1.一种用于形成切割元件的方法，包括：
接收使用过的切割元件，其包括基底和附连于所述基底的TSP材料层，其中所述TSP材料层为多晶金刚石层，在所述多晶金刚石层的至少一部分中移除至少大部分的触媒，其中所述TSP材料层和所述基底的至少一个的一部分被磨损；
移除所述TSP材料层的一部分以及所述基底的相应部分，其包括所述磨损部分，从而形成新的切割元件，其具有新的尺寸和新的形状中的至少一个，其中所述部分的移除暴露了所述TSP材料的新的表面；并且
从所述新的表面的至少一部分移除触媒和浸渍剂中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述移除之前或之后浸出所述TSP材料层，从而从所述TSP材料层而不是所述新的表面的至少一部分移除基本上所有的触媒和浸渍剂中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括附连所述新的切割元件至钻头体。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述切割元件为插入件，该方法进一步包括使用所述插入件或使用为止推轴承上的轴承衬套。
5.一种制造切割元件的方法，包括：
从钻头移除TSP材料切割元件，所述TSP材料切割元件包括粘结于基底的TSP材料层，其中所述TSP材料层为多晶金刚石层，其中移除这样的层的至少一部分中的至少一部分触媒；
从基底分离所述TSP材料层；
从所述TSP材料层的至少一部分移除基本上所有的触媒和浸渍剂中的至少一个；并且附连所述TSP材料层至新的基底形成新的切割元件，其中在附连的过程中，至少部分地使用浸渍剂渗透所述TSP材料层从而变为渗透的TSP材料层。
6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括从所述渗透的TSP材料层的至少一部分移除基本上所有的所述浸渍剂。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括仅当所述渗透的TSP材料层被完全渗透时，从所述渗透的TSP材料层的至少一部分移除基本上所有的所述浸渍剂。
8.根据权利要求5所述的方法，其中移除包括浸出所述渗透的TSP材料层以从所述渗透的TSP材料层的所述至少一部分移除基本上所有的触媒和所述浸渍剂中的至少一个。
9.根据权利要求5所述的方法，其中附连之前从所述整个TSP材料层移除至少基本上所有的触媒。
10.根据权利要求5所述的方法，其中浸渍剂为金属或金属合金浸渍剂。
11.根据权利要求5所述的方法，其中附连包括使用所述浸渍剂使所述TSP材料层部分和所述新的基底经历HTHP粘结法。
12.根据权利要求5所述的方法，进一步包括切割所述TSP材料层，留下切割的TSP材料层部分，并且其中附连包括附连所述切割的TSP材料层部分。
13.根据权利要求5所述的方法，其中所述新的基底邻接于所述TSP材料层的一侧放置，并且其中另一基底邻接于所述TSP材料层的相对侧放置，由此所述TSP材料层夹在所述新的基底和所述另一基底之间，并且其中TSP材料层和两个基底经历HTHP粘合过程。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述另一基底为包括碳化钨的绿色粉末。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述新的基底和所述粉末一起完全地封装所述TSP材料层。
16.根据权利要求5所述的方法，其中所述附连选自本质上由铜焊和微波烧结构成的附连方法。
17.根据权利要求5所述的方法，进一步包括使用浸渍剂渗透所述TSP材料层的至少一部分，该浸渍剂的热膨胀系数类似于金刚石的热膨胀系数。
18.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：
移除之前，在第一基底上HTHP烧结金刚石材料，形成包括触媒的多晶金刚石超硬材料层，其粘结在第一基底上形成所述切割元件；
从所述第一基底分离所述多晶金刚石超硬材料层；
从所述多晶金刚石超硬材料层的至少一部分移除至少大部分触媒，形成所述TSP材料层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中从所述第一基底分离所述多晶金刚石层之前，移除至少大部分的触媒。
20.根据权利要求5所述的方法，进一步包括切割所述TSP材料层，留下切割的TSP材料层部分。
21.一种形成钻头体的方法，包括：
接收使用过的TSP材料层，所述TSP材料层已用于切割物体；
切割所述使用过的TSP材料层成为多个TSP材料层部件；
提供模具；
提供基体粉末；
混合所述基体粉末与至少一个所述TSP材料层部件；
在所述模具中放置所述混合的粉末和所述至少一个所述TSP材料层部件；
在所述模具中提供粘结材料；以及
加热所述模具以使用所述粘结剂渗透所述混合的粉末和所述TSP材料部件以形成钻头体，其包括所述至少一个所述TSP材料层部件的部分。
22.根据权利要求21所述的方法，进一步包括浸出所述TSP材料层以移除一部分触媒和一部分浸渍剂中的至少一个。
23.根据权利要求21所述的方法，其中从所述TSP材料层部件移除至少大部分的触媒。
24.根据权利要求21所述的方法，其中所述切割包括从所述TSP材料层移除磨损部分。
25.根据权利要求21所述的方法，其中接收包括接收使用过的切割元件，其包括粘结于所述使用过的TSP材料层的基底，并且其中该方法进一步包括从所述TSP材料层移除所述基底。
26.根据权利要求25所述的方法，进一步包括从钻头体移除所述使用过的切割元件。
27.根据权利要求25所述的方法，其中接收包括接收使用过的钻头体，其具有附连于所述钻头体的所述TSP材料层，并且其中该方法进一步包括从所述钻头体分离所述TSP材料层。
28.一种用于形成切割元件的方法，包括：
接收使用过的TSP材料层，所述TSP材料层已用于切割物体，所述TSP材料层为多晶金刚石层，所述层的至少一部分中至少大部分触媒已被移除；
在基底上附连所述TSP材料层；并且
使用浸渍剂渗透所述TSP材料层。
29.根据权利要求28所述的方法，进一步包括从所述渗透的TSP材料层的至少一部分移除至少大部分所述浸渍剂。
30.根据权利要求28所述的方法，其中所述渗透发生在附连的过程中。
31.根据权利要求28所述的方法，其中所述浸渍剂为具有类似于金刚石的热膨胀系数的热膨胀系数的材料。
32.根据权利要求28的方法，进一步包括附连之前切割所述TSP材料层。
33.一种切割元件，包括：
基底，和
附连于该基底的TSP材料切割层，其中在附连于基底之前，所述TSP材料切割层经历至少两个HTHP过程，并且其中所述TSP材料层为多晶金刚石层，这样层的至少一部分中的至少大部分触媒被移除。
34.根据权利要求33所述的切割元件，其中附连之前所述TSP材料切割层经历至少三个HTHP过程。
35.根据权利要求33所述的切割元件，其中所述TSP材料切割层包括至少基本上不含浸渍剂的第一区域和包括浸渍剂的第二区域。
36.根据权利要求35的切割元件，其中所述第二区域中的所述浸渍剂包括热膨胀系数类似于金刚石的热膨胀系数的材料。
37.根据权利要求33所述的切割元件，其中从所述整个的多晶金刚石层移除所述至少大部分的所述触媒。
38.一种钻头，包括本体和如权利要求33所述安装在所述本体上的切割元件。
39.一种钻头体，包括嵌入在所述本体内的TSP材料部件，在嵌入之前所述TSP材料经历至少两个HTHP过程，并且其中所述TSP材料为多晶金刚石材料，这样材料的至少一部分中的至少大部分触媒被移除。
40.一种钻头体，包括粘结于所述本体的TSP材料的层，在粘结至所述本体之前所述TSP材料经历至少两个HTHP过程，并且其中所述TSP材料为多晶金刚石材料，这样材料的至少一部分中的大部分触媒被移除。