| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 场效应晶体管放大器 | CN97100635.0 | 1997-03-12 | CN1075685C | 2001-11-28 | 望月拓志 |
| 本发明为一使用场效应晶体管作为放大器件的一场效应晶体管放大器，其包括一同轴介质谐振装置，该同轴介质谐振装置被接在放大器的输入端与放大器件的输入端之间，并具有λ/2电学长度及比从放大器的输入端到放大器件的输入端的输入端阻抗低的一特性阻抗。 | ||||||
| 182 | 带有微波功率放大器的单片集成电路器件 | CN95116116.4 | 1995-09-15 | CN1064194C | 2001-04-04 | 中岛秋重; 藤冈彻; 长谷英一 |
| 一种微波多级功率放大器具有输入和输出级匹配电路以及一个或更多的级间匹配电路。放大器和信号输出焊盘以及第一和第二电压源焊盘都制作在同一个半绝缘衬底上。输出级中的第一FET的漏极通过第一配电线连接于第一电压源焊盘并通过第二配电线连接于信号输出焊盘，其中的第一和第二配电线参与形成输出级的匹配电路。输出级前级中的第二FET的漏极通过用作连接导体的第三配电线连接到第二电压源焊盘。 | ||||||
| 183 | 共平面波导一倒装芯片 | CN95190932.0 | 1995-09-25 | CN1062394C | 2001-02-21 | C·A·莫文凯尔; E·F·约翰逊; E·B·施东汉姆 |
| 一个射频功率放大器(22)包括一个倒装在一个衬底(30)的一个连接区(32)上的一个多FET芯片(26)。一个输入阻抗匹配网络(62、64)也安装在该衬底上。该网络包括一个共平面波导(24)，该波导(24)对于该FET芯片(26)上的各个栅端(70)有一个细长形波导信号导体(48b、48c)，该导体有一个与连接区(32)隔开的远端(48d、48c)和一个在连接区内的近端(48g、48h)。一个电容器(54、56)将各个输入信号导体的远端(48d、48c)与一个邻近的接地导体(36、38)耦合。该信号导体(48b、48c)和电容(54、56)对一个选定的频率提供一个选定的阻抗。一个输出共平面波导(28)相对每个漏极(72)有一个输出信号导线(88)，该导体(88)有一个在连接区(32)内的、与倒装的FET芯片(26)电连接的端子(82a)，这种波导(28)也有一个选定的长度以提供所需的阻抗匹配，而且也可以有其它方式的阻抗匹配。 | ||||||
| 184 | 一种低噪声、低失真的D类放大器 | CN99124443.5 | 1999-11-18 | CN1257343A | 2000-06-21 | 斯图尔特·浦林 |
| 一种低颤动死区时间电路,使用一种RC组合对半桥式电路中的上下两个MOSFET的导通延迟进行调节。此电路在半桥式电路中能将导通延迟的颤动降至最低,并对于两个MOSFET都得到符合一致的导通延迟。这能使噪声和失真降至最低。此电路被设计成和分流调节器一起使用于从供电装置中排除纹波。 | ||||||
| 185 | 无线基站用载波频带信号的收发装置 | CN99104712.5 | 1999-04-01 | CN1246774A | 2000-03-08 | 武进健 |
| 一种能够在大输出的发射功率发射到空间之前减轻发射功率蒙受的损失和功耗的收发装置,该装置具有分别耦合到多个天线上的多个收发功率放大器,每个功率放大器把用比要从天线发射到空间的全部功率少的功率实现的前馈功率放大器和低噪声放大器分别通过发射滤波器和接收滤波器耦合到天线上,比较功率检测器的输出和倾斜角设定电路的控制信号,参照相移量表,调节可变相移电路的相移量。 | ||||||
| 186 | 控制和维护塔顶低噪声放大器的方法和装置 | CN98126574.X | 1998-12-29 | CN1230048A | 1999-09-29 | 韩东洙 |
| 一种用于控制和维护耦合到天线的塔顶低噪声放大器(TTL)模块的方法和装置,其中TTL模块有多个TTL,每个用于放大由天线接收的在相关蜂窝扇区的信号。该方法包括:在读模式期间,读关于出现在TTL模块中的告警情况的告警信息;并且响应于该告警信息,以写模式写命令至耦合到TTL模块的控制电路,以控制旁通开关的开关状态。 | ||||||
