| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | Matériau en feuille conducteur de l'électricité obtenu à partir de granules de matières thermoplastiques | EP95420291.7 | 1995-10-24 | EP0713354A3 | 1997-01-22 | Hinault, Robert; Gonnu, Michel |
Matériau sous forme de feuille obtenu à partir de granulés de matières thermoplastiques, PVC notamment, utilisable comme revêtements de sols ou de parois, obtenu selon la technique qui consiste à déposer sur un support continu, temporaire ou destiné à être incorporé dans le produit fini, une couche régulière de granulés que l'on calandre et auxquels on fait subir un traitement thermique associé à un calandrage suivi d'un refroidissement, ladite feuille présentant après réalisation des motifs imbriqués les uns dans les autres et obtenus par l'écrasement desdits granulés, et dans lequel :
Il se caractérise en ce que la couche interne (3) du complexe permettant l'élaboration des granulés est constituée par un film conducteur de l'électricité. |
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| 82 | Matériau en feuille conducteur de l'électricité obtenu à partir de granules de matières thermoplastiques | EP95420291.7 | 1995-10-24 | EP0713354A2 | 1996-05-22 | Hinault, Robert; Gonnu, Michel |
Matériau sous forme de feuille obtenu à partir de granulés de matières thermoplastiques, PVC notamment, utilisable comme revêtements de sols ou de parois, obtenu selon la technique qui consiste à déposer sur un support continu, temporaire ou destiné à être incorporé dans le produit fini, une couche régulière de granulés que l'on calandre et auxquels on fait subir un traitement thermique associé à un calandrage suivi d'un refroidissement, ladite feuille présentant après réalisation des motifs imbriqués les uns dans les autres et obtenus par l'écrasement desdits granulés, et dans lequel :
Il se caractérise en ce que la couche interne (3) du complexe permettant l'élaboration des granulés est constituée par un film conducteur de l'électricité. |
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| 83 | 지지체 분리 방법 | KR1020150063000 | 2015-05-06 | KR101811920B1 | 2017-12-22 | 이와타야스마사; 이나오요시히로; 나카무라아키히코; 다카세신지; 요시오카다카히로 |
| (과제) 기판과지지체를분리시킬때에기판이파손되는것을방지한다. (해결수단) 기판 (1) 과서포트플레이트 (2) 가접착층 (3) 을개재하여적층되어이루어지는적층체 (10) 에있어서, 기판 (1) 에있어서의서포트플레이트 (2) 에대향하는측의면에있어서의주연부분의적어도일부, 또는서포트플레이트 (2) 에있어서의기판 (1) 에대향하는측의면에있어서의주연부분의적어도일부에형성된분리층 (4) 의적어도일부의접착력을저하시키는예비처리공정과, 예비처리공정후, 기판 (1) 및서포트플레이트 (2) 중일부를고정시키고, 타방에힘을가함으로써기판 (1) 으로부터서포트플레이트 (2) 를분리시키는분리공정을포함한다. | ||||||
| 84 | 수지 조성물 및 판형 피가공물의 고정 방법 | KR1020170017398 | 2017-02-08 | KR1020170095134A | 2017-08-22 | 하라다세이지; 시모타니마코토 |
| 본발명은판형피가공물을고정할때에내부에발생하는응력을낮게억제하고, 또한생산성을높게유지가능한수지조성물, 및수지조성물을이용하는판형피가공물의고정방법을제공하는것을목적으로한다. 본실시형태에따른수지조성물(15)은, 판형피가공물(11)을고정하는수지조성물이며, (메트)아크릴레이트와, 가소제또는반응성희석제로이루어지는조성물에광중합개시제를포함시켜구성하였다. 제1 양태에따른수지조성물에서는, 조성물은, 우레탄결합을갖는 (메트)아크릴레이트를 30 질량% 이상 45 질량% 이하, 우레탄결합을갖지않는 (메트)아크릴레이트를 5 질량% 이상 15 질량% 이하, 에스테르인가소제를 40 질량% 이상 65 질량% 이하포함하여구성된다. | ||||||
| 85 | 접합 장치 및 접합 기판의 제조 방법 | KR1020157027741 | 2014-03-20 | KR101718649B1 | 2017-03-21 | 하야시고노스케; 마츠시마다이스케 |
