首页 / 国际专利分类库 / 电学 / 基本电子电路 / 放大器 / 涉及放大器的索引表 / .特别适用于传输线耦合目的的放大器输出适应,如阻抗适应
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
41 匹配电路 CN200810097057.2 2008-05-12 CN101304244B 2012-05-09 福田敦史; 冈崎浩司; 楢桥祥一
一种匹配电路,在阻抗具有频率特性的电路元件(199)和具有固定阻抗的电路(198)之间串联连接了第1匹配单元(110)、第2匹配单元(120)、第3匹配单元(130)。第2匹配单元(120)具有阻抗变换功能。第1匹配单元(110)在开关(118)、(119)的导通、截止的排他切换中作为具有与各频带对应的电抗值的元件来动作,第3匹配单元(130)在开关(133)的导通、截止切换中作为具有与各频带对应的电抗值的元件来动作,从而在各频带中取得匹配。此外,第7电抗电路(131)基于与第5电抗电路(115)及第8电抗电路(132)的结构的相互依存关系而构成。
42 高次谐波处理电路以及使用了它的放大电路 CN200780035811.3 2007-08-01 CN101517892B 2012-04-18 石川亮; 本城和彦
发明提供可实现电路的小型化的高频处理电路以及使用了它的放大电路。包括第1阻抗调整单元和第2阻抗调整单元。第1阻抗调整单元包括耦合分布常数线路(CT)。耦合分布常数线路(CT)是被输入放大用晶体管(S)的输出的线路,并且具有所述放大用晶体管(S)的输出中的基波的波长(λ)的1/4的长度。并且,第1阻抗调整单元将对于偶数次高次谐波的输入阻抗实质性地调整为无限大或者零中的一个。第1阻抗调整单元和第2阻抗调整单元将对于奇数次高次谐波的输入阻抗实质性地调整为无限大或者零中的另一个。
43 包括具有不同开启功率平的并联晶体管放大器组的集成电路 CN200980141110.7 2009-08-17 CN102187570A 2011-09-14 R·S·彭格利
一种功率放大器电路(200)包括将输入信号(202)分离成多个分量输入信号(218a~d)的功率分离器(212、214、216)。至少两组晶体管放大器(220、230)均被并联地耦合到功率分离器(212、214、216)以接收并放大分量输入信号(218a~d)中的不同的一些信号以生成已放大分量输出信号。每组晶体管放大器(220、230)中的两个晶体管放大器被配置为在相互之间不同的输入信号功率平下开启。组合器(240)被配置为从所述至少两组晶体管放大器(220、230)接收已放大分量输出信号并将其组合成输出信号(204)。集成电路封装(210)包围功率分离器(212、214、216)、所述至少两组晶体管放大器(220、230)和组合器(240)。
44 使用功率合成器的功率放大器 CN200710182084.5 2007-10-31 CN101188404B 2011-06-01 朴昌根; 洪圣喆
在此公开一种使用功率合成器的功率放大器,该功率放大器通过使用传输线变压器合成由用在无线通信系统中的多个功率放大器所产生的功率从而能将功率损耗最小化并提高大输出功率的功率放大器的效率。
45 滤波器、发送-接收器以及放大电路 CN201010287992.2 2010-09-17 CN102035058A 2011-04-27 赤濑川章彦
一种滤波器、发送-接收器以及放大电路,该滤波器包括:输入端,基波信号及所述基波信号的谐波信号组被提供至该输入端;输出端,被配置成输出提供至所述输入端的所述基波信号;传输线,被配置成连接所述输入端和所述输出端;开路端短截线,被配置成对应于所述谐波信号组中的奇次谐波信号而设置,并且该开路端短截线耦接至所述传输线,且具有与对应的所述奇次谐波信号的1/4波长对应的长度;第一短路端短截线,被配置成耦接至所述传输线,并具有与所述基波信号的1/4波长对应的长度;以及第二短路端短截线,被配置成耦接至所述传输线。该滤波器能够抑制谐波信号并降低作为通过信号的基波信号的衰减量。
46 传输损耗小的电子电路 CN200610108477.7 2006-08-04 CN1921731B 2010-06-16 青木一晴
一种电子电路单元,经由由导体图案构成的传输线路(103)传输电能,将匹配电路(101)与功率放大器(102)的输出端连接。匹配电路(101)具备:第1导体图案(14),设置在具有多个电介质层(11~13)的层叠基板(10)的第1电介质层(11)上,具有弯曲部(P1~P4);第2导体图案(15),与第1导体图案(14)相对而设置在相邻的第2电介质层(12)上;连接导体(16~20),设置在第1及第2导体图案(14、15)的至少弯曲部(P1~P4)上。从而能够等价地增厚构成传输线路的导体图案的导体厚度,降低电阻值,并且即使是具有弯曲部分的导体图案也能抑制由弯曲部分中的电场集中所引起的传输损耗。