| 187 | 将对称信号转换为非对称信号的设备 | CN98119556.3 | 1998-09-23 | CN1216879A | 1999-05-19 | N·格雷 |
| 本发明涉及转换设备CONV,该转换设备具有一对称输入电压Vin和一非对称输出电压Vout,该设备包括用来产生其数值与该输入电压Vin相关联的电流的互电导模块TCM,和用来将电流转换为以预定电位为基准的电压Vout的电阻模块RM。依照本发明,互电导模块TCM包括接收输入电压Vin的差动对(Q1,Q2),和用来接收来自差动对(Q1,Q2)的集电极电流,并发送表示该电流间差别的电流的减法器装置SUB。本发明可应用于无线电话内,集成电路和印刷电路间的接口。 | ||||||
| 188 | 线性化数字自动增益控制 | CN96197885.6 | 1996-09-16 | CN1200848A | 1998-12-02 | 纳撒内尔·B·威尔逊 |
| 本发明提供无线电设备中的线性数字自动增益控制(AGC)。对接收到的信号进行解调以提供I和Q数字基带信号。根据这些信号确定接收信号强度指示,而且调节所得的数字信号以提供对数响应(205)。然后,对这个信号求积分(210)以提供数字接收AGC调节信号。发送AGC调节,则滤除数字接收AGC调节信号(215),然后把它与按比例调整(206)后的闭环功率控制命令(265)相加。如果闭环功率控制命令(265)导致发射增益的增加超过放大器的最大设计输出,那么忽略这些命令(220)。使数字AGC调节信号在数字－模拟变换(23)和(245)之前预失真的发送和接收线性化电路(225)和(240)分别使发送和接收AGC放大器的输出线性化。 | ||||||
| 189 | 功率放大器和通信单元 | CN96191250.2 | 1996-09-25 | CN1166246A | 1997-11-26 | 西将明; 国久武人; 石川修 |
| 一种功率放大器包括：一个具有一个输入端和一个输出端的第一放大器PA2；一个具有一个输入端和一个输出端的无源电路PC3；以及一个具有一个单极端和两个多掷端的第一开关SW2，第一开关SW2的一个多掷端被连接在第一放大器PA2的输入端上，第一开关SW2的另一个多掷端被连接在无源电路PC3的输入端上。这使得有可能提供一种功率放大器和一种通信单元，它们能够以不同频率、输出功率、或调制类型工作。 | ||||||
| 190 | 高电源抑制比的单端供电前置放大器 | CN97104557.7 | 1997-03-25 | CN1164776A | 1997-11-12 | M·纳耶比; M·穆斯巴; 小路法男 |
| 在磁介质存储系统中使用的一种单端输入放大器电路包括同时偏置和放大磁阻元件产生的信号的电路。放大器接收来自单端电源的功率。包括一个第一电阻。第一反馈电路产生提供给磁阻元件的第一偏置电流。第一反馈电路包括第一跨导放大器。第二反馈电路产生提供给磁阻元件的第二偏置电流。第二反馈电路包括第二跨导放大器。一个晶体管在接收电路和控制第一电阻之间相连。第一电阻、该晶体管和第二反馈电路都参考于单端电源，提供一个增加的电源抑制比。第二偏置电流经过两个电阻提供，因此增加了放大器电路的输出阻抗。 | ||||||
| 191 | 场效应晶体管放大器 | CN97100635.0 | 1997-03-12 | CN1162865A | 1997-10-22 | 望月拓志 |
| 本发明为一使用场效应晶体管作为放大器件的一场效应晶体管放大器，其包括一同轴介质谐振装置，该同轴介质谐振装置被接在放大器的输入端与放大器件的输入端之间，并具有λ/2电学长度及比从放大器的输入端到放大器件的输入端的输入端阻抗低的一特性阻抗。 | ||||||
| 192 | 共平面波导一倒装芯片 | CN95190932.0 | 1995-09-25 | CN1135811A | 1996-11-13 | C·A·莫文凯尔; E·F·约翰逊; E·B·施东汉姆 |
