子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 161 | Polishing device | JP6591582 | 1982-04-19 | JPS58181561A | 1983-10-24 | ENOKI YOSHIO; AOYAMA TAKAO |
| PURPOSE:To make a finished surface satisfactory by supporting a rotating magnetic disc against the pressure of a polishing tape with the use of a rotary supporting section including an air bearing so that the pressure applied to the surface to be polishied is made uniform. CONSTITUTION:A magnetic disc 1 which is secured to a rotary shaft part 2 by means of a fixture 3, is polished by a polishing tape 4 that is pressed by a pad roller 8. There is provided a rotary part 9 rotatable around a stationary part 10 on the surface of the side remote from the pad roller 8. This rotary part 9 is in the shape of truncated cone, and is satisfactorily lubricated by air jetted through a perforated porous section 11, so that the rotary part 9 is made into contact with the back surface of the magnetic disc 1 while being rotated. | ||||||
| 162 | JPS582793B2 - | JP9205274 | 1974-08-13 | JPS582793B2 | 1983-01-18 | DONARUDO SHII ERUMU |
| 163 | Method of and apparatus for processing surface of magnetic record carrier | JP1503982 | 1982-02-03 | JPS57150139A | 1982-09-16 | MANFUREETO GEERUNGU; KURAUSU SHIETORE; HERUMUUTO KURAISURAA; PEETAA RUDORUFU; YOOAHIMU HATSUKU; FURIIDORIHI ANSURINGAA |
| 164 | JPS5143914B2 - | JP13013172 | 1972-12-27 | JPS5143914B2 | 1976-11-25 | |
| 165 | Power store grinding machine | JP5586075 | 1975-05-10 | JPS51130989A | 1976-11-13 | HARA KAZUMASA |
| PURPOSE:To grinde a stone material automatically. | ||||||
| 166 | Polishing method and device | JP2010094732 | 2010-04-16 | JP2011224680A | 2011-11-10 | NAKANISHI MASAYUKI; ITO KENYA; SEKI MASAYA; IWADE KENJI; KUBOTA TAKEO |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a good polishing profile that a semiconductor layer never removes from a silicon substrate even when, for example, the whole outer circumference of the semiconductor layer is polished and removed, and further an edge of the silicon substrate is polished and removed to a predetermined depth to manufacture a laminated wafer such as an SOI (silicon on insulator) substrate.SOLUTION: A polishing head 2 is positioned at an immediately upper position of a polishing start position on the edge of the rotating substrate W. The polishing head 2 is moved down, causing a polishing tool 10 of the polishing head 2 to contact with the polishing start position on the edge of the rotating substrate under a predetermined pressure. After a lapse of a predetermined time, the polishing head 2 is moved toward an outer circumference end of the substrate, while the polishing tool 10 keeps contact with the edge of the rotating substrate under the predetermined pressure. | ||||||
| 167 | Polishing method and apparatus of a semiconductor wafer | JP32239498 | 1998-11-12 | JP4334642B2 | 2009-09-30 | パント アニール; シー クルーゼル ウィルバー; ティー フェアリ ジュニア エドワード; エイチ エングダール エリック; ジャイラス ラフール; エル グリーン ランダール |
| 168 | Method for reforming exposed surface of semiconductor wafer | JP2008284507 | 2008-11-05 | JP2009076927A | 2009-04-09 | BRUXVOORT WESLEY J; CULLER SCOTT R; HO KWOK-LUN; KAISAKI DAVID A; KESSEL CARL R; KLUN THOMAS P; KRANZ HEATHER K; MESSNER ROBERT P; WEBB RICHARD J; WILLIAMS JULIA P |
| <P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reform the surface of a semiconductor wafer to obtain a "flatter" and/or "evener" and/or "not rougher" surface than a surface wafer before treatment is performed. <P>SOLUTION: The method for reforming an exposed surface of the semiconductor wafer 34 including (a) a step that allows the surface 36 to contact a fixed polished article 39 having a three-dimentionally processed polished surface where a number of polished particles and a binder are contained in a predetermined patternized shape and (b) a step that reforms the surface of the wafer by relatively moving the wafer and the fixed polished article in the presence of a liquid medium 43. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT | ||||||
| 169 | Band, or, for the plate-shaped metal workpiece, polishing, or, deburring machinery processing equipment | JP2008530322 | 2006-09-11 | JP2009507664A | 2009-02-26 | ヨーゼフ ヴァイラント |