47 放大装置 CN200680010335.5 2006-05-17 CN101151798B 2010-05-19 大久保阳一; 武田康弘; 中村学; 安达胜; 野岛俊雄
放大装置,通过获得适当的匹配来改善性能。一种放大信号的放大装置,包括:分配单元1,分配信号;载波放大器2,用AB级对所分配的第1信号进行放大;峰值放大器4,用B级或者C级对所分配的第2信号进行放大;第1传输线路,与载波放大器的输出相连接,具有任意的电长度;第2传输线路,与峰值放大器的输出相连接,具有任意的电长度;以及合成端18,合成第1传输线路的输出与第2传输线路的输出,合成端的阻抗,与利用第1传输线路和第2传输线路分别进行了转换的载波放大器和峰值放大器的最大输出时的负载阻抗的并联阻抗不同地进行设定,或者设定为改变了载波放大器和峰值放大器的最大输出时的负载阻抗的并联阻抗。
48 RF放大装置 CN200780050673.6 2007-12-19 CN101595636A 2009-12-02 大西正己; 田中聪; 田中亮一
发明提供一种RF放大装置,包括:放大元件(Q11、Q12),对无线通信的无线频率输入信号(Pin_LB)进行放大;以及传输线变压器(TLT 11、12),与放大元件的输入电极与输出电极中的一个电极连接。传输线变压器包括:主线路(Lout),配置在输入与输出之间;以及副线路(Lin),配置在输入与输出中的某一个与交流接地点之间并与主线路(Lout)耦合。通过对交流接地点施加与接地电压电平(GND)不同的动作电压(Vdd),从交流接地点经由副线路(Lin)向放大元件(Q11、Q12)的输出电极供给动作电压(Vdd)。可以在RF放大装置中在实现高性能的负载电路时回避RF模的模块高度增大,并且回避在半导体芯片或多层布线电路基板中构成的高频放大器的负载电路的占有面积增大。
49 高效率功率放大器 CN200910003472.1 2009-01-15 CN101510760A 2009-08-19 竹中功
发明提供一种能够在放大工作电平同时实现高效率特性和高峰值特性的功率放大器。具有被偏置为AB类的主放大器(3)和被偏置为C类的峰值放大器(8),在峰值放大器(8)的输出侧连接有基波频率的1/4波长线路(9),合成所述主放大器和所述峰值放大器的输出,作为所述主放大器(3)的漏偏压电路,具有根据调制波输入信号的包络线对漏偏压进行调制的包络放大器(5)及包络检波电路(4)。
50 高频功率放大器及高频加热装置 CN200810145651.4 2008-08-07 CN101364795A 2009-02-11 卯野高史; 八幡和宏; 酒井启之
提供为提高高频功率放大器的功率利用效率的小型化的传送损耗低的谐波控制电路。由放大元件(204)、谐波控制电路(209)、输出耦合电路(207)、和负荷电阻(208)构成高频功率放大器。从输入端(201)输入的高频信号由放大元件(204)放大,通过谐波控制电路(209)和输出耦合电路(207),提供给负荷电阻(208)。谐波控制电路(209)由第一谐波控制电路(206)和第二谐波控制电路(205)构成。
51 匹配电路、双频带功率放大装置 CN200710300185.8 2007-12-19 CN101207371A 2008-06-25 福田敦史; 冈崎浩司; 楢桥祥一
提供了双频带功率放大装置以及主匹配和副匹配块被串联地连接的匹配电路,副匹配块包括:其一端主匹配地被串联连接的串联匹配块;以及串联匹配块的其他端上所连接的并联匹配网络,在第1频率f1时,串联匹配块和第1并联匹配块之间的连接点对于无线频率信号为开路状态,第1并联匹配块和第2并联匹配块的连接点对于无线频率信号为短路状态,在第1频率f1时,可由主匹配块和串联匹配块进行阻抗匹配,在第2频率f2时,可由主匹配块和副匹配块进行阻抗匹配。
52 使用传输线变压器的功率放大器 CN200710090811.5 2007-04-06 CN101056091A 2007-10-17 朴昌根; 洪圣喆
发明涉及一种在无线通讯系统中使用的功率放大器,所述功率放大器能在没有附加开关的情况下在整个输出功率范围内提高效率和扩展动态范围,所述功率放大器包括连接到匹配电路的驱动放大单元和功率放大单元,以及包括在传输线变压器中的功率耦合器,从而驱动放大单元驱动功率放大单元,或通过传输线变压器直接将功率输出到输出端,即,通过打开/关闭功率放大单元和驱动放大单元而将驱动放大单元的输出功率输出到负载。
53 放大器 CN200480026639.1 2004-09-17 CN1853343A 2006-10-25 椎熊一实
发明放大器包括:始终进行信号的放大工作的载波放大器、仅在高功率输出时工作的峰值放大器、合成载波放大器和峰值放大器的输出并输出的合成器、以及将输入信号分配给载波放大器一侧和峰值放大器一侧的分配器。其中,载波放大器和峰值放大器内置在一个封装(1)(一个封装晶体管)中。