| 一个射频功率放大器(22)包括一个倒装在一个衬底(30)的一个连接区(32)上的一个多FET芯片(26)。一个输入阻抗匹配网络(62、64)也安装在该衬底上。该网络包括一个共平面波导(24)，该波导(24)对于该FET芯片(26)上的各个栅端(70)有一个细长形波导信号导体(48b、48c)，该导体有一个与连接区(32)隔开的远端(48d、48c)和一个在连接区内的近端(48g、48h)。一个电容器(54、56)将各个输入信号导体的远端(48d、48c)与一个邻近的接地导体(36、38)耦合。该信号导体(48b、48c)和电容(54、56)对一个选定的频率提供一个选定的阻抗。一个输出共平面波导(28)相对每个漏极(72)有一个输出信号导体(88)，该导体(88)有一个在连接区(32)内的、与倒装的FET芯片(26)电连接的端子(82a)，这种波导(28)也有一个选定的长度以提供所需的阻抗匹配，而且也可以有其它方式的阻抗匹配。 | ||||||
| 193 | 放大电路以及触控侦测系统 | CN201410457467.9 | 2014-09-10 | CN104811145B | 2017-10-03 | 林炜绩 |
| 本发明公开了一种放大电路以及触控侦测系统，所述放大电路包括：放大器，放大器包含信号输入端以及信号输出端；第一电流提供模块，用以提供第一电流至所述信号输入端；以及噪声侦测模块，用以侦测来自所述信号输出端的输出电压位准，若所述输出电压位准小于第一低临界值则控制所述第一电流提供模块来提供所述第一电流，若所述输出电压位准大于所述第一低临界值则控制所述第一电流提供模块不提供所述第一电流。 | ||||||
| 194 | 一种单端放大器及其噪声消除方法 | CN201410495486.0 | 2014-09-24 | CN104333333B | 2017-09-01 | 南超州; 邓俊雄 |
| 本发明公开了一种单端放大器及其噪声消除方法。单端放大器包括噪声去除电路，连接于电源，用于接收电源信号并去除电源信号中的部分纹波和噪声，产生一初始信号；放大电路用于在放大电路的第一端接收初始信号，并将初始信号放大后在第二端产生第一信号，第一传输电路接收电源信号，在放大电路第二端产生第二信号，第一信号和第二信号矢量叠加后输出以去除电源信号中的大部分纹波和噪声；其中，噪声去除电路包括第一电容和第一扼流圈，第一电容的一端连接电源信号，另一端耦接放大电路的第一端，并通过第一扼流圈接地。通过上述方式，本发明能够大大减少电源信号中的纹波和噪声，并且电路结构简单，不会增加额外的功率损耗，可以应用于不同的电路。 | ||||||
| 195 | 具有误差校正的开关式电源的干扰抑制 | CN201380047073.X | 2013-07-10 | CN104620499B | 2017-07-14 | M·威尔逊 |
| 本发明涉及一种开关式电源(102)，其被设置为在电感器(106)的一个端子处提供开关电源，电感器(106)的另一个端子连接至误差放大器(104)的第一输入，该误差放大器在其第二输入处具有参考信号(VREF)，该误差放大器(104)根据其第一输入和第二输入处的信号之间的差异而在输出处生成校正的开关电源，在该误差放大器(104)的输出和误差放大器的第一输入之间设置有反馈路径(200)，并且还包括电路，该电路用于感测在误差放大器(104)的反馈路径(200)中的开关器干扰电流，并且调整校正的开关电源输出以减少所述输出中的开关器干扰电流。 | ||||||
| 196 | 全差分比较器 | CN201610345328.6 | 2016-05-23 | CN106026938A | 2016-10-12 | 何力 |
| 本发明公开了一种全差分比较器，包括差分输入级与差分输出级，差分输入级包括正反馈通路、负反馈通路及偏置场效应管，差分输出级包括正输出单元与负输出单元，外部差分信号均输入负反馈通路与正反馈通路，负反馈通路、正反馈通路均分别与正反馈通路、偏置场效应管的漏极、正输出单元、负输出单元连接，外部一固定偏置电压输入偏置场效应管的栅极，偏置场效应管的源极接地，偏置场效应管为正反馈通路与负反馈通路提供偏置电流，正反馈通路与负反馈通路对输入的差分信号进行放大并输出至差分输出级，正输出单元输出经差分放大后的正信号，负输出单元输出经差分放大后的负信号。本发明的全差分比较器，节省了电路的功耗和面积，增强了放大器抵抗噪声的能力，增加了比较器的增益。 | ||||||
