| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 用于包络跟踪的装置和方法 | CN201280028782.9 | 2012-04-24 | CN103597741B | 2016-08-17 | F.G.巴尔特亚努; S.克斯巴克; Y.A.特卡申科; R.J.汤普森; D.S.利普里 |
| 公开一种用于包络跟踪的装置和方法。在一个实施例中，提供包括功率放大器（32）和包络跟踪器（30）的功率放大器系统。所述功率放大器被配置为放大射频（RF）信号，并且所述包络跟踪器被配置为使用所述RF信号的包络控制所述功率放大器的供应电压。所述包络跟踪器包括用于从电池电压生成降压电压的降压转换器（73）以及用于基于所述RF信号的包络调整所述降压电压以生成所述功率放大器的供应电压的数字到模拟转换（DAC）模块（78，79）。 | ||||||
| 142 | 高频功率放大器及其工作方法 | CN201110048769.7 | 2011-02-25 | CN102170270B | 2016-06-29 | 太田生马; 林范雄; 筒井孝幸; 森泽文雅; 长谷昌俊 |
| 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。 | ||||||
| 143 | 传送电路、调节偏压的方法及适配偏压信息提供的方法 | CN201210262926.9 | 2012-07-27 | CN102904532B | 2016-06-22 | A.朗格 |
| 一种传送电路，用于调节功率放大器的偏压的方法和用于适配偏压信息的提供的方法。传送电路包括被配置为对RF输入信号进行放大以获得RF输出信号的功率放大器，被配置为将天线阻抗变换为天线调谐器输入处的阻抗的天线调谐器，其中所述天线调谐器的输入耦合到所述功率放大器的输出，以及被配置为对所述功率放大器的偏压进行控制的偏压控制器，其中所述偏压控制器被配置为基于对由所述天线调谐器提供至所述功率放大器的负载阻抗的测量的确定提供偏压控制信号以对所述功率放大器的偏压进行调节。 | ||||||
| 144 | 驱动器电路和相关联的功率放大器组装件、无线电基站及方法 | CN201380079257.4 | 2013-08-29 | CN105684303A | 2016-06-15 | Z.吴 |
| 呈现了用于无线电基站的功率放大器的驱动器电路。驱动器电路包括：射频输入；用于连接到功率放大器的输出；连接到射频输入和第一偏置支路的组合器。第一偏置支路包括偏置源输入、第一电容器支路和第二电容器，其中，第一电容器支路连接在组合器与接地之间，并且第二电容器连接在组合器与接地之间。第一电容器支路包括第一开关和第一电容器，第一开关在组合器与第一电容器之间提供，使得在第一状态中，第一电容器连接到组合器，并且在第二状态中，第一电容器与组合器断开。还呈现了对应的功率放大器组装件、无线电基站和方法。 | ||||||
| 145 | 放大器与接收器 | CN201210275625.X | 2012-08-03 | CN102916658B | 2016-06-08 | 廖之帆 |
| 本发明提供一种放大器与接收器，用以接收一输入信号并据以提供一输出信号，该放大器包括一主放大核心与一辅助电路。主放大核心具有一个耦接输入信号的输入端、一输出端与一加总端，用以提供一内部信号至加总端，并依据提供至加总端的信号而于输出端输出该输出信号。辅助电路耦接于输入端与加总端之间，用以匹配输入端的阻抗，并依据输入信号提供一抑制信号至加总端。本发明能够采用一合成架构分别满足输入阻抗匹配与高线性度电流模式接口这两种基本上相互矛盾的需求，并增强噪声抑制。 | ||||||
| 146 | 高频功率放大器 | CN201210155265.X | 2012-05-18 | CN102790591B | 2016-03-30 | 渡边晋太郎; 弥政和宏; 前原宏昭; 高相纯 |
| 本发明涉及高频功率放大器。获得一种能够同时进行阻抗匹配的切换和路径的切换，能够使电路设计的自由度提高的高频功率放大器。晶体管（Tr1）对从外部输入的高频信号进行放大。晶体管（Tr2）对晶体管（Tr1）的输出信号进行放大。晶体管（Tr3）与晶体管（Tr1）并联连接，并对从外部输入的高频信号进行放大。在晶体管（Tr1）的输出和晶体管（Tr2）的输入之间连接有切换元件（SW1）。在晶体管（Tr3）的输出和切换元件（SW1）之间连接有切换元件（SW2）。在晶体管（Tr1）的输出及切换元件（SW2）和晶体管（Tr2）的输出之间串联连接有切换元件（SW3、SW4）。在切换元件（SW3）和切换元件（SW4）之间连接有电容器（C1）。 | ||||||
| 147 | 多模功率放大器及相应的移动通信终端 | CN201310595507.1 | 2013-11-21 | CN103580610B | 2016-03-16 | 宣凯 |
| 本发明公开了一种多模功率放大器，其具有低、中、高三种功率模式，其包括调节控制电路、AMP1、分路器件、AMP2，以及低、中和高三个功率输出匹配电路。在低功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第一功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至低功率输出匹配电路。在中功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第二功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至中功率输出匹配电路。在高功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第二功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至AMP2，AMP2的输出端与高功率输出匹配电路的输入端相连。这样，采用两个功率放大单元即可以实现低、中和高三个功率模式，占用芯片面积小，制造成本较低。 | ||||||