| 本発明は、帯状、または、板状の金属ワークピースを機械加工するための装置、具体的には、ワークピースの切断端のバリ取り、及び／または、ワークピースの表面の研磨のための装置に関する。 この装置は、回転駆動装置を有する、少なくとも１つの機械加工ユニットを備える。 回転駆動装置は、機械加工されるワークピースが配置される領域を、ワークピースが進行する方向に対して、斜めに、または、直交して、少なくともほぼ直線的に通過するように機械加工要素を搬送する。 本発明によれば、機械加工要素は、機械加工されるワークピース（１）が配置される領域において、回転駆動装置（３）が、研磨ベルト（４）を駆動するように、回転駆動装置（３）に機能的に接続された研磨ベルト（４）である。 研磨ベルト（４）と、回転駆動装置（３）とは、少なくともワークピース（１）から離れた領域（１０）にて、互いに分離される。 | ||||||
| 170 | Method of manufacturing disk substrate for magnetic recording medium, disk substrate for magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic recording device | JP2006350557 | 2006-12-26 | JP2008165842A | 2008-07-17 | SAKAGUCHI SHOJI; NAKAMURA HIROYUKI; MATSUO HIDEKI |
| <P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a disk substrate for a magnetic recording medium to obtain a magnetic disk having adequate surface roughness, having high in-plane magnetic anisotropy and a high S/N ratio. <P>SOLUTION: In the method of manufacturing the disk substrate for the magnetic recording medium having a texturing step, the texturing step supplys a slurry containing an abrasive containing cluster diamond to the surface of the substrate while the disk substrate for the magnetic recording medium is rotated in the circumferential direction and while a surface in contact with the substrate of a polishing tape including fibers made of polyester having 400 to 950 nm fiber diameter is pressed to the rotated magnetic substrate by a pressurizing means. The manufacturing method of the magnetic recording medium is characterized in that at least a magnetic layer is formed on the disk substrate for the magnetic recording medium manufactured by the manufacturing method of the disk substrate for the magnetic recording medium. The magnetic recording medium is manufactured by the method of manufacturing the magnetic recording medium. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT | ||||||
| 171 | Surface polishing | JP2007035270 | 2007-02-15 | JP2007227915A | 2007-09-06 | BONNER BENJAMIN A; MCREYNOLDS PETER; GREGORY E MENK; PRABHU GOPALAKRISHNA B; ANAND N IYER; LEUNG GARLEN C; ZUNIGA STEVEN M; RONDUM ERIK S; AU HENRY H |
| <P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an efficient CMP step providing not only a fast polishing rate but also a finish processed flat substrate surface. <P>SOLUTION: The polishing device comprises a rotational platen 30. In addition, it further comprises a sub pad on the platen for supporting a polishing sheet 34. A groove is formed in the sub pad. The polishing device further comprises a vacuum source. The vacuum source is connected with the groove of the sub pad. In addition, the vacuum source is constituted such that vacuum sufficient for drawing each portion of the polishing sheet into the groove of the sub pad is added such that a groove is produced in a polished surface. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT | ||||||
| 172 | Chemical mechanical polishing using a mobile polishing sheet | JP2000028260 | 2000-02-04 | JP3825220B2 | 2006-09-27 | ソメクー サッソン; エム． ホワイト ジョン; ビラング マヌーチャー; ローゼンバーグ ローレンス |
| 173 | Apparatus and method for processing a workpiece | JP2005501804 | 2003-10-16 | JP2006504541A | 2006-02-09 | ヴァイラント，ヨゼフ |
| ストリップ状またはプレート状の金属加工物を加工する、特に、加工物のカット面および／またはカット縁から酸化層を除去する装置であって、少なくとも１つのブラシが設けられている少なくとも１つの回転コンベヤデバイスを備える装置。 コンベヤデバイスは、加工される加工物の領域にわたって少なくとも１つのブラシをほぼ直線状に搬送する。 | ||||||
| 174 | Partially carrier head is a membrane | JP2004517788 | 2003-06-24 | JP2005531930A | 2005-10-20 | ピーター レンテルン， |
| 中心位置に開口部（４０６）を有する金属プレート（４０２）を備えるキャリアヘッド。 この金属プレートは、ウエハ面および非ウエハ面を有し、このウエハ面は、ＣＭＰ操作の間、ウエハ（５０２）の裏面に面する。 このプレートの非ウエハ面の上方であって、このプレートの開口部の上方に、ブラダー（４０８）または膜（７０２）が配置される。 膨張圧力が、このブラダーまたは膜に付与され、この膨張圧力は、研磨圧力に実質的に等しい。 ウエハの移送を容易にするために、減圧が開口部に適用されて、ウエハをキャリアヘッド（４００）に接着し得る。 ウエハを解放するために、このブラダーまたは膜は、開口部を通って突出するように膨張され得る。 | ||||||
| 175 | Method and apparatus for conditioning and temperature control of the processing surface | JP2003558910 | 2002-12-26 | JP2005514789A | 2005-05-19 | ニー・エミル・エー． |