| 197 | 通过切换控制进行信号放大的方法及装置 | CN201510239942.X | 2015-05-12 | CN105099373A | 2015-11-25 | 王则坚 |
| 本发明提供一种通过切换控制进行信号放大的方法及装置，该方法包括：基于若干调制方案中的一个调制增益级的输入信号，以产生增益级的第一放大路径的至少一个第一放大结果；基于若干调制方案中的一个调制增益级的输入信号，以产生增益级的第二放大路径的至少一个第二放大结果；基于至少一个第一放大结果及至少一个第二放大结果，产生增益级的放大信号，在若干调制方案之间进行切换的第一放大路径的至少一个切换时间点与第二放大路径的一个切换时间点不重叠。本发明能够降低放大电路的降噪及偏移，不会降低放大电路的运算速度且不会增加芯片面积，无需利用额外的滤波电路。 | ||||||
| 198 | 单片LNA支持IC | CN200680050075.4 | 2006-10-30 | CN101366172B | 2015-04-29 | 戴维·布莱德博瑞 |
| 一种低噪声放大器(LNA)，包括：多个FET(F1，F2，F3，F4)，被布置为处理放大器所接收的信号；电源输入端(10)，被布置为用以操作LNA的电能；以及单片支持集成电路(IC)。单片支持IC包括：FET控制电路(2)，被布置为监视并控制每个FET的漏极电流；FET选择电路(3，24，22)，被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的DC分量的电平，并根据所检测的DC电平向FET控制电路(2)提供FET选择信号。 | ||||||
| 199 | 使用装置表征数据确定ET放大级的包络成形和信号通路预失真 | CN201380028955.1 | 2013-03-28 | CN104521137A | 2015-04-15 | G·威尔斯; 杰拉德·维蓬尼 |
| 描述了一种控制包络跟踪放大级的方法，所述包络跟踪放大级包括放大器、包络跟踪调制电源和预失真块，所述放大器用于放大输入信号，所述包络跟踪调制电源用于根据输入信号包络产生用于所述放大器的调制电源电压，并且其中通过成形函数将所述包络跟踪调制电源电压的所述输入信号包络成形，所述预失真块用于使所述放大器的输入信号预失真，所述方法包括：在处于测试状况下的所述放大器的表征模式中：测量所述放大级的参数，以针对所述放大器的输入功率和电源电压的瞬时值确定增益、相位和效率特性中的至少两个；针对增益、相位和效率特性中的所述至少两个中的每个，产生表示相对于施加于所述放大器的输入功率和电源电压的特性的三维图，以及在处于正常操作状况下的所述放大器的使用模式中：根据与增益、相位或效率中的一个或更多个相关的主要系统目标，使用三维图中的至少一个针对所述成形表确定成形函数；和使用所述三维图中的至少一个和确定的所述成形函数确定所述预失真块的预失真系数以满足与增益、相位或效率中的至少一个相关的次要系统目标。 | ||||||
| 200 | 功率放大器 | CN201410460758.3 | 2014-09-11 | CN104426489A | 2015-03-18 | 渡边晋太郎; 弥政和宏 |
| 提供一种能抑制差频输入噪声的小型功率放大器。功率放大器(PA1)具有输入端子(IN)、放大晶体管(11)、偏压电路(21)、滤波电路(61)、阻抗匹配电路(MC1)。偏压电路(21)能够向放大晶体管(11)的信号输入侧供给偏压。滤波电路(61)去除放大晶体管(11)的信号输入侧的噪声。滤波电路(61)具有匹配电阻(32)、片式电感器(52)及片式电容器(43)。片式电感器(52)及片式电容器(43)均是表面安装部件(SMD)。匹配电阻(32)形成在半导体基板(1)上，一端连接在MIM电容器(42)和MIM电容器(41)之间，另一端连接在MIM电容器(42)和放大晶体管(11)的信号输入侧之间。 | ||||||
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