181 |
用于从附着有IC标签的纸张上揭分和收集IC标签的方法、系统和设备 |
CN200480001622.0 |
2004-01-21 |
CN1717286A |
2006-01-04 |
西田伸克; 岩田弘; 川浪年彦; 田岛俊美 |
本发明涉及一种将附着于纸片(2)的IC标签(1)从纸片(2)分离以便再利用方法、系统和设备。为了从附着有IC标签(1)的纸片(2)上有效地揭分和收集IC标签(1),通过把外力施加到纸片(2)和IC标签(1)之间的粘合表面而从纸片(2)上揭分IC标签(1)(揭分步骤)。接着,揭分的IC标签(1)从其它物质上分离(分离步骤)。 |
182 |
用于清洁基板的系统 |
CN200510070912.7 |
2005-05-17 |
CN1698982A |
2005-11-23 |
朴炫烈; 裵钟坤 |
本发明关于一种系统,用于湿清洁基板,如半导体晶圆,用于藉此通过有效排放在湿清洁过程中所产生的烟雾来减少湿站与清洁室中的气载分子污染物(AMC)。一种用于清洁基板之系统包括:壳体;多个浸槽,其置放于该壳体内部;传递装置,其置放于多个浸槽之顶部部分上用以传递基板;第一排放装置,其连接至多个浸槽用以排放多个浸槽内部之烟雾;以及第二排放装置,其置放于壳体内部与多个浸槽之外部之空间用以排放化学性烟雾。 |
183 |
衬底处理设备及相关的系统与方法 |
CN03819303.5 |
2003-05-09 |
CN1675401A |
2005-09-28 |
J·C·迪金森; F·简森; D·P·莫菲 |
处理微电子衬底(s)的设备(10)与方法包括主室(20)和可移动边界(15),主室包括封闭主室室内(25)的主室壁(27,29),可在第一位置(图4B)与第二位置(图4A)之间移动。在第一位置,可移动边界至少部分地限定可处理衬底的副室(90)。副室与主室室内流动隔离,提供适于高压处理衬底诸如清洗或表面制备的环境。副室能保持于高压,而主室保持于低压、大气压或真空。该设备能直接耦合外部衬底搬运和/或制造模块(210,401),因而主室室内在副室与外部模块之间提供缓冲区。在可移动边界在第二位置,例如通过传入设置的任何外部模块或从其中取出,可将衬底装入该设备或从其中取出。 |
184 |
半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法和被洗涤的成型制品 |
CN200310101038.X |
1999-03-24 |
CN1508841A |
2004-06-30 |
东野克彦; 野口刚; 岸根充; 长谷川雅典 |
提供一种能够获得清洁化的半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的新型并且有效的洗涤方法,是用干式蚀刻法和/或萃取法洗涤氟橡胶类成型制品。采用该方法所得的氟橡胶类成型制品和氟橡胶类密封材料。使用该氟橡胶类成型制品或氟橡胶类密封材料的半导体制造装置。 |
185 |
处理电子元件的方法及装置 |
CN01809225.X |
2001-03-13 |
CN1460037A |
2003-12-03 |
斯蒂文·韦尔豪韦贝克; 刘易斯·柳; 艾伦·E·沃尔持; C·韦德·希恩; 克利斯托弗·F·麦康奈尔 |
一种处理电子元件(11)的方法,其中电子元件(11)暴露在加热溶剂(15)中,并且随后暴露在臭氧化处理流体中。可选的,通过将电子元件(11)暴露在加热溶剂的经过层中,使电子元件(11)暴露在加热的溶剂(15)中。还提供了一种处理电子元件(11)的装置,其具有加热的溶剂(15)和臭氧化的流体。 |
186 |
半导体晶片清洗装置 |
CN96114250.2 |
1996-12-19 |
CN1118865C |
2003-08-20 |
韩石彬 |
一种改进的半导体晶片清洗装置,其内槽分成上下两部分形成可调内槽,可在清洗晶片时合拢内槽上部,以减小清洗空间和清洗液用量,增强清洗效果。该装置包括:具有清洗液供给管和排放管的外槽;置于外槽内的下部内槽,置于下部内槽上的上部内槽,上部内槽在第一铰接部件的配合下可调;与第二部件一起配置的驱动部件,用于关开上部内槽;控制驱动部件的控制部件;配送清洗液的挡板;以及为供给管配置的向内槽提供清洗液的泵。 |
187 |
液处理装置及液处理方法 |
CN02151833.5 |
2002-11-27 |
CN1432440A |
2003-07-30 |
黑田修 |