| 본발명의실시형태에의하면, 제1 기판과제2 기판을접합하는접합장치로서, 제2 기판을유지하는기판유지부와, 상승동작을행함으로써상기제2 기판의이면을가압하는압자와, 상기제2 기판과미리정해진간격을두고대향하도록유지가능한제1 기판의둘레가장자리부를지지하는지지클로를갖는기판지지부를구비하고, 상기압자는, 상기제1 기판의접합면과상기제2 기판의접합면의거리가, 상기제1 기판의접합면의둘레단부로부터상기제2 기판의접합면까지의거리보다작은위치에대응하는상기제2 기판의미리정해진한 점을가압하는것을특징으로하는접합장치가제공된다. | ||||||
| 86 | 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | KR1020147022686 | 2013-06-05 | KR101630249B1 | 2016-06-14 | 타니다이스케; 타카하시코이치 |
| 제1 관통전극이설치되는제1층의반도체칩(20) 위에제1 관통전극에대응하는위치에제2 관통전극이설치되는제2층의반도체칩(30)을적층본딩하는플립칩본딩장치(500)에있어서, 반도체칩(20), (30)의화상을촬상하는 2시야카메라(16)와, 제어부(50)를구비하고, 제어부(50)는적층본딩하기전에 2시야카메라(16)에의해촬상한제1층의반도체칩(20)의표면의제1 관통전극의화상과, 적층본딩한후에 2시야카메라(16)에의해촬상한제2층의반도체칩(30)의표면의제2 관통전극의화상에기초하여적층본딩된각 층의반도체칩(20), (30)의상대위치를검출하는상대위치검출프로그램(53)을구비한다. 이것에의해간편한방법으로관통전극을정밀도좋게접속한다. | ||||||
| 87 | 두 개의 기판들의 조립 방법 | KR1020150165535 | 2015-11-25 | KR1020160064011A | 2016-06-07 | 랑드뤼디디에; 델라쥬카푸치네; 푸르넬프랑크; 베슈엘로디 |
| 본발명은분자접착에의한두 개의기판들(1, 2)의조립방법에관한것으로, - 조립체계면(4)을구비하는조립체(3)를형성하기위하여제1 및제2 기판(1, 2)을근접접촉시키는제1 단계 (a); - 상기조립체계면을따라물이더 이상확산되지않는임계접착값 이상으로상기조립체(3)의접착정도를강화시키는제2 단계 (b)를포함한다. 본발명에따르면, 상기방법은, -10℃아래의이슬점을갖는처리분위기내에서ㅇ,; 상기제1 및제2 기판들(1, 2)의무수(anhydrous) 처리단계 (c); 및상기조립체계면에서접합결함들의출현을제한하거나방지하도록상기무수처리단계 (c)로부터상기제2 단계 (b)의마지막까지상기제1 및제2 기판들(1, 2)이노출되는작업분위기의이슬점을조절하는단계를포함한다. | ||||||
| 88 | 접합 장치 및 접합 기판의 제조 방법 | KR1020157027741 | 2014-03-20 | KR1020150130377A | 2015-11-23 | 하야시고노스케; 마츠시마다이스케 |
| 본발명의실시형태에의하면, 제1 기판과제2 기판을접합하는접합장치로서, 제2 기판을유지하는기판유지부와, 상승동작을행함으로써상기제2 기판의이면을가압하는압자와, 상기제2 기판과미리정해진간격을두고대향하도록유지가능한제1 기판의둘레가장자리부를지지하는지지클로를갖는기판지지부를구비하고, 상기압자는, 상기제1 기판의접합면과상기제2 기판의접합면의거리가, 상기제1 기판의접합면의둘레단부로부터상기제2 기판의접합면까지의거리보다작은위치에대응하는상기제2 기판의미리정해진한 점을가압하는것을특징으로하는접합장치가제공된다. | ||||||
| 89 | 적층체, 적층체의 제조 방법, 전극, ＥＬ 소자, 면 발광체 및 태양 전지 | KR1020147032779 | 2013-07-22 | KR1020150037743A | 2015-04-08 | 무꾸노끼,가즈노리; 사에끼,유미꼬; 하또리,도시아끼; 고나미,유끼찌; 후루까와,고지 |
| 이적층체는기재와, 기재상의언더코트층과, 언더코트층상의무기막을포함한다. 상기무기막의재료는도전성의금속산화물및 금속질화물중 적어도 1종의재료이다. 상기무기막의표면을원자간력현미경으로촬영한화상을푸리에변환하여얻어지는화상에있어서, 상기푸리에변환하여얻어지는화상에있어서의중심으로부터 0시방향으로의방위각을 0°로하고, 0°부터 10° 간격으로방사상으로휘도값을플롯하여얻어진 36개의휘도값의근사곡선중 18개이상의근사곡선에극대값이관측된다. | ||||||
| 90 | 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | KR1020147022686 | 2013-06-05 | KR1020140117543A | 2014-10-07 | 타니다이스케; 타카하시코이치 |
| 제1 관통 전극이 설치되는 제1층의 반도체 칩(20) 위에 제1 관통 전극에 대응하는 위치에 제2 관통 전극이 설치되는 제2층의 반도체 칩(30)을 적층 본딩하는 플립칩 본딩 장치(500)에 있어서, 반도체 칩(20), (30)의 화상을 촬상하는 2시야 카메라(16)와, 제어부(50)를 구비하고, 제어부(50)는 적층 본딩하기 전에 2시야 카메라(16)에 의해 촬상한 제1층의 반도체 칩(20)의 표면의 제1 관통 전극의 화상과, 적층 본딩한 후에 2시야 카메라(16)에 의해 촬상한 제2층의 반도체 칩(30)의 표면의 제2 관통 전극의 화상에 기초하여 적층 본딩된 각 층의 반도체 칩(20), (30)의 상대 위치를 검출하는 상대 위치 검출 프로그램(53)을 구비한다. 이것에 의해 간편한 방법으로 관통 전극을 정밀도 좋게 접속한다.
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| 91 | 양자 도트 필름들, 조명 디바이스들, 및 조명 방법들 | KR1020137014777 | 2011-11-02 | KR1020130120486A | 2013-11-04 | 듀브로우로버트에스; 프리만윌리엄피; 리어니스트; 후루타폴 |
| 광-방출 양자 도트 필름들, 양자 도트 조명 디바이스들, 및 양자 도트-기반의 백라이트 유닛들이 제공된다. 관련되는 조성들, 구성요소들, 및 방법들이 또한 설명된다. 향상된 양자 도트 캡슐화 및 매트릭스 재료들이 제공된다. 보호 배리어들을 갖는 양자 도트 필름들이 설명된다. 고-효율, 높은 휘도, 및 높은-색순도 양자 도트-기반의 조명 디바이스들 그리고, 양자 도트-기반의 조명 디바이스들에서 효율 및 광학적 특성들을 향상시키는 방법들이 또한 포함된다.
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