一种铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的制备方法 |
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申请号 | CN201510296735.8 | 申请日 | 2015-06-02 | 公开(公告)号 | CN104878232A | 公开(公告)日 | 2015-09-02 |
申请人 | 中北大学; | 发明人 | 赵宇宏; 张峰浩; 侯华; 田晋忠; 杨玲; 靳玉春; | ||||
摘要 | 本 发明 涉及一种 铝 铜 铁 准晶与 碳 化 硅 混合增强型铝基 复合材料 的制备方法,是针对铝基材料硬度低、 抗拉强度 低的情况,以铝 合金 为基体,铝铜铁准晶与碳化硅为增强剂,经中频感应熔炼炉熔炼、氩气底吹保护、浇铸、 真空 热处理 ,制成铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料,此制备方法工艺先进,工序严密,数据精确翔实,制备的铝铜铁准晶与碳化硅增强型铝基复合材料硬度达80.3HB,提高50.64%,抗拉强度达到285Mpa,提高60.42%,耐 腐蚀 性提高40%,是十分理想的铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的制备方法。 | ||||||
权利要求 | 1.一种铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的制备方法,其特征在于:使用的化学物质材料为:铝合金、铝铜铁准晶、碳化硅、氧化锌、水玻璃、铝箔、石墨、丙酮、去离子 |
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说明书全文 | 一种铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的制备方法 技术领域[0001] 本发明涉及一种铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的制备方法,属有色金属材料制备及应用的技术领域。 背景技术[0002] 铝合金是有色金属合金,具有较好的强度、韧性、导电导热性能,常用作结构材料,在航空航天、电子工业、汽车制造领域得到了较广泛的应用;但铝合金硬度较低、抗拉强度低、耐腐蚀性差,使其在工业上应用受到了较大的局限。 [0003] 准晶材料具有脆性、金相组织疏松的缺陷,很难用作结构材料,但准晶具有高硬度、不粘性、低膨胀系数、耐磨、耐热、耐腐蚀、低摩擦系数的综合性能,可做复合材料的增强相,使复合材料的力学性能得到提高。 [0005] 目前,用铝铜铁准晶与碳化硅混合做增强相制备铝基复合材料还处于研究阶段,其工艺技术还有待提高。 发明内容[0006] 发明目的 [0007] 本发明的目的是针对背景技术的情况,以铝合金为基体,铝铜铁准晶与碳化硅为增强剂,经在真空熔炼炉熔炼、铸造和热处理,制成铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料,以提高铝基复合材料的力学性能,扩展应用范围。 [0008] 技术方案 [0011] 制备方法如下: [0012] (1)制备浇铸模具 [0013] 浇铸模具为圆筒形,用石墨材料制作,模具型腔尺寸为Φ100mm×200mm,型腔表面粗糙度为Ra0.08-0.16μm; [0014] (2)配制涂覆剂 [0015] 称取氧化锌100g±1g、水玻璃25g±1g,量取去离子水600mL±5mL,加入混浆机中进行搅拌,搅拌转数50r/min,搅拌时间100min; [0016] 搅拌后成乳白色悬浮状液体,即涂覆剂; [0017] (3)预处理铝铜铁准晶与碳化硅 [0018] ①球磨,称取铝铜铁准晶50g±1g、碳化硅50g±1g,置于球磨机的球磨罐内混合,进行球磨,球磨时间5h,球磨后成混合细粉; [0021] ③抽滤,将混合液置于抽滤瓶的布式漏斗中,用微孔滤膜进行抽滤,留存滤饼,弃去清洗液; [0023] (4)预处理铝合金 [0024] ①将铝合金块体用机械切制成小块,小块尺寸≤50mm×50mm×50mm; [0025] ②用铝箔包覆切割后的铝合金块; [0026] ③预热,将包覆的铝合金块置于加热炉内预热,预热温度200℃,预热时间60min; [0027] (5)熔炼铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料 [0028] 准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的熔炼是在中频感应熔炼炉内进行的,是在中频感应加热、抽真空、氩气底吹、浇铸成型过程中完成的; [0029] ①预处理圆筒形石墨模具 [0030] 用丙酮清洗圆筒形石墨模具型腔,使之洁净; [0031] 用配置的涂覆剂均匀涂覆圆筒形石墨模具型腔表面,涂覆层厚度1mm; [0032] 将圆筒形石墨模具置于干燥箱中预热,预热温度200℃; [0033] ②打开中频感应熔炼炉,清理石墨熔炼坩埚内部,并用丙酮清洗,使坩埚内部洁净; [0034] ③将包覆铝箔的铝合金块3800g±1g置于坩埚底部,将铝铜铁准晶50g±1g、碳化硅50g±1g置于铝合金块上部; [0035] ④关闭中频感应熔炼炉,并密闭; [0037] 开启中频感应熔炼炉加热器,开始加热,加热温度600℃±5℃; [0038] ⑤在石墨坩埚底部通入氩气底吹管,向坩埚内输入氩气,氩气底吹速度1000C3/min,使炉内压强保持在0.045Mpa,并由出气管阀调控; [0039] 继续加热熔炼,熔炼温度720℃±5℃,在此温度恒温保温20min; [0040] ⑥浇铸 [0041] 