| 【課題】 処理表面の調整および温度制御のための方法ならびに装置【解決手段】 処理表面の温度制御および処理表面の調整のための方法ならびに装置が提供される。 一例では、ＣＭＰシステム（１４０）における温度制御器が説明される。 このＣＭＰシステムは、第１のローラ（１４２ａ）と、第２のローラ（１４２ｂ）と、第１のローラおよび第２のローラの周りを循環する直線ベルト（１２）とを有する。 直線ベルトは、第１端と第２端との間に及ぶ幅を有する。 温度制御器は、熱素子配列（８７）を含む。 熱素子配列の各熱素子は各自独立に制御される。 熱素子配列は、第１のローラと第２のローラとの間に配置されると共に、直線ベルトの裏面に接するように構成される。 熱素子配列は、直線ベルトの幅の第１端と第２端との間に広がる。 | ||||||
| 176 | Support for the abrasive belt | JP2002577153 | 2002-03-29 | JP2005510368A | 2005-04-21 | エングダール・エリック・エイチ．; ガスパリッチュ・ジェフ; シュー・カングシャン; スタジーウィッチェ・ポール; タフ・ロバート; テイラー・トラビス・ロバート; バング・ケネス・ジェイ． |
| An invention is provided for a platen for use in a CMP system. The platen includes an inner set of pressure sub regions capable of providing pressure to a polishing pad disposed above the platen. Each of the inner pressure sub regions is disposed below a wafer and within a circumference of the wafer. In addition, the platen includes an outer set of pressure sub regions capable of providing pressure to a polishing pad. Each of the outer set of pressure sub regions is disposed below the wafer and outside the circumference of the wafer. In this manner, the outer set of pressure sub regions is capable of shaping the polishing pad to achieve a particular removal rate. | ||||||
| 177 | Improved method and apparatus for polishing a workpiece in two directions | JP2003503399 | 2002-06-12 | JP2004528998A | 2004-09-24 | アシュジャエー、ジャラル; タリエ、ホマヨウン; パーロブ、ブルフ; フレイ、バーナード・エム; ベラズケズ、エフレイン; ヘンダーソン、マーク; ボロダースキー、コンスタンティン; ヤング、ダグラス・ダブリュ |
| 【課題】被加工物を二方向に研磨するための改良された方法及び装置【解決手段】化学的機械的研磨装置及び方法は、劣化しないように、緊張状態で、供給スプール（１６０）と巻き取りスプール（１６２）との間に配置されている研磨パッド（１３０）の一部と、有効な二方向の直線運動を可能にする、単一の駆動システムと、該供給スプールまたは巻き取りスプールのいずれかと、処理中にロックされている他のスプールとに張力を与える機構とを用いる。 該研磨パッドの新たな部分が必要な場合には、該張力を与える同じモータ（７７０）が、該研磨パッドを所定量進ませるのに使用される。 また、処理中には、該研磨パッドの張力が一貫して維持されることを保証するために、フィードバック機構（図９）が用いられる。 | ||||||
| 178 | Polishing platen with a pressurized membrane | JP2002551130 | 2001-12-21 | JP2004521488A | 2004-07-15 | オウクザーズ・アレク; キストラー・ロッド; ボイド・ジョン |
| An invention is disclosed for impoved performance in a CMP process using a pressurized membrane (312) and piezoelectric elements (702) as replacements for a platen (308) air bearing. In one embodiment, a platen form impoving performance in CMP applications is disclosed. The platen includes a membrane disposed above the platen, and a plurality of annular bladders (314) disposed below the membrane, wherein the annular bladders are capable of exerting force on the membrane. In this manner, zonal control is provided during the CMP process. In a further embodiment, piezoeletric elements are disposeed above the platen, which exert force on the polishing belt (310) during a CMP process, resulting in improved zonal control during the CMP process. | ||||||
| 179 | Polishing method for semiconductor wafer, and polishing pad therefor | JP2002335617 | 2002-11-19 | JP2004172296A | 2004-06-17 | SHIRAKASHI EIGO; HAMANAKA MASASHI; ITOU FUMITAKA |
| <P>PROBLEM TO BE SOLVED: To contrive to achieve a desired level of flatness by using a belt type polishing apparatus. <P>SOLUTION: On the surface of a belt-type surface plate 11 wound around two rollers 10 with their rotation axes arranged to be parallel with each other, sheet-shape polishing pads 12 are stuck, each comprising, for instance, four polyurethane sheets. Grooves 12a in each of the polishing pads 12 extend in the same direction as the drive direction of the surface plate 11, but the polishing pads 12 adjacently arranged in the drive direction of the surface plate 11 are stuck apart so that the grooves 12a of one polishing pad 12 are spaced not to be in line with the grooves 12a of the other polishing pads 12. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO | ||||||
| 180 | Belt grinding apparatus provided with two retaining rings | JP2002551131 | 2001-12-21 | JP2004516665A | 2004-06-03 | オウクザーズ・アレク; キストラー・ロッド; ボイド・ジョン |
| 【課題】
【解決手段】化学機械研磨プロセスにおける縁部性能を改善するための発明が開示されている開示されている。 そのシステムは、ウエハの上方に配置されたウエハヘッドを備えており、ウエハ（４０２）ヘッドは、伸長および収縮可能な第１の能動保持リング（４０４）を備えている。 ウエハヘッドの下方には、研磨ベルト（４１２）が配置されており、研磨ベルトの下方には、伸長および収縮可能な第２の能動保持リング（４１０）を有するプラテン（４０８）が配置されている。 動作中、第１の能動保持リングおよび第２の能動保持リングは、研磨ベルトの位置制御を実現するよう制御されることにより、ウエハの縁部における除去率を調節および制御することが可能である。 【選択図】図４Ａ |
||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