| 148 | 功率放大器 | CN201210274868.1 | 2012-08-03 | CN102916662B | 2016-03-02 | 三轮真一; 塚原良洋; 金谷康; 小坂尚希 |
| 本发明涉及功率放大器，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明的功率放大器（10）具备：半导体基板（12），形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极（40），形成在该半导体基板上；漏极焊盘（42），在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻（44），在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极（46），在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路（16），形成在该半导体基板的外部；以及布线（18a，18b，18c，18d），连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。 | ||||||
| 149 | 射频控制系统 | CN201310056218.4 | 2013-02-22 | CN103324238B | 2016-01-20 | 戴维·J·库莫; 理查德·法姆 |
| 本发明提供一种射频控制系统。RF电源系统用于将RF功率周期性传输至负载。功率放大器将RF信号输出至该负载。传感器测量提供至该负载的RF信号并输出根据该RF信号而改变的信号。第一反馈回路能够基于由传感器的输出确定的功率来控制该RF信号。第二反馈回路能够基于由传感器输出的信号测量的能量来控制该RF信号。能量振幅和持续时间提供用于改变该RF信号的控制值。控制系统和技术方案适用于脉冲RF电源和各种连续波电源实例。 | ||||||
| 150 | 放大设备 | CN201310052756.6 | 2013-02-18 | CN103312271B | 2016-01-13 | 马庭透 |
| 放大设备。放大设备中包括的第一放大部和第二放大部对通过向量分解生成的两个恒定振幅信号进行放大。阻抗反转电路对由第二放大部放大后的信号进行阻抗反转。合成电路对由第一放大部放大后的信号的相位以及由阻抗反转电路进行阻抗反转后的信号的相位进行校正，并且对这些信号进行合成而输出。合成电路包括长度为(λ/4)+γ并且为非对称电路元件的线路以及长度为(λ/4)-δ并且为非对称电路元件的线路。 | ||||||
| 151 | 具有多合体扩展的高频功率放大器 | CN201180005312.6 | 2011-08-03 | CN102696172B | 2015-12-02 | 洛塔尔·申克 |
| 一种高频功率放大器，包括宽带放大器(30)、DOHERTY扩展(31)和耦合设备(33)。所述宽带放大器(30)具有功率分配器(34)、主放大器路径(64)和辅助放大器路径(65)。所述DOHERTY扩展(31)具有第一偏置线(60)、第二偏置线(61)和阻抗转换器(62)。所述宽带放大器(30)放大输入信号并把放大后的信号提供给所述DOHERTY扩展(31)或所述耦合设备(33)。 | ||||||
| 152 | 特别用于激光风速计的模拟放大器件 | CN201380055269.3 | 2013-08-14 | CN104937840A | 2015-09-23 | 弗朗西斯·博尼; 拉斐尔·泰塞雷 |
| 一种模拟放大器件，其包括：-第一级(28)，其包括具有共基极的晶体管(36)，该晶体管在其发射极或源极接收调制输入电流，第一级的输出信号对应于集电极的信号，-第二级(30)，其由下一个放大器构成，所述放大器包括具有共集电极或漏极配置的晶体管(38)，-第三级(32)，其包括具有共发射极配置的晶体管(40)，以及-第四级(34)，其是放大级，具有允许一方面实现放大，另一方面实现阻抗匹配的装置。应用于光学返回注入的激光风速计。 | ||||||
| 153 | 减少在放大器输入端的寄生不匹配的效应 | CN201380047204.4 | 2013-08-21 | CN104838587A | 2015-08-12 | 派翠克·J·昆恩; 约翰·K·珍宁斯; 达拉·华许; 帕德拉·凯利 |
| 提供一种电路，所述电路包含放大器(405)，所述放大器包括差分输入级(430)，所述差分输入级包含第一输入端子及第二输入端子。所述电路进一步包含耦合到所述第一输入端子及所述第二输入端子的差分输入线(460)，及至少部分地涵盖所述差分输入线的屏蔽件(435)。所述屏蔽件连接到所述放大器的所述差分输入级的节点。 | ||||||
| 154 | 半导体器件 | CN201080067651.2 | 2010-06-22 | CN102959875B | 2015-07-29 | 古田善一; 堀和明; 赤峰幸德 |
