溶液。
15.如权利要求14所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层的电化学腐蚀工艺的腐蚀电流为：100mA/cm2～400mA/cm2。
16.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，所述多孔硅层的孔隙率为
30％～70％。
17.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，所述单晶硅层的厚度为0.5μm～10μm。
18.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，使用SiH2Cl2为气源在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层。
19.一种空腔薄膜，其特征在于，包括：硅片，所述硅片中形成有空腔。
20.如权利要求19所述的空腔薄膜，其特征在于，还包括：空腔隔膜，所述空腔隔膜位于所述硅片上，所述空腔隔膜中形成有空腔。
21.如权利要求20所述的空腔薄膜，其特征在于，所述空腔隔膜的数量为一层或者多层。
22.如权利要求21所述的空腔薄膜，其特征在于，所述硅片和空腔隔膜均为N型。