液处理装置一个实施例的清洗处理单元(CLN)12包括:转动板61,支持部件64a,保持部件64b,向晶片W供给清洗液的药液供给喷嘴51,驱动保持部件64a的弹簧120以及挤压机构121。挤压机构121驱动保持部件64b,使晶片W从支持部件64a隔离被保持部件64b所保持,反之,从保持部件64b隔离并被支持部件64a所支持;弹簧120对保持部件64b进行保持,使保持部件64b保持的晶片W以与支持部件64a隔离的状态被保持。通过向保持部件64b保持的晶片W供给清洗液进行清洗处理,能消除晶片W的未处理部分,进行均匀的液处理。 |
188 |
用于排放均匀化学制品的滴落歧管 |
CN01807368.9 |
2001-03-27 |
CN1420806A |
2003-05-28 |
邓·E·安德森; 卡特里娜·米哈耶里奇; 麦克·拉夫金; 约翰·M·德拉奥斯 |
本发明提供了一种用于晶片清洗系统的带有滴落喷嘴的滴落歧管,该滴落喷嘴构造为能够形成受控的液滴。该滴落歧管包括固定到滴落歧管上的多个滴落喷嘴,多个滴落喷嘴中的每个具有限定在第一段和第二端之间的通道。一蓝宝石孔口限定在该通道内且位于滴落喷嘴的第一端。该蓝宝石孔口形成角度,以产生在通道内朝向第二端反射的流体束,从而形成在刷子上的一个或多个均匀的液滴。 |
189 |
半导体晶片清洗装置 |
CN96114249.9 |
1996-12-19 |
CN1083153C |
2002-04-17 |
韩石彬 |
一种改进的半导体晶片清洗装置,在清洗过程中,能将内槽的形状变成晶片形状,所以,可以减少清洗空间。该装置包括:具有供应清洗液的供给管和排放清洗液的排放管的外槽;置于外槽内的内槽,它包括由形状记忆合金制成的上部;控制清洗液温度的温度控制部件;控制通过供给管供给晶片的清洗液的流量的挡板;给供给管配置的用于给内槽提供清洗液的泵;以及过滤清洗液的过滤器。 |
190 |
在液体中处理半导体片的方法和装置 |
CN94192794.6 |
1994-07-15 |
CN1079580C |
2002-02-20 |
R·R·马修斯 |
本发明提供了一种从半导体片上去除有机物质的方法。该方法包括使用吸收有臭氧的低于室温的去离子水。臭氧化的水流过半导体片,臭氧将半导体片上的有机物质氧化成不溶性气体。通过在盛有半导体片和低于室温的去离子水的处理槽中扩散臭氧,可就地制备臭氧化的水。本发明还提供了一种用液体处理半导体片(14)的处理槽(13)以及在处理槽(13)中的液体中直接扩散气体的气体扩散器(4)。 |
191 |
清洗装置 |
CN97190308.5 |
1997-02-14 |
CN1074948C |
2001-11-21 |
内野正英 |
在一个槽的配置空间上下配置两个槽,可以在上部槽和下部槽中同时进行清洗作业,所以,可根据清洗目的同时使用上部槽和下部槽,在较小的空间快速清洗被清洗物。而且,在临近可收入被清洗物(12)的下部槽(10)的上部,设置可收入被清洗物(12)的上部槽(15)。在该上部槽(15)和下部槽(10)之间形成被清洗物(12)的出入空间(14)。另外,设有可使被清洗物(12)出入于下部槽(10)内的下部竖直移动体(19)、以及可使被清洗物(12)出入于上部槽(15)内的上部竖直移动体(18)。并且,可同时在上部槽(15)和下部槽(10)内放入被清洗物(12)且可同时进行清洗相关作业。 |
192 |
半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法和被洗涤的成型制品 |
CN99804016.9 |
1999-03-24 |
CN1293599A |
2001-05-02 |
东野克彦; 野口刚; 岸根充; 长谷川雅典 |
提供一种能够获得清洁化的半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的新型并且有效的洗涤方法。用金属含量在1.0ppm以下、且含有粒径在0.2μm以上的微粒不超过300个/ml的超纯水洗涤氟橡胶类密封材料至少1次。 |
193 |
处理表面的不干粘性组合物 |
CN98805224.5 |
1998-05-14 |
CN1256706A |
2000-06-14 |
T·泰伯斯基; W·卢德克 |
本发明涉及一种处理表面的不干粘性试剂,它含有90~98.5%重量的水,1~4%重量吸湿组分,0.2~2%重量防腐剂和使混合物具有2,000~10,000mPa所必须量的增稠剂(22℃,根据布鲁克菲尔德测定,第3转轴,每分钟12转)。本发明也涉及本发明试剂处理与食品接触的表面或者食品加工中的其它表面的用途。本发明试剂保持表面湿润和防止食物和灰尘在该表面上干燥。 |
194 |
清洗装置 |
CN97190308.5 |
1997-02-14 |
CN1188434A |