| 在半导体器件(RFIC)的发送部(22)中，第一放大部(24)接收数字基带信号，通过数字处理来以第一增益进行放大。数字模拟转换部(25)将通过第一放大部(24)放大后的数字基带信号转换为模拟基带信号。调制部(32)根据模拟基带信号对局部振荡信号进行调制，由此生成发送信号。第二放大部(35)以可变的第二增益对发送信号进行放大。控制部(36)接收表示发送模式的信息，根据发送模式调整第一增益。 | ||||||
| 155 | 负阻抗生成电路及其集成电路 | CN201110246435.0 | 2008-04-07 | CN102386886B | 2015-07-08 | 费得黎各·亚历山卓·菲布里奥·贝佛 |
| 本发明是关于一种负阻抗生成电路及其集成电路，所述负阻抗生成电路用以生成负阻抗，所述的电路包括，第一晶体管以及第二晶体管，第一晶体管具有控制端，所述控制端耦接第一节点；第二晶体管具有电流端，所述电流端耦接所述第一节点，第一及第二晶体管相互影响，用以产生所述负阻抗。本发明可节省空间，特别是当可变电容由切换电容阵列所构成时，另外，本发明用来产生负阻抗的偏压电路小于一般的偏压电路。 | ||||||
| 156 | 一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备 | CN201510081837.8 | 2015-02-15 | CN104682898A | 2015-06-03 | 牛旭 |
| 本发明公开了一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备。该电路包括PTAT电流源电路、基准电压电路、隔离稳压电路以及偏置电压电路；其中，PTAT电流源电路输入端连接到电压源，输出端连接基准电压电路，用于产生与电压源和温度成比例的电流；基准电压电路产生与电流和温度成比例的基准电压；隔离稳压电路隔离基准电压电路和偏置电压电路，通过负反馈的环路为偏置电压电路提供稳定电压；偏置电压电路接收隔离电压电路的电压，同时连接电压源，用于产生功率放大管的偏置电压。本发明能够在一定程度抑制温度漂移导致的偏置状态漂移，同时克服大功率输出状态下温度升高所导致的线性度恶化。 | ||||||
| 157 | 多模多频功率放大器 | CN201310560210.1 | 2013-11-12 | CN104639059A | 2015-05-20 | 张科; 田彤; 崔剑慧; 刘宏 |
| 本发明提供一种多模多频功率放大器。所述多模多频功率放大器至少包括：设置在芯片上的多级功率放大器；用于基于第一控制信号来启动相应级数的功率放大器的控制单元；用于基于所启动的功率放大器来提供相匹配的阻抗的阻抗匹配单元；用于选择被启动的功率放大器的工作频段的频段选择单元。本发明可适用于多种场合，而且不需要使用传统上的额外电源或者大尺寸的负载调制技术来实现输出的多模式化，直接采用内部控制电路和外部阻抗匹配相结合的方式实现在多个输出功率模式下保持高效率的工作；尤其能够在600MHz及780MHz双频段下良好工作。 | ||||||
| 158 | 多赫蒂放大器结构 | CN201410562192.5 | 2014-10-21 | CN104601117A | 2015-05-06 | 让-雅克·博尼 |
| 一种集成的多赫蒂放大器结构，包括：主放大器级；至少一个峰值放大器级；输出组合条，被配置为接收和组合来自主放大器级和/或每个峰值放大器级的输出；主连接，被配置为将主放大器级的输出端连接到组合条，主连接包括，至少部分地，接合线形成第一电感；峰值连接，被配置为将峰值放大器的输出端连接到组合条；其中，主连接在沿着组合条的第一点处连接到组合条和峰值连接在与第一点隔开的沿着组合条的第二点处连接到组合条以及主放大器级比一个以上的峰值放大器级更加远离输出组合条。 | ||||||
| 159 | 半导体装置 | CN201410503154.2 | 2014-09-26 | CN104518768A | 2015-04-15 | 堀口健一; 广部正和; 美保谕志; 佐佐木善伸; 山本和也 |
| 本发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具有：将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16)；与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18)；一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30)；多条输出路径(34)；与该第1电容器的另一端连接，并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32)；以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40)，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。 | ||||||
| 160 | 多频率多标准可重配置的多尔蒂放大器 | CN201380041075.8 | 2013-08-01 | CN104508974A | 2015-04-08 | S.布麦扎; A.M.M.默罕默德 |
| 公开了一种用于设计和实现可重配置的多尔蒂放大器系统的方法和系统。在一个实施例中，一种设计方法包含：对于多尔蒂放大器的辅助放大器被关闭的情况，使用处理器，确定多尔蒂放大器的主路径中的第一输出补偿网络的ABCD传输参数的第一集合。该方法还包含：使用处理器，基于该ABCD传输参数的第一集合，确定多尔蒂放大器的辅助路径中的第二输出补偿网络的ABCD传输参数的第二集合。 | ||||||
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