1.一种涂层切削工具，包括基底和基底上的涂层，其中所述涂层包括多层结构，所述多层结构由如下的层组成：
交替的层A和层B，其形成序列A/B/A/B/A……，层A和层B的单层厚度为1-30nm，其中层A由Zr1-xAlxN组成，其中x是从0.02至0.35，层B由TiN组成，
或者
交替的层A和层B以及在所述交替层A和B之间的中间层C，其形成序列A/C/B/C/A/C/B……，层A和层B的单层厚度为1-30nm，其中层A由Zr1-xAlxN组成，其中x是从0.02至0.35，层B由TiN组成，其中层C包含源自层A和层B中的每个的一种或多种金属元素但组成和结构与层A和B不同。
2.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中x是从0.10至0.35。
3.根据任一项前述权利要求所述的涂层切削工具，其中Zr1-xAlxN是立方的。
4.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具，其中Zr1-xAlxN是平均粒宽小于10nm的纳米晶体。
5.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具，其中层A和层B的单层厚度大于5nm且小于
20nm。
6.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具，其中所述多层结构的厚度为1-20μm。
7.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具，其中所述涂层是PVD涂层。
8.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具，其中所述中间层C的厚度为层B单层厚度的
50-150％。
9.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具，其中所述中间层C的厚度为至少3nm。
10.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具，其中所述中间层C由Ti1-yZryN组成，其中y＞0。
11.根据权利要求10所述的涂层切削工具，其中0＜y＜1。
12.一种制备包括基底和在基底表面上的涂层的涂层切削工具的方法，所述方法包括：
沉积由形成序列A/B/A/B/A……的交替层A和B组成的多层结构，形成至少部分涂层的层A和层B的单层厚度是1-30nm，层A由Zr1-xAlxN组成，其中x是从0.02至0.35，层B由TiN组成，和
热处理所述涂层以在所述交替层A和B之间形成中间层C，从而形成序列A/C/B/C/A/C/B……，层C包含源自所述交替的层A和层B中的每个的一种或多种金属元素。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述涂层在至少1100℃热处理以形成所述中间层C。