1.金纳米晶体，其包含：
基本上没有有机杂质或薄膜的表面；以及
选自{111}、{110}和{100}及其等价物的至少一个空间扩展的低指数晶面。
2.权利要求1的金纳米晶体，其中所述纳米晶体的最长尺度小于20nm。
3.权利要求2的金纳米晶体，其中所述纳米晶体包含四面体和十面体至少之一的成形晶体。
4.权利要求1的金纳米晶体，其中所述纳米晶体通过包含水中电化学的方法制造。
5.权利要求2的金纳米晶体，其中所述纳米晶体被悬浮在水中。
6.权利要求3的金纳米晶体，其中多个成形晶体被悬浮在水中。
7.权利要求6的金纳米晶体，其中所述成形晶体在所述水中的百分率为5-35％，由此形成悬液。
8.权利要求6的悬液，其中所述成形晶体在所述水中的百分率为5-35％。
9.权利要求8的悬液，其中存在包含四面体和十面体的两种成形晶体。
10.权利要求8的悬液，其中存在包含四面体和十面体的两种成形晶体。
11.权利要求10的悬液，其中包含四面体和十面体的两种成形晶体以15％-50％的范围存在。
12.权利要求11的悬液，其中所述成形晶体具有小于20nm的平均晶体尺寸。
13.金纳米晶体在水中的悬液，其包含：
模式粒度不超过20nm的晶体；
四面体成形晶体和十面体成形晶体，其相对于在所述水中的其他纳米粒子的数量以
16-66％的组合量存在；以及
具有基本上没有有机杂质或薄膜的表面的晶体。
14.权利要求13的悬液，其中所述表面基本上完全没有有机杂质或薄膜。
15.权利要求13的悬液，其中所述表面完全没有有机杂质或薄膜。
16.权利要求15的悬液，其中所述晶体以至少30％的量存在。
17.权利要求15的悬液，其中所述晶体以至少40％的量存在。
18.权利要求15的悬液，其中所述晶体以每毫升至少5毫克的量存在。
19.权利要求13的悬液，其中所述晶体以每毫升约2-100毫克的量存在。
20.权利要求13的组合物，其包含利用所述组合物治疗关节炎。
21.权利要求13的组合物，其包含利用所述组合物治疗多发性硬化症。
22.权利要求13的组合物，其包含利用所述组合物治疗选自炎性病症、慢性炎性病症、自身免疫病症、超敏性反应和癌性疾病或病症的至少一种适应症。
23.权利要求13的组合物，其包含利用所述组合物治疗显示出MIF的任何疾病。
24.在水中生长金纳米晶体的方法，所述方法包含：
向所述水加入至少一种加工增强剂；
将至少一组金电极与所述水相接触；
向所述至少一组金电极施加AC电压，以允许金纳米晶体生长成选自四面体和十面体中至少一种形状的形状。
25.权利要求24的方法，其中所述金纳米晶体具有不超过20nm的模式粒度。
26.权利要求24的方法，其中所述AC电压包含20-2000伏特的电压。
27.权利要求24的方法，其中所述AC电压包含100-300伏特的电压。
28.权利要求24的方法，其中所述水被包含在槽式构件中。
29.权利要求28的方法，其中当施加所述AC电压时所述水连续流过所述槽式构件。
30.权利要求29的方法，其中连续流过所述槽式构件的所述水流出所述槽式构件时具有至少8的pH。
31.权利要求24的方法，其中不向所述水中添加有机化合物。