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1.一种产生非电离 He原子的方法，所述方法包含：
使石墨烯材料与氘源接触；和
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将所述石墨烯材料放置在所述氘源中持续足以产生多个非电离 He原子的时间。
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2.根据权利要求1所述的方法，其中在0℃下所产生 He的量是每微克所述石墨烯材
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料每小时至少10个非电离 He原子。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯材料包含单层石墨、多层石墨、单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、巴克球、碳洋葱、碳纳米角和其组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氘源呈液相、气相、等离子相或超临界相。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述接触步骤之前通过加热所述石墨烯材料而从所述石墨烯材料的表面去除污染，其中所述加热是在足以从所述石墨烯材料的表面去除不需要的材料的条件下执行。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述不需要的材料包含H2O、OH、H2、原子氢(氕)、聚合物、油、无定形碳、O2、溶剂、酸、碱和其组合。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述条件包含长达18小时的时间和高达400℃的温度。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述条件包含1到8小时范围内的时间和80到
250℃范围内的温度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯材料包含碳纳米管，并且所述方法进一步包含在老化之前在足以促进将所述氘吸收到所述碳纳米管之中或之上的温度和时间下加热所述碳纳米管。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述足以促进吸收的温度和时间分别在30℃到
300℃和30分钟到8小时的范围内。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述老化是在室温或低于室温下执行。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述老化是在20℃到-100℃范围内的温度下执行。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯材料包含用氮官能化和/或掺杂的碳纳米管。
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14.根据权利要求1所述的方法，其中所述非电离 He原子的能量小于1KeV。
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15.根据权利要求14所述的方法，其中所述非电离 He原子的能量小于100eV。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯材料放置在所述氘源中持续30分钟到48小时范围内的时间。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述石墨烯材料放置在所述氘源中持续1到18小时范围内的时间。
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18.一种产生非电离辐射、非电离 He原子或两者的方法，所述方法包含：
提供石墨烯材料于可密封容器中；
抽空所述可密封容器到低于大气压的压力；
添加氘气到所述容器中以实现超过大气压的压力；
执行至少一个加热步骤，使所述容器内部的压力进一步增加；
冷却所述容器；和
将所述容器中的所述石墨烯材料放置在室温或低于室温下持续足以产生非电离辐射、
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非电离 He原子或两者的时间。
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19.根据权利要求18所述的方法，其中在0℃下所产生 He的量是每微克所述石墨烯
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材料每小时至少10个 He原子。
20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包含在添加氘气之前加热所述石墨烯材料。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述加热是在密封腔室中和一定温度下执行以烘烤出不需要的材料，所述方法进一步包含抽空所述密封容器以从所述密封容器中去除所述不需要的材料。
22.根据权利要求18所述的方法，其中所述至少一个加热步骤是在50℃到500℃范围内的温度下执行20分钟到6小时范围内的时间。
23.根据权利要求18所述的方法，其中所述老化是在20℃到-100℃范围内的温度下执行。
24.根据权利要求18所述的方法，其中所述非电离辐射包含x射线、可见光、红外光、微波、无线电波或其组合。
25.根据权利要求18所述的方法，其中所述石墨烯材料放置在所述氘源中持续1到18小时范围内的时间。
26.一种产生非电离辐射的方法，所述方法包含：
使石墨烯材料与氘源接触；和
在所述氘源中老化所述石墨烯材料持续足以产生非电离辐射的时间。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述非电离辐射包含x射线、可见光、红外光、微波、无线电波或其组合。
28.根据权利要求26所述的方法，其中所述石墨烯材料包含单层石墨、多层石墨、单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、巴克球、碳洋葱、碳纳米角和其组合。
29.根据权利要求26所述的方法，其中所述氘源呈液相、气相、等离子相或超临界相。
30.根据权利要求26所述的方法，其进一步包含在所述接触步骤之前通过加热所述石墨烯材料而从所述石墨烯材料的表面去除污染，其中所述加热是在足以从所述石墨烯材料的表面去除不需要的材料的条件下执行。
31.根据权利要求26所述的方法，其中所述石墨烯材料包含碳纳米管，并且所述方法进一步包含在老化之前在足以促进将所述氘吸收到所述碳纳米管之中或之上的温度和时间下加热所述碳纳米管。
32.根据权利要求26所述的方法，其中所述石墨烯材料包含用氮官能化和/或掺杂的碳纳米管。
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33.根据权利要求26所述的方法，其中所述非电离辐射 He原子的能量小于1KeV。
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34.根据权利要求33所述的方法，其中所述非电离 He原子的能量小于100eV。
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35.根据权利要求1、18或26中任一权利要求所述的方法，其包含产生非电离 He和选自以下的非电离辐射：电磁辐射、所述石墨烯材料内的声子或高能电子或其组合，其中所述
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非电离 He和非电离辐射的能量总计23.8MeV。
36.一种诱导局部核聚变的方法，其包含以下步骤：
使石墨烯材料与氘接触；和
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将所述石墨烯材料放置在所述氘中持续足以主要产生多个 He原子和能量的时间。
37.根据权利要求36所述的方法，其中所述石墨烯材料基本上由碳纳米管组成。
38.根据权利要求36所述的方法，其中所述石墨烯材料包括氮。
39.根据权利要求36所述的方法，其中所述氘是气体。