1.形成AlN单晶体的方法，所述方法包括步骤：
在坩埚内提供包含Al的丸粒，所述坩埚包括底塞和箔片包裹，且其中箔片包裹卷绕底塞；
在反应温度和反应压力下，使丸粒与氮气反应形成块状多晶AlN陶瓷，其中，在反应之后当所述多晶AlN陶瓷达到室温时，所述多晶AlN陶瓷具有小于1％的过量Al并且具有小于100ppm的氧浓度；
在形成所述多晶AlN陶瓷之后，并且在其间不对多晶AlN陶瓷进行升华-再凝结处理的情况下，在晶体生长腔室的第一端处和晶体生长腔室内提供所述多晶AlN陶瓷和至少一部分箔片包裹；
在形成温度下升华所述多晶AlN陶瓷，在此期间所述至少一部分箔片包裹保持与多晶AlN陶瓷接触；和
在所述晶体生长腔室的第二端处形成AlN单晶体。
2.权利要求1的方法，其中丸粒基本上由Al构成。
3.权利要求2的方法，其中反应温度为1900℃-2200℃。
4.权利要求1的方法，其中丸粒包含第一浓度的掺杂剂物质，所述第一浓度小于12重量％，所述掺杂剂物质包括Si、C、Be、Mg或O。
5.权利要求4的方法，其中所述掺杂剂物质包括Si。
6.权利要求4的方法，其中多晶AlN陶瓷包含第二浓度的掺杂剂物质，且所述第二浓度小于12重量％。
7.权利要求4的方法，其中反应温度为1600℃-2200℃，反应压力为1巴-60巴。
8.权利要求1的方法，还包括在所述坩埚内提供丸粒之前，在氢氟酸和硝酸的混合物中浸渍所述丸粒。
9.权利要求1的方法，其中基本上所有丸粒发生反应。
10.权利要求1的方法，还包括：
在坩埚内提供至少一个另外丸粒，该至少一个另外丸粒包含Al；及
在反应温度和反应压力下使所述至少一个另外丸粒与氮气反应，从而增加多晶AlN陶瓷的体积。
11.权利要求1的方法，其中形成温度为2000℃-2750℃。
12.权利要求1的方法，其中AlN单晶体的氧浓度小于400ppm。
13.权利要求12的方法，其中AlN单晶体的氧浓度小于100ppm。
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14.权利要求1的方法，其中AlN单晶体的氧浓度小于4.5×10 /cm。
15.权利要求1的方法，其中AlN单晶体的热导率大于250W/m·K。
16.权利要求1的方法，其中多晶AlN陶瓷包含掺杂剂物质，且AlN单晶体包含第三浓
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度的掺杂剂物质，所述掺杂剂物质包括Si、C、Be、Mg或O，所述第三浓度大于10 /cm。
17.权利要求16的方法，其中掺杂剂物质包括Si。
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18.权利要求1的方法，其中在室温下AlN单晶体具有大于10 Ω cm 的电导率。
19.权利要求1的方法，其中所述底塞与多晶AlN陶瓷邻近设置并在所述多晶AlN陶瓷的形成期间与之接触。
20.权利要求19的方法，其中所述箔片包裹和所述底塞两者均包含钨。
21.权利要求16的方法，还包括：
对AlN单晶体进行退火以电激活所述掺杂剂物质。
22.权利要求21的方法，其中所述掺杂剂物质包括Si。
23.权利要求21的方法，其中退火步骤降低AlN单晶体中的铝空位浓度。
24.权利要求21的方法，其中退火步骤增加AlN单晶体中的氮空位浓度。
25.权利要求21的方法，其中在退火温度及退火氮气压力下进行退火步骤，且退火氮气压力大于在第一温度下由Al形成AlN所需的氮气压力，其中退火温度大于1900℃，且退火氮气压力为0.1毫巴-5巴。
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26.权利要求21的方法，其中在退火后，在室温下AlN单晶体具有大于10 Ω cm 的电导率，
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27.权利要求26的方法，其中在退火后，在室温下AlN单晶体具有大于10 Ω cm 的电导率。