关闭氩气底吹管,除去坩埚内熔液表面熔渣; [0042] 对准预热的筒形模具浇口,进行浇铸,铸满为止; [0043] ⑦冷却,将浇铸了合金熔液的模具在空气中冷却至25℃; [0044] ⑧冷却后开模,即为铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料; [0045] (6)铸件热处理 [0046] 将铸件放入真空热处理炉内进行热处理,热处理温度535℃±5℃,真空度8Pa,恒温保温8h固熔; [0047] (7)热处理后,将铸件快速放入中温冷却水槽内,进行65℃水淬火,淬火时间45s; [0048] (8)淬火后将铸件放入热处理炉内进行时效处理,处理温度180℃±5℃,保温时间6h; [0049] (9)清洗,将铸件面用丙酮清洗,使各面洁净; [0050] (10)检测、分析、表征 [0051] 对制备的铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的色泽、金相组织、力学性能进行检测、分析、表征; [0052] 用X射线衍射仪进行XRD分析; [0053] 用微机控制电子万能试验机进行抗拉强度分析; [0054] 用布氏硬度计进行硬度分析; [0055] 结论:铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料为块体,硬度达80.3HB,提高50.64%;抗拉强度达285Mpa,提高60.42%,耐腐蚀性提高40%。 [0056] 有益效果 [0057] 本发明与背景技术相比具有明显的先进性,是针对铝基材料硬度低、抗拉强度低的情况,以铝合金为基体、铝铜铁准晶与碳化硅为增强剂,经在中频感应熔炼炉熔炼,氩气底吹保护、浇铸、真空热处理,制成铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料,此制备方法工艺先进,工序严密,数据精确翔实,制备的铝铜铁准晶与碳化硅增强型铝基复合材料硬度达80.3HB,提高50.64%;抗拉强度达285Mpa,提高60.42%,耐腐蚀性提高40%,是十分理想的铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的制备方法。附图说明 [0058] 图1,铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料熔炼状态图; [0059] 图2,铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料衍射强度图谱; [0060] 图3,铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的金相显微组织图; [0061] 图中所示,附图标记清单如下: [0062] 1、中频感应熔炼炉,2、炉座,3、炉腔,4、出气管,5、出气阀,6、工作台,7、石墨熔炼坩埚,8、中频感应加热器,9、铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料熔液,10、氩气,11、底吹电机,12、底吹管,13、真空泵,14、真空管,15、氩气瓶,16、氩气管,17、氩气阀,18、电控箱,19、显示屏,20、指示灯,21、电源开关,22、中频感应加热调控器,23、底吹电机调控器, 24、真空泵调控器,25、第一电缆,26、第二电缆。 具体实施方式[0063] 以下结合附图对本发明做进一步说明: [0064] 图1所示,为铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料熔炼状态图,各部位置要正确,按量配比,按序操作。 [0065] 制备使用的化学物质材料的量值是按预先设置的范围确定的,以克、毫升、厘米3为计量单位。 [0066] 铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的熔炼是在中频感应熔炼炉内进行的,是在中频感应加热、抽真空、氩气底吹、浇铸成型过程中完成的; [0067] 中频感应熔炼炉为立式,中频感应熔炼炉1的底部为炉座2,内部为炉腔3,在炉腔3内底部设有工作台6,在工作台6上置放石墨熔炼坩埚7,石墨熔炼坩埚7外部由中频感应加热器8环绕,石墨熔炼坩埚7内为铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料熔液9; 在中频感应炉1的右上部设有出气管4,并由出气阀5控制;在中频感应熔炼炉1的左部设有氩气瓶15,氩气瓶15上设有氩气管16、氩气阀17,氩气管16连接底吹电机11,底吹电机 11连接底吹管12,底吹管12穿过炉座2、工作台6通入石墨熔炼坩埚7内,并对铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料熔液9进行熔炼底吹;在炉座2的右下部设有真空泵 13,并通过真空管14连通炉腔3;在中频感应熔炼炉1的右部设有电控箱18,在电控箱18上设有显示屏19、指示灯20、电源开关21、中频加热调控器22、底吹电机调控器23、真空泵调控器24;电控箱18通过第一电缆25连接中频感应加热器8;电控箱18通过第二电缆26连接底吹电机11、真空泵13;炉腔3内由氩气10充填;炉腔3内的压强由出气管4、出气阀 5调控。 [0068] 图2所示,铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料衍射强度图谱,图中所示,主峰为a-Al基体,次峰分别为SiC和铝铜铁准晶I相。 [0069] 图3所示,铝铜铁准晶与碳化硅混合增强型铝基复合材料的金相显微组织图,图中所示,加入铝铜铁准晶与碳化硅粉末之后,铝铜铁准晶与碳化硅粉末与基体a-Al晶界结合较紧密,无明显聚集现象,气孔缺陷少。 |