54 复合放大器结构 CN02830057.2 2002-12-19 CN1714500A 2005-12-28 R·赫尔贝里; M·克林贝里
一种复合功率放大器结构,其包括被配置为Doherty放大器的辅助放大器并连接至输出节点的第一功率放大器(PA N+1),以及被配置成与同一输出节点连接的至少一个Chireix对的偶数个另外的功率放大器(PA 1,1+PA 1,2...PA N,1+PA N,2)。Chireix对至少部分地以异相模式被驱动(40),以及第一功率放大器以与Doherty放大器的辅助放大器相同的方式(40)被驱动。
55 宽带放大器 CN201410392260.8 2014-08-11 CN104426483B 2017-09-26 杰瓦德·侯赛因·库雷希
发明披露了一种多赫蒂放大器,每个包括:第一放大器和第二放大器,每个放大器具有各自的输入端和各自的输出端,第一放大器和第二放大器适于放大来自射频输入信号和在各自的输入端接收的各自的输入信号和分别发送第一输出信号和第二输出信号;分别耦合到第一放大器的输出端和第二放大器的输出端的第一移相器和第二移相器;第三移相器和第四移相器;其中多赫蒂放大器还包括第一组合节点和第二组合节点,其中每个第三移相器被耦合在各自的第一移相器和第一组合节点之间;每个第四移相器被殴和在各自的第二移相器和第二组合节点之间,和每个主放大器和峰值放大器的第三移相器适于耦合到各自的第四移相器。本发明还披露了一种相关联的印刷电路板。
56 Doherty放大器 CN201410216104.6 2014-05-21 CN104184418B 2017-09-22 杰瓦德·侯赛因·库雷希
Doherty放大器向主级和峰化级的功率晶体管施加的不同漏极电压。阻抗变换器包括:至少一个第一串联移相元件,在主放大器的输出和Doherty放大器输出之间;以及至少一个第二串联移相元件,在峰化放大器的输出和Doherty放大器输出之间。这样提供了一种宽带组合器。这种宽带组合器和不同漏极驱动电平的组合提供了提高的效率和带宽的组合。
57 高效率功率放大器 CN201280041707.6 2012-08-29 CN103765765B 2017-02-15 神山仁宏; 石川亮; 本城和彦
发明的高效率功率放大器包括晶体管和输出功率处理电路部。输出功率处理电路部包括输出匹配电路部和输出谐波处理电路部。输出匹配电路部执行对于输出功率的基波分量的阻抗匹配。输出谐波处理电路部执行对于多个谐波功率分量的无功功率的无功功率控制,所述谐波功率分量分别具有是输出功率的基本频率的整数倍的多个谐波角频率。输出谐波处理电路部形成为通过将无功功率中的电流电压相位正交化来对多个谐波功率分量中的至少一个实现无功功率控制。
58 放大设备 CN201310052756.6 2013-02-18 CN103312271B 2016-01-13 马庭透
放大设备。放大设备中包括的第一放大部和第二放大部对通过向量分解生成的两个恒定振幅信号进行放大。阻抗反转电路对由第二放大部放大后的信号进行阻抗反转。合成电路对由第一放大部放大后的信号的相位以及由阻抗反转电路进行阻抗反转后的信号的相位进行校正,并且对这些信号进行合成而输出。合成电路包括长度为(λ/4)+γ并且为非对称电路元件的线路以及长度为(λ/4)-δ并且为非对称电路元件的线路。
59 具有多合体扩展的高频功率放大器 CN201180005312.6 2011-08-03 CN102696172B 2015-12-02 洛塔尔·申克
一种高频功率放大器,包括宽带放大器(30)、DOHERTY扩展(31)和耦合设备(33)。所述宽带放大器(30)具有功率分配器(34)、主放大器路径(64)和辅助放大器路径(65)。所述DOHERTY扩展(31)具有第一偏置线(60)、第二偏置线(61)和阻抗转换器(62)。所述宽带放大器(30)放大输入信号并把放大后的信号提供给所述DOHERTY扩展(31)或所述耦合设备(33)。
60 具有提高的稳定性的分布式放大器 CN201210060713.8 2012-03-09 CN102684610B 2015-03-25 K·贝松
发明涉及一种具有提高的稳定性的分布式放大器,包括输入传输电路,输出传输电路,耦合在所述输入传输电路和输出传输电路之间的至少一个共栅共源放大器。每一个共栅共源放大器包括耦合到所述输出传输电路的共用栅极配置的晶体管和耦合在所述输入传输电路和所述共用栅极配置的晶体管之间的共用源极配置的晶体管。所述分布式放大器还包括串联耦合在至少一个共用栅极配置的晶体管的栅极和漏极之间的非寄生电阻和电容,用于增加放大器稳定性。
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