1998-07-22 |
内野正英 |
在一个槽的配置空间上下配置两个槽,可以在上部槽和下部槽中同时进行清洗作业,所以,可根据清洗目的同时使用上部槽和下部槽,在较小的空间快速清洗被清洗物。而且,在临近可收入被清洗物(12)的下部槽(10)的上部,设置可收入被清洗物(12)的上部槽(15)。在该上部槽(15)和下部槽(10)之间形成被清洗物(12)的出入空间(14)。另外,设有可使被清洗物(12)出入于下部槽(10)内的下部竖直移动体(19)、以及可使被清洗物(12)出入于上部槽(15)内的上部竖直移动体(18)。并且,可同时在上部槽(15)和下部槽(10)内放入被清洗物(12)且可同时进行清洗相关作业。 |
195 |
汽车车身表面处理装置 |
CN95192267.X |
1995-03-24 |
CN1144518A |
1997-03-05 |
诺贝特·黑克曼 |
一种用于汽车车身表面处理的简单装置,车身(16)用旋转装置(2)仅靠旋转浸入处理池(1)中或从中取出来。装于装载滑板(11)上的汽车车身(16)与旋转装置(2)可拆卸式连接。另外,传递机构(12,13,17,18)用于将装载滑板(11)运到旋转装置(2)上或从上面卸下来。该装置特征在于,传递机构(12,13,17,18)安装于处理池(1)外部,其中,位于旋转装置(2)旋转区的传递机构(17,18)可移出或移入旋转区。 |
196 |
处理流体中半导体晶片的工艺和装置 |
CN94194011.X |
1994-09-22 |
CN1134123A |
1996-10-23 |
罗伯特·罗杰尔·马修 |
提供一种去除半导体晶片上有机物的工艺及一种用化学溶剂干燥晶片的工艺。在干燥工艺中将浸在具有下含水层(152)和上有机层(154)的槽液中的晶片(14)从下含水层经上有机层中提起,移出槽液。也公布了完成该工艺的设备。 |
197 |
在液体中处理半导体片的方法和装置 |
CN94192794.6 |
1994-07-15 |
CN1127569A |
1996-07-24 |
R·R·马修斯 |
本发明提供了一种从半导体片上去除有机物质的方法。该方法包括使用吸收有臭氧的低于室温的去离子水。臭氧化的水流过半导体片,臭氧将半导体片上的有机物质氧化成不溶性气体。通过在盛有半导体片和低于室温的去离子水的处理槽中扩散臭氧,可就地制备臭氧化的水。本发明还提供了一种用液体处理半导体片(14)的处理槽(13)以及在处理槽(13)中的液体中直接扩散气体的气体扩散器(4)。 |
198 |
内燃机清洗系统 |
CN93119333.8 |
1993-10-30 |
CN1090374A |
1994-08-03 |
E·韦尔普特 |
一种用于清洗内燃机的装置及方法,其设置一对清洗流体储存箱。还有储存箱选择阀,其可交替地将一个或另一储存箱连接到泵上,而排除另一储存箱与泵同时连接。一个储存箱专用于清洗以汽油产生动力的内燃机,从而保持清洗流体的颜色特征,而另一箱能用于清洗以柴油产生动力的内燃机。该系统在第一冲洗和浸泡阶段与第二冲洗和浸泡阶段工作。在成对储存箱中的第一储存箱起初用于泵送和回收在第一冲洗和浸泡阶段的清洗流体。而另一储存箱接着用于泵送和回收在第二冲洗和浸泡阶段的清洗流体,因此用于最后冲洗和浸泡阶段的清洗流体的有效寿命加长了。 |
199 |
自动动力传送系统流体更换和内部系统清洗的设备和方法 |
CN93119707.4 |
1993-10-29 |
CN1090018A |
1994-07-27 |
陈威宇 |
该发明提出一种自动动力传送系统免拆进行100%液体更换的方法和设备。自动动力传送系统包括至少一个用于散发正常传动操作所产生热量的独立或外置的传动液冷却装置,该独立的传动液冷却装置由液体转换管在一个封闭的循环内与自动动力传送系统互联。这种机器是按可调节流速和压力的方法进行操作,根据定义所说的用于自动动力传送系统的独立传动液供给和贮存系统,以暂时代替自动动力传动液供给和贮存系统。除了应用于自动动力传送系统之外,本发明的设备也用于清洗任何内燃机燃油系统。 |
200 |
清洗装置 |
CN93101133.7 |
1993-01-22 |
CN1076643A |
1993-09-29 |
内野正英 |
本发明涉及适用于电子、机械部件等的清洗装置,包括能容纳载放台的外槽,使载放台位于外槽内可移动位置,而且,在载放台处于载放清洗物的状态,用被覆体密固此载放台,具有能按照清洗目的进行多种清洗作业,能对少量的清洗液进行加热蒸发,以较少的能量消耗进行被清洗物的蒸汽清洗,或对被清洗物的真空干燥,能将包含在清洗液中的气体除去,以及能显著提高超声波清洗效果等优点。 |