1.一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的微机电系统MEMS设备的方法，该方法包括：
将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个MEMS衬底，其中，一个介电层被布置在该操作晶片和该设备晶片之间；
在该设备晶片上平版印刷地限定至少一个压铆螺母柱；
将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底与该集成电路衬底之间形成一个密封腔；
在该操作晶片上蚀刻出至少一个开口以暴露出该介电层的一部分；以及在该操作晶片中的该至少一个开口的下方部分地对该介电层的暴露部分和该设备晶片进行蚀刻，在该密封腔的上方且在该操作晶片中的该至少一个开口的下方减少该设备晶片的厚度并且创建该设备晶片的厚度减少的剩余部分；
其中该设备晶片的该厚度减少的剩余部分保持暴露在外部环境下。
2.如权利要求1所述的方法，其中，该集成电路衬底包括一个带有至少一个电极和耦联到该至少一个电极上的至少一个电路的互补金属氧化物半导体CMOS晶片。
3.如权利要求1所述的方法，其中，由该至少一个压铆螺母柱的高度限定该密封腔的一个间隙。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
通过在该至少一个压铆螺母柱和该集成电路衬底之间利用一种导电粘合剂而在该设备晶片和该集成电路衬底之间创造一个电连接。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该设备晶片的暴露部分为一块柔性板，其中，该柔性板的至少一个区域为该密封腔的一个表面。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
使一个带有流体通道的衬底粘合到该MEMS衬底的一个顶面上。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
使用一种硅穿孔工艺对该MEMS设备进行封装。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
将该MEMS设备封装进一个第一塑性塑模封装体内，该第一塑性塑模封装体将该操作晶片用作一个水坝来防止一种第一塑模填料进入包括该设备晶片的该厚度减少的剩余部分的该密封腔的一个薄膜区域。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
将该MEMS设备封装进一个第二塑性塑模封装体内，该第二塑性塑模封装体使用胶带防止一种第二塑模填料进入该设备晶片的该厚度减少的剩余部分的一个区域。
10.一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的微机电系统MEMS设备的方法，该方法包括：
将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个MEMS衬底，其中，一个介电层被布置在该操作晶片和该设备晶片之间；
在该设备晶片上平版印刷地限定至少一个压铆螺母柱；
提供一个延伸至该MEMS设备的一个边缘的侧通道；
将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底与该集成电路衬底之间形成一个密封腔；
通过切通该侧通道的一部分来使该MEMS设备分离，从而使该侧通道暴露在该外部环境下。
11.如权利要求10所述的方法，其中，通过在该操作晶片中蚀刻出一个或多个空腔来限定所提供的侧通道。
12.如权利要求10所述的方法，其中，由在该至少一个压铆螺母柱中的一个或多个间隙限定所提供的侧通道。
13.如权利要求10所述的方法，其中，通过在该集成电路衬底中蚀刻出一个或多个另外的空腔来创造所提供的侧通道。
14.一种其中一部分暴露在外部环境下的微机电系统MEMS设备，包括：
一个互补金属氧化物半导体CMOS衬底；
一个粘合到CMOS衬底上的MEMS衬底，其中该MEMS衬底包括一个粘合到一个设备衬底上的操作衬底，该设备衬底具有一个布置在该操作衬底和该设备衬底之间的介电层；
其中在该MEMS衬底和该CMOS衬底之间形成密封腔并且由该设备衬底上平版印刷地限定的至少一个压铆螺母柱的高度限定该密封腔；以及
该操作衬底中的至少一个开口，其中，该至少一个开口使该介电层的一个表面暴露在外部环境下；
其中在该密封腔的上方且在该操作衬底的该至少一个开口的下方，该介电层的该表面和该设备衬底包括该设备衬底的厚度减少的剩余部分；以及
其中该设备衬底的该厚度减少的剩余部分保持暴露在外部环境下。
15.如权利要求14所述的MEMS设备，其中，该至少一个开口的一部分延伸至该操作衬底的一个边缘。
16.如权利要求15所述的MEMS设备，其中，该至少一个开口为一个允许流体流动的流体通道。
17.如权利要求14所述的MEMS设备，其中，该设备衬底进一步包括：
一个粘合到一个底部结构层上的顶部结构层，该底部结构层具有一个被布置在该顶部结构层和该底部结构层之间的第二介电层，其中，该顶部结构层被布置在该介电层和该第二介电层之间。
18.如权利要求17所述的MEMS设备，其中，该至少一个开口延伸穿过该介电层和该顶部结构层以使该第二介电层的一个区域暴露在该外部环境下。
19.如权利要求14所述的MEMS设备，包括在该操作衬底内的至少一个空腔，其中，该操作衬底中的该至少一个开口延伸到该操作衬底中的该至少一个空腔内。
20.如权利要求14所述的MEMS设备，其中，该至少一个开口延伸至该MEMS设备的边缘。