1.一种用于制造微机械系统的方法，所述方法包括：
在前道制程(FEOL)工艺中在晶体管区域中形成晶体管；
在所述前道制程工艺之后，形成牺牲层；
对所述牺牲层进行结构化以形成经结构化的牺牲层；
形成至少部分地覆盖所述经结构化的牺牲层的功能层；以及
去除所述牺牲层以创建空腔；
进一步包括热处理，其中所述热处理激活所述功能层的掺杂原子并提供对所述功能层的原子结构的重构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括碳。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层被所述功能层完全覆盖。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成在所述功能层中创建的孔，去除所述牺牲层，利用所述孔来应用去除工艺以便在半导体衬底的表面与所述功能层之间创建所述空腔，以及在所述功能层的表面处形成用于封闭所述孔的层，其中所述层的高度低于
600nm。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述层包括氮化物或氧化物。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括后道制程(BEOL)，其中在所述后道制程中形成至少一个金属层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中至少在MEMS区域的一部分中将在所述后道制程中形成的所述至少一个金属层去除。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述至少一个金属层的所述去除与所述晶体管区域中的至少一个金属线的结构化同时进行。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在所述至少一个金属线的所述结构化之后，在所述晶体管区域和所述MEMS区域中形成至少一个电介质层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理在所述功能层中将非晶硅转化成多晶硅。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理为所述功能层提供张力。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理是以550℃至750℃进行处理。
13.一种用于制造压力传感器的方法，包括：
在半导体衬底的表面处形成牺牲层；
形成覆盖所述牺牲层的功能层；
形成至少一个孔，并且通过穿过所述至少一个孔应用去除工艺而去除所述牺牲层以创建空腔；
提供处于550℃至750℃之间的温度的热处理；
将所述至少一个孔封闭；
其中所述热处理提供对所述功能层的原子结构的重构和对所述功能层的掺杂原子的激活。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述方法在前道制程(FEOL)与后道制程(BEOL)之间进行。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述热处理在所述功能层中将非晶硅转化成多晶硅。
16.一种用于制造微机械系统的方法，包括：
在衬底的晶体管区域中形成至少一个晶体管；
在所述衬底的MEMS区域中提供经结构化的牺牲层；
形成至少部分地覆盖所述经结构化的牺牲层的功能MEMS层；
在所述功能MEMS层中提供蚀刻孔；
去除所述牺牲层以创建空腔；
形成封闭所述蚀刻孔的另外的层，其中所述另外的层在所述晶体管区域的至少一部分上方延伸；以及
形成至少一个金属层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述另外的层是在所述晶体管区域的至少一部分上方延伸的电介质层；
在所述电介质层上方形成所述至少一个金属层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中在所述晶体管区域中将所述另外的层至少部分地去除。
19.一种用于制造微机械系统的方法，所述方法包括：
在前道制程(FEOL)工艺中在晶体管区域中形成晶体管；
在所述前道制程工艺之后，形成牺牲层；
对所述牺牲层进行结构化以形成经结构化的牺牲层；
形成至少部分地覆盖所述经结构化的牺牲层的功能层；以及
去除所述牺牲层以创建空腔；
其中所述方法进一步包括后道制程(BEOL)，其中在所述后道制程中形成至少一个金属层；
其中至少在MEMS区域的一部分中将在所述后道制程中形成的所述至少一个金属层去除。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述至少一个金属层的所述去除与所述晶体管区域中的至少一个金属线的结构化同时进行。
21.根据权利要求20所述的方法，进一步包括：在所述至少一个金属线的所述结构化之后，在所述晶体管区域和所述MEMS区域中形成至少一个